JP2017108130A5 - - Google Patents

Description

本実施形態による半導体モジュールは、金属層と、前記金属層上に設けられ樹脂を含有する絶縁層と、を有する基板と、前記基板上に設けられた第１配線および第２配線と、前記第１配線上に設けられ、上部および下部において放熱する第１半導体パッケージと、前記第１半導体パッケージ上部及び前記第２配線に接続し、熱伝導性を有する第３配線と、を備える半導体モジュール。

Claims (8)

1. 金属層と、前記金属層上に設けられ樹脂を含有する絶縁層と、を有する基板と、
   前記基板上に設けられた第１配線および第２配線と、
   前記第１配線上に設けられ、上部および下部において放熱する第１半導体パッケージと、
   前記第１半導体パッケージの前記上部及び前記第２配線に接続し、熱伝導性を有する第３配線と、
   を備える半導体モジュール。
2. 金属層と、前記金属層上に設けられ樹脂を含有する絶縁層と、を有する基板と、
   前記基板上に設けられた第４配線および第５配線と、
   前記第４配線上に設けられ、上部および下部において放熱する第１半導体パッケージと、
   前記第５配線上に、前記第１半導体パッケージに対して上下反転して設けられ、上部および下部において放熱する第２半導体パッケージと、
   前記第１半導体パッケージ及び前記第２半導体パッケージ上に設けられた第６配線と、を備え、
   前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージは前記第６配線を介して、直列接続される半導体モジュール。
3. 金属層と、前記金属層上に設けられ樹脂を含有する絶縁層と、を有する基板と、
   前記基板上に設けられた第６配線と、
   前記第６配線上に設けられ、上部および下部において放熱する第１半導体パッケージと、
   前記第６配線上に、前記第１半導体パッケージに対して上下反転して設けられ、上部および下部において放熱する第２半導体パッケージと、
   前記第１半導体パッケージ上に設けられた第４配線と、
   前記第２半導体パッケージ上に設けられた第５配線と、を備え、
   前記第１半導体パッケージと前記第２半導体パッケージは前記第６配線を介して、直列接続される半導体モジュール。
4. 前記第２半導体パッケージは、
   前記下部に設けられ、導電性および熱伝導性を有する第３の部材と、
   前記上部に設けられ、導電性および熱伝導性を有する第４の部材と、
   前記第３の部材と前記第４の部材との間に設けられた第２の半導体チップと、
   前記第３の部材と前記第４の部材と前記第２の半導体チップとを封止する封止部材と、
   を備える請求項２から３いずれかに記載の半導体モジュール。
5. 前記第１半導体パッケージは、
   前記第１半導体パッケージの前記下部に設けられ、導電性および熱伝導性を有する第１の部材と、
   前記第１半導体パッケージの前記上部に設けられ、導電性および熱伝導性を有する第２の部材と、
   前記第１の部材と前記第２の部材との間に設けられた第１の半導体チップと、
   前記第１の部材と前記第２の部材と前記第１の半導体チップとを封止する封止部材と、
   を備える請求項１から４いずれかに記載の半導体モジュール。
6. 前記第１の部材は半田あるいは金属を主成分とする材料を介して前記第１配線に接続し、前記第２の部材は半田あるいは金属を主成分とする材料を介して前記第３配線に接続する請求項５に記載の半導体モジュール。
7. 前記第１の部材は前記第１配線に直接接続し、前記第２の部材は前記第３配線に直接接続する請求項５に記載の半導体モジュール。
8. 前記第２の部材は、前記封止部材から露出した露出面を有し、前記第３配線は前記露出面全体に接して設けられる請求項５に記載の半導体モジュール。