JP2000164933A - 光源装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 静電気等の電気的ショックを回避し、白色表
示時にＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現で
き、取扱の容易性、消費電力の低減等を図る。 【解決手段】 ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、
ＩｎＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子３からなる光
源装置１において、リードフレームで成形した半導体発
光素子３のパターン２ａには、半導体発光素子３のカソ
ード側が載置されてダイボンドされるとともに、整流素
子４のアノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイ
ヤーボンディングされる。パターン２ｂには、整流素子
４のカソード側が載置されてダイボンドされるととも
に、半導体発光素子３のアノード側からのボンディング
ワイヤ５ａがワイヤーボンディングされる。これによ
り、整流素子４は半導体発光素子３に対して逆極性に並
列接続される。半導体発光素子３を覆うように波長変換
材料混入樹脂７が被着される。
示時にＲＧＢの各色の半導体発光素子を用いずに表現で
き、取扱の容易性、消費電力の低減等を図る。 【解決手段】 ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、
ＩｎＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子３からなる光
源装置１において、リードフレームで成形した半導体発
光素子３のパターン２ａには、半導体発光素子３のカソ
ード側が載置されてダイボンドされるとともに、整流素
子４のアノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイ
ヤーボンディングされる。パターン２ｂには、整流素子
４のカソード側が載置されてダイボンドされるととも
に、半導体発光素子３のアノード側からのボンディング
ワイヤ５ａがワイヤーボンディングされる。これによ
り、整流素子４は半導体発光素子３に対して逆極性に並
列接続される。半導体発光素子３を覆うように波長変換
材料混入樹脂７が被着される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＩｎＧａＡｌＰ
系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の半導体発光素子
等の取扱い等に対し、静電気等の電気的ショックを回避
し、取扱の容易な半導体発光素子の実現を可能にする光
源装置に関する。
系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の半導体発光素子
等の取扱い等に対し、静電気等の電気的ショックを回避
し、取扱の容易な半導体発光素子の実現を可能にする光
源装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体発光素子は、発光色に対応
した例えばＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのような
２元素や３元素からなる物が多かったが、近年では、例
えばＩｎＧａＡｌＰやＩｎＧａＡｌＮのような４元素か
らなる半導体発光素子が普及しており、各ＩｎやＧａお
よびＡｌ等の元素比率をコントロールすることによって
各種の発光色を出力させている。
した例えばＧａＰ、ＧａＡｓＰ、ＧａＡｌＡｓのような
２元素や３元素からなる物が多かったが、近年では、例
えばＩｎＧａＡｌＰやＩｎＧａＡｌＮのような４元素か
らなる半導体発光素子が普及しており、各ＩｎやＧａお
よびＡｌ等の元素比率をコントロールすることによって
各種の発光色を出力させている。
【０００３】特に、これらＩｎＧａＡｌＰ系やＩｎＧａ
ＡｌＮ系の半導体発光素子は有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）により製作されており、ｎ型層上に活性層を中
心にダブルヘテロ構造からなることが知られている。
ＡｌＮ系の半導体発光素子は有機金属気相成長法（ＭＯ
ＣＶＤ）により製作されており、ｎ型層上に活性層を中
心にダブルヘテロ構造からなることが知られている。
【０００４】そして、この種の従来のＩｎＧａＡｌＰ
系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる
半導体発光素子は、リード端子を導電性ウレタンボード
に差し込んだり、帯電防止シートや帯電防止袋等で包装
することにより静電気等に対する対策が採られている。
系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる
半導体発光素子は、リード端子を導電性ウレタンボード
に差し込んだり、帯電防止シートや帯電防止袋等で包装
することにより静電気等に対する対策が採られている。
【０００５】また、従来のＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子を実装等で取り扱う時には、作業台に導電性マットを
敷設したり、作業員の腕に帯電防止用グランド腕輪等を
取付ける等の対応がなされている。
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子を実装等で取り扱う時には、作業台に導電性マットを
敷設したり、作業員の腕に帯電防止用グランド腕輪等を
取付ける等の対応がなされている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の有機
金属気相成長法で製作したＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子等は、ｎ型層上に活性層を中心にダブルヘテロ構造に
伴い静電気などの注意が必要であり、中でも特に発光色
が青色や青緑色等の半導体発光素子は活性層等が非常に
薄いため静電気により発光層を破壊してしまう課題があ
る。
金属気相成長法で製作したＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子等は、ｎ型層上に活性層を中心にダブルヘテロ構造に
伴い静電気などの注意が必要であり、中でも特に発光色
が青色や青緑色等の半導体発光素子は活性層等が非常に
薄いため静電気により発光層を破壊してしまう課題があ
る。
【０００７】また、従来のＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａ
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子は、静電気等の対策としてリード端子を導電性ウレタ
ンボードに差し込んだり、帯電防止シートや帯電防止袋
等で包装しなければ成らない課題がある。
ＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光素
子は、静電気等の対策としてリード端子を導電性ウレタ
ンボードに差し込んだり、帯電防止シートや帯電防止袋
等で包装しなければ成らない課題がある。
【０００８】さらに、従来のＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧ
ａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光
素子の取扱い時には、作業台に導電性マットを敷設した
り、作業員の腕に帯電防止用グランド腕輪等を取付けて
対処しなければならない課題がある。
ａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物からなる半導体発光
素子の取扱い時には、作業台に導電性マットを敷設した
り、作業員の腕に帯電防止用グランド腕輪等を取付けて
対処しなければならない課題がある。
【０００９】本発明はこのような課題を解決するためな
されたもので、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、
ＩｎＧａＮ系のいずれかの化合物からなる半導体発光素
子の取扱を容易にし、静電気等の電気的ショックによる
不良を低減し、安定した光源装置を提供することにあ
る。
されたもので、ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、
ＩｎＧａＮ系のいずれかの化合物からなる半導体発光素
子の取扱を容易にし、静電気等の電気的ショックによる
不良を低減し、安定した光源装置を提供することにあ
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に係るＩｎＧａ
ＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれか
の半導体発光素子からなる光源装置は、半導体発光素子
を載置するパターン上または／および電気配線パターン
上に半導体発光素子に対して整流素子を逆極性に並列接
続することを特徴とする。
ＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれか
の半導体発光素子からなる光源装置は、半導体発光素子
を載置するパターン上または／および電気配線パターン
上に半導体発光素子に対して整流素子を逆極性に並列接
続することを特徴とする。
【００１１】請求項１に係る光源装置は、半導体発光素
子を載置するパターン上または／および電気配線パター
ン上に半導体発光素子に対して整流素子を逆極性に並列
接続するので、ｎ層からなるカソード側に静電気等の高
電荷が加わっても逆極性に並列接続した整流素子に流れ
ることによって半導体発光素子に電流が流れない。
子を載置するパターン上または／および電気配線パター
ン上に半導体発光素子に対して整流素子を逆極性に並列
接続するので、ｎ層からなるカソード側に静電気等の高
電荷が加わっても逆極性に並列接続した整流素子に流れ
ることによって半導体発光素子に電流が流れない。
【００１２】また、請求項２に係る光源装置は、パター
ンをセラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布
エポキシ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金
属薄板からなるリードフレームで形成することを特徴と
する。
ンをセラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布
エポキシ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金
属薄板からなるリードフレームで形成することを特徴と
する。
【００１３】請求項２に係る光源装置は、パターンをセ
ラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキ
シ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金属薄板
からなるリードフレームで形成するので、どんな形状に
でも対応できる。
ラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキ
シ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金属薄板
からなるリードフレームで形成するので、どんな形状に
でも対応できる。
【００１４】さらに、請求項３に係る光源装置は、半導
体発光素子および整流素子をパターン上に透明樹脂また
は波長変換材料混入樹脂で被着することを特徴とする。
体発光素子および整流素子をパターン上に透明樹脂また
は波長変換材料混入樹脂で被着することを特徴とする。
【００１５】請求項３に係る光源装置は、半導体発光素
子および整流素子をパターン上に透明樹脂または波長変
換材料混入樹脂で被着するので、半導体発光素子と整流
素子とをより接着強度を増すことができるとともに波長
変換材料により半導体発光素子の発光色を換えることが
できる。
子および整流素子をパターン上に透明樹脂または波長変
換材料混入樹脂で被着するので、半導体発光素子と整流
素子とをより接着強度を増すことができるとともに波長
変換材料により半導体発光素子の発光色を換えることが
できる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図に基づき説明する。なお、本発明は、セラミック基
板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基板
のいずれかの基板上に形成されるか、金属薄板からなる
リードフレームで形成される半導体発光素子の載置パタ
ーン上または／および電気配線パターン上に半導体発光
素子に対して整流素子を逆極性に並列接続し、これらを
透明樹脂または波長変換材料混入樹脂で被着して静電気
等の電気的ショックを回避でき、少ない半導体発光素子
で白色光等を得られる光源装置を提供するものである。
図に基づき説明する。なお、本発明は、セラミック基
板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基板
のいずれかの基板上に形成されるか、金属薄板からなる
リードフレームで形成される半導体発光素子の載置パタ
ーン上または／および電気配線パターン上に半導体発光
素子に対して整流素子を逆極性に並列接続し、これらを
透明樹脂または波長変換材料混入樹脂で被着して静電気
等の電気的ショックを回避でき、少ない半導体発光素子
で白色光等を得られる光源装置を提供するものである。
【００１７】図１は、本発明に係る光源装置の第１実施
の形態を示す全体図である。図１に示すように、第１実
施の形態の光源装置１は、インジェクションないしトラ
ンスファーモルドタイプのものであり、パターン２ａ，
２ｂ、半導体発光素子３、整流素子４、ボンディングワ
イヤ５ａ，５ｂ、リード端子６ａ，６ｂ、波長変換材料
