JP2006313943A5 - - Google Patents

Claims (12)

1. 第１の領域と、前記第１の領域の周縁に沿って延在する第２の領域とが規定された主表面を有するリードフレームと、
   前記第１の領域に設けられた半導体発光素子と、
   前記半導体発光素子から発せられた光を透過する樹脂から形成され、前記半導体発光素子を完全に覆うように前記第１の領域に設けられた第１の樹脂部材と、
   前記半導体発光素子から発せられた光を反射する樹脂から形成され、前記半導体発光素子を囲むように前記第２の領域に設けられた第２の樹脂部材とを備え、
   前記リードフレームは、折り曲げのない構造を有し、
   前記リードフレームの前記第１領域には、樹脂により充填されるスリット状の溝が形成され、前記スリット状の溝を充填する樹脂は、前記第２の樹脂部材を形成する樹脂であり、
   前記リードフレームは、前記第２の領域の周縁から前記第１の領域とは反対側に突出し、所定の方向に延びるリード端子を含み、前記リード端子は、前記所定の方向に延びる先端に端面が形成された先端部と、前記第２の領域の周縁と前記先端部との間に位置する基部とを有し、
   前記リード端子は、前記端面の面積が、前記端面に平行な平面における前記基部の断面積よりも小さくなるように形成されている、半導体発光装置。
2. 前記リードフレームは、前記スリット状の溝によって離間した部分を含み、前記スリット状の溝によって離間した部分の厚みは、他の部分の厚みよりも小さい、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 前記リードフレームは、前記第１の領域に形成された第２の凹部を含み、前記半導体発光素子は前記第２の凹部に設けられている、請求項１または２に記載の半導体発光装置。
4. 前記リードフレームは、熱伝導率が３００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以上４００（Ｗ／ｍ・Ｋ）以下の金属によって形成されている、請求項１から３のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
5. 前記第１の樹脂部材は、第１の頂面を含み、
   前記第２の樹脂部材は、前記主表面からの距離が前記主表面から前記第１の頂面までの距離よりも大きい位置に設けられた第２の頂面と、前記半導体発光素子が位置する側において前記主表面から離隔する方向に延在し、前記第２の頂面に連なる内壁とを含み、
   前記内壁は、前記第１の頂面上において前記第１の樹脂部材によって覆われていない、請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
6. 前記第２の樹脂部材は、前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状の面積が、前記主表面から離れるに従って大きくなるように形成されている、請求項１から５のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
7. 前記主表面に平行な面上において前記内壁によって規定される形状は、円形、楕円形および多角形のいずれかである、請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
8. 前記リード端子は、前記基部で第１の幅を有し、前記先端部で前記第１の幅よりも小さい第２の幅を有する、請求項１から７のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
9. 前記端面は、所定の切断用工具によって形成された切断面である、請求項１から８のいずれか１項に記載の半導体発光装置。
10. 請求項９に記載の半導体発光装置の製造方法であって、
    複数の前記半導体発光装置が形成されたリードフレーム基材を準備する工程と、
    前記リードフレーム基材を前記先端部で切断することによって、前記リードフレーム基材から複数の前記半導体発光装置を切り出す工程とを備える、半導体発光装置の製造方法。
11. 請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体発光装置を備える、電子撮像装置。
12. 前記半導体発光装置から５０ｃｍ隔てた位置に、縦６０ｃｍ、横５０ｃｍの大きさを有する矩形形状の基準面を設けた場合に、前記半導体発光装置から前記基準面の中心に向けて光が照射された時、前記基準面の四隅における照度は、前記基準面の中心における照度の５０％以上である、請求項１１に記載の電子撮像装置。