CN105280792B - 半导体引线框架封装及发光二极管封装 - Google Patents

半导体引线框架封装及发光二极管封装 Download PDF

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Abstract

本发明涉及一种半导体引线框架封装及发光二极管LED封装。所述半导体引线框架封装包含芯片垫、引线、芯片及绝缘主体。所述引线与所述芯片垫电隔离。所述芯片设置于所述芯片垫上且电连接到所述引线。所述绝缘主体部分地封装所述芯片垫及所述引线，且具有顶面及底面，其中所述引线的一部分折叠到所述绝缘主体的所述顶面上。

Description

半导体引线框架封装及发光二极管封装
技术领域
本发明涉及半导体封装(semiconductor package)，且更明确地说，涉及半导体引线框架封装及发光二极管(LED)封装。
背景技术
对于许多照明应用，发光二极管(light-emitting diode,LED)元件由于其所提供的优点(例如，低成本、低能量消耗及相关环境益处)而受到青睐。传统的LED元件包含含有LED芯片的至少一个LED封装。LED元件效率不仅取决于LED芯片量子效率，而且取决于封装设计。
LED元件在使用期间产生必须耗散的热。热不仅造成效率差，而且影响LED元件的长期可靠性。因此，LED元件通常包含用于优选热耗散的金属散热片。
一些LED封装包含预模制引线框架(Pre-molded Lead Frame)(而非常规的陶瓷衬底)用以携载LED芯片。预模制引线框架包含预模制绝缘体以封装具有多个电极及热垫(Thermal Pad)的引线框架。电极及热垫暴露于LED封装的底部上。
然而，常规的LED封装不能直接地表面黏着到金属散热片的导电表面，因为散热片将使LED封装的已暴露电极短路。通常，印刷电路板在常规的LED封装与散热片之间提供电绝缘缓冲器以克服此问题，但此解决方案显著地增加制造成本。
另外，为了减少LED封装与散热片之间的热阻抗，电路板常常具备贯穿电路板的热通路(Thermal Via)或金属嵌件(Metal Insert)。这些特征反而会进一步增加制造成本。
另一LED封装设计(被称为板面芯片(Chip-On-Board,COB)封装)包含安装于金属芯印刷电路板(Metal-Core Printed Circuit Board,MCPCB)上的LED芯片。MCPCB通常包含铝板，铝板具有涂布于其前表面上的绝缘层及在绝缘层上的铜图案，铜图案提供电布线及连接。
板面芯片(COB)LED封装可直接地表面黏着到金属散热片的导电表面。然而，从LED芯片到散热片的热传输显著地受到铜图案与铝芯之间的绝缘层阻碍，此情形导致低热耗散效率。
发明内容
根据一个实施例，一种半导体引线框架封装包含：芯片垫；引线；芯片，其设置于所述芯片垫的顶面上且电连接到所述引线的主要部分，所述主要部分设置于所述芯片垫上方。绝缘主体部分地封装所述芯片垫及所述引线，所述引线的电极部分折叠到所述绝缘主体的顶面上，所述电极部分平行于所述主要部分，其中所述芯片垫的底面从所述绝缘主体的底面暴露。
在一个实施例中，所述芯片垫的所述暴露底面直接接触散热片。即，所述芯片垫的所述底面热附接(Thermally Attached)到所述散热片。因此，由所述芯片产生的热可通过所述芯片垫及所述散热片而快速地耗散到空气，此情形导致高热耗散效率。
在一个实施例中，所述引线包含所述主要部分、从所述主要部分折叠的连接部分，及从所述连接部分折叠到所述绝缘主体的所述顶面上的所述电极部分。所述引线的所述连接部分折叠到所述绝缘主体的凹口中，使得所述连接部分从所述绝缘主体的侧表面凹入。通过使所述连接部分从所述绝缘主体的所述侧表面凹入，有效地减少在所述引线与所述散热片之间发生短路的机会。
附图说明
图1说明根据一个实施例的安装到散热片的半导体引线框架封装的立体示意图；
图2说明沿着图1的线2-2的剖面图；
图3说明沿着图1的线3-3的剖面图；
图4说明沿着图1的线4-4的剖面图；
图4A说明图4的半导体引线框架封装的剖面图，所述半导体引线框架封装通过电线而连接到外部电力供应电路系统；
图5说明根据另一实施例的半导体引线框架封装的立体示意图；