混入樹脂７およびモールドケース８から構成されてい
る。
の形態を示す全体図である。図１に示すように、第１実
施の形態の光源装置１は、インジェクションないしトラ
ンスファーモルドタイプのものであり、パターン２ａ，
２ｂ、半導体発光素子３、整流素子４、ボンディングワ
イヤ５ａ，５ｂ、リード端子６ａ，６ｂ、波長変換材料
混入樹脂７およびモールドケース８から構成されてい
る。
【００１８】パターン２ａおよび２ｂは、インサート成
形によって樹脂にパターン形状を形成した燐青銅材等か
らなるリードフレームを挿入してリードフレーム上に成
形されている。パターン２ａには、半導体発光素子３の
カソード側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィ
ラ）混入の樹脂等により半導体発光素子３がダイボンド
されているとともに、整流素子４のアノード側からのボ
ンディングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされてい
る。
形によって樹脂にパターン形状を形成した燐青銅材等か
らなるリードフレームを挿入してリードフレーム上に成
形されている。パターン２ａには、半導体発光素子３の
カソード側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィ
ラ）混入の樹脂等により半導体発光素子３がダイボンド
されているとともに、整流素子４のアノード側からのボ
ンディングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされてい
る。
【００１９】パターン２ｂには、整流素子４のカソード
側が載置され、ペースト半田や導粒子（フィラ）混入の
樹脂等により整流素子４がダイボンドされているととも
に、半導体発光素子３のアノード側からのボンディング
ワイヤ５ａがワイヤーボンディングされている。
側が載置され、ペースト半田や導粒子（フィラ）混入の
樹脂等により整流素子４がダイボンドされているととも
に、半導体発光素子３のアノード側からのボンディング
ワイヤ５ａがワイヤーボンディングされている。
【００２０】半導体発光素子３は、ｎ型層上に活性層を
中心にダブルヘテロ構造からなるＩｎＧａＡｌＰ系、Ｉ
ｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれかの化合物の半
導体発光素子であり、有機金属気相成長法等で製作され
ている。半導体発光素子３は、ｎ型層の下に設けたカソ
ード電極側がパターン２ａ上に載置されてダイボンドさ
れており、さらに図示しない発光した光を透過する層上
に設けたアノード電極側からボンディングワイヤ５ｂで
パターン２ｂにワイヤーボンディングされている。
中心にダブルヘテロ構造からなるＩｎＧａＡｌＰ系、Ｉ
ｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のいずれかの化合物の半
導体発光素子であり、有機金属気相成長法等で製作され
ている。半導体発光素子３は、ｎ型層の下に設けたカソ
ード電極側がパターン２ａ上に載置されてダイボンドさ
れており、さらに図示しない発光した光を透過する層上
に設けたアノード電極側からボンディングワイヤ５ｂで
パターン２ｂにワイヤーボンディングされている。
【００２１】整流素子４は、半導体発光素子３に対して
逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパター
ン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード電
極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子３の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパター
ン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード電
極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子３の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
【００２２】また、特に本発明に係る光源装置の対象半
導体発光素子であるＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ
系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静電気
等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近年半
導体発光素子の微少化が進むにつれ、これら整流素子の
逆極性に並列接続することにより静電気による絶縁破壊
を回避する事が可能である。
導体発光素子であるＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ
系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静電気
等に弱いが、これら対象半導体発光素子以外でも近年半
導体発光素子の微少化が進むにつれ、これら整流素子の
逆極性に並列接続することにより静電気による絶縁破壊
を回避する事が可能である。
【００２３】ボンディングワイヤ５ａは金線等からな
り、半導体発光素子３のアノード電極とパターン２ｂと
をボンダによって電気的に接続している。また、同様に
ボンディングワイヤ５ｂも金線等からなり、整流素子４
のアノード電極とパターン２ａとをボンダによって電気
的に接続している。
り、半導体発光素子３のアノード電極とパターン２ｂと
をボンダによって電気的に接続している。また、同様に
ボンディングワイヤ５ｂも金線等からなり、整流素子４
のアノード電極とパターン２ａとをボンダによって電気
的に接続している。
【００２４】リード端子６ａ，６ｂは、導電性および弾
性力のある燐青銅等の銅合金材等からなるリードフレー
ムをモールドケース８から直接取り出して形成されてい
る。リード端子６ａは、パターン２ｂと電気的に接続さ
れて半導体発光素子３のアノード電極側と等しく、本発
明の光源装置としての陽極（＋）として使用されるよう
に構成される。
性力のある燐青銅等の銅合金材等からなるリードフレー
ムをモールドケース８から直接取り出して形成されてい
る。リード端子６ａは、パターン２ｂと電気的に接続さ
れて半導体発光素子３のアノード電極側と等しく、本発
明の光源装置としての陽極（＋）として使用されるよう
に構成される。
【００２５】リード端子６ｂは、パターン２ａと電気的
に接続されて半導体発光素子３のカソード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陰極（−）として使用さ
れるように構成される。
に接続されて半導体発光素子３のカソード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陰極（−）として使用さ
