JPH05315517A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH05315517A JPH05315517A JP4118627A JP11862792A JPH05315517A JP H05315517 A JPH05315517 A JP H05315517A JP 4118627 A JP4118627 A JP 4118627A JP 11862792 A JP11862792 A JP 11862792A JP H05315517 A JPH05315517 A JP H05315517A
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- recesses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
Landscapes
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体装置の基板実装後の密着強度を向上させ
ることを目的とする。 【構成】半導体装置の外部端子に、へこみ及び、穴を有
する。 【効果】外部端子にへこみ、及び、穴を有することによ
り、その断面に外装半田の付着が得られ、それによる基
板実装時のメニスカスが、形成されやすく検査不良の低
減が図れるという効果と、その形状により実装時の半田
によるアンカー効果により、基板への密着強度が向上す
るという効果を有する。
ることを目的とする。 【構成】半導体装置の外部端子に、へこみ及び、穴を有
する。 【効果】外部端子にへこみ、及び、穴を有することによ
り、その断面に外装半田の付着が得られ、それによる基
板実装時のメニスカスが、形成されやすく検査不良の低
減が図れるという効果と、その形状により実装時の半田
によるアンカー効果により、基板への密着強度が向上す
るという効果を有する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置に関し、特
に外部端子の構造の改良に関する。
に外部端子の構造の改良に関する。
【０００２】
【従来の技術】図５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に示すよう
に、従来の半導体装置の外部端子２は、基板実装に適し
た形状を有しており、図５（Ａ）は外部端子先端部分が
細く、基板の実装部に開けられた穴に挿入しやすい形状
となっている。その時の半田の付着状態は、外部端子に
半田が這い上がった状態となる。図５（Ｂ）、（Ｃ）
は、ガルウィング形状の外部端子の例である。これは基
板の実装部表面にランドという電極上に載りやすい形状
となっている。その時の半田の付着状態は、図４（Ａ）
に示すように、外部端子２の先端部のリード平坦部の周
囲に半田８の這い上がり（以下メニスカスと記す）７が
生じるのが理想であるが、従来技術では外部端子の先端
部の断面にメニスカス７が形成されないことが多い。こ
れは、外部端子先端部断面に外装半田が形成されていな
いためである。この部分に何故外装半田が形成されない
かを、次に説明する。
に、従来の半導体装置の外部端子２は、基板実装に適し
た形状を有しており、図５（Ａ）は外部端子先端部分が
細く、基板の実装部に開けられた穴に挿入しやすい形状
となっている。その時の半田の付着状態は、外部端子に
半田が這い上がった状態となる。図５（Ｂ）、（Ｃ）
は、ガルウィング形状の外部端子の例である。これは基
板の実装部表面にランドという電極上に載りやすい形状
となっている。その時の半田の付着状態は、図４（Ａ）
に示すように、外部端子２の先端部のリード平坦部の周
囲に半田８の這い上がり（以下メニスカスと記す）７が
生じるのが理想であるが、従来技術では外部端子の先端
部の断面にメニスカス７が形成されないことが多い。こ
れは、外部端子先端部断面に外装半田が形成されていな
いためである。この部分に何故外装半田が形成されない
かを、次に説明する。
【０００３】一般的な半導体装置の組立方法は、リード
フレームのアイランド上に半導体チップを搭載し、外部
端子と電気的接続のため金属細線にてボンディングす
る。その後、半導体チップ及び、金属細線を保護する
為、モールド封止を行う。次に封止されていないリード
フレーム部、即ち外部端子部に電解半田メッキが施され
る。このとき外部端子は、まだリードフレームの外枠と
一体となっている。モールド表面に捺印を行った後、金
型によりリード切断が行われる。このとき、リードフレ
ーム外枠と外部端子が分離されるが、外部端子先端の切
断面には半田メッキは施されていない状態となり、リー
ドフレーム素材（例えば銅合金や、４２合金等）が露出
した状態となっている。その後金型により図５（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示すように外部端子形状に成形される
が、その先端部は露出したままである。
フレームのアイランド上に半導体チップを搭載し、外部
端子と電気的接続のため金属細線にてボンディングす
る。その後、半導体チップ及び、金属細線を保護する
