JP2010010345A - 半導体パッケージおよび半導体発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁体である樹脂に必要な部分だけ金属膜を形成することにより、土台部、リード部、接続部を1つの部材で賄うことが可能となり、材料費の低減、加工の簡素化ができる。また、フィルムのようにつなげた状態で生産ができるため、大量生産時の生産性向上が可能となる。
【選択図】 図1
Description
従来、半導体光デバイスには、光半導体チップがマウントされたヘッダー上に、この光半導体チップを覆って光を導出するためのガラス板が封止された窓を有するキャンが配置され、ヘッダーとキャンが互いに封着されるキャンパッケージが用いられてきた。また近年では、金属板から打ち抜き等によって形成されたフレーム上のマウント部に光半導体チップを実装し、樹脂モールド体でモールドした半導体レーザ装置が提案されている。このような半導体レーザ装置として特開平10−154848に記載のものがある。
図1に本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の概略を表す斜視図を示す。また、図2に本発明の実施の形態に係る半導体発光装置の概略を表す上面図を示す。以下、図1、図2を用いて説明する。半導体発光素子である半導体レーザチップ101は、フレーム105上に固定されたサブマウント103上に実装される。フレーム105はポリイミドなどの樹脂製の土台に金属膜107を形成したものである。半導体レーザチップ101は、この金属膜107上にサブマウントを介して実装される。金属膜107の形成は、めっき、蒸着、スパッタ等が用いられる。また、金属膜107の材料にはニッケル(Ni)、銅(Cu)、金(Au)、白金(Pt)、チタン(Ti)等が用いられる。半導体レーザチップ101で発生した熱は金属膜107Bを伝わり、放熱される。フレーム105とリード111は一体形成されており、金属膜107Bはリード111Aの周辺の絶縁が必要な絶縁領域である樹脂露出部115を除いて形成される。リード111Aは金属膜107Aで覆われており、金属膜107Bと絶縁されている。リード111BはGND端子で、金属膜107Bで覆われており、金属膜107Bを接地電位にする。次に、図示していないが半導体レーザチップ101と接続されたサブマウント上の電極とリード111Aとがボンディングワイヤ113でワイヤボンディングされる。さらに半導体レーザチップ101と接地電位となる金属膜107Bとがボンディングワイヤ113でワイヤボンディングされ、本実施の形態の半導体発光装置が得られる。
図3に本発明の実施の形態1に係るもう一つの半導体発光装置を表す概略上面図を示す。
この例では、半導体レーザチップ101が異なる発振波長を有する2つのレーザチップを1チップ化したモノリシック2波長レーザの場合を示している。絶縁することが必要な2つのリードが絶されるように金属膜をパターニングし、それぞれのリードと半導体レーザチップ101とはワイヤボンドで接続されている。このように、絶縁することが必要な部分だけ絶縁し、ほぼ全面に金属膜を形成することにより、放熱性を高めることができる。また、必要な部分の絶縁は、金属膜のパターニングにより行えるので、容易に加工することができる。
図4に本発明の実施の形態2に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。実施の形態1では、樹脂製土台のほぼ全面に金属の膜を形成したが、本実施の形態では、部分的に金属膜を形成する。本実施の形態では、半導体レーザチップ101を実装するマウント部分に、半導体レーザチップ101が発する熱を放熱できる必要な分だけの金属の膜を形成する。このようにして樹脂製土台のほぼ全面に金属の膜を形成する場合より金属の使用量をより少なくし、製造コストをより低くすることができる。
図5に本発明の実施の形態3に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。放熱性の問題が少ない半導体レーザチップ101を実装する場合には、マウント部分の金属膜を省くことができる。よって、導電性が必要な部分はリード部分のみとなり、その必要な部分のみに金属膜を形成している。このようにして金属の使用量をより少なくし、製造コストをより低くすることができる。
図6に本発明の実施の形態4に係る半導体発光装置を表す概略上面図を示す。実施の形態1、実施の形態2および実施の形態3では、リードはフレームと一体形成され、リード部についても樹脂上に金属膜を形成してリードとしていた。本実施の形態では、金属製のリードを用いている。この金属性のリードは樹脂製土台に金属膜が形成されたフレーム105と絶縁され、樹脂枠109で固定されている。この場合、フレーム105に形成された金属膜107がリード111と絶縁されていればよく、例えば金属膜107が半導体レーザチップ101のマウント部のみに形成されている場合には、樹脂製土台と金属のリード111は接触していても構わない。また、放熱性の問題が少ない半導体レーザチップ101を実装する場合には、樹脂製土台の金属膜107は省くことができる。リフロー半田の場合、230℃から250℃付近の温度で実施されるので、表面に金属膜を形成した樹脂製のリードを使用することができるが、通常の半田付けは、約300℃付近の温度が使われる。金属性のリードを用いることで、リフロー半田より高温の半田付けが可能となる。
105 フレーム
107A、107B 金属膜
109 樹脂枠
111A、111B リード
115 樹脂露出部
Claims (10)
- 半導体発光素子を実装するためのフレームと、
前記フレームと一体形成されたリードを有し、
前記フレームおよび前記リードが樹脂で形成され、前記フレーム上の所定の領域に金属膜が形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記所定の領域が、該半導体発光素子を実装する部位であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記所定の領域が、前記リードの表面上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記所定の領域が、前記リードの周囲の絶縁領域を除く前記フレームの表面全域であることを特徴とする請求項1に記載の半導体パッケージ。
- 前記フレームの裏面に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の半導体パッケージ。
- 半導体発光素子を実装するためにフレームと、
金属性のリードと、
該フレームと該リードを接合する接合部を有し、
該フレームが樹脂で形成されていることを特徴とする半導体パッケージ。 - 前記フレーム上の所定の領域に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項6に記載の半導体パッケージ。
- フレームと、
該フレーム上に設置された半導体発光素子を有する半導体発光装置であって、
前記フレームと一体形成されたリードを有し、
前記フレームおよび前記リードが樹脂で形成され、前記フレーム上の所定の領域に金属膜が形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - フレームと、
該フレーム上に設置された半導体発光素子を有する半導体発光装置あって、
金属性のリードと、
該フレームと該リードを接合する接合部を有し、
該フレームが樹脂で形成されていることを特徴とする半導体発光装置。 - 前記フレーム上の所定の領域に金属膜が形成されていることを特徴とする請求項9に記載の半導体発光装置。
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