JP5127594B2 - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5127594B2 JP5127594B2 JP2008167148A JP2008167148A JP5127594B2 JP 5127594 B2 JP5127594 B2 JP 5127594B2 JP 2008167148 A JP2008167148 A JP 2008167148A JP 2008167148 A JP2008167148 A JP 2008167148A JP 5127594 B2 JP5127594 B2 JP 5127594B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal film
- frame
- resin
- light emitting
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0231—Stems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
- H01S5/0232—Lead-frames
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0233—Mounting configuration of laser chips
- H01S5/02345—Wire-bonding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/022—Mountings; Housings
- H01S5/0235—Method for mounting laser chips
- H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
- H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/024—Arrangements for thermal management
- H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
Description
従来、半導体光デバイスには、光半導体チップがマウントされたヘッダー上に、この光半導体チップを覆って光を導出するためのガラス板が封止された窓を有するキャンが配置され、ヘッダーとキャンが互いに封着されるキャンパッケージが用いられてきた。また近年では、金属板から打ち抜き等によって形成されたフレーム上のマウント部に光半導体チップを実装し、樹脂モールド体でモールドした半導体レーザ装置が提案されている。このような半導体レーザ装置として特開平10−154848に記載のものがある。
図1に本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の概略を表す斜視図を示す。また、図2に本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の概略を表す上面図を示す。以下、図1、図2を用いて説明する。半導体発光素子である半導体レーザチップ101は、フレーム105上に固定されたサブマウント103上に実装される。フレーム105はポリイミドなどの樹脂製の土台に金属膜107を形成したものである。半導体レーザチップ101は、この金属膜107上にサブマウントを介して実装される。金属膜107の形成は、めっき、蒸着、スパッタ等が用いられる。また、金属膜107の材料にはニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)等が用いられる。半導体レーザチップ101で発生した熱は金属膜107Bを伝わり、放熱される。フレーム105とリード111は一体形成されており、金属膜107Bはリード111Aの周辺の絶縁が必要な絶縁領域である樹脂露出部115を除いて形成される。リード111Aは金属膜107Aで覆われており、金属膜107Bと絶縁されている。リード111BはGND端子で、金属膜107Bで覆われており、金属膜107Bを接地電位にする。次に、図示していないが半導体レーザチップ101と接続されたサブマウント上の電極とリード111Aとがボンディングワイヤ113でワイヤボンディングされる。さらに半導体レーザチップ101と接地電位となる金属膜107Bとがボンディングワイヤ113でワイヤボンディングされ、本実施の形態の半導体発光装置が得られる。
図3に本発明の実施の形態1に係るもう一つの半導体発光装置を表す概略上面図を示す。
この例では、半導体レーザチップ101が異なる発振波長を有する2つのレーザチップを1チップ化したモノリシック2波長レーザの場合を示している。絶縁することが必要な2つのリードが絶されるように金属膜をパターニングし、それぞれのリードと半導体レーザチップ101とはワイヤボンドで接続されている。このように、絶縁することが必要な部分だけ絶縁し、ほぼ全面に金属膜を形成することにより、放熱性を高めることができる。また、必要な部分の絶縁は、金属膜のパターニングにより行えるので、容易に加工することができる。
図4に本発明の実施の形態2に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。実施の形態1では、樹脂製土台のほぼ全面に金属の膜を形成したが、本実施の形態では、部分的に金属膜を形成する。本実施の形態では、半導体レーザチップ101を実装するマウント部分に、半導体レーザチップ101が発する熱を放熱できる必要な分だけの金属の膜を形成する。このようにして樹脂製土台のほぼ全面に金属の膜を形成する場合より金属の使用量をより少なくし、製造コストをより低くすることができる。
図5に本発明の実施の形態3に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。放熱性の問題が少ない半導体レーザチップ101を実装する場合には、マウント部分の金属膜を省くことができる。よって、導電性が必要な部分はリード部分のみとなり、その必要な部分のみに金属膜を形成している。このようにして金属の使用量をより少なくし、製造コストをより低くすることができる。
図6に本発明の実施の形態4に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。実施の形態1、実施の形態2および実施の形態3では、リードはフレームと一体形成され、リード部についても樹脂上に金属膜を形成してリードとしていた。本実施の形態では、金属製のリードを用いている。この金属性のリードは樹脂製土台に金属膜が形成されたフレーム105と絶縁され、樹脂枠109で固定されている。この場合、フレーム105に形成された金属膜107がリード111と絶縁されていればよく、例えば金属膜107が半導体レーザチップ101のマウント部のみに形成されている場合には、樹脂製土台と金属のリード111は接触していても構わない。また、放熱性の問題が少ない半導体レーザチップ101を実装する場合には、樹脂製土台の金属膜107は省くことができる。リフロー半田の場合、230℃から250℃付近の温度で実施されるので、表面に金属膜を形成した樹脂製のリードを使用することができるが、通常の半田付けは、約300℃付近の温度が使われる。金属性のリードを用いることで、リフロー半田より高温の半田付けが可能となる。
105 フレーム
107A、107B 金属膜
109 樹脂枠
111A、111B リード
115 樹脂露出部
Claims (1)
- 樹脂で形成されたフレームと、
前記フレームの上に形成された金属膜と、
前記金属膜の上に固定されたサブマウントと、
前記サブマウントの上に固定された半導体発光素子と、
前記フレームに固定された樹脂枠と、
前記金属膜と接しないように、前記樹脂枠に固定された金属製のリードと、を備え、
前記リードは、前記半導体発光素子と電気的に接続され、
前記金属膜の一部は外部に露出することを特徴とする半導体パッケージ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008167148A JP5127594B2 (ja) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | 半導体パッケージ |
US12/348,027 US7977700B2 (en) | 2008-06-26 | 2009-01-02 | Resin and metal semiconductor device package and semiconductor light-emitting device incorporating the package |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008167148A JP5127594B2 (ja) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | 半導体パッケージ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010010345A JP2010010345A (ja) | 2010-01-14 |