為、モールド封止を行う。次に封止されていないリード
フレーム部、即ち外部端子部に電解半田メッキが施され
る。このとき外部端子は、まだリードフレームの外枠と
一体となっている。モールド表面に捺印を行った後、金
型によりリード切断が行われる。このとき、リードフレ
ーム外枠と外部端子が分離されるが、外部端子先端の切
断面には半田メッキは施されていない状態となり、リー
ドフレーム素材（例えば銅合金や、４２合金等）が露出
した状態となっている。その後金型により図５（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）に示すように外部端子形状に成形される
が、その先端部は露出したままである。
【０００４】以上説明したように半導体装置の外部端子
先端断面には外装半田が形成されないのである。
先端断面には外装半田が形成されないのである。
【０００５】このようにして製造された半導体装置を図
４（Ａ）のように実装基板６に実装するには、実装基板
６の上面の外部端子２を設置する箇所にランドを形成し
ておき、その上にソルダーペーストを塗布し、半導体装
置の外部端子２をその上へ搭載した後、赤外線リフロー
や熱風処理等により、外部端子の表面に施された外装半
田とソルダーペーストを融合させることにより、実装が
完了する。
４（Ａ）のように実装基板６に実装するには、実装基板
６の上面の外部端子２を設置する箇所にランドを形成し
ておき、その上にソルダーペーストを塗布し、半導体装
置の外部端子２をその上へ搭載した後、赤外線リフロー
や熱風処理等により、外部端子の表面に施された外装半
田とソルダーペーストを融合させることにより、実装が
完了する。
【０００６】ここで実装時の問題として半導体装置が基
板上に立ち上がることがある。これは、ソルダーペース
トが固着する際の内部応力によるものであり、共晶半田
を使用した場合、顕著に発生する。また同じ理由から実
装基板自体にも、そりが発生する。これらの問題点を低
減する目的として低融点半田をソルダーペーストとして
使用することが増加している。低融点半田はビスマスを
混入することで半田の溶融温度を低下させると共に、半
田の固液状体を延長できることから前述した問題点を改
善している。これが低融点半田の特徴であるが、欠点と
して一般に使用されている共晶半田より半田付け強度が
劣ることがあげられる。特に４２合金を使用したリード
フレームでは、鈴との合金層ができにくいため半田付け
強度は、共晶半田に比し３０〜５０％低下することが確
認されている。
板上に立ち上がることがある。これは、ソルダーペース
トが固着する際の内部応力によるものであり、共晶半田
を使用した場合、顕著に発生する。また同じ理由から実
装基板自体にも、そりが発生する。これらの問題点を低
減する目的として低融点半田をソルダーペーストとして
使用することが増加している。低融点半田はビスマスを
混入することで半田の溶融温度を低下させると共に、半
田の固液状体を延長できることから前述した問題点を改
善している。これが低融点半田の特徴であるが、欠点と
して一般に使用されている共晶半田より半田付け強度が
劣ることがあげられる。特に４２合金を使用したリード
フレームでは、鈴との合金層ができにくいため半田付け
強度は、共晶半田に比し３０〜５０％低下することが確
認されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
を基板へ実装した後の検査において、特に表面実装用の
半導体装置においては、図４（Ａ）に示す半田の這上が
り（以下メニスカス７と記す）を目視又は光学的に判断
することで検査を行っている。従来の半導体装置は、外
部端子先端を前述したように切断により加工するため、
図４（Ｂ）に示すように、切断面１１に外装半田９が付
着しておらず、そのためリードフレーム素材（例えば銅
合金や４２合金等）が露出してしまい酸化してしまうた
めソルダーペーストが付着できなくなる。つまりメニス
カス７が形成されない。このような場合、検査において
判断できなくなったり、不良と判断してしまうため自動
化できず、多大な工数が必要となり経費も増大してしま
う。
を基板へ実装した後の検査において、特に表面実装用の
半導体装置においては、図４（Ａ）に示す半田の這上が
り（以下メニスカス７と記す）を目視又は光学的に判断
することで検査を行っている。従来の半導体装置は、外
部端子先端を前述したように切断により加工するため、
図４（Ｂ）に示すように、切断面１１に外装半田９が付
着しておらず、そのためリードフレーム素材（例えば銅
合金や４２合金等）が露出してしまい酸化してしまうた
めソルダーペーストが付着できなくなる。つまりメニス
カス７が形成されない。このような場合、検査において
判断できなくなったり、不良と判断してしまうため自動
化できず、多大な工数が必要となり経費も増大してしま
う。
【０００８】一方、低融点半田を使用することによる半
田強度低下の問題がある。これは特にリードフレームに
４２合金材を使用する半導体装置で顕著である。これは
外装半田と４２合金との金属間結合層が、銅合金のそれ
に比し薄いため図４（Ｂ）の半田剥離１０のような不良