れるように構成される。
【００２６】波長変換材料混入樹脂７は、無色透明なエ
ポキシ樹脂等に無機系の蛍光顔料や有機系の蛍光染料等
からなる波長変換材料を混入させたものであり、半導体
発光素子３を覆うように被着される。波長変換材料混入
樹脂７は、例えば緑色発光の半導体発光素子３からの光
を赤色蛍光顔料や赤色蛍光染料を混入した樹脂に投射す
ると黄色系の光が得られ、青色発光の半導体発光素子３
からの光を緑色蛍光顔料や緑色蛍光染料を混入した樹脂
に投射すると青緑色系の光が得られる。
ポキシ樹脂等に無機系の蛍光顔料や有機系の蛍光染料等
からなる波長変換材料を混入させたものであり、半導体
発光素子３を覆うように被着される。波長変換材料混入
樹脂７は、例えば緑色発光の半導体発光素子３からの光
を赤色蛍光顔料や赤色蛍光染料を混入した樹脂に投射す
ると黄色系の光が得られ、青色発光の半導体発光素子３
からの光を緑色蛍光顔料や緑色蛍光染料を混入した樹脂
に投射すると青緑色系の光が得られる。
【００２７】また、青色発光の半導体発光素子３からの
光を（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ） 5 Ｏ12等のＹＡＧ
（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系等から
なる橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した樹脂に投射
すると白色の光が得られる。
光を（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ） 5 Ｏ12等のＹＡＧ
（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系等から
なる橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した樹脂に投射
すると白色の光が得られる。
【００２８】モールドケース８は、変成ポリアミド、ポ
リブチレンテレフタレートや芳香族系ポリエステル等か
らなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材料に、チタン酸
バリウム等の白色粉体を混入させて凹状に成形されてい
る。
リブチレンテレフタレートや芳香族系ポリエステル等か
らなる液晶ポリマなどの絶縁性の有る材料に、チタン酸
バリウム等の白色粉体を混入させて凹状に成形されてい
る。
【００２９】また、モールドケース８は、光の反射性と
遮光性の良いチタン酸バリウム等の白色粉体によって半
導体発光素子３の側面側から出光する光を効率良く反射
し、図示しないテーパ状の凹面により上方に出射すると
ともに、本発明の光源装置１の発光した光を外部に漏れ
ない様に遮光する。
遮光性の良いチタン酸バリウム等の白色粉体によって半
導体発光素子３の側面側から出光する光を効率良く反射
し、図示しないテーパ状の凹面により上方に出射すると
ともに、本発明の光源装置１の発光した光を外部に漏れ
ない様に遮光する。
【００３０】さらに、図示しないが、モールドケース８
内には、ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ、半導体発光素
子３、整流素子４およびパターン２ａ，２ｂ等の保護の
ために無色透明なエポキシ樹脂等が充填されている。
内には、ボンディングワイヤ５ａ，５ｂ、半導体発光素
子３、整流素子４およびパターン２ａ，２ｂ等の保護の
ために無色透明なエポキシ樹脂等が充填されている。
【００３１】なお、モールドケース８内には、半導体発
光素子３の発光色を判別できるように発光色と同色に着
色した透明なエポキシ樹脂等を充填することもできる。
光素子３の発光色を判別できるように発光色と同色に着
色した透明なエポキシ樹脂等を充填することもできる。
【００３２】次に、図２は本発明に係る光源装置の第２
実施の形態を示す全体図である。なお、図１に示す第１
実施の形態の光源装置と略同等の構成要素に同一番号を
付して説明する。
実施の形態を示す全体図である。なお、図１に示す第１
実施の形態の光源装置と略同等の構成要素に同一番号を
付して説明する。
【００３３】図２に示すように、第２実施の形態の光源
装置１は、チップタイプのものであり、パターン２ａ，
２ｂ、半導体発光素子３、整流素子４、ボンディングワ
イヤ５ａ，５ｂ、端子電極６ａ，６ｂ、波長変換材料混
入樹脂７、基板８および出光モールド部９から構成され
ている。
装置１は、チップタイプのものであり、パターン２ａ，
２ｂ、半導体発光素子３、整流素子４、ボンディングワ
イヤ５ａ，５ｂ、端子電極６ａ，６ｂ、波長変換材料混
入樹脂７、基板８および出光モールド部９から構成され
ている。
【００３４】パターン２ａおよび２ｂは、セラミック基
板、液晶ポリマー樹脂、ガラス布エポキシ樹脂基板のい
ずれかの基板上に真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウエ
ット、ドライ）等により電気的接続をするパターン形状
に形成されており、金属メッキを施した後、さらに金や
銀等の貴金属メッキを施し、端子電極６ａ，６ｂに電気
的に接続される。
板、液晶ポリマー樹脂、ガラス布エポキシ樹脂基板のい
ずれかの基板上に真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング、ＣＶＤ（化学蒸着）、エッチング（ウエ
ット、ドライ）等により電気的接続をするパターン形状
に形成されており、金属メッキを施した後、さらに金や
銀等の貴金属メッキを施し、端子電極６ａ，６ｂに電気
的に接続される。
【００３５】パターン２ａには、半導体発光素子３のカ
ソード側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィ
ラ）混入の樹脂等により半導体発光素子３がダイボンド
されるとともに、整流素子４のアノード側からのボンデ
ィングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされている。
ソード側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィ
ラ）混入の樹脂等により半導体発光素子３がダイボンド
されるとともに、整流素子４のアノード側からのボンデ
ィングワイヤ５ｂがワイヤーボンディングされている。
【００３６】パターン２ｂには、整流素子４のカソード
側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィラ）混入
の樹脂等によりダイボンドされるとともに、半導体発光
素子３のアノード側からのボンディングワイヤ５ａがワ
イヤーボンディングされている。
側が載置され、ペースト半田や導通粒子（フィラ）混入
の樹脂等によりダイボンドされるとともに、半導体発光
素子３のアノード側からのボンディングワイヤ５ａがワ
イヤーボンディングされている。
【００３７】半導体発光素子３は、ｎ型層上に活性層を
中心にダブルヘテロ構造からなるＩｎａＧａＡｌＰ系、
ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光
素子であり、有機金属気相成長法等で製作されている。
半導体発光素子３は、ｎ型層の下に設けたカソード電極
側がパターン２ａ上に載置されダイボンドされており、
さらに図示しない発光した光を透過する層上に設けたア
ノード電極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２
ｂにワイヤーボンディングされている。
中心にダブルヘテロ構造からなるＩｎａＧａＡｌＰ系、
ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光
素子であり、有機金属気相成長法等で製作されている。
半導体発光素子３は、ｎ型層の下に設けたカソード電極
側がパターン２ａ上に載置されダイボンドされており、
さらに図示しない発光した光を透過する層上に設けたア
ノード電極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２
ｂにワイヤーボンディングされている。
【００３８】整流素子４は、半導体発光素子３に対して
逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパター
ン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード電
極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子３の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
逆極性に並列接続するために、カソード電極側がパター
ン２ｂ上に載置されダイボンドされており、アノード電
極側からボンディングワイヤ５ｂでパターン２ａにワイ
ヤーボンディングされている。これにより、静電気等の
電気的ショックによって半導体発光素子３の絶縁層や発
光を行う活性層を中心とした部分の絶縁破壊を回避して
いる。
【００３９】また、特に本発明に係る光源装置の対象半
導体発光素子であるＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ
系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静電気
等に弱いが、これら対象以外の半導体発光素子でも近年
半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これら整流素子
の逆極性に並列接続することにより静電気による絶縁破
壊を回避する事が可能である。
導体発光素子であるＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ
系、ＩｎＧａＮ系の化合物の半導体発光素子等は静電気
等に弱いが、これら対象以外の半導体発光素子でも近年
半導体発光素子の微少化が進むにつれ、これら整流素子
の逆極性に並列接続することにより静電気による絶縁破
壊を回避する事が可能である。
【００４０】ボンディングワイヤ５ａは金線等からな
り、半導体発光素子３のアノード電極とパターン２ｂと
をボンダによって電気的に接続している。また、同様に
ボンディングワイヤ５ｂも金線等からなり、整流素子４
のアノード電極とパターン２ａとをボンダによって電気
的に接続している。
り、半導体発光素子３のアノード電極とパターン２ｂと
をボンダによって電気的に接続している。また、同様に
ボンディングワイヤ５ｂも金線等からなり、整流素子４
のアノード電極とパターン２ａとをボンダによって電気
的に接続している。
【００４１】端子電極６ａ，６ｂは、基板８の端部に電
気伝導性の良い金属等で厚く金属メッキをしたり導電性
および弾性力のある燐青銅材等を機械的に取付けること
により形成される。
気伝導性の良い金属等で厚く金属メッキをしたり導電性
および弾性力のある燐青銅材等を機械的に取付けること
により形成される。
【００４２】端子電極６ａは、パターン２ｂと電気的に
接続されて半導体発光素子３のアノード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陽極（＋）として使用さ
れるように構成される。
接続されて半導体発光素子３のアノード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陽極（＋）として使用さ
れるように構成される。
【００４３】端子電極６ｂは、パターン２ａと電気的に
接続されて半導体発光素子３のカソード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陰極（−）として使用さ
れるように構成される。
接続されて半導体発光素子３のカソード電極側と等し
く、本発明の光源装置としての陰極（−）として使用さ
れるように構成される。
【００４４】波長変換材料混入樹脂７は、無色透明なエ
ポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に無機系の蛍光顔料や有
機系の蛍光染料等からなり波長変換材料を混入させたも
のであり、半導体発光素子３を覆うように被着される。
波長変換材料混入樹脂７は、例えば緑色発光の半導体発
光素子３からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光染料を混入
した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、青色発光の
半導体発光素子３からの光を緑色蛍光顔料や緑色蛍光染
料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光が得られ
る。
ポキシ樹脂やシリコーン樹脂等に無機系の蛍光顔料や有
機系の蛍光染料等からなり波長変換材料を混入させたも
のであり、半導体発光素子３を覆うように被着される。
波長変換材料混入樹脂７は、例えば緑色発光の半導体発
光素子３からの光を赤色蛍光顔料や赤色蛍光染料を混入
した樹脂に投射すると黄色系の光が得られ、青色発光の
半導体発光素子３からの光を緑色蛍光顔料や緑色蛍光染
料を混入した樹脂に投射すると青緑色系の光が得られ
る。
【００４５】また、青色発光の半導体発光素子３からの
光を（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ） 5 Ｏ12等のＹＡＧ
（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系等から
なる橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した樹脂に投射
すると白色の光が得られる。
光を（Ｙ，Ｇｄ）3 （Ａｌ，Ｇａ） 5 Ｏ12等のＹＡＧ
（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系等から
なる橙色蛍光顔料や橙色蛍光染料を混入した樹脂に投射
すると白色の光が得られる。
【００４６】基板８は、電気絶縁性に優れたセラミック