JP5127594B2 true JP5127594B2 (ja) | 2013-01-23 |
Family
ID=41446311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008167148A Active JP5127594B2 (ja) | 2008-06-26 | 2008-06-26 | 半導体パッケージ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7977700B2 (ja) |
JP (1) | JP5127594B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9300112B2 (en) * | 2013-12-18 | 2016-03-29 | Lumentum Operations Llc | Packaged laser diode and method of packaging a laser diode |
EP3874596A1 (en) | 2018-10-30 | 2021-09-08 | Excelitas Canada Inc. | High speed switching circuit configuration |
US11264778B2 (en) | 2018-11-01 | 2022-03-01 | Excelitas Canada, Inc. | Quad flat no-leads package for side emitting laser diode |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0343750U (ja) * | 1989-09-04 | 1991-04-24 | ||
US5291038A (en) * | 1990-12-19 | 1994-03-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflective type photointerrupter |
JP2714272B2 (ja) * | 1991-06-04 | 1998-02-16 | シャープ株式会社 | 電子部品 |
US5879965A (en) * | 1997-06-19 | 1999-03-09 | Micron Technology, Inc. | Plastic lead frames for semiconductor devices, packages including same, and methods of fabrication |
JPH11177150A (ja) | 1997-12-16 | 1999-07-02 | Toshiba Corp | 光半導体装置 |
JP3186684B2 (ja) | 1997-12-29 | 2001-07-11 | ソニー株式会社 | 半導体レーザ装置 |
JP2002033520A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-01-31 | Toshiba Electronic Engineering Corp | 半導体発光装置 |
JP2003046179A (ja) * | 2001-07-26 | 2003-02-14 | Kyocera Corp | 配線基板 |
JP4102043B2 (ja) * | 2001-09-20 | 2008-06-18 | 株式会社東芝 | 光通信用モジュール |
JP2006313943A (ja) * | 2003-02-18 | 2006-11-16 | Sharp Corp | 半導体発光装置、その製造方法および電子撮像装置 |
JP2005159045A (ja) * | 2003-11-26 | 2005-06-16 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 半導体発光素子搭載部材とそれを用いた発光ダイオード |
JP3769577B2 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-04-26 | 日本電信電話株式会社 | 光モジュールおよびその製造方法 |
-
2008
- 2008-06-26 JP JP2008167148A patent/JP5127594B2/ja active Active
-
2009
- 2009-01-02 US US12/348,027 patent/US7977700B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090321777A1 (en) | 2009-12-31 |
JP2010010345A (ja) | 2010-01-14 |
US7977700B2 (en) | 2011-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8124998B2 (en) | Light emitting device package | |
JP5349755B2 (ja) | 表面実装の発光チップパッケージ | |
US9357644B2 (en) | Joined structural body of members, joining method of members, and package for containing an electronic component | |
JP2004214436A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
US20070252159A1 (en) | Light emitting apparatus | |
JP2004006720A5 (ja) | 熱電装置用パッケージおよび該パッケージに収容される熱電モジュールの製造方法 | |
JP2004031900A (ja) | 半導体レーザ、その製法および光ピックアップ装置 | |
JP2007329516A (ja) | 半導体発光装置 | |
US20110101393A1 (en) | Light-emitting diode package structure and manufacturing method thereof | |
JP2012079827A (ja) | 半導体発光装置及び光源装置 | |
JP5127594B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
US7893345B2 (en) | Thermoelectric module device | |
JP6753051B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007165442A (ja) | モールドパッケージ | |
US8110492B2 (en) | Method for connecting a die attach pad to a lead frame and product thereof | |
US20070252133A1 (en) | Light emitting apparatus | |
JP7014645B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007012718A (ja) | 電子部品収納用パッケージおよび電子装置 | |
JP2008282927A (ja) | 光半導体用パッケージ、光半導体装置、及びその製造方法 | |
US7873086B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2007067452A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP4586809B2 (ja) | 熱電装置 | |
JP3970293B2 (ja) | 半導体レーザ装置 | |
JP4408931B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007329515A (ja) | 半導体発光装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110411 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120424 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121030 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5127594 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151109 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |