KR20110066795A - 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치 - Google Patents

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KR20110066795A
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장준우
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엘지디스플레이 주식회사
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Abstract

발광소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치가 개시된다. 발광소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몰딩부; 상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 몰딩부의 내부로부터 연장되어 외부에 노출되는 리드 전극; 및 상기 리드 전극으로부터 연장되는 걸림부를 포함한다.
발광, 다이오드, PCB, 삽입, 커버메탈

Description

발광소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치{LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHT EMITTING APPARATUS HAVING THE SAME}
실시예는 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 발광장치에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자로 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 패키지 형태로 응용되고 있다.
실시예는 향상된 발광효율을 가지고, 제작이 용이한 발광소자 패키지 및 발광장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몰딩부; 상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 몰딩부의 내부로부터 연장되어 외부에 노출되는 리드 전극; 및 상기 리드 전극으로부터 연장되는 걸림부를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몰딩부; 상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 몰딩부의 내부로부터 연장되어 외부에 노출되는 리드 전극; 상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 몰딩부의 하면으로부터 돌출되는 방열부; 및 상기 방열부로부터 측방, 측상방 또는 측하방으로 연장되는 걸림부를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광장치는 홈이 형성되는 회로기판; 상기 회로기판에 삽입되는 발광소자 패키지; 및 상기 회로기판 아래에 배치되는 방열 플레이트를 포함하며, 상기 발광소자 패키지는 캐비티가 형성되는 몰딩부; 상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 회로기판에 접속되는 리드 전극; 및 상기 리드 전극으로부터 연장되고, 상기 회로기판에 걸리는 걸림부를 포함한다.
일 실시예에 따른 발광장치는 홈이 형성되는 회로기판; 상기 홈 내측에 배치되는 발광다이오드 패키지; 및 상기 회로기판 아래에 배치되는 방열 플레이트를 포함하며, 상기 발광다이오드 패키지는 캐비티가 형성되는 몰딩부; 상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩; 상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 회로기판에 접속되는 리드 전극; 상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 몰딩부의 하면으로부터 돌출되는 방열부; 및 상기 방열부로부터 연장되며, 상기 방열플레이트에 걸리는 걸림부를 포함한다.
실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 걸림부를 포함한다. 따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지는 회로기판에 삽입되어, 발광장치를 형성할 수 있다.
즉, 리드 전극으로부터 연장되는 걸림부가 회로기판에 걸리고, 발광다이오드 패키지는 회로기판에 삽입되어 고정된다.
따라서, 실시예에 따른 발광장치는 홈이 형성된 회로기판에, 발광다이오드 패키지가 삽입되어 형성될 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 발광장치는 용이하게 조립될 수 있다.
또한, 방열부는 방열 플레이트에 삽입되거나, 직접 접촉할 수 있다. 따라서, 발광소자 칩으로부터 발생되는 열은 방열부 및 방열 플레이트를 통하여 용이하게 방출될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지 및 발광장치는 향상된 방열 성능을 가진다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 프레임, 층, 와이어, 부, 칩 또는 전극 등이 각 프레임, 층, 와이어, 부, 칩 또는 전극 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 하부에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 어레이를 도시한 사시도이다. 도 2는 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 일부를 도시한 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 인쇄회로기판(10), 바텀 커버(20) 및 다수 개의 발광다이오드 패키지들(30)을 포함한다.
상기 인쇄회로기판(10)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 인쇄회로기판(10)은 상기 발광다이오드 패키지들(30)을 수용하기 위한 다수 개의 관통홈들(11)을 포함한다. 상기 관통홈들(11)은 상기 인쇄회로기판(10)을 관통한다. 상기 인쇄회로기판(10)은 상기 발광다이오드 패키지들(30)에 전기적인 구동신호를 인가한다.
상기 인쇄회로기판(10)은 회로패턴을 각각 포함하는 다수 개의 배선층들 및 상기 배선층들을 지지하기 위한 지지층을 포함할 수 있다. 이때, 상기 배선층들은 비아들을 통하여 서로 연결될 수 있다. 또한, 상기 지지층은 에폭시 수지 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 관통홈들(11)에는 상기 발광다이오드 패키지들(30)에 각각 접속되는 다수 개의 접속 패드들(41, 42)이 배치된다. 상기 접속 패드들(41, 42)은 상기 회로 패턴에 전기적으로 연결된다. 즉, 상기 발광다이오드 패키지들(30)은 상기 회로 패턴 및 상기 접속 패드들(41, 42)을 통하여, 상기 구동신호를 인가받는다.