発生が生じやすい。これらの不良は再度半田付けで修復
されるが、再半田の方法は例えば、半田ごてにて手作業
により行われる。これは一枚の基板上には多数の半導体
装置が、搭載されており一部の半田不良の修復のため
に、再度赤外線リフロー等の自動機に通すと正常に半田
付けされたものが再加熱され不良となってしまうからで
ある。よって半田付け不良の修復は人手にたよることと
なり経済的にも悪影響を与えている。
田強度低下の問題がある。これは特にリードフレームに
４２合金材を使用する半導体装置で顕著である。これは
外装半田と４２合金との金属間結合層が、銅合金のそれ
に比し薄いため図４（Ｂ）の半田剥離１０のような不良
発生が生じやすい。これらの不良は再度半田付けで修復
されるが、再半田の方法は例えば、半田ごてにて手作業
により行われる。これは一枚の基板上には多数の半導体
装置が、搭載されており一部の半田不良の修復のため
に、再度赤外線リフロー等の自動機に通すと正常に半田
付けされたものが再加熱され不良となってしまうからで
ある。よって半田付け不良の修復は人手にたよることと
なり経済的にも悪影響を与えている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
その外部端子先端部に、へこみ又は、穴を施すと言う特
徴を有している。
その外部端子先端部に、へこみ又は、穴を施すと言う特
徴を有している。
【００１０】
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【００１１】図１（Ａ）は、本発明の一実施例の半導体
装置の斜視図である。本実施例によれば、モールド１の
外部に出ている外部端子２の先端部の折れ曲り部分に穴
３が形成されている。この他は従来と同じである。ここ
で穴３の側壁面には外装半田が施されている。この構成
を得る方法は、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に
しめすように、予めリードフレームに穴３を従来より行
われているエッチング又は、プレスにて加工したものを
用い、図３（Ｂ）に示すように、封止、外装半田メッキ
を行った後、図３（Ｃ）の様に、リード切断される。そ
の後、図３（Ｄ）に示すように外部端子を成形すること
により穴３が形成される。以上のように穴３の側壁面に
外装半田メッキが施される。この状態で基板に実装する
とランド上のソルダーペーストが穴３の内部に入り込
み、そのまま固着することによりアンカー効果を有す
る。そのため低融点半田を使用しても十分な半田強度が
得られる。
装置の斜視図である。本実施例によれば、モールド１の
外部に出ている外部端子２の先端部の折れ曲り部分に穴
３が形成されている。この他は従来と同じである。ここ
で穴３の側壁面には外装半田が施されている。この構成
を得る方法は、図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に
しめすように、予めリードフレームに穴３を従来より行
われているエッチング又は、プレスにて加工したものを
用い、図３（Ｂ）に示すように、封止、外装半田メッキ
を行った後、図３（Ｃ）の様に、リード切断される。そ
の後、図３（Ｄ）に示すように外部端子を成形すること
により穴３が形成される。以上のように穴３の側壁面に
外装半田メッキが施される。この状態で基板に実装する
とランド上のソルダーペーストが穴３の内部に入り込
み、そのまま固着することによりアンカー効果を有す
る。そのため低融点半田を使用しても十分な半田強度が
得られる。
【００１２】図１（Ｂ）は、本発明の一実施例の半導体
装置の斜視図である。本実施例によれば、外部端子２の
先端にへこみ４が形成されている。この他は従来と同じ
である。ここで先端へこみ４の側壁面には外装半田が施
されている。この構成を得る方法は図３（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、予めリードフレ
ームの外部端子先端部に先端へこみ４を従来より行われ
ているエッチング又は、プレスにて加工したものを用い
る。但しこの場合の先端へこみ４はリード切断させるま
では穴として存在する。次に図３（Ｂ）に示すように、
封止、外装半田メッキを行った後、図３（Ｃ）のよう
に、リード切断される。このとき穴形状をしていた先端
へこみ４はへこみ形状を有することになる。しかもその
側壁面には外装半田メッキが施されている。その後、図
３（Ｄ）に示すように外部端子を成形することにより先
端へこみ４が構成される。この状態で基板に実装すると
ランド上のソルダーペーストが外部端子先端の側壁面に
外装半田が施されているため、容易に半田が這上がりメ
ニスカスが形成される。
装置の斜視図である。本実施例によれば、外部端子２の
先端にへこみ４が形成されている。この他は従来と同じ
である。ここで先端へこみ４の側壁面には外装半田が施
されている。この構成を得る方法は図３（Ａ）、
（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、予めリードフレ
ームの外部端子先端部に先端へこみ４を従来より行われ