图6说明图5的半导体引线框架封装的俯视图，所述半导体引线框架封装经由连接器而安装到外部散热片；
图7、8、9、10、11、12、13、14、15、16、17、18说明根据一个实施例的用于制造半导体引线框架封装的过程；以及
图19到20说明根据另一实施例的用于制造半导体引线框架封装的过程。
具体实施方式
参看图1，说明根据一个实施例的半导体引线框架封装1。半导体引线框架封装1包含芯片垫12、至少一个引线14(例如，两个引线14)、至少一个肋状物16(例如，四个肋状物16)、至少一个固定元件18(例如，两个固定元件18)、绝缘主体22、至少一个导线30(例如，三个导线30)、至少一个芯片28(例如，两个芯片28)、至少一个光转换层281(例如，两个光转换层281)，及封装物32。
芯片垫12用于携载芯片28。在此实施例中，芯片28为发光二极管(LED)芯片，且黏附到芯片垫12。因此，半导体引线框架封装1为LED封装。芯片垫12的材料为例如铜等金属。
虽然诸图中说明两个芯片28，但在另一实施例中，半导体引线框架封装1包含仅单个芯片28。在又一实施例中，半导体引线框架封装1包含两个以上芯片28。
绝缘主体22(也被称作外壳)部分地封装芯片垫12及引线14，借此形成预模制引线框架，且绝缘主体22具有顶面221、底面222、至少一个凹口223(例如，两个凹口223)，及中心开口23。凹口223设置于绝缘主体22的边缘上。更明确地说，绝缘主体22的侧表面224垂直地延伸于绝缘主体22的顶面221与底面222之间，且凹口223形成于侧表面224内。
绝缘主体22的上部内侧壁25界定绝缘主体22中的上部中心开口24。绝缘主体22的下部内侧壁27界定绝缘主体22的下部中心开口26。中心开口23包含下部中心开口26及上部中心开口24。
上部中心开口24与下部中心开口26连通，且上部中心开口24的尺寸大于下部中心开口26的尺寸。下部中心开口26暴露芯片垫12的部分，芯片28设置于暴露的芯片垫12的部分，且上部中心开口24暴露引线14的部分，导线30接合到暴露引线14的部分。绝缘主体22的材料可为封胶材料，例如，透明或半透明聚合物、软凝胶(Soft Gel)、弹性体(Elastomer)、树脂、环氧树脂(Epoxy Resin)、聚硅氧(Silicone)，或环氧树脂-聚硅氧混合式树脂(Epoxy-Silicone Hybrid Resin)。
两个引线14与芯片垫12电隔离，且每一所述引线14具有主要部分141、连接部分142及电极部分143(例如，作为正电极及负电极)。主要部分141嵌入于绝缘主体22中，且主要部分141的一部分从绝缘主体22的上部中心开口24暴露，且经由导线30而电连接到芯片28。连接部分142连接主要部分141及电极部分143，且设置于凹口223中。
在此实施例中，连接部分142延伸出绝缘主体22之外，且设置于凹口223的侧壁225上(参见图4)。连接部分142经折叠成使得连接部分142实质上垂直于主要部分141。虽然可将各种特征描述为垂直、平行或具有其它关系，但按照本发明，所属领域的技术人员应理解，所述特征可不精确地垂直或平行，而是仅在可接受的制造容许度内实质上垂直或平行。
电极部分143设置于绝缘主体22的顶面221上，且用于外部电连接。电极部分143经折叠成使得电极部分143实质上垂直于连接部分142，且电极部分143实质上平行于主要部分141。在此实施例中，引线14(主要部分141、连接部分142及电极部分143)的材料为例如铜等金属。引线14及芯片垫12可称作引线框架。
封装物32设置于中心开口23(即，下部中心开口26及上部中心开口24)中，以封装芯片28及导线30。封装物32可由透明聚合物或半透明聚合物(例如，软凝胶、弹性体、树脂、环氧树脂、聚硅氧，或环氧树脂-聚硅氧混合式树脂)制成。
为了改进从芯片28的发光的均一性，可使光随着其被发射而散射。因此，可将散射粒子添加到封装物32中以使光通过封装物32时随机地折射。
在此实施例中，封装物32的顶面33与绝缘主体22的顶面221共平面；然而，在其它实施例中，封装物32的顶面33可凸出以形成凸透镜结构。
光转换层281设置于封装物32与芯片28之间。光转换层281实质上覆盖芯片28的顶面，且还可覆盖每一导线30的部分。
