JPH11177150A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
- Publication number
- JPH11177150A JPH11177150A JP9346785A JP34678597A JPH11177150A JP H11177150 A JPH11177150 A JP H11177150A JP 9346785 A JP9346785 A JP 9346785A JP 34678597 A JP34678597 A JP 34678597A JP H11177150 A JPH11177150 A JP H11177150A
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- JP
- Japan
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- optical semiconductor
- semiconductor device
- semiconductor chip
- transparent resin
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化、薄型化を図った光半導体装置にかか
るものである。 【解決手段】 透明樹脂２１の表面にメッキ加工を施
し、このメッキ加工部２３に光半導体チップ２４をマウ
ントしたものである。
るものである。 【解決手段】 透明樹脂２１の表面にメッキ加工を施
し、このメッキ加工部２３に光半導体チップ２４をマウ
ントしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置に係
り、特に、小型化、薄型化を図った光半導体装置に関す
る。
り、特に、小型化、薄型化を図った光半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】一般
に光半導体装置１０には図７、図８に示すように鉄、銅
等のリードフレーム１１が備えられ、これにフォトダイ
オード、フォトIC等の受光性半導体チップ等の光面１２
a を有する光半導体チップ１２をマウントしている。
に光半導体装置１０には図７、図８に示すように鉄、銅
等のリードフレーム１１が備えられ、これにフォトダイ
オード、フォトIC等の受光性半導体チップ等の光面１２
a を有する光半導体チップ１２をマウントしている。
【０００３】この光半導体チップ１２の電極パッド１２
aaとリードフレーム１１とにはボンディングワイヤー１
３が溶接され、電気的接続を行うようになっている。
aaとリードフレーム１１とにはボンディングワイヤー１
３が溶接され、電気的接続を行うようになっている。
【０００４】これらのリードフレーム１１、光半導体チ
ップ１２およびボンディングワイヤー１３には熱硬化性
の透明樹脂１４が被覆され、これらを固着するようにな
っている。
ップ１２およびボンディングワイヤー１３には熱硬化性
の透明樹脂１４が被覆され、これらを固着するようにな
っている。
【０００５】ところで、リードフレーム１１の厚さは
０．１５〜０．４０mm程度、光半導体チップ１２の厚さ
は０．２mm程度、ボンディングワイヤー１３の高さは
０．７mm程度であるため、これらを被覆する透明樹脂１
４の厚さを如何に薄くしても光半導体装置１０の高さは
１．５mm程度の大きさになってしまい、また、面積は
４．５×４．５mm＝２０．２５mm2 程度の大きさになっ
てしまい小型化、薄型化を図ることができなかった。
０．１５〜０．４０mm程度、光半導体チップ１２の厚さ
は０．２mm程度、ボンディングワイヤー１３の高さは
０．７mm程度であるため、これらを被覆する透明樹脂１
４の厚さを如何に薄くしても光半導体装置１０の高さは
１．５mm程度の大きさになってしまい、また、面積は
４．５×４．５mm＝２０．２５mm2 程度の大きさになっ
てしまい小型化、薄型化を図ることができなかった。
【０００６】そこで、本発明は透明樹脂の表面にメッキ
加工を施し、このメッキ加工部に直接に光半導体チップ
をマウントすることにより小型化、薄型化を図るように
した光半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
加工を施し、このメッキ加工部に直接に光半導体チップ
をマウントすることにより小型化、薄型化を図るように
した光半導体装置を提供することを目的とするものであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は平板状の透明樹
脂の表面にメッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半
導体チップをマウントしたことを特徴とする光半導体装
置を提供するものである。
脂の表面にメッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半
導体チップをマウントしたことを特徴とする光半導体装
置を提供するものである。
【０００８】また、本発明は平板状の透明樹脂の表面の
中央部に穴を開け、この穴の内側壁面および内底面にメ
ッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップを
マウントしたことを特徴とする光半導体装置を提供する
ものである。
中央部に穴を開け、この穴の内側壁面および内底面にメ
ッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップを
マウントしたことを特徴とする光半導体装置を提供する
ものである。
【０００９】さらに、本発明の光半導体チップはフォト
ダイオード、フォトIC等の受光性半導体チップあるいは
LED 等の発光性半導体チップであることを特徴とする光
半導体装置を提供するものである。
ダイオード、フォトIC等の受光性半導体チップあるいは
LED 等の発光性半導体チップであることを特徴とする光
半導体装置を提供するものである。
【００１０】さらに、本発明の平板状の透明樹脂の表面
と光半導体チップとの間にシールド部材を介在させたこ
とを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
と光半導体チップとの間にシールド部材を介在させたこ
とを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
【００１１】さらに、本発明の光半導体チップおよびシ
ールド部材は平板状の透明樹脂の穴の内部に配置したこ
とを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
ールド部材は平板状の透明樹脂の穴の内部に配置したこ
とを特徴とする光半導体装置を提供するものである。
【００１２】さらに、本発明の一方の平板状の透明樹脂
の表面に光半導体チップをマウントするとともに他方の
平板状の透明樹脂の表面にレンズをマウントしたことを
特徴とする光半導体装置を提供するものである。
の表面に光半導体チップをマウントするとともに他方の
平板状の透明樹脂の表面にレンズをマウントしたことを
特徴とする光半導体装置を提供するものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の光半導体装置の実施
の形態を添付図面により説明する。図１ないし図４は第
１の実施の形態の光半導体装置２０を示すものである。
の形態を添付図面により説明する。図１ないし図４は第
１の実施の形態の光半導体装置２０を示すものである。
【００１４】この光半導体装置２０には熱可塑性のほぼ
四角型の平板状の透明樹脂２１が備えられ、その表面の
中央部に四角状の穴２２を開けるようにしている。
四角型の平板状の透明樹脂２１が備えられ、その表面の
中央部に四角状の穴２２を開けるようにしている。
【００１５】この透明樹脂２１の外側面２１a 、外表面
２１b 、穴２２の内側壁面２１c および穴２２の内底面
２１d には細くて約０．０３mm程度の薄い帯状の複数の
メッキ加工部２３が施され、このメッキ加工部２３、特
に、穴２２の内底面２１d のメッキ加工部２３にはフォ
トダイオード、フォトIC等の受光面２４a を有する受光
性光半導体チップ２４をマウントするようにしている。
２１b 、穴２２の内側壁面２１c および穴２２の内底面
２１d には細くて約０．０３mm程度の薄い帯状の複数の
メッキ加工部２３が施され、このメッキ加工部２３、特
に、穴２２の内底面２１d のメッキ加工部２３にはフォ
トダイオード、フォトIC等の受光面２４a を有する受光
性光半導体チップ２４をマウントするようにしている。
【００１６】この光半導体チップ２４の電極パッド２４
aaとメッキ加工部２３との間に半田ボール等が配置さ
れ、これらがバンプボンデイングされ電気的接続を行う
ようになっている。
aaとメッキ加工部２３との間に半田ボール等が配置さ
れ、これらがバンプボンデイングされ電気的接続を行う
ようになっている。
【００１７】この光半導体チップ２４の穴２２にはエポ
キシ系の透明樹脂２５が封止され、これらを固着するよ
うになっている。
キシ系の透明樹脂２５が封止され、これらを固着するよ
うになっている。
【００１８】このような構成した光半導体装置２０は１
mm程度の厚さの平板状の透明樹脂２１の表面に深さが
０．５mm程度の穴２２を開け、この低面等の厚さが０．
０３mm程度の非常に薄いメッキ加工を施したものである
から、透明樹脂２１を非常に薄くすることができる。
mm程度の厚さの平板状の透明樹脂２１の表面に深さが
０．５mm程度の穴２２を開け、この低面等の厚さが０．
０３mm程度の非常に薄いメッキ加工を施したものである
から、透明樹脂２１を非常に薄くすることができる。
【００１９】この透明樹脂２１に受光性光半導体チップ
２４をマウントしたから厚さが薄くなるばかりかはこれ
らを大きさを小さくすることができ従来のそれと比較し
て約３０％程度小型化、薄型化を図ることができた。
２４をマウントしたから厚さが薄くなるばかりかはこれ
らを大きさを小さくすることができ従来のそれと比較し
て約３０％程度小型化、薄型化を図ることができた。
【００２０】また、この光半導体装置２０はリードフレ
ームを使用しないからこの部品点数が少なくなり製造コ
ストの低減を図ることができる。
ームを使用しないからこの部品点数が少なくなり製造コ