상기 접속 패드들(41, 42)은 각각 상기 관통홈들(11)에 배치된다. 이때, 하나의 관통홈(11)에 두 개의 접속 패드들(41, 42)이 배치될 수 있다. 상기 접속 패드들(41, 42)은 상기 관통홈들(11) 내측으로부터 연장되어 상기 인쇄회로기판(10)의 하면에 배치될 수 있다.
상기 회로 패턴, 상기 비아 및 상기 접속 패드들(41, 42)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 또는 알루미늄 등을 들 수 있다.
상기 바텀 커버(20)는 플레이트 형상을 가진다. 상기 바텀 커버(20)는 상기 인쇄회로기판(10)에 대응된다. 예를 들어, 상기 바텀 커버(20)의 평면적은 상기 인쇄회로기판(10)의 평면적과 실질적으로 동일하고, 상기 바텀 커버(20)의 평면 형상은 상기 인쇄회로기판(10)의 평면 형상과 실질적으로 동일 할 수 있다.
상기 바텀 커버(20)는 상기 인쇄회로기판(10) 아래에 배치된다. 상기 바텀 커버(20)는 상기 인쇄회로기판(10)의 하면을 덮는다. 상기 바텀 커버(20)는 상기 인쇄회로기판(10)의 하면에 접착될 수 있다.
상기 바텀 커버(20)는 높은 열전도율을 가진다. 상기 바텀 커버(20)로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 또는 세라믹 등을 들 수 있다. 상기 바텀 커버(20)는 상기 인쇄회로기판(10) 및 상기 발광다이오드 패키지들(30)로부터 발생되는 열 을 방출한다. 즉, 상기 바텀 커버(20)는 열을 방출하는 방열 부재이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 몰딩부(100), 리드 프레임(200) 및 발광다이오드 칩(300)을 포함한다.
상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)과 함께 발광다이오드 패키지(30)의 몸체를 구성한다. 상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)을 감싼다. 상기 몰딩부(100)는 상기 리드 프레임(200)과 일체로 사출 성형으로 형성될 수 있다.
상기 몰딩부(100)는 높은 반사율을 가진다. 상기 몰딩부(100)로 사용되는 물질의 예로서는 폴리프탈아미드(PPA) 등과 같은 수지재료 등을 들 수 있다.
상기 몰딩부(100)는 상기 발광다이오드 칩(300)을 수용하는 캐비티(110)를 포함한다. 상기 캐비티(110)에는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 광의 특성을 변환시키는 형광체층이 배치될 수 있다. 또한, 상기 캐비티(110)에는 상기 발광다이오드 칩(300)을 보호하기 위한 투명 수지층이 배치될 수 있다.
상기 캐비티(110)의 표면 형상은 도면에서는 직사각 형상으로 도시되어 있지만, 원 형상, 다각 형상 또는 타원 형상 등과 같은 다양한 형상으로 형성되며, 소정의 깊이로 형성된다. 상기 캐비티(110)의 둘레면은 그 바닥면에 대해 수직하거나, 외측(또는 내측)으로 소정의 각도로 경사지게 형성될 수 있다.
상기 리드 프레임(200)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치된다. 상기 리드 프레임(200)은 도전체이며, 높은 열전도율을 가진다. 상기 리드 프레임(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 구리 등과 같은 금속을 들 수 있다. 앞서 설명한 바와 같이, 상기 리드 프레임(200)은 상기 몰딩부(100)와 일체로 결합되어, 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(30)의 몸체를 구성한다.
상기 리드 프레임(200)은 방열부(210), 다수 개의 돌기들(220), 제 1 리드 전극(230), 제 1 걸림부(240), 제 2 리드 전극(250) 및 제 2 걸림부(260)를 포함한다.
상기 방열부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300) 아래에 배치된다. 상기 방열부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)과 직접 접촉할 수 있다. 상기 방열부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열을 방출한다.
상기 방열부(210)는 상기 몰딩부(100)의 하면으로부터 돌기된다. 또한, 상기 방열부(210)의 상면은 상기 캐비티(110)의 바닥면에 노출된다. 즉, 상기 방열부(210)는 상기 캐비티(110)의 바닥면으로부터 연장되어, 상기 몰딩부(100)의 하면을 관통한다. 즉, 상기 방열부(210)는 예를 들어, 기둥 형상을 가질 수 있다.