光转换层281包含光转换物质的粒子，例如，萤光粒子。从芯片28发射的光(例如，蓝光)可由光转换物质转换成不同色彩(例如，绿色、黄色及红色)的光，且所述不同色彩接着可混合以产生白光。
然而，在其它实施例中，可针对单色LED封装省略光转换层281。或者，可通过封装物32中的光转换物质来替换光转换层281。
肋状物16的部分及固定元件18从绝缘主体22暴露。固定元件18经由肋状物16而连接到芯片垫12。在此实施例中，固定元件18为板，且具有用于外部连接的通孔181。肋状物16及固定元件18的材料为例如铜等金属。
参看图2，说明沿着图1的线2-2的剖面图，其中半导体引线框架封装1进一步安装到外部散热片11以形成LED模块。芯片垫12具有顶面121及底面122。芯片28设置于芯片垫12的顶面121上。芯片垫12的底面122与绝缘主体22的底面222共平面，以便从绝缘主体22的底面222暴露且直接接触散热片11。即，芯片垫12的底面122热附接到散热片11。
因此，由芯片28产生的热可通过芯片垫12及散热片11而快速地耗散到空气，此情形导致高热耗散效率。此外，芯片垫12、肋状物16及固定元件18为通过冲压而形成的同一板，使得肋状物16弯曲，且固定元件18的底面123与芯片垫12的底面122共平面。固定元件18用以紧固到散热片11。
在此实施例中，扣件50位于固定元件18的通孔181及散热片11的开口111内，以将半导体引线框架封装1紧固到散热片11。扣件50及散热片11的开口111可具有螺纹。然而，可以理解的是，固定元件18可黏附或焊接到散热片11。另外，固定元件18的底面123与芯片垫12的底面122共平面，使得当固定元件18紧固到散热片11时，芯片垫12的底面122同时地接触散热片11。
参看图3，说明沿着图1的线3-3的剖面图，其中半导体引线框架封装1进一步安装到散热片11。引线14的主要部分141的水平线高于芯片垫12的水平线，即，引线14的主要部分141所处的平面位于芯片垫12所处的平面上方。即，引线14的主要部分141设置于芯片垫12上方且与芯片垫12隔开。
在本实施例中，引线14的主要部分141的底面141a由绝缘主体22覆盖，使得可在不使引线14短路的情况下将半导体引线框架封装1直接安装到金属散热片11。
引线14的主要部分141与芯片垫12之间的绝缘主体22的部分界定下部中心开口26，且引线14的主要部分141上的绝缘主体22的部分界定上部中心开口24。更明确地说，绝缘主体22的下部内侧壁27延伸于引线14的主要部分141与芯片垫12之间，且界定下部中心开口26。绝缘主体22的上部内侧壁25延伸于引线14的主要部分141与绝缘主体22的顶面221之间，且界定上部中心开口24。
参看图4，说明沿着图1的线4-4的剖面图。参看图4A，图4的半导体引线框架封装1通过一对接点或电线62(图4A中仅显示一个)而连接到外部电力供应电路系统60，所述对接点或电线62紧固到引线14的暴露电极部分143。外部电力供应电路系统60将电流传送到半导体引线框架封装1，使得LED芯片28可产生光。
在此实施例中，引线14(主要部分141、连接部分142及电极部分143)一体成形，且被折叠两次以分别形成主要部分141、连接部分142及电极部分143。引线14的一部分(即，连接部分142)折叠到凹口223的侧壁225上，使得连接部分142从绝缘主体22的侧表面224凹入，且引线14的另一部分(即，电极部分143)进一步折叠到绝缘主体22的顶面221上。
凹口223的位置对应于引线14的折叠部分(即，连接部分142及电极部分143)。在某些实施例中，连接部分142从绝缘主体22的侧表面224凹入至少0.15mm，借此有效地减少在引线14与散热片11之间发生短路的机会，如下文进一步所论述。
在一个实施例中，半导体引线框架封装1不具有凹口223，且连接部分142设置于侧表面224上，此情形缩短引线14与散热片11之间的距离，且可导致在引线14与散热片11之间发生短路的可能性增加。另外，在所说明实施例中，当从绝缘主体22的底面222进行检视时，芯片垫12的底面122暴露，但引线14的主要部分141的底面141a未暴露。