ストの低減を図ることができる。
【００２１】さらに、この光半導体装置２０の外側面２
１a にはメッキ加工部２３が形成されているから、この
外側面２１a に直接に他の電子機器を接続することがで
きリードレス化を図ることができる。
１a にはメッキ加工部２３が形成されているから、この
外側面２１a に直接に他の電子機器を接続することがで
きリードレス化を図ることができる。
【００２２】図５は第２の実施の形態の光半導体装置３
０を示すものである。
０を示すものである。
【００２３】この光半導体装置３０は基本的には光半導
体装置２０とほぼ同様であるから同一部分は同一符号を
付して説明する。
体装置２０とほぼ同様であるから同一部分は同一符号を
付して説明する。
【００２４】この光半導体装置３０の透明樹脂２１の穴
２２の中心部には０．１mm2 程度の大きさの開口あるい
は網目を有するシールド体３１が配置され、この上から
メッキ加工部２３に接続するようにして半導体チップ２
４をマウントするようになっている。
２２の中心部には０．１mm2 程度の大きさの開口あるい
は網目を有するシールド体３１が配置され、この上から
メッキ加工部２３に接続するようにして半導体チップ２
４をマウントするようになっている。
【００２５】このようにすると光半導体装置２０とほぼ
同様な大きさを維持しながら光半導体チップ２４が図示
しない光発光半導体チップ以外から受けるいわゆるノイ
ズ光を遮弊し、その受光感度を向上させることができ
る。
同様な大きさを維持しながら光半導体チップ２４が図示
しない光発光半導体チップ以外から受けるいわゆるノイ
ズ光を遮弊し、その受光感度を向上させることができ
る。
【００２６】図６は第３の実施の形態の光半導体装置４
０を示すものである。
０を示すものである。
【００２７】この光半導体装置４０は基本的には光半導
体装置２０等とほぼ同様であるから同一部分は同一符号
を付して説明する。
体装置２０等とほぼ同様であるから同一部分は同一符号
を付して説明する。
【００２８】光半導体チップ２４をマウントする平板状
の合成樹脂２１の反対側にレンズ４１が取り付けられ、
光半導体チップから受ける発光を集光して受けることも
できる。
の合成樹脂２１の反対側にレンズ４１が取り付けられ、
光半導体チップから受ける発光を集光して受けることも
できる。
【００２９】このようにすると集光度が低い発光性半導
体チップからの発光を効果的に受光性半導体チップに送
ることができるとともにその精度を向上させることがで
きる。
体チップからの発光を効果的に受光性半導体チップに送
ることができるとともにその精度を向上させることがで
きる。
【００３０】なお、上記実施の形態では受光性半導体チ
ップを透明樹脂にマウントするものについて説明したが
これに代わり発光性半導体チップをマウントしてもほぼ
同様に実施することができる。
ップを透明樹脂にマウントするものについて説明したが
これに代わり発光性半導体チップをマウントしてもほぼ
同様に実施することができる。
【００３１】また、透明樹脂に穴を開けてメッキを施
し、これに光半導体チップをマウントしたが透明樹脂に
直接に光半導体チップをマウントするようにしてもよ
い。
し、これに光半導体チップをマウントしたが透明樹脂に
直接に光半導体チップをマウントするようにしてもよ
い。
【００３２】
【発明の効果】本発明は平板状の透明樹脂の表面にメッ
キ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップをマ
ウントしたから光半導体装置を小型化にするとともに薄
型化をにすることができる。
キ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップをマ
ウントしたから光半導体装置を小型化にするとともに薄
型化をにすることができる。
【００３３】また、本発明は平板状の透明樹脂の表面の
中央部に穴を開け、この穴の内側壁面および内底面にメ
ッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップを
マウントしたものであるから各部品が強固に固着するこ
とができる。
中央部に穴を開け、この穴の内側壁面および内底面にメ
ッキ加工を施し、このメッキ加工部に光半導体チップを
マウントしたものであるから各部品が強固に固着するこ
とができる。
【００３４】さらに、本発明の光半導体チップはLED 等
の発光性半導体チップあるいはフォトダイオード、フォ
トIC等の受光性半導体チップにしたから発光性半導体チ
ップであっても受光性半導体チップであっても有効に使
用することができる。
の発光性半導体チップあるいはフォトダイオード、フォ
トIC等の受光性半導体チップにしたから発光性半導体チ
ップであっても受光性半導体チップであっても有効に使
用することができる。
【００３５】さらに、本発明の平板状の透明樹脂の表面
と光半導体チップとの間にシールド部材を介在させたか
ら発光性半導体チップ以外からノイズ性の光を確実に遮
弊することができる。
と光半導体チップとの間にシールド部材を介在させたか
ら発光性半導体チップ以外からノイズ性の光を確実に遮
弊することができる。
【００３６】さらに、本発明の光半導体チップおよびシ