상기 방열부(210)는 상기 바텀 커버(20)에 삽입된다. 상기 바텀 커버(20)는 상기 방열부(210)를 수용하기 위한 제 1 수용홈들(21)을 포함하고, 상기 방열부(210)는 상기 제 1 수용홈(21)에 삽입된다. 더 자세하게, 상기 방열부(210) 중 상기 몰딩부(100)의 하면으로부터 돌출된 부분이 상기 제 1 수용홈(21)에 삽입된다.
상기 돌기들(220)은 상기 방열부(210)의 측면으로부터 돌기된다. 더 자세하게, 상기 돌기들(220)은 상기 방열부(210) 중 상기 제 1 수용홈(21)에 삽입되는 부분으로부터 돌기된다. 상기 돌기들(220)에 의해서, 상기 방열부(210)는 상기 제 1 수용홈(21)에 견고하게 고정될 수 있다.
또한, 상기 돌기들(220)에 의해서, 상기 방열부(210) 및 상기 바텀 커버(20) 사이의 접촉 면적이 증가된다. 즉, 상기 돌기들(220)에 의해서, 상기 방열부(210)로부터 상기 바텀 커버(20)에 전달되는 열이 증가될 수 있다.
상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 발광다이오드 칩(300)과 전기적으로 연결된다. 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치되며, 상기 제 1 리드 전극(230)의 일부는 상기 몰딩부(100)의 외부로 노출된다. 더 자세하게, 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 몰딩부(100) 내측으로부터 연장되어, 상기 몰딩부(100)의 측면에 배치된다. 즉, 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 몰딩부(100)의 내부로부터 하방으로 연장된다. 또한, 상기 제 1 리드 전극(230)의 일부는 상기 캐비티(110) 내측에 노출된다.
상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 방열부(210) 옆에 배치된다. 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 방열부(210)와 이격된다.
상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 관통홈(11) 내측에 배치되는 접속 패드들(41, 42) 중 하나인 제 1 접속 패드(41)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 제 1 접속 패드(41)에 직접 접촉에 의해서 접속된다. 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 제 1 접속 패드(41)를 통하여 상기 인쇄회로기판(10)에 접속된다.
상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 절곡 또는 만곡되어 바깥쪽으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 90°이상 절곡 또는 만곡되어 상측방으로 연장된다.
이와는 다르게, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 측방 또는 측하방으로 연장될 수 있다.
상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)과 일체로 형성된다. 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 접속 패드(41)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 인쇄회로기판(10)에 걸린다. 더 자세하게, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 인쇄회로기판(10)의 하면에 걸린다. 이와는 다르게, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 인쇄회로기판(10)의 내부에 걸릴 수 있다.
상기 제 1 걸림부(240)에 의해서, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 관통홈(11) 내측에 고정된다. 즉, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 관통홈(11)에 삽입된 후, 상기 제 1 걸림부(240)에 의해서, 상기 인쇄회로기판(10)에 고정된다.
상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 발광다이오드 칩(300)과 전기적으로 연결된다. 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 몰딩부(100) 내측에 배치되며, 상기 제 2 리드 전극(250)의 일부는 상기 몰딩부(100)의 외부로 노출된다. 더 자세하게, 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 몰딩부(100) 내측으로부터 연장되어, 상기 몰딩부(100)의 측면에 배치된다. 즉, 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 몰딩부(100)의 내부로부터 하방으로 연장된다. 또한, 상기 제 2 리드 전극(250)의 일부는 상기 캐비티(110) 내측에 노출된다.
상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 방열부(210) 옆에 배치된다. 상기 제 2 리 드 전극(250)은 상기 방열부(210)와 이격된다.
상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 관통홈(11) 내측에 배치되는 접속 패드들(41, 42) 중 하나인 제 2 접속 패드(42)에 접속된다. 더 자세하게, 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 제 2 접속 패드(42)에 직접 접촉에 의해서 접속된다. 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 제 2 접속 패드(42)를 통하여 상기 인쇄회로기판(10)에 접속된다.
상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 리드 전극(250)으로부터 연장된다. 더 자세하게,상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 리드 전극(250)으로부터 절곡 또는 만곡되어 바깥쪽으로 연장된다. 더 자세하게, 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 리드 전극(250)으로부터 90°이상 절곡 또는 만곡되어 상측방으로 연장된다.
이와는 다르게, 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 측방 또는 측하방으로 연장될 수 있다.
상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 리드 전극(250)과 일체로 형성된다. 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 접속 패드(42)에 직접 접촉될 수 있다.
