KR20110066802A - 발광소자 패키지 - Google Patents

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KR20110066802A
KR20110066802A KR1020090123593A KR20090123593A KR20110066802A KR 20110066802 A KR20110066802 A KR 20110066802A KR 1020090123593 A KR1020090123593 A KR 1020090123593A KR 20090123593 A KR20090123593 A KR 20090123593A KR 20110066802 A KR20110066802 A KR 20110066802A
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이구화
임기성
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

발광소자 패키지가 개시된다. 발광소자 패키지는 광을 발생시키는 발광층을 포함하는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 연결되는 리드 전극; 및 상기 발광소자 칩 아래에 배치되고, 상기 발광층에 대해서 경사지는 반사면을 포함하는 반사부를 포함한다.
LED, 패키지, 반사, 경사

Description

발광소자 패키지{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE}
실시예는 발광소자 패키지에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시예는 향상된 발광효율을 가지는 발광소자 패키지를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 광을 발생시키는 발광층을 포함하는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 연결되는 리드 전극; 및 상기 발광소자 칩 아래에 배치되고, 상기 발광층에 대해서 경사지는 반사면을 포함하는 반사부를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 연결되는 리드 전극; 및 상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 발광소자 칩의 바닥면에 대하여 경사지는 반사면을 포함하는 반사부를 포함한다.
실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광층 또는 발광소자 칩의 바닥면에 대하여 경사지는 반사면을 포함한다.
이에 따라서, 발광소자 칩으로부터 출사되는 광은 반사면에 의해서 측방으로 반사된다. 즉, 발광소자 칩으로부터 하방으로 출사되는 광은 측방으로 반사되기 때문에, 발광소자 칩으로 입사되지 않는다.
따라서, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩으로 입사되는 광을 줄이고, 전체적으로 향상된 발광효율을 구현할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 발광소자 패키지는 발광소자 칩으로부터 출사되는 광이 반사되어, 발광소자 칩으로 입사되는 현상을 줄 일 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 프레임, 층, 와이어, 부, 칩 또는 전극 등이 각 프레임, 층, 와이어, 부, 칩 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다. 도 3은 발광다이오드 칩을 도시한 단면도이다. 도 4는 다른 실시예에 따른 반사부를 도시한 사시도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 몰딩부(100), 리드 프레임(200), 발광다이오드 칩(300), 접착부(500) 및 형광체층(600)을 포함한다.
상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)과 함께 발광다이오드 패키지의 몸체를 구성한다. 상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)을 감싼다. 상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)과 일체로 사출 성형으로 형성될 수 있다.
상기 몰딩부(100)는 높은 반사율을 가진다. 상기 몰딩부(100)로 사용되는 물질의 예로서는 폴리프탈아미드(PPA) 등과 같은 수지재료 등을 들 수 있다.
상기 몰딩부(100)는 상기 발광다이오드 칩(300)을 수용하는 캐비티(110)를 포함한다. 상기 캐비티(110)에는 상기 형광체층(600)이 배치된다. 또한, 상기 캐비티(110)에는 상기 발광다이오드 칩(300)을 보호하기 위한 투명 수지층이 배치될 수 있다.
상기 캐비티(110)의 표면 형상은 도면에서는 직사각 형상으로 도시되어 있지만, 원 형상, 다각 형상 또는 타원 형상 등과 같은 다양한 형상으로 형성되며, 소정의 깊이로 형성된다. 상기 캐비티(110)의 둘레면은 그 바닥면에 대해 수직하거나, 외측(또는 내측)으로 소정의 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 리드 프레임(200)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치된다. 상기 리드 프레임(200)은 도전체이며, 높은 열전도율을 가진다. 상기 리드 프레임(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 또는 알루미늄 등과 같은 금속을 들 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 리드 프레임(200)은 상기 몰딩부(100)와 일체로 결합되어, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 몸체를 구성한다. 상기 리드 프레임(200)은 반사부(210), 제 1 리드 전극(220) 및 제 2 리드 전극(230)을 포함한다.
상기 반사부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300) 아래에 배치된다. 상기 반사부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 반사부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 광을 반사시킨다. 더 자세하게, 상기 반사부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 광을 측방으로 반사시킨다.
상기 반사부(210)는 절곡 또는 만곡된 구조로 형성된다. 즉, 상기 반사 부(210)는 하나의 금속 플레이트가 1회이상 절곡 또는 만곡된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 반사부(210)는 하나의 금속 플레이트가 3회 절곡 또는 만곡된 구조를 가질 수 있다.
