KR101283054B1 - 발광 소자 - Google Patents

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Abstract

실시예에서는 발광 소자에 관해 개시된다.
실시예에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임; 상기 제1 리드프레임 또는 제2 리드프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임보다 얇은 두께를 갖는 실장부; 상기 실장부 위에 실장된 발광 다이오드; 및 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 중 적어도 어느 하나와 상기 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 도전성 부재가 포함된다.
발광 소자

Description

발광 소자{LIGHT EMITTING DEVICE}
실시예에서는 발광 소자에 관해 개시된다.
발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)는 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaN 및 AlGaInP 등의 화합물 반도체 재료를 이용하여 발광 원을 구성함으로써 다양한 색을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다.
상기 발광 다이오드를 이용한 발광 소자는 다양한 전자기기의 광원 또는 조명장치로 사용된다.
실시예는 발광 소자를 제공한다.
실시예는 얇은 발광 소자를 제공한다.
실시예는 기판에 견고하게 실장될 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 기판; 상기 기판 위에 형성된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임; 상기 제1 리드프레임 또는 제2 리드프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임보다 얇은 두께를 갖는 실장부; 상기 실장부 위에 실장된 발광 다이오드; 및 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 중 적어도 어느 하나와 상기 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 도전성 부재가 포함된다.
실시예는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시예는 얇은 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시예는 기판에 견고하게 실장될 수 있는 발광 소자를 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 사시도이고, 도 2는 실시예에 따른 발광 소자에서 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 하측면을 도시한 도면이고, 도 3은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 측면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자는 기판(10) 위에 제1 리드프레임(20)과 제2 리드프레임(30)이 구비되고, 상기 제2 리드프레임(30) 상에 발광 다이오드(40)가 실장된다.
그리고, 상기 발광 다이오드(40)에 구비된 제1 전극층은 도전성 부재인 와이어(50)를 통해 상기 제1 리드프레임(20)과 전기적으로 연결되고, 상기 발광 다이오드(40)에 구비된 제2 전극층은 와이어(50)를 통해 상기 제2 리드프레임(30)과 전기적으로 연결된다.
실시예에서는 상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)이 각각 와이어(50)를 통해 상기 발광 다이오드(40)와 전기적으로 연결된 것이 개시되어 있으나, 상기 발광 다이오드(40)는 상기 제2 전극층이 상기 발광 다이오드(40)의 하측면에 형성된 경우 와이어(50)가 사용되지 않아도 자연스럽게 제2 리드프레임(30)과 전기적으로 연결될 수 있다.
이 경우에 하나의 와이어(50) 만을 사용하여도 상기 발광 다이오드(40)를 구동할 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드(40) 및 와이어(50)를 보호하고, 형광체가 함유된 몰딩부재(60)가 더 형성될 수 있다. 상기 몰딩부재(60)는 그 형상에 따라 상기 발광 다이오드(40)에서 방출된 광의 지향각을 변화시킨다.
상기 기판(10)은 세라믹, 실리콘 재질로 형성되거나, PCB 또는 웨이퍼가 사용될 수 있다.
상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)은 상기 발광 다이오드(40) 에 전원을 제공하기 위한 것으로 Ag 또는 Al 재질의 금속이 사용될 수 있다.
상기 제2 리드프레임(30)은 상기 발광 다이오드(40)가 실장되는 실장부(32)를 포함한다.
상기 실장부(32)는 상기 제2 리드프레임(30)에서 연장되어 형성되며, 상기 제2 리드프레임(30)과 일체로 형성된다. 상기 실장부(32)는 상기 제2 리드프레임(30)의 두께보다 얇게 형성된다.
예를 들어, 상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)은 0.08~0.12mm의 두께로 형성되고, 상기 실장부(32)는 0.02~0.04mm의 두께로 형성된다. 그리고, 상기 발광 다이오드(40)는 0.08~0.1mm의 높이로 형성되고, 상기 기판(10)의 상측면부터 상기 몰딩부재(60) 최상측까지는 0.18~0.22mm의 높이로 형성된다.
실시예에서, 상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)의 두께는 0.1mm, 상기 실장부(32)의 두께는 0.03mm, 상기 발광 다이오드(40)의 높이는 0.09mm, 상기 기판(10)의 상측면부터 상기 몰딩부재(60) 최상측까지의 높이는 0.2mm로 형성하였다.
실시예에 따른 발광 소자는 상기 발광 다이오드(40)가 실장되는 실장부(32)의 두께를 상기 제2 리드프레임(30) 보다 얇게 형성함으로서 발광 소자의 크기를 감소시킬 수 있다.
여기서, 상기 실장부(32)는 상기 제2 리드프레임(30)을 부분적으로 에칭함으로써 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 리드프레임(20)은 하측면이 선택적으로 제거된 제1 공간 부(21)가 형성되고, 상기 제2 리드프레임(30)은 하측면이 선택적으로 제거된 제2 공간부(31)가 형성된다.
여기서, 상기 제1 공간부(21) 및 제2 공간부(31)는 상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)의 하측면을 부분적으로 에칭함으로써 형성될 수 있다.
상기 제1 공간부(21) 및 제2 공간부(31)에는 상기 몰딩부재(60)가 유입된다. 즉, 상기 몰딩부재(60)의 일부분은 상기 제1 리드프레임(20) 및 제2 리드프레임(30)과 상기 기판(10) 사이에 형성된다.
상기 몰딩부재(60)가 유입되어 경화됨에 따라 상기 몰딩부재(60), 제1 리드프레임(20), 제2 리드프레임(30) 및 기판(10)이 상호 견고하게 결합될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자는 두께가 얇게 형성될 수 있으며, 몰딩부재(60)와 기판(10)이 보다 견고하게 결합될 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 사시도.
도 2는 실시예에 따른 발광 소자에서 제1 리드프레임과 제2 리드프레임의 하측면을 도시한 도면.
도 3은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 측면도.