ているエッチング又は、プレスにて加工したものを用い
る。但しこの場合の先端へこみ４はリード切断させるま
では穴として存在する。次に図３（Ｂ）に示すように、
封止、外装半田メッキを行った後、図３（Ｃ）のよう
に、リード切断される。このとき穴形状をしていた先端
へこみ４はへこみ形状を有することになる。しかもその
側壁面には外装半田メッキが施されている。その後、図
３（Ｄ）に示すように外部端子を成形することにより先
端へこみ４が構成される。この状態で基板に実装すると
ランド上のソルダーペーストが外部端子先端の側壁面に
外装半田が施されているため、容易に半田が這上がりメ
ニスカスが形成される。
【００１３】図１（Ｃ）は、本発明の一実施例の半導体
装置の斜視図である。本実施例によれば、外部端子２の
先端部の側面にへこみ５が形成されている。この他は従
来と同じである。この構成を得る方法は、図には記して
いないが、概ね実施例１及び２と同様に、予めリードフ
レームの外部端子２の側面部にエッチング又は、プレス
にてへこみを加工しておき、封止、外装半田メッキ、リ
ード切断、成形と行われる。このようにして作製された
半導体装置は、その外部端子２の先端部側面にへこみ５
が施されており、その側壁面に外装半田が施されてい
る。この状態で基板に実装するとランド上のソルダーペ
ーストが側面へこみ５の内部に入り込み、そのまま固着
することによりアンカー効果を有する。そのため低融点
半田を使用しても十分な半田強度が得られる。
装置の斜視図である。本実施例によれば、外部端子２の
先端部の側面にへこみ５が形成されている。この他は従
来と同じである。この構成を得る方法は、図には記して
いないが、概ね実施例１及び２と同様に、予めリードフ
レームの外部端子２の側面部にエッチング又は、プレス
にてへこみを加工しておき、封止、外装半田メッキ、リ
ード切断、成形と行われる。このようにして作製された
半導体装置は、その外部端子２の先端部側面にへこみ５
が施されており、その側壁面に外装半田が施されてい
る。この状態で基板に実装するとランド上のソルダーペ
ーストが側面へこみ５の内部に入り込み、そのまま固着
することによりアンカー効果を有する。そのため低融点
半田を使用しても十分な半田強度が得られる。
【００１４】又、外部端子の両側面にへこみを施したこ
とにより、当然のごとく外部端子のその部分は細くな
る。このことにより、外部端子２の幅よりも、細いラン
ドの施された基板にも実装が可能となりファインパター
ン化にも対応が可能となる。
とにより、当然のごとく外部端子のその部分は細くな
る。このことにより、外部端子２の幅よりも、細いラン
ドの施された基板にも実装が可能となりファインパター
ン化にも対応が可能となる。
【００１５】図１（Ｄ）は、本発明の一実施例の斜視図
である。これは実施例１、２、３の複合例である。本実
施例によれば、外部端子２の先端部の折り曲り部に穴３
が先端面にへこみ４が、先端部の側面にへこみ５がそれ
ぞれ形成されている。ここで穴３と側面へこみ４と先端
へこみ５の側壁面には外装半田が施されている。この構
成を得る方法は図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に
示すように、予めリードフレームの外部端子に穴３と先
端へこみ４と側面へこみ５を、従来より行われているエ
ッチング又は、プレスにて加工したものを用いる。但し
この場合の先端へこみ５はリード切断されるまでは穴と
して存在する。次に図３（Ｂ）に示すように、封止、外
装半田メッキを行った後、図３（Ｃ）のようにリード切
断される。この時穴形状をしていた先端へこみ５はへこ
み形状を有することになる。しかもその側壁面には外装
半田メッキが施されている。又、この時先端へこみ４と
側面へこみ５の側壁面にも外装半田メッキが施されてい
る。その後、図３（Ｄ）に示すように外部端子を成形す
ることにより穴３、先端へこみ４、側面へこみ５を有す
る半導体装置が構成される。この状態で基板に実装する
とランド上のソルダーペーストが穴３の内部には入り込
み、そのまま固着することによりアンカー効果を有す
る。又、先端へこみ４の側壁面にソルダーペーストが這
い上がりメニスカスが形成されやすい。さらに側面へこ
み５の側壁面にソルダーペーストが這上がりアンカー効
果と、その部分の外部端子幅が細くなる事により、外部
端子幅よりも細いランドを施した基板にも搭載可能な、
しかも、半田強度の強い半導体装置が得られる。
である。これは実施例１、２、３の複合例である。本実
施例によれば、外部端子２の先端部の折り曲り部に穴３
が先端面にへこみ４が、先端部の側面にへこみ５がそれ
ぞれ形成されている。ここで穴３と側面へこみ４と先端
へこみ５の側壁面には外装半田が施されている。この構
成を得る方法は図３（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）、（Ｄ）に
示すように、予めリードフレームの外部端子に穴３と先
端へこみ４と側面へこみ５を、従来より行われているエ
ッチング又は、プレスにて加工したものを用いる。但し
この場合の先端へこみ５はリード切断されるまでは穴と
して存在する。次に図３（Ｂ）に示すように、封止、外