또한, 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 인쇄회로기판(10)에 걸린다. 더 자세하게, 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 인쇄회로기판(10)의 하면에 걸린다. 이와는 다르게, 상기 제 2 걸림부(260)는 상기 인쇄회로기판(10)의 내부에 걸릴 수 있다.
상기 제 2 걸림부(260)에 의해서, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 관통홈(11) 내측에 고정된다. 즉, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 관통홈(11)에 삽입된 후, 상기 제 2 걸림부(260)에 의해서, 상기 인쇄회로기판(10)에 고정된 다.
상기 방열부(210), 상기 돌기들(220), 상기 제 1 리드 전극(230), 상기 제 1 걸림부(240), 상기 제 2 리드 전극(250) 및 상기 제 2 걸림부(260)는 하나의 금속 플레이트를 사용하여 형성될 수 있다.
상기 방열부(210), 상기 돌기들(220), 상기 제 1 리드 전극(230), 상기 제 1 걸림부(240), 상기 제 2 리드 전극(250) 및 상기 제 2 걸림부(260)로 사용되는 금속의 예로서는 구리 또는 알루미늄 등을 들 수 있다.
상기 제 1 걸림부(240)와 상기 바텀 커버(20) 사이 및 상기 제 1 접속 패드(41)와 상기 바텀 커버(20) 사이에는 제 1 절연층(51)이 개재될 수 있다. 또한, 상기 제 2 걸림부(260)와 상기 바텀 커버(20) 사이 및 상기 제 2 접속 패드(42)와 상기 바텀 커버(20) 사이에는 제 2 절연층(52)이 개재될 수 있다.
상기 제 1 절연층(51) 및 상기 제 2 절연층(52)에 의해서, 상기 바텀 커버(20)가 도전체인 경우, 상기 제 1 걸림부(240)와 상기 제 2 걸림부(260) 사이의 쇼트 및 상기 제 1 접속 패드(41)와 상기 제 2 접속 패드(42) 사이의 쇼트가 방지된다.
또한, 상기 바텀 커버(20)는 상기 제 1 걸림부(240) 및 상기 제 2 걸림부(260)를 수용하기 위한 제 2 수용홈들(22)을 포함한다. 이때, 상기 제 1 절연층(51) 및 상기 제 2 절연층(52)은 각각 상기 제 2 수용홈들(22) 내측에 배치된다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 방열부(210) 상에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 캐비티(110) 내측에 배치된다. 더 자세하게, 상기 발광다이 오드 칩(300)은 상기 캐비티(110)의 바닥면에 배치된다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 방열부(210)의 상면에 직접 접촉할 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시켜서 상방으로 출사한다. 즉, 상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시키는 발광소자이다. 상기 발광다이오드 칩(300)은 칩 형태를 가진다. 다시 말하면, 상기 발광다이오드 칩(300)은 광을 발생시키는 발광소자 칩이다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 상기 제 1 리드 전극(230) 및 상기 제 2 리드 전극(250)에 전기적으로 연결된다. 더 자세하게, 상기 발광다이오드 칩(300)은 와이어들을 통하여, 상기 제 1 리드 전극(230) 및 상기 제 2 리드 전극(250)에 각각 연결된다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 GaAs 계열, AlGaAs 계열, GaN 계열, InGaN 계열 및 InGaAlP 계열 등의 화합물 반도체로서, 칩 형태로 탑재될 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)은 제 1 도전형 반도체층, 제 2 도전형 반도체층, 활성층, 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함할 수 있다.
상기 제 1 도전형 반도체층은 n형 반도체층일 수 있고, 상기 제 1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 GaN층 일 수 있다.
상기 제 2 도전형 반도체층은 상기 제 1 도전형 반도체층과 마주보며, p형 반도체층일 수 있다. 상기 제 2 도전형 반도체층은 예를 들어, p형 GaN층 일 수 있다.
상기 활성층은 상기 제 1 도전형 반도체층 및 상기 제 2 도전형 반도체층 사 이에 개재된다. 상기 활성층은 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조를 갖는다. 상기 활성층은 InGaN 우물층 및 AlGaN 장벽층의 주기 또는 InGaN 우물층과 GaN 장벽층의 주기로 형성될 수 있으며, 이러한 활성층의 발광 재료는 발광 파장 예컨대, 청색 파장, 레드 파장, 녹색 파장 등에 따라 달라질 수 있다.