基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基
板等からなり、表面にパターン２ａ，２ｂが形成され
る。セラミック基板からなる基板８は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳ
ｉＯ2 を主成分とし、さらにＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔｉ
Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ3 Ｎ4 等との化合物からなり、耐
熱性や硬度、強度に優れ、白色系の表面を持ち、半導体
発光素子３からの発光された光を効率良く反射する。
基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基
板等からなり、表面にパターン２ａ，２ｂが形成され
る。セラミック基板からなる基板８は、Ａｌ2 Ｏ3 やＳ
ｉＯ2 を主成分とし、さらにＺｒＯ2 、ＴｉＯ2 、Ｔｉ
Ｃ、ＳｉＣおよびＳｉ3 Ｎ4 等との化合物からなり、耐
熱性や硬度、強度に優れ、白色系の表面を持ち、半導体
発光素子３からの発光された光を効率良く反射する。
【００４７】また、液晶ポリマー樹脂やガラス布エポキ
シ樹脂からなる基板８は、液晶ポリマーやガラス布エポ
キシ樹脂などの絶縁性の有る材料に、チタン酸バリウム
等の白色粉体を混入または塗布させて成形し、半導体発
光素子３からの発光された光を効率良く反射する。
シ樹脂からなる基板８は、液晶ポリマーやガラス布エポ
キシ樹脂などの絶縁性の有る材料に、チタン酸バリウム
等の白色粉体を混入または塗布させて成形し、半導体発
光素子３からの発光された光を効率良く反射する。
【００４８】なお、基板８としては、珪素樹脂、紙エポ
キシ樹脂、合成繊維布エポキシ樹脂および紙フェノール
樹脂等の積層板や変成ポリアミド、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネートや芳香族系ポリエステル等
からなる板にパターン印刷を施したものでも使用可能で
ある。
キシ樹脂、合成繊維布エポキシ樹脂および紙フェノール
樹脂等の積層板や変成ポリアミド、ポリブチレンテレフ
タレート、ポリカーボネートや芳香族系ポリエステル等
からなる板にパターン印刷を施したものでも使用可能で
ある。
【００４９】出光モールド部９は、無色透明なエポキシ
樹脂からなり、矩形状に成型され、半導体発光素子３の
発光層からの光（上部のアノード側や側面の４方）を効
率良く出射する。また、出光モールド部９は、ボンディ
ングワイヤ５ａ，５ｂ、半導体発光素子３、整流素子４
およびパターン２ａ，２ｂ等を保護している。
樹脂からなり、矩形状に成型され、半導体発光素子３の
発光層からの光（上部のアノード側や側面の４方）を効
率良く出射する。また、出光モールド部９は、ボンディ
ングワイヤ５ａ，５ｂ、半導体発光素子３、整流素子４
およびパターン２ａ，２ｂ等を保護している。
【００５０】なお、出光モールド部９は、半導体発光素
子３の発光色を判別できるように発光色と同色に着色し
た透明なエポキシ樹脂等を用いても良い。
子３の発光色を判別できるように発光色と同色に着色し
た透明なエポキシ樹脂等を用いても良い。
【００５１】また、出光モールド部９は、ここでは図示
しないが、光線が一方向性になるドーム型等、目的や仕
様に合った自由な形状に形成することができる。
しないが、光線が一方向性になるドーム型等、目的や仕
様に合った自由な形状に形成することができる。
【００５２】次に、図３〜図５は上記実施の形態の光源
装置における整流素子の接続図である。図３（ａ）は半
導体発光素子と整流素子とを各々のパターンに載置した
平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図、図４（ａ）
は整流素子を２つのパターン間に載置した平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）の側面図、図５（ａ）は２つのパタ
ーンのうち片方のパターンに半導体発光素子と整流素子
を載置した平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図で
ある。
装置における整流素子の接続図である。図３（ａ）は半
導体発光素子と整流素子とを各々のパターンに載置した
平面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の側面図、図４（ａ）
は整流素子を２つのパターン間に載置した平面図、図４
（ｂ）は図４（ａ）の側面図、図５（ａ）は２つのパタ
ーンのうち片方のパターンに半導体発光素子と整流素子
を載置した平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）の側面図で
ある。
【００５３】図３（ａ），（ｂ）は一般的に行われる接
続方法であり、基板８またはインサート成形樹脂上に形
成したパターン２ａ上に半導体発光素子３がペースト半
田１０等でダイボンドされるとともに、整流素子４のア
ノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイヤーボン
ディングされる。また、パターン２ｂ上に整流素子４が
ダイボンドされるとともに、半導体発光素子３のアノー
ド側からのボンディングワイヤ５ａがワイヤーボンディ
ングされる。
続方法であり、基板８またはインサート成形樹脂上に形
成したパターン２ａ上に半導体発光素子３がペースト半
田１０等でダイボンドされるとともに、整流素子４のア
ノード側からのボンディングワイヤ５ｂがワイヤーボン
ディングされる。また、パターン２ｂ上に整流素子４が
ダイボンドされるとともに、半導体発光素子３のアノー
ド側からのボンディングワイヤ５ａがワイヤーボンディ
ングされる。
【００５４】図４（ａ），（ｂ）では、基板８またはイ
ンサート成形樹脂上に形成したパターン２ａ上に半導体
発光素子３がペースト半田１０等でダイボンドされ、パ
ターン２ｂ上に半導体発光素子３のアノード側からのボ
ンディングワイヤ５ａがワイヤーボンディングされる。
また、ベアーチップからなる整流素子４は、パターン２
ａ，２ｂ間に載置され、ペースト半田１０ｂ等を用いて
フェイスダウンボンディングによりアノード側がパター
ン２ａに、カソード側がパターン２ｂに接続される。
ンサート成形樹脂上に形成したパターン２ａ上に半導体
発光素子３がペースト半田１０等でダイボンドされ、パ
ターン２ｂ上に半導体発光素子３のアノード側からのボ
ンディングワイヤ５ａがワイヤーボンディングされる。
また、ベアーチップからなる整流素子４は、パターン２
ａ，２ｂ間に載置され、ペースト半田１０ｂ等を用いて
フェイスダウンボンディングによりアノード側がパター
ン２ａに、カソード側がパターン２ｂに接続される。
【００５５】なお、図４（ａ），（ｂ）に示す接続方法
は、図面では広げて描いたが、ボンディングワイヤ５ａ
の下方に整流素子４を載置し、パターン幅を小さくでき
る方法である。
は、図面では広げて描いたが、ボンディングワイヤ５ａ