参看图5，说明根据另一实施例的半导体引线框架封装1a。半导体引线框架封装1a实质上相似于图1的半导体引线框架封装1，且相同元件赋予相同标号。此实施例的半导体引线框架封装1a与图1的半导体引线框架封装1之间的差异为：半导体引线框架封装1a不具有半导体引线框架封装1的固定元件18。因此，肋状物16仅一部分从绝缘主体22的侧暴露。
参看图6，说明图5的俯视图，其中半导体引线框架封装1a经由连接器34(图6中的影线区域)而进一步安装到外部散热片11。连接器34包括中心环341、两个顶部肋状物342、两个底座343及两个垂直部分344。中心环341设置于绝缘主体22的顶面221上，且对应于绝缘主体22的上部中心开口24。中心环341的内径稍微大于上部中心开口24的直径。
顶部肋状物342从中心环341延伸到绝缘主体22的两个拐角，且分别经由两个垂直部分344而连接底座343。底座343的底面与芯片垫12的底面122共平面，且每一所述底座343的形状配合绝缘主体22的拐角，以便锁定绝缘主体22。扣件50用以通过底座343的通孔(未图示)而将半导体引线框架封装1a紧固到散热片11。
参看图7到18，说明根据一实施例的用于制造半导体引线框架封装的半导体工艺。
参看图7，提供引线框架。引线框架包含横越彼此的多个条带部分20以界定多个单元。每一所述单元包含芯片垫12、至少一个引线14、至少一个肋状物16、至少一个固定元件18、至少一个第一杆体部分201及至少一个第二杆体部分202。可通过冲压或蚀刻铜板来形成引线框架的图案。
在此实施例中，每一所述单元包含两个引线14、四个肋状物16及两个固定元件18。在此实施例中，每一所述固定元件18为板，且具有用于外部连接的通孔181。肋状物16连接固定元件18及芯片垫12，且固定元件18通过第一杆体部分201而连接到条带部分20。引线14沿着芯片垫12而延伸，且不连接芯片垫12。每一所述引线14具有主要部分141、连接部分142及电极部分143。连接部分142连接主要部分141及电极部分143。电极部分143通过第二杆体部分202而连接到条带部分20。
参看图8，说明沿着图7的线8-8的剖面图。芯片垫12具有顶面121及底面122。主要部分141具有底面141a。引线14的主要部分141的水平线高于芯片垫12的水平线。即，引线14的主要部分141设置于芯片垫12上方且与芯片垫12隔开。
参看图9，说明沿着图7的线9-9的剖面图。在此实施例中，芯片垫12、肋状物16及固定元件18为通过冲压而形成的同一个板，使得肋状物16弯曲，且固定元件18的底面123与芯片垫12的底面122共平面。因此，当固定元件18紧固到散热片11(图2)时，芯片垫12的底面122同时接触散热片11。
参看图10，形成绝缘主体22以部分地封装芯片垫12及引线14，且绝缘主体22具有至少一个凹口223及中心开口23。凹口223设置于绝缘主体22的边缘上。中心开口23包含下部中心开口26及上部中心开口24。上部中心开口24与下部中心开口26连通，且上部中心开口24的尺寸大于下部中心开口26的尺寸。下部中心开口26暴露芯片垫12的部分，芯片28设置于暴露的芯片垫12的部分，且上部中心开口24暴露引线14的主要部分141的一部分，导线30接合到所述暴露引线14的主要部分141的部分。绝缘主体22的材料可为封胶材料，例如，透明或半透明聚合物、软凝胶(Soft Gel)、弹性体(Elastomer)、树脂、环氧树脂(EpoxyResin)、聚硅氧(Silicone)，或环氧树脂-聚硅氧混合式树脂(Epoxy-Silicone HybridResin)。
参看图11，说明沿着图10的线11-11的剖面图。绝缘主体22进一步具有顶面221、底面222、至少一个凹口223，及中心开口23。引线14的主要部分141与芯片垫12之间的绝缘主体22的部分界定下部中心开口26，且引线14的主要部分141上的绝缘主体22的部分界定上部中心开口24。
参看图12，说明沿着图10的线12-12的剖面图。芯片垫12的底面122与绝缘主体22的底面222共平面，以便从绝缘主体22的底面222暴露。肋状物16的部分及固定元件18从绝缘主体22暴露。
参看图13，说明沿着图10的线13-13的剖面图。凹口223的位置对应于引线14的连接部分142及电极部分143。因此，连接部分142及电极部分143通过凹口223而延伸出绝缘主体22之外。