Claims (8)

  1. 기판;
    상기 기판 위에 형성된 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임;
    상기 제1 리드프레임 또는 제2 리드프레임과 전기적으로 연결되고, 상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임보다 얇은 두께를 갖는 실장부;
    상기 실장부 위에 실장된 발광 다이오드;
    상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 중 적어도 어느 하나와 상기 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 도전성 부재; 및
    상기 발광 다이오드 및 도전성 부재를 덮는 몰딩부재를 포함하고,
    상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임은 0.08~0.12mm의 두께로 형성되고, 상기 실장부는 0.02~0.04mm의 두께로 형성되며,
    상기 기판의 상측면부터 상기 몰딩부재 최상측까지의 높이는 0.18~0.22mm인 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 실장부는 상기 제1 리드프레임 또는 제2 리드프레임과 일체형으로 형성된 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 부재는 상기 제1 리드프레임과 상기 발광 다이오드의 제1 전극을 전기적으로 연결하고, 상기 제2 리드프레임과 상기 발광 다이오드의 제2 전극을 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 도전성 부재는 상기 제1 리드프레임과 상기 발광 다이오드의 제1 전극을 전기적으로 연결하고, 상기 실장부는 상기 제2 리드프레임과 상기 발광 다이오드를 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 중 적어도 어느 하나의 하측면은 부분적으로 제거되어 공간부가 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임 중 적어도 어느 하나와 상기 기판 사이에 상기 몰딩부재가 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자.
  8. 삭제
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9082921B2 (en) 2007-10-31 2015-07-14 Cree, Inc. Multi-die LED package
US9172012B2 (en) 2007-10-31 2015-10-27 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
US9666762B2 (en) 2007-10-31 2017-05-30 Cree, Inc. Multi-chip light emitter packages and related methods
TW201128812A (en) 2009-12-01 2011-08-16 Lg Innotek Co Ltd Light emitting device
KR101832306B1 (ko) * 2011-05-30 2018-02-26 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN103887398B (zh) * 2012-12-22 2017-06-20 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010072893A (ko) * 1999-06-23 2001-07-31 나카스기 로쿠로 발광다이오드
JP2003174200A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Hitachi Cable Ltd 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3785820B2 (ja) * 1998-08-03 2006-06-14 豊田合成株式会社 発光装置
US6680568B2 (en) * 2000-02-09 2004-01-20 Nippon Leiz Corporation Light source
JP2002299698A (ja) * 2001-03-30 2002-10-11 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
KR200335192Y1 (ko) 2003-09-16 2003-12-06 이동선 표면 실장형 발광 다이오드의 패키지 구조
JP2006222454A (ja) * 2006-05-01 2006-08-24 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体発光装置および表面実装型パッケージ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010072893A (ko) * 1999-06-23 2001-07-31 나카스기 로쿠로 발광다이오드
JP2003174200A (ja) * 2001-12-07 2003-06-20 Hitachi Cable Ltd 発光装置及びその製造方法、ならびに発光装置の製造に用いるリードフレーム

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US20110215359A1 (en) 2011-09-08
WO2009025462A2 (en) 2009-02-26

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