ールド部材は平板状の透明樹脂の穴の内部に配置したか
ら光半導体チップ、シールド部材を確実に保持すること
ができる。
ールド部材は平板状の透明樹脂の穴の内部に配置したか
ら光半導体チップ、シールド部材を確実に保持すること
ができる。
【００３７】さらに、本発明の一方の平板状の透明樹脂
の表面に光半導体チップをマウントするとともに他方の
平板状の透明樹脂の表面にレンズをマウントしたから集
光の弱い光半導体装置に最適である。
の表面に光半導体チップをマウントするとともに他方の
平板状の透明樹脂の表面にレンズをマウントしたから集
光の弱い光半導体装置に最適である。
【図１】本発明の第１の実施の形態を光半導体装置の概
要を示す平面図。
要を示す平面図。
【図２】図１をII−II線に沿って切断し矢印方向に見た
断面図。
断面図。
【図３】図１の一部を欠除して示す斜視図。
【図４】図１の主要部を断面をもって示す説明図。
【図５】本発明の第２の実施の形態の光半導体装置の１
部を欠除して示す斜視図。
部を欠除して示す斜視図。
【図６】本発明の第３の実施の形態の光半導体装置を示
す側面図。
す側面図。
【図７】従来の光半導体装置の概要を示す平面図。
【図８】図７の右がわから見た側面図。
１０、２０、３０、４０ 光半導体装置 １１ リードフレーム １２、２４ 光半導体チップ １３ ボンディングワイヤー １４、２１ 透明樹脂 ２２ 穴 ２３ メッキ加工部 ２５ 透明樹脂 ３１ シールド体 ４１ レンズ
Claims (6)
- 【請求項１】平板状の透明樹脂の表面にメッキ加工を施
し、このメッキ加工部に光半導体チップをマウントした
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】平板状の透明樹脂の表面の中央部に穴を開
け、この穴の内側壁面および内底面にメッキ加工を施
し、このメッキ加工部に光半導体チップをマウントした
ことを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項３】光半導体チップはフォトダイオード、フォ
トIC等の受光性半導体チップあるいはLED 等の発光性半
導体チップあることを特徴とする請求項１または２記載
の光半導体装置。 - 【請求項４】平板状の透明樹脂の表面と光半導体チップ
との間にシールド部材を介在させたことを特徴とする請
求項１、２または３記載の光半導体装置。 - 【請求項５】光半導体チップおよびシールド部材は平板
状の透明樹脂の穴の内部に配置したことを特徴とする請
求項４記載の光半導体装置。 - 【請求項６】一方の平板状の透明樹脂の表面に光半導体
チップをマウントするとともに他方の平板状の透明樹脂
の表面にレンズをマウントしたことを特徴とする請求項
１、２、３または４記載の光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346785A JPH11177150A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9346785A JPH11177150A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11177150A true JPH11177150A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18385801
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9346785A Pending JPH11177150A (ja) | 1997-12-16 | 1997-12-16 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11177150A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977700B2 (en) | 2008-06-26 | 2011-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Resin and metal semiconductor device package and semiconductor light-emitting device incorporating the package |
-
1997
- 1997-12-16 JP JP9346785A patent/JPH11177150A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7977700B2 (en) | 2008-06-26 | 2011-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Resin and metal semiconductor device package and semiconductor light-emitting device incorporating the package |
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