상기 제 1 전극은 상기 제 1 도전형 반도체층에 접속되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 도전형 반도체층에 접속된다. 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극은 다양한 위치에 배치될 수 있다.
이때, 상기 제 1 리드 전극(230)은 상기 제 1 전극에 접속되고, 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 제 2 전극에 접속될 수 있다.
상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열은 상기 방열부(210)를 통하여 상기 바텀 커버(20)에 전달되고, 상기 바텀 커버(20)에 의해서 외부로 방출된다. 이때, 상기 방열부(210)는 상기 바텀 커버(20)에 직접 접촉된다.
이에 따라서, 상기 방열부(210) 및 상기 바텀 커버(20)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열을 효율적으로 방출할 수 있다. 예를 들어, 상기 방열부(210)는 상기 발광다이오드 칩(300)으로부터 발생되는 열을 상기 바텀 커버(20)에 직접 전달하므로, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 높은 방열 특성을 가진다.
특히, 상기 발광다이오드 패키지들(30)이 상기 관통홈들(11)에 각각 배치되므로, 상기 발광다이오드 패키지들(30) 및 상기 바텀 커버(20) 사이의 간격이 좁아진다. 이에 따라서, 상기 발광다이오드 패키지들(30)로부터 발생되는 열은 상기 바 텀 커버(20)에 의해서, 효율적으로 방출될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 높은 방열 특성을 가진다.
또한, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 관통홈들(11)에 삽입되고, 상기 제 1 리드 전극(230) 및 상기 제 2 리드 전극(250)은 상기 접속 패드들(41, 42)에 직접적인 접촉에 의해서 접속된다.
따라서, 상기 발광다이오드 패키지(30)를 상기 인쇄회로기판(10)에 접속시키기 위해서 솔더링 공정이 진행되지 않는다.
즉, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 간단하게, 상기 회로기판에 고정되고, 접속되기 때문에, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 용이하게 제조될 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 방열부 및 바텀 커버에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 방열부(210)는 몰딩부(100)의 하면으로부터 돌출되지 않고, 상기 방열부(210)의 하면은 상기 몰딩부(100)의 하면을 통하여 노출된다. 즉, 상기 방열부(210)의 하면은 상기 몰딩부(100)의 하면과 같은 평면에 배치될 수 있다.
또한, 바텀 커버(20)에는 상기 방열부(210)를 수용하기 위한 수용홈이 형성되지 않는다. 따라서, 상기 방열부(210)는 상기 바텀 커버(20)에 삽입되지 않고, 상기 바텀 커버(20)에 접촉된다. 더 자세하게, 상기 방열부(210)의 하면은 상기 바텀 커버(20)의 상면에 직접 접촉된다.
본 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 상기 바텀 커버(20)에 상기 방열부(210)를 수용하기 위한 수용홈을 형성할 필요가 없다.
따라서, 본 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 간단한 구조를 가지고, 용이하게 제조될 수 있다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 방열부 및 바텀 커버에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 제 1 걸림부(240)는 제 1 리드 전극(230)으로부터 측하방으로 연장된다. 또한, 제 2 걸림부(260)도 제 2 리드 전극(250)으로부터 다른 측하방으로 연장된다.
바텀 커버(20)는 상기 제 1 걸림부(240)를 수용하기 위한 제 3 수용홈(23) 및 상기 제 2 걸림부(260)를 수용하기 위한 제 4 수용홈(24)을 포함한다. 이때, 상기 제 3 수용홈(23)은 측하방으로 연장되고, 상기 제 4 수용홈(24)은 다른 측하방으로 연장된다.
발광다이오드 패키지(30)가 관통홈(11)에 조립되기 전에는, 상기 제 1 걸림부(240)는 상기 제 1 리드 전극(230)으로부터 직선으로 연장되고, 마찬가지로, 상 기 제 2 걸림부(260)는 상기 제 2 리드 전극(250)으로부터 직선으로 연장된다.
상기 발광다이오드 패키지(30)가 상기 관통홈(11)에 삽입될 때, 직선의 제 1 걸림부(240)는 상기 제 3 수용홈(23)에 삽입되면서 휘어지고, 마찬가지로, 직선의 제 2 걸림부(260)는 상기 제 4 수용홈(24)에 삽입되면서 휘어진다.
즉, 상기 제 1 걸림부(240) 및 상기 제 2 걸림부(260)가 절곡 또는 만곡되지 않은 상태로, 상기 발광다이오드 패키지(30)가 형성되고, 상기 관통홈(11)에 삽입될 수 있다.