の下方に整流素子４を載置し、パターン幅を小さくでき
る方法である。
【００５６】図５（ａ），（ｂ）では、基板８またはイ
ンサート成形樹脂上に形成したパターン２ａ上に半導体
発光素子３のカソード側と整流素子４のアノード側とが
ペースト半田１０等でダイボンドされ、パターン２ｂ上
に半導体発光素子３のアノード側と整流素子４のカソー
ド側とがボンディングワイヤ５ａ，５ｂによりワイヤー
ボンディングされている。この接続方法によれば、片側
（例えばパターン２ｂ側）のパターンを小さくすること
ができる。
ンサート成形樹脂上に形成したパターン２ａ上に半導体
発光素子３のカソード側と整流素子４のアノード側とが
ペースト半田１０等でダイボンドされ、パターン２ｂ上
に半導体発光素子３のアノード側と整流素子４のカソー
ド側とがボンディングワイヤ５ａ，５ｂによりワイヤー
ボンディングされている。この接続方法によれば、片側
（例えばパターン２ｂ側）のパターンを小さくすること
ができる。
【００５７】
【実施例】次に、本発明に係る光源装置を実施例につい
て説明する。図６（ａ）は青色発光の半導体発光素子に
順電圧を印加する接続図であり、整流素子を逆極性で並
列に挿入した場合と半導体発光素子のみの場合との絶縁
破壊の耐圧試験の結果を表１に示す。
て説明する。図６（ａ）は青色発光の半導体発光素子に
順電圧を印加する接続図であり、整流素子を逆極性で並
列に挿入した場合と半導体発光素子のみの場合との絶縁
破壊の耐圧試験の結果を表１に示す。
【００５８】また、図６（ｂ）は青色発光の半導体発光
素子に逆電圧に印加する接続図であり、整流素子を逆極
性で並列に挿入した場合と半導体発光素子のみの場合と
の絶縁破壊の耐圧試験の結果を表２に示す。
素子に逆電圧に印加する接続図であり、整流素子を逆極
性で並列に挿入した場合と半導体発光素子のみの場合と
の絶縁破壊の耐圧試験の結果を表２に示す。
【００５９】なお、この実施例の青色発光の半導体発光
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
素子としては、豊田合成（株）のＥ１Ｃ００−１ＢＡ０
１を用いた。
【００６０】この実施にあたって、カットオフ電流を１
ｍＡとし、各順電圧および逆電圧を１００Ｖ〜５０００
Ｖ掛け半導体発光素子の逆電流ＩＲが最大定格１０μＡ
を越えた時（〜∞）とする。
ｍＡとし、各順電圧および逆電圧を１００Ｖ〜５０００
Ｖ掛け半導体発光素子の逆電流ＩＲが最大定格１０μＡ
を越えた時（〜∞）とする。
【００６１】また、試験試料数は、半導体発光素子に整
流素子を逆極性で並列に挿入した場合と半導体発光素子
のみの場合を各５つとした。
流素子を逆極性で並列に挿入した場合と半導体発光素子
のみの場合を各５つとした。
【００６２】試験結果は、下記表１及び表２に示すよう
に、順電圧を掛けた場合には問題なく、逆電圧を掛けた
場合に整流素子が無い時には数百Ｖ程度で半導体発光素
子の逆電流の最大定格１０μＡを越えてしまう。
に、順電圧を掛けた場合には問題なく、逆電圧を掛けた
場合に整流素子が無い時には数百Ｖ程度で半導体発光素
子の逆電流の最大定格１０μＡを越えてしまう。
【００６３】
【表１】
【００６４】
【表２】
【００６５】このように、半導体発光素子に逆並列に整
流素子を接続することにより、静電気による絶縁破壊を
回避する事ができる。
流素子を接続することにより、静電気による絶縁破壊を
回避する事ができる。
【００６６】
【発明の効果】以上のように、請求項１に係る光源装置
は、半導体発光素子を載置するパターン上または／およ
び電気配線パターン上に半導体発光素子に対して整流素
子を逆極性に並列接続するので、ｎ層からなるカソード
側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並列接続し
た整流素子に流れる。これにより、半導体発光素子に電
流が流れないので、半導体発光素子の絶縁破壊を回避で
き、これらの素子の取扱いが容易になるとともに導電性
ウレタンボード、帯電防止シートや帯電防止袋等を必要
とせず経済性に優れ、さらに歩留りの向上が図られる。
は、半導体発光素子を載置するパターン上または／およ
び電気配線パターン上に半導体発光素子に対して整流素
子を逆極性に並列接続するので、ｎ層からなるカソード
側に静電気等の高電荷が加わっても逆極性に並列接続し
た整流素子に流れる。これにより、半導体発光素子に電
流が流れないので、半導体発光素子の絶縁破壊を回避で
き、これらの素子の取扱いが容易になるとともに導電性
ウレタンボード、帯電防止シートや帯電防止袋等を必要
とせず経済性に優れ、さらに歩留りの向上が図られる。
【００６７】請求項２に係る光源装置は、パターンをセ
ラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキ
シ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金属薄板
からなるリードフレームで形成するので、どんな形状に
でも対応でき、用途に適した色々な分野への利用が可能
となり、産業の発展に貢献できる。
ラミック基板、液晶ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキ
シ樹脂基板のいずれかの基板上に形成するか、金属薄板
からなるリードフレームで形成するので、どんな形状に
でも対応でき、用途に適した色々な分野への利用が可能
となり、産業の発展に貢献できる。
【００６８】請求項３に係る光源装置は、半導体発光素
子および整流素子をパターン上に透明樹脂または波長変
換材料混入樹脂で被着するので、半導体発光素子と整流
素子とをより接着強度を増すことができるとともに波長
変換材料により半導体発光素子の発光色を換えることが
でき、フルカラー表示や白色表示時にＲＧＢの各色の半
導体発光素子を用いずに表現出来るので、消費電力の低
減等コストパフォーマンスにすぐれる。
子および整流素子をパターン上に透明樹脂または波長変
換材料混入樹脂で被着するので、半導体発光素子と整流
素子とをより接着強度を増すことができるとともに波長
変換材料により半導体発光素子の発光色を換えることが
でき、フルカラー表示や白色表示時にＲＧＢの各色の半
導体発光素子を用いずに表現出来るので、消費電力の低
減等コストパフォーマンスにすぐれる。
【００６９】このように、セラミック、液晶ポリマー樹
脂等の基板やリードフレームのパターン上に載置するＩ
ｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のい
ずれかからなる半導体発光素子に対して整流素子を逆極
性に並列接続し、これらを透明樹脂や波長変換材料混入
樹脂で被着するので、静電気等の電気的ショックを回避
でき、取扱を容易にし、静電気対策を必要とせず、さら
に消費電力の低減など経済性、作業性に優れた光源装置
を提供することができる。
脂等の基板やリードフレームのパターン上に載置するＩ
ｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、ＩｎＧａＮ系のい