상기 반사부(210)는 제 1 반사부(211) 및 제 2 반사부(212)를 포함한다.
상기 제 1 반사부(211)는 상기 발광다이오드 칩(300) 아래에 배치된다. 상기 제 1 반사부(211)는 플레이트 형상을 가진다. 상기 제 1 반사부(211)는 사각 플레이트 형상을 가질 수 있다.
상기 제 1 반사부(211)는 상기 제 1 리드 전극(220)으로부터 상측방으로 연장된다. 즉, 상기 제 1 반사부(211)는 상기 제 1 리드 전극(220)으로부터 절곡 또는 만곡되어 상기 발광다이오드 칩(300)을 향하여 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 1 반사부(211)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 중앙 부분을 향하여 연장될 수 있다.
상기 제 1 반사부(211)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)에 대하여 경사지는 제 1 반사면(213)을 포함한다. 상기 제 1 반사면(213)은 상기 제 1 리드 전극(220)의 상면에 대하여 경사진다. 또한, 상기 제 1 반사면(213)은 상기 캐비티(110)의 바닥면(111)에 대하여 경사진다.
상기 제 1 반사면(213)은 상측방을 향한다. 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 10° 내지 약 45°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
상기 제 1 반사부(211)는 상기 제 1 리드 전극(220)과 일체로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제 1 반사면(213)은 상기 제 1 리드 전극(220)의 상면으로부터 연장될 수 있다.
상기 제 2 반사부(212)는 상기 제 1 반사부(211)로부터 측하방으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사부(212)는 상기 제 1 반사부(211)로부터 절곡 또는 만곡되어 측하방으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사부(212)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 중앙 부분으로부터 연장될 수 있다.
상기 제 2 반사부(212)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)에 대하여 경사지는 제 2 반사면(214)을 포함한다. 상기 제 2 반사면(214)은 상기 캐비티(110)의 바닥면(111)에 대하여 경사진다.
상기 제 2 반사면(214)은 상측방을 향한다. 상기 제 2 반사면(214) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 10° 내지 약 45°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사면(214) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
상기 제 2 반사부(212)는 상기 제 1 반사부(211)와 일체로 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제 2 반사면(214)은 상기 제 1 반사면(213)으로부터 연장될 수 있다.
또한, 상기 제 1 반사부(211) 및 상기 제 2 반사부(212)는 대칭 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 반사부(211) 및 상기 제 2 반사부(212)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 중심을 기준으로 대칭 구조를 가질 수 있다.
따라서, 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 제 2 반사면(214)도 대칭 구조를 가 질 수 있다.
상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 발광다이오드 칩(300)과 전기적으로 연결된다. 상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치되며, 상기 제 1 리드 전극(220)의 일부는 상기 몰딩부(100)의 외부로 노출된다. 또한, 상기 제 1 리드 전극(220)의 일부는 상기 캐비티(110) 내측에 노출된다.
상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 반사부(210) 옆에 배치된다. 상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 반사부(210)와 일체로 형성된다. 이와는 다르게, 상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 반사부(210)와 이격될 수 있다.
또한, 상기 반사부(210) 및 상기 제 1 리드 전극(220)은 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열을 방출하는 방열부(240) 기능을 수행한다.
상기 제 2 리드 전극(230)은 상기 발광다이오드 칩(300)과 전기적으로 연결된다. 상기 제 2 리드 전극(230)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치되며, 상기 제 2 리드 전극(230)의 일부는 상기 몰딩부(100)의 외부로 노출된다. 또한, 상기 제 2 리드 전극(230)의 일부는 상기 캐비티(110) 내측에 노출된다.
상기 제 2 리드 전극(230)은 상기 반사부(210) 옆에 배치된다. 상기 제 2 리드 전극(230)은 상기 반사부(210)와 이격된다. 또한, 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230) 사이에 상기 반사부(210)가 배치된다.
상기 반사부(210), 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)은 하나의 금속 플레이트를 사용하여 형성될 수 있다. 즉, 하나의 금속 플레이트가 절단되고, 절곡 또는 만곡되어, 상기 반사부(210), 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)이 형성된다.
이에 따라서, 상기 제 1 반사부(211), 상기 제 2 반사부(212), 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)은 서로 대응되는 두께를 가진다. 즉, 상기 제 1 반사부(211), 상기 제 2 반사부(212), 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)의 두께는 실질적으로 동일할 수 있다.
상기 리드 프레임(200)은 표면에 도금되는 도금층을 포함할 수 있다. 즉, 상기 도금층은 상기 반사부(210), 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)의 표면에 도금되는 금속층이다.
상기 도금층은 높은 전기 전도성을 가지고, 높은 내부식성을 가진다. 또한, 상기 도금층은 높은 열전도율을 가질 수 있다. 상기 도금층으로 사용되는 물질의 예로서는 금 또는 은 등을 들 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 반사부(210) 상에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 캐비티(110) 내측에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 반사부(210)의 상면에 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시켜서 상방으로 출사한다. 즉, 상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시키는 발광소자이다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 칩 형태를 가진다. 다시 말하면, 상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시키는 발광소자 칩이다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)에 전기적으로 연결된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드 칩(300)은 와 이어들(400)을 통하여, 상기 제 1 리드 전극(220) 및 상기 제 2 리드 전극(230)에 각각 연결된다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체로서, 칩 형태로 탑재될 수 있다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드 칩(300)은 사파이어기판(310), 버퍼층(320), 제 1 도전형 반도체층(330), 제 2 도전형 반도체층(350), 활성층(340), 제 1 전극(360) 및 제 2 전극(370)을 포함할 수 있다.
상기 버퍼층(320)은 상기 사파이어기판(310) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(320)은 상기 사파이어기판(310) 및 상기 제 1 도전형 반도체층(330) 사이에서 버퍼기능을 수행한다. 상기 버퍼층(320)은 예를 들어, 도핑되지 않는 GaN으로 이루어질 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층(330)은 상기 버퍼층(320) 상에 배치된다. 상기 제 1 도전형 반도체층(330)은 제 1 도전형을 가진다. 상기 제 1 도전형 반도체층(330)은 n형 반도체층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 도전형 반도체층(330)은 n형 GaN층 일 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층(350)은 상기 제 1 도전형 반도체층(330) 상에 배치된다. 상기 제 2 도전형 반도체층(350)은 상기 제 1 도전형 반도체층(330)과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층(350)은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.
상기 활성층(340)은 상기 제 1 도전형 반도체층(330) 및 상기 제 2 도전형 반도체층(350) 사이에 개재된다. 상기 활성층(340)은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층(340)은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층(340)의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다. 상기 활성층(340)은 광을 발생시키는 발광층이다.
상기 제 1 전극(360)은 상기 제 1 도전형 반도체층(330) 상에 배치된다. 상기 제 1 전극(360)은 상기 제 1 도전형 반도체층(330)에 접속된다. 상기 제 1 전극(360)은 상기 활성층(340)과 같은 평면 상에 배치될 수 있다.
상기 제 2 전극(370)은 상기 제 2 도전형 반도체층(350) 상에 배치된다. 상기 제 2 전극(370)은 상기 제 2 도전형 반도체층(350)에 접속된다.
상기 제 1 반사부(211) 및 상기 제 2 반사부(212)는 상기 활성층(340)에 대하여 경사진다. 즉, 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 제 2 반사면(214)은 상기 활성층(340)에 대하여 경사진다. 즉, 상기 활성층(340)은 평평한 상면 및 평평한 하면을 포함한다. 이때, 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 제 2 반사면(214)은 상기 활성층(340)의 상면 및 하면에 대하여 경사진다.
여기서, 상기 활성층(340) 및 상기 제 1 반사면(213)의 각도 및 상기 활성층(340) 및 상기 제 2 반사면(214)의 각도는 약 10° 내지 약 45°, 바람직하게, 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
상기 접착층(500)은 상기 반사부(210) 및 상기 발광다이오드 칩(300) 사이에 개재된다. 상기 접착층(500)은 상기 발광다이오드 칩(300)을 상기 반사부(210)에 접착시킨다. 즉, 상기 접착층(500)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면 및 상기 반사부(210)에 접착된다.
상기 접착층(500)은 투명하며, 상기 접착층(500)으로 사용되는 물질의 예로서는 실리콘계 수지 등을 들 수 있다.
상기 형광체층(600)은 상기 발광다이오드 칩(300)을 덮는다. 상기 형광체층(600)은 상기 캐비티(110) 내측에 배치된다. 상기 형광체층(600)은 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 출사되는 광의 특성을 변화시킨다.
예를 들어, 상기 형광체층(600)은 황색 형광체를 포함할 수 있다. 즉, 상기 발광다이오드 칩(300)은 청색 광을 출사하고, 상기 형광체층(600)의 황색 형광체는 상기 청색 광을 백색 광으로 변환시킨다.
상기 제 1 반사면(213) 및 상기 2 반사면은 상기 활성층에 대하여 경사지기 때문에, 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 출사되는 광은 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 제 2 반사면(214)에 의해서 측방으로 반사된다.
즉, 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 하방으로 출사되는 광은 측방으로 반사되기 때문에, 상기 발광다이오드 칩(300)으로 입사되지 않는다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드 칩(300)으로 입사되는 광을 줄이고, 전체적으로 향상된 발광효율을 구현할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 출사되는 광이 반사되어, 상기 발광다이오드 칩(300)으로 입사되는 현상을 줄 일 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)의 측면에도 상기 형광체층(600)이 배치된다. 특 히, 상기 형광체층(600)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 측면부에 넓게 분포하게 된다. 이에 따라서, 상기 제 1 반사면(213) 및 상기 제 2 반사면(214)에 의해서 측방으로 반사되는 광은 긴 광 경로로 상기 형광체층(600)을 통과한다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 높은 휘도 및 휘도 균일성을 가지는 백색 광을 구현할 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 반사부(210)는 원뿔 형상을 가질 수 있다. 이때, 원뿔 형상의 옆면이 반사면이 된다. 즉, 상기 반사부(210)의 옆면은 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)에 대하여 경사지는 반사면이다. 또한, 상기 반사부(210)의 옆면은 상기 제 1 리드 전극(220)의 상면, 상기 캐비티(110)의 바닥면 및 상기 활성층(340)에 대하여 경사진다.
따라서, 도 4와 같은 구조의 반사부(250)를 포함하는 발광다이오드 패키지도 위와 같은 효과를 가질 수 있다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면을 도시한 단면도이다. 도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 반사부의 형상을 도시한 사시도들이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 리드 프레임에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 5를 참조하면, 반사부(260)는 수평부(263)를 더 포함한다.
상기 수평부(263)는 제 1 반사부(261) 및 제 2 반사부(262) 사이에 개재된 다. 상기 수평부(263)는 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)에 대향한다. 또한, 상기 수평부(263)는 상기 발광다이오드 칩(300)의 활성층(340)과 대향한다.
상기 수평부(263)의 상면(267)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)과 평행할 수 있다. 더 자세하게, 상기 수평부(263)의 상면(267)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)과 직접 접촉될 수 있다. 또한, 상기 수평부(263)의 상면(267)은 상기 활성층(340)과 평행할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 반사부(270)는 상부가 절단된 원뿔 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 반사부는 상부가 절단된 다각 뿔 형상을 가질 수 있다. 또한, 상기 반사부(280)는 도 7에 도시된 바와 같이, 다각 기둥이 누운 형상을 가질 수 있다.
상기 수평부(263)는 상기 발광다이오드 칩(300)을 지지한다. 이때, 상기 수평부(263) 및 상기 발광다이오드 칩(300) 사이에는 접착층(500)이 개재되지 않을 수 있다. 즉, 상기 접착층(500)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)과 상기 제 1 반사부(211) 사이 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301)과 상기 제 2 반사부(212) 사이에만 개재될 수 있다.
상기 수평부(263)는 평평한 상면(267)을 포함하기 때문에, 상기 발광다이오드 칩(300)을 효율적으로 지지할 수 있다. 또한, 상기 수평부(263)에 의해서, 상기 발광다이오드 칩(300)과 상기 반사부(210)의 접촉면적이 증가되고, 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열은 효율적으로 방출될 수 있다.
동시에, 앞서 설명한 바와 같이, 상기 제 1 반사부(261) 및 상기 제 2 반사 부(262)에 의해서, 발광 효율이 향상된다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 상기 발광다이오드 칩(300)을 효율적으로 고정시킬 수 있고, 향상된 방열 성능을 가지는 것과 동시에, 향상된 발광 효율을 가진다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 리드 프레임에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 8을 참조하면, 리드 프레임(200)은 방열부(240)를 포함한다. 상기 방열부(240)는 몰딩부(100)의 하부면에 노출된다. 상기 방열부(240)는 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 및/또는 상기 발광다이오드 칩(300)에 포함된 발광층에 대하여 경사지는 제 1 반사면(241) 및 제 2 반사면(242)을 포함한다.
상기 제 1 반사면(241) 및 상기 제 2 반사면(242)은 앞서 설명한 반사부의 반사면들과 유사한 특성을 가질 수 있다. 즉, 상기 방열부(240)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 출사되는 광을 반사시키는 반사부에 해당된다.