따라서, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 절곡 또는 만곡시키는 공정을 줄이면서, 용이하게 제조될 수 있다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예들을 참조하고, 방열부 및 바텀 커버에 대해서 추가적으로 설명한다. 앞선 실시예들에 대한 설명은 변경된 부분을 제외하고 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 제 1 리드 전극(230) 및 제 2 리드 전극(250)에는 걸림부가 형성되지 않고, 방열부(210)에 걸림부(270)가 형성된다. 상기 걸림부(270)는 상기 방열부(210)로부터 측상방으로 연장될 수 있다.
이와는 다르게, 상기 걸림부(270)는 상기 방열부(210)로부터 측방 또는 측하방으로 연장될 수 있다.
상기 걸림부(270)는 바텀 커버(20)에 걸린다. 즉, 발광다이오드 패키지(30) 는 상기 걸림부(270)에 의해서, 상기 바텀 커버(20)에 고정된다.
상기 걸림부(270)에 의해서, 상기 발광다이오드 패키지(30)는 상기 바텀 커버(20)에 견고하게 고정될 수 있다. 또한, 상기 제 1 리드 전극(230) 및 상기 제 2 리드 전극(250)에도 걸림부가 형성되는 경우에는 상기 발광다이오드 패키지(30)는 2 중으로 견고하게 고정된다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 향상된 강도를 가질 수 있다.
또한, 상기 걸림부(270)에 의해서, 상기 방열부(210)와 상기 바텀 커버(20) 사이의 접촉 면적이 증가된다.
따라서, 실시예에 따른 발광다이오드 어레이는 향상된 방열 특성을 가진다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응 용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 발광다이오드 어레이를 도시한 사시도이다.
도 2는 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 일부를 도시한 단면도이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다.
도 4는 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다.
도 5는 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드 어레이의 단면을 도시한 단면도이다.

Claims (10)

  1. 캐비티가 형성되는 몰딩부;
    상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 몰딩부의 내부로부터 연장되어 외부에 노출되는 리드 전극; 및
    상기 리드 전극으로부터 연장되는 걸림부를 포함하는 발광소자 패키지.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 몰딩부의 하면으로부터 돌출되는 방열부를 포함하는 발광소자 패키지.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 방열부의 측면으로부터 돌출되는 다수 개의 돌기들을 포함하는 발광소자 패키지.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 리드전극은 하방으로 연장되고, 상기 걸림부는 상기 리드전극으로부터 측상방, 측방 또는 측하방으로 연장되는 발광소자 패키지.
  5. 캐비티가 형성되는 몰딩부;
    상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 몰딩부의 내부로부터 연장되 어 외부에 노출되는 리드 전극;
    상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 몰딩부의 하면으로부터 돌출되는 방열부; 및
    상기 방열부로부터 측방, 측상방 또는 측하방으로 연장되는 걸림부를 포함하는 발광소자 패키지.
  6. 홈이 형성되는 회로기판;
    상기 회로기판에 삽입되는 발광소자 패키지; 및
    상기 회로기판 아래에 배치되는 방열 플레이트를 포함하며,
    상기 발광소자 패키지는
    캐비티가 형성되는 몰딩부;
    상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 회로기판에 접속되는 리드 전극; 및
    상기 리드 전극으로부터 연장되고, 상기 회로기판에 걸리는 걸림부를 포함하는 발광장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 발광소자 패키지는 상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 방열 플레이트에 삽입되는 방열부를 포함하는 발광장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 걸림부는 상기 방열 플레이트에 삽입되는 발광장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 상기 방열플레이트와 상기 걸림부 사이에 개재되는 절연층을 포함하는 발광장치.
  10. 홈이 형성되는 회로기판;
    상기 홈 내측에 배치되는 발광다이오드 패키지; 및
    상기 회로기판 아래에 배치되는 방열 플레이트를 포함하며,
    상기 발광다이오드 패키지는
    캐비티가 형성되는 몰딩부;
    상기 캐비티 내측에 배치되는 발광소자 칩;
    상기 발광소자 칩과 전기적으로 연결되며, 상기 회로기판에 접속되는 리드 전극;
    상기 발광소자 칩 아래에 배치되며, 상기 몰딩부의 하면으로부터 돌출되는 방열부; 및
    상기 방열부로부터 연장되며, 상기 방열플레이트에 걸리는 걸림부를 포함하는 발광소자 패키지.
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