参看图14，附接芯片28到芯片垫12的顶面121。在此实施例中，芯片28为发光二极管(LED)芯片，且黏附到芯片垫12。接着，至少一个导线30从芯片28接合到引线14的主要部分141的暴露部分。接着，光转换层281经涂覆以覆盖芯片28的顶面，且还可覆盖每一导线30的部分。
光转换层281包含光转换物质的粒子，例如，萤光粒子。从芯片28发射的光(例如，蓝光)可由光转换物质转换成不同色彩(例如，绿色、黄色及红色)的光，且所述不同色彩接着可混合以产生白光。然而，在其它实施例中，可针对单色LED封装省略光转换层281。
接着，施加封装物32于中心开口23(即，下部中心开口26及上部中心开口24)中，以封装芯片28及导线30。封装物32可由透明聚合物或半透明聚合物(例如，软凝胶、弹性体、树脂、环氧树脂、聚硅氧，或环氧树脂-聚硅氧混合式树脂)制成。
为了改进从芯片28的发光的均一性，可使光随着其被发射而散射。因此，可将散射粒子添加到封装物32中以使光随着其通过封装物32时随机地折射。在此实施例中，封装物32的顶面33与绝缘主体22的顶面221共平面；然而，在其它实施例中，封装物32的顶面可凸出以形成凸透镜结构。
参看图14及15，切掉第二杆体部分202。
参看图16，向上折叠引线14的连接部分142。
参看图17，说明沿着图16的线17-17的剖面图。在此实施例中，连接部分142折叠于凹口223的侧壁225上，且实质上垂直于主要部分141。同时，引线14的电极部分143从绝缘主体22的顶面221突起。
参看图18，引线14的电极部分143折叠到绝缘主体22的顶面221上，使得电极部分143实质上垂直于连接部分142，且电极部分143实质上平行于主要部分141。电极部分143用于外部电连接。接着，第一杆体部分201被切掉，以获得图1的半导体引线框架封装1。
参看图19到20，说明根据另一实施例的用于制造半导体引线框架封装的半导体工艺。
参看图19，提供引线框架。此实施例的引线框架实质上相似于图7的引线框架，且相同元件赋予相同标号。此实施例的引线框架与图7的引线框架之间的差异为：此实施例的引线框架不具有图7的引线框架的固定元件18，且肋状物16直接地连接条带部分20。因此，在相同尺寸的引线框架中，此实施例的设计具有较多单元，此情形增加封装密度。
参看图20，形成绝缘主体22以部分地封装芯片垫12及引线14，如图10。接着，附接芯片28到芯片垫12的顶面121，将导线30从芯片28接合到引线14的主要部分141的暴露部分，涂覆光转换层281以覆盖芯片28的顶面，且还可覆盖每一导线30的部分，如图10及14。
此实施例的后续步骤相同于图15到18的步骤，以便获得图5的半导体引线框架封装1a。
虽然已参考本发明的特定实施例而描述及说明本发明，但这些描述及说明并不限制本发明。所属领域的技术人员应理解，在不脱离如由随附权利要求书界定的本发明的真实精神及范围的情况下，可进行各种改变且可代用等效者。所述说明可未必按比例绘制。在本发明中的技艺性转译与实际装置之间可归因于制造程序及容许度而存在差别。本发明可存在未被特定地说明的其它实施例。本说明书及图式应被视为说明性的而非限制性的。可进行修改以使特定情形、材料、物质组合、方法或程序适应于本发明的目标、精神及范围。所有这些修改意欲在此处随附的权利要求书的范围内。虽然已参考以特定次序所执行的特定操作而描述本文所揭示的方法，但应理解，在不脱离本发明的教示的情况下，可对这些操作进行组合、再分或重新排序以形成等效方法。因此，除非本文中有特定指示，否则所述操作的次序及分组不为本发明的限制。

Claims (20)

1.一种半导体封装结构，其包括：
芯片垫(Die Pad)；
引线(Lead)；
芯片，其设置于所述芯片垫的顶面上且电连接到所述引线的主要部分，所述主要部分设置于所述芯片垫上方；以及
绝缘主体，其部分地封装所述芯片垫及所述引线，所述引线的电极部分折叠到所述绝缘主体的顶面上，所述电极部分平行于所述主要部分，其中所述芯片垫的底面从所述绝缘主体的底面暴露。
2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述芯片垫的所述底面与所述绝缘主体的所述底面共平面。