예를 들어, 상기 제 1 반사면(242) 및 상기 제 2 반사면(241)은 제 1 리드 전극(220) 및 제 2 리드 전극(230)의 상면에 대하여 경사진다. 또한, 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 제 2 반사면(242)은 캐비티(110)의 바닥면(101)에 대하여 경사진다.
상기 제 1 반사면(241)은 상측방을 향한다. 또한, 상기 제 2 반사면(242)은 다른 상측방을 향한다. 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 10° 내지 약 45°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
마찬가지로, 상기 제 2 반사면(242) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 10° 내지 약 45°일 수 있다. 더 자세하게, 상기 제 2 반사면(241) 및 상기 발광다이오드 칩(300)의 하면(301) 사이의 각도는 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
상기 방열부(240)는 상기 제 1 리드 전극(220)과 이격되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 제 2 반사면(242)은 대칭 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 제 2 반사면(242)은 상기 발광다이오드 칩(300)의 중심을 기준으로 대칭 구조를 가질 수 있다.
또한, 여기서, 상기 활성층 및 상기 제 1 반사면(241)의 각도 및 상기 활성층 및 상기 제 2 반사면(242)의 각도는 약 10° 내지 약 45°, 바람직하게, 약 30° 내지 약 40°일 수 있다.
상기 방열부(240)는 상기 제 1 반사면(241) 및 상기 제 2 반사면(242)을 포함하기 때문에, 향상된 발광 효율을 구현할 수 있다. 동시에, 상기 방열부(240)는 상기 몰딩부(100)의 하면에 노출되기 때문에, 향상된 방열 성능을 구현할 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 향상된 방열 성능 및 향상된 발광 효율을 동시에 가질 수 있다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에서 A-A`를 따라서 절단한 단면을 도시한 단면도이다.
도 3은 발광다이오드 칩을 도시한 단면도이다.
도 4는 다른 실시예에 따른 반사부를 도시한 사시도이다.
도 5는 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.
도 6 및 도 7은 다른 실시예에 따른 반사부의 형상을 도시한 사시도들이다.
도 8은 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지의 단면을 도시한 단면도이다.

Claims (10)

  1. 광을 발생시키는 발광층을 포함하는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 연결되는 리드 전극; 및
    상기 발광소자 칩 아래에 배치되고, 상기 발광층에 대해서 경사지는 반사면을 포함하는 반사부를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 반사부는 상기 리드 전극과 일체로 형성되는 발광소자 패키지.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 반사부는
    상기 리드전극으로부터 상기 발광다이오드를 향하여 상측방으로 연장되는 제 1 반사부; 및
    상기 제 1 반사부로부터 하측방으로 연장되는 제 2 반사부를 포함하는 발광소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 발광소자 칩을 수용하는 캐비티를 포함하는 몰딩부를 포함하며,
    상기 반사면은 상기 캐비티의 바닥면에 대하여 경사지는 발광소자 패키지.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 반사면 및 상기 발광층 사이의 각도는 10° 내지 45°인 발광소자 패키지.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 반사면은 상기 리드 전극의 상면으로부터 연장되는 발광소자 패키지.
  7. 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 연결되는 리드 전극; 및
    상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 발광소자 칩의 바닥면에 대하여 경사지는 제 1 반사면을 포함하는 반사부를 포함하는 발광소자 패키지.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 반사부는
    상기 제 1 반사면으로부터 연장되며, 상기 발광소자 칩의 바닥면과 대향되는 수평면; 및
    상기 수평면으로부터 연장되며, 상기 발광소자 칩의 바닥면에 대하여 경사지는 제 2 반사면을 포함하는 발광소자 패키지.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 제 1 반사면은 상기 리드 전극의 상면에 대하여 경사지는 발광소자 패키지.
  10. 제 7 항에 있어서, 상기 발광소자 칩은
    기판;
    상기 기판 상에 배치되는 제 1 도전형의 제 1 반도체층;
    상기 제 1 반도체층 상에 배치되는 발광층;
    상기 발광층 상에 배치되는 제 2 도전형의 제 2 반도체층;
    상기 제 1 반도체층에 접속되는 제 1 전극; 및
    상기 제 2 반도체층에 접속되는 제 2 전극을 포함하며,
    상기 제 1 반사면은 상기 발광층에 대하여 경사지는 발광소자 패키지.
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