装半田メッキを行った後、図３（Ｃ）のようにリード切
断される。この時穴形状をしていた先端へこみ５はへこ
み形状を有することになる。しかもその側壁面には外装
半田メッキが施されている。又、この時先端へこみ４と
側面へこみ５の側壁面にも外装半田メッキが施されてい
る。その後、図３（Ｄ）に示すように外部端子を成形す
ることにより穴３、先端へこみ４、側面へこみ５を有す
る半導体装置が構成される。この状態で基板に実装する
とランド上のソルダーペーストが穴３の内部には入り込
み、そのまま固着することによりアンカー効果を有す
る。又、先端へこみ４の側壁面にソルダーペーストが這
い上がりメニスカスが形成されやすい。さらに側面へこ
み５の側壁面にソルダーペーストが這上がりアンカー効
果と、その部分の外部端子幅が細くなる事により、外部
端子幅よりも細いランドを施した基板にも搭載可能な、
しかも、半田強度の強い半導体装置が得られる。
【００１６】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、図２（Ｂ）に示したように、外部端子２へ、穴
３、先端へこみ４、側面へこみ５を施したことにより、
その側壁面に外装半田メッキ９が施されている為、外部
端子２の素材（例えば、銅合金や、４２合金等）が、外
部雰囲気から保護されることにより素材の表面酸化が無
く、その上その表面には外装半田９が施されているた
め、図２（Ａ）に示すように、実装基板６に設けたラン
ド１２上に予めもられたソルダーペーストが外部端子２
の側壁面に容易に這上がり、メニスカス７が形成されや
すくなる、これにより実装後の検査において光学的方式
（例えば、レーザービーム等をメニスカス７へ投射し、
その反射具合によりメニスカス７が形成されているか、
いないかにより半田付けがうまく行われたかを判定する
方法）を用いた自動機が使用可能となる。この為、従来
目視による検査で多大な工数をかけ、さらに見逃し不良
によるクレーム修理工数の大幅低減が可能となる。
れば、図２（Ｂ）に示したように、外部端子２へ、穴
３、先端へこみ４、側面へこみ５を施したことにより、
その側壁面に外装半田メッキ９が施されている為、外部
端子２の素材（例えば、銅合金や、４２合金等）が、外
部雰囲気から保護されることにより素材の表面酸化が無
く、その上その表面には外装半田９が施されているた
め、図２（Ａ）に示すように、実装基板６に設けたラン
ド１２上に予めもられたソルダーペーストが外部端子２
の側壁面に容易に這上がり、メニスカス７が形成されや
すくなる、これにより実装後の検査において光学的方式
（例えば、レーザービーム等をメニスカス７へ投射し、
その反射具合によりメニスカス７が形成されているか、
いないかにより半田付けがうまく行われたかを判定する
方法）を用いた自動機が使用可能となる。この為、従来
目視による検査で多大な工数をかけ、さらに見逃し不良
によるクレーム修理工数の大幅低減が可能となる。
【００１７】また、図２（Ａ）に示したように、穴３及
び側面へこみ５の側壁面には外装半田メッキ９が施され
ているため、外部端子の素材（例えば、銅合金や４２合
金等）が、外部雰囲気から保護されることにより、素材
の表面酸化が無く、その上その表面には外装半田が施さ
れているため、実装基板６のランド１２上にも予めもら
れたソルダーペーストが側壁面に容易に這上がり、外部
端子２とランド１２を物理的に結合させるアンカーのや
くめを半田８がおこなう構造となる。このことにより低
融点半田を使用する場合で、特に４２合金を外部端子素
材として用いる半導体装置の場合は、半田と４２合金の
合金層ができにくいため両者の密着強度が弱くなり、基
板へ実装した後に外部端子２と外装半田９が剥がれてし
まう、いわゆる半田はがれが発生しやすいが、以上説明
した構造により半田密着強度を向上させることができ
る。これにより検査不良が低減され手直し工数の削減が
できる。
び側面へこみ５の側壁面には外装半田メッキ９が施され
ているため、外部端子の素材（例えば、銅合金や４２合
金等）が、外部雰囲気から保護されることにより、素材
の表面酸化が無く、その上その表面には外装半田が施さ
れているため、実装基板６のランド１２上にも予めもら
れたソルダーペーストが側壁面に容易に這上がり、外部
端子２とランド１２を物理的に結合させるアンカーのや
くめを半田８がおこなう構造となる。このことにより低
融点半田を使用する場合で、特に４２合金を外部端子素
材として用いる半導体装置の場合は、半田と４２合金の
合金層ができにくいため両者の密着強度が弱くなり、基
板へ実装した後に外部端子２と外装半田９が剥がれてし
まう、いわゆる半田はがれが発生しやすいが、以上説明
した構造により半田密着強度を向上させることができ
る。これにより検査不良が低減され手直し工数の削減が
できる。
【００１８】さらに、側面へこみ５を設けることにより
当然のごとく外部端子のその部分は細くなる。このこと
により、外部端子の幅よりも、細いランドの施された基
板にも実装が可能となりファインパターン化にも対応が
可能となる。
当然のごとく外部端子のその部分は細くなる。このこと
により、外部端子の幅よりも、細いランドの施された基