3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述引线的所述主要部分所处的平面与所述芯片垫所处的平面隔开。
4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述引线的所述主要部分的底面由所述绝缘主体覆盖。
5.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包括散热片，所述芯片垫的所述底面直接接触所述散热片。
6.根据权利要求5所述的半导体封装结构，其进一步包括固定元件，所述固定元件连接到所述芯片垫且紧固到所述散热片，其中所述绝缘主体的所述底面、所述芯片垫的所述底面及所述固定元件的底面共平面且直接接触所述散热片。
7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述引线进一步包括连接部分，所述连接部分垂直于所述主要部分及所述电极部分。
8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述绝缘主体包括下部内侧壁，所述下部内侧壁延伸于所述引线的所述主要部分与所述芯片垫之间，所述下部内侧壁界定下部中心开口，所述下部中心开口暴露所述芯片垫。
9.根据权利要求8所述的半导体封装结构，其中所述绝缘主体包括上部内侧壁，所述上部内侧壁延伸于所述绝缘主体的所述顶面与所述引线的所述主要部分之间，所述上部内侧壁界定上部中心开口，所述上部中心开口暴露所述引线的所述主要部分。
10.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述绝缘主体进一步包括上部中心开口及下部中心开口，所述上部中心开口暴露所述引线的所述主要部分，所述下部中心开口暴露所述芯片垫，所述上部中心开口及所述下部中心开口界定所述绝缘主体的中心开口，所述结构进一步包括：
封装物，其设置于所述中心开口中。
11.根据权利要求10所述的半导体封装结构，其中所述封装物的顶面与所述绝缘主体的所述顶面共平面。
12.一种半导体封装结构，其包括：
芯片垫；
引线，其包括：
主要部分；
连接部分；以及
电极部分；
芯片，其设置于所述芯片垫上且电连接到引线的所述主要部分；以及
绝缘主体，其部分地封装所述芯片垫及所述引线的所述主要部分，所述绝缘主体包括：
顶面，其上设置有所述电极部分；
底面；以及
侧表面，其延伸于所述顶面与所述底面之间，所述侧表面包括凹口，所述连接部分设置于所述凹口中。
13.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述连接部分从所述侧表面凹入。
14.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述凹口包括侧壁，所述连接部分设置于所述侧壁上。
15.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述连接部分垂直于所述主要部分及所述电极部分，且所述主要部分平行于所述电极部分。
16.根据权利要求12所述的半导体封装结构，其中所述绝缘主体进一步包括中心开口，所述中心开口包括：
下部中心开口，其暴露所述芯片垫；以及
上部中心开口，其暴露所述引线的所述主要部分。
17.根据权利要求16所述的半导体封装结构，其中所述芯片为发光二极管LED芯片，所述结构进一步包括封装物，所述封装物位于所述中心开口中且封装所述LED芯片。
18.一种半导体封装结构的制造方法，其包括：
部分地封装芯片垫及引线于绝缘主体中，其中所述芯片垫的底面从所述绝缘主体的底面暴露；
附接芯片到所述芯片垫的顶面；
将导线从所述芯片接合到所述引线的主要部分；以及
将所述引线的连接部分折叠于所述绝缘主体的凹口的侧壁上。
19.根据权利要求18所述的半导体封装结构的制造方法，其进一步包括：
将所述引线的电极部分折叠到所述绝缘主体的顶面上。
20.根据权利要求19所述的半导体封装结构的制造方法，其中所述绝缘主体的所述底面及所述芯片垫的所述底面共平面，所述方法进一步包括：
使散热片直接接触所述绝缘主体的所述底面及所述芯片垫的所述底面。
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