ずれかからなる半導体発光素子に対して整流素子を逆極
性に並列接続し、これらを透明樹脂や波長変換材料混入
樹脂で被着するので、静電気等の電気的ショックを回避
でき、取扱を容易にし、静電気対策を必要とせず、さら
に消費電力の低減など経済性、作業性に優れた光源装置
を提供することができる。
【図１】本発明に係る光源装置の第１実施の形態を示す
全体図
全体図
【図２】本発明に係る光源装置の第２実施の形態を示す
全体図
全体図
【図３】（ａ）半導体発光素子と整流素子とを各々のパ
ターンに載置したときの接続構成を示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
ターンに載置したときの接続構成を示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
【図４】（ａ）整流素子を２つのパターン間に載置した
ときの接続構成を示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
ときの接続構成を示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
【図５】（ａ）２つのパターンのうち片方のパターンに
半導体発光素子と整流素子を載置したときの接続構成を
示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
半導体発光素子と整流素子を載置したときの接続構成を
示す平面図 （ｂ）（ａ）の側面図
【図６】（ａ）青色発光の半導体発光素子に順電圧を印
加する接続図 （ｂ）青色発光の半導体発光素子に逆電圧を印加する接
続図
加する接続図 （ｂ）青色発光の半導体発光素子に逆電圧を印加する接
続図
１…光源装置、２ａ，２ｂ…パターン、３…半導体発光
素子、４…整流素子、５ａ，５ｂ…ボンディングワイ
ヤ、６ａ，６ｂ…リード端子，端子電極、７…波長変換
材料混入樹脂、８…モールドケース，基板、９…出光モ
ールド部。
素子、４…整流素子、５ａ，５ｂ…ボンディングワイ
ヤ、６ａ，６ｂ…リード端子，端子電極、７…波長変換
材料混入樹脂、８…モールドケース，基板、９…出光モ
ールド部。
フロントページの続き (72)発明者 寒河江 正明 東京都多摩市永山６−22−６ 日本デンヨ ー株式会社内 (72)発明者 中根 忠明 東京都多摩市永山６−22−６ 日本デンヨ ー株式会社内 Ｆターム(参考） 5F041 AA14 AA21 DA43 EE25
Claims (3)
- 【請求項１】 ＩｎＧａＡｌＰ系、ＩｎＧａＡｌＮ系、
ＩｎＧａＮ系のいずれかの半導体発光素子からなる光源
装置において、 前記半導体発光素子を載置するパターン上または／およ
び電気配線パターン上に前記半導体発光素子に対して整
流素子を逆極性に並列接続することを特徴とする光源装
置。 - 【請求項２】 前記パターンは、セラミック基板、液晶
ポリマー樹脂基板、ガラス布エポキシ樹脂基板のいずれ
かの基板上に形成するか、金属薄板からなるリードフレ
ームで形成することを特徴とする請求項１記載の光源装
置。 - 【請求項３】 前記半導体発光素子および前記整流素子
は、前記パターン上に透明樹脂または波長変換材料混入
樹脂で被着することを特徴とする請求項１又は２記載の
光源装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335897A JP2000164933A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 光源装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10335897A JP2000164933A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 光源装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000164933A true JP2000164933A (ja) | 2000-06-16 |
Family
ID=18293603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10335897A Pending JP2000164933A (ja) | 1998-11-26 | 1998-11-26 | 光源装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000164933A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835958B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP2006303396A (ja) * | 2005-04-25 | 2006-11-02 | Matsushita Electric Works Ltd | 表面実装型発光装置 |
| JP2007067443A (ja) * | 2003-02-18 | 2007-03-15 | Sharp Corp | 半導体発光装置および電子撮像装置 |
| KR100863864B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2008-10-15 | 노밸리트 옵트로닉스 코포레이션 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
| JP2014192313A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Citizen Holdings Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置 |
| JP2015185661A (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-22 | スタンレー電気株式会社 | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-11-26 JP JP10335897A patent/JP2000164933A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6835958B2 (en) | 2002-02-06 | 2004-12-28 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Light-emitting device |
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| JP2014192313A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Citizen Holdings Co Ltd | Ｌｅｄ発光装置 |
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