板にも実装が可能となりファインパターン化にも対応が
可能となる。
【図１】本発明の実施例を示す斜視図。
【図２】本発明の効果を説明する半導体装置の断面図。
【図３】本発明の形成方法を説明する斜視図。
【図４】従来技術及び、本発明が解決しようとする課題
を説明する断面図。
を説明する断面図。
【図５】従来技術を説明する半導体装置の斜視図。
１ モールド ２ 外部端子 ３ 穴 ４ 先端へこみ ５ 側面へこみ ６ 実装基板 ７ メニスカス ８ 半田 ９ 外装半田 １０ 半田ハクリ １１ 切断面 １２ ランド
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームのアイランド上に半導体
チップを搭載し、前記リードフレームの外部端子と前記
半導体チップとを金属細線にて電気的に接続し、前記半
導体チップ及び前記金属細線をモールド封止して成る半
導体装置において、前記リードフレームの外部端子の先
端部分に、へこみ又は、穴を有する事を特徴とする半導
体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118627A JPH05315517A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4118627A JPH05315517A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05315517A true JPH05315517A (ja) | 1993-11-26 |
Family
ID=14741218
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4118627A Withdrawn JPH05315517A (ja) | 1992-05-12 | 1992-05-12 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05315517A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002111170A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | プリント基板に於ける金属板の取付機構 |
| WO2005022632A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Surface-mounted device with leads |
| JP2006313943A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-11-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
| JP2009049272A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011155088A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
-
1992
- 1992-05-12 JP JP4118627A patent/JPH05315517A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002111170A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-12 | Mitsumi Electric Co Ltd | プリント基板に於ける金属板の取付機構 |
| JP2006313943A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-11-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
| WO2005022632A1 (en) * | 2003-08-27 | 2005-03-10 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Surface-mounted device with leads |
| JP2009049272A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2011155088A (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-11 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置モジュール |
| US8610263B2 (en) | 2010-01-27 | 2013-12-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device module |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 19990803 |