JP2013149730A5 - - Google Patents
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絶縁層３６０は例えば、フィラーが充填されたエポキシ樹脂、セラミック等で構成されており、互いに表裏の関係にある主面３６１，３６２を有している。図２の図示に合わせて、主面３６１を下面３６１とも称し、主面３６２を上面３６２とも称する。
ヒートスプレッダ１６０ｃｄｅには、ＩＧＢＴチップ１２０ｃ〜１２０ｅおよびダイオードチップ１４０ｃ〜１４０ｅが、第１接合部材１８０によって接合されている。より具体的には、ＩＧＢＴチップ１２０ｃ〜１２０ｅのコレクタ面１２１（図２参照）およびダイオードチップ１４０ｃ〜１４０ｅのカソード面１４１（図２参照）が、ヒートスプレッダ１６０ｃｄｅのチップ搭載面１６２（図２参照）に接合されている。
ここで、主電極２５０ｆｇｈ，２７０ｃｄｅ，２７０ｆ〜２７０ｈは、モールド樹脂４１０の外部へ突出した外部端子２５３，２７３を有している。これに対し、主電極２５０ｃ〜２５０ｅは、外部端子２５３を有していない。
なお、モールド樹脂４１０が、電極２５０ｆｇｈ，２７０ｃｄｅ，２７０ｆ〜２７０ｈ，２９０ｃ〜２９０ｈの外部端子部分２５３，２７３，２９３と、箔付き絶縁シート２３０のうちで半導体チップ１２０ｃ〜１２０ｈ，１４０ｃ〜１４０ｈから遠い側に位置するシート表面２２１（図２参照）と、絶縁基板３５０Ｂのうちで半導体チップ１２０ｃ〜１２０ｈ，１４０ｃ〜１４０ｈから遠い側に位置する基板主面３５２（図２参照）を覆わないように、例えばモールド金型の樹脂注入空間が設計されている。
このような構造によれば、ヒートスプレッダ１６０ｉｊによってＭＯＳＦＥＴ１２０ｉ，１２０ｊのドレイン電極とダイオード１４０ｉ，１４０ｊのカソード電極とが接続され、第１主電極２５０ｉｊによってＭＯＳＦＥＴ１２０ｉ，１２０ｊのソース電極とダイオード１４０ｉ，１４０ｊのアノード電極とが接続される。すなわち、図２０の回路図に示すように、ＭＯＳＦＥＴ１２０ｉとダイオード１４０ｉとが逆並列に接続され、ＭＯＳＦＥＴ１２０ｊとダイオード１４０ｊとが逆並列に接続され、これら２つの逆並列回路が並列に接続される。
ワイヤ３３０Ｄは、実施の形態１で例示したワイヤ３３０と同様に、ヒートスプレッダ１６０ａ，１６０ｂから見て絶縁基板３５０Ｄの側へ突出したワイヤループ形状を有している。しかし、ワイヤ３３０Ｄのワイヤループ形状は、実施の形態１で例示したワイヤ３３０に比べて低い。具体的には、ワイヤ３３０Ｄのループ頂点３３１は、絶縁基板３５０Ｄの下面３５１の位置を超えていない。換言すれば、ワイヤ３３０Ｄは、絶縁基板３５０Ｄから見てヒートスプレッダ１６０ａ，１６０ｂの側の領域内に収まっている。なお、ワイヤ３３０Ｄのその他の点は、基本的に、実施の形態１で例示したワイヤ３３０と同様である。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012008083A JP5661052B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
| US13/617,048 US9059334B2 (en) | 2012-01-18 | 2012-09-14 | Power semiconductor module and method of manufacturing the same |
| CN201210385725.8A CN103219301B (zh) | 2012-01-18 | 2012-10-12 | 功率半导体模块及其制造方法 |
| DE102012222879.9A DE102012222879B4 (de) | 2012-01-18 | 2012-12-12 | Leistungshalbleitermodul und Verfahren zu seiner Herstellung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012008083A JP5661052B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013149730A JP2013149730A (ja) | 2013-08-01 |
| JP2013149730A5 true JP2013149730A5 (ja) | 2014-07-03 |
| JP5661052B2 JP5661052B2 (ja) | 2015-01-28 |
Family
ID=48693298
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012008083A Active JP5661052B2 (ja) | 2012-01-18 | 2012-01-18 | パワー半導体モジュールおよびその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9059334B2 (ja) |
| JP (1) | JP5661052B2 (ja) |
| CN (1) | CN103219301B (ja) |
| DE (1) | DE102012222879B4 (ja) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP5542765B2 (ja) * | 2011-09-26 | 2014-07-09 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | パワーモジュール |
| DE102012101666B3 (de) * | 2012-02-29 | 2013-05-16 | Infineon Technologies Ag | Leistungshalbleitermodulsystem mit Hinterschneidungsverbindung |
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| CN104247012B (zh) * | 2012-10-01 | 2017-08-25 | 富士电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
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| JP7563295B2 (ja) | 2021-05-27 | 2024-10-08 | 株式会社デンソー | 半導体装置 |
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| DE102022207269A1 (de) | 2022-07-18 | 2024-01-18 | Zf Friedrichshafen Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen einer Anschlussvorrichtung zum Anschließen zumindest eines elektrischen oder elektronischen Bauteils für ein elektrisches oder elektronisches Modul |
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| JP2008041752A (ja) | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Hitachi Metals Ltd | 半導体モジュールおよび半導体モジュール用放熱板 |
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| CN101136396B (zh) | 2006-08-30 | 2011-08-10 | 株式会社电装 | 包括两片带有多个半导体芯片和电子元件的衬底的功率电子封装件 |
| JP5076440B2 (ja) | 2006-10-16 | 2012-11-21 | 富士電機株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| JP4748173B2 (ja) | 2008-03-04 | 2011-08-17 | 株式会社デンソー | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| JP2009224560A (ja) | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2010239033A (ja) | 2009-03-31 | 2010-10-21 | Honda Motor Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP2011216564A (ja) * | 2010-03-31 | 2011-10-27 | Mitsubishi Electric Corp | パワーモジュール及びその製造方法 |
| JP5253455B2 (ja) | 2010-06-01 | 2013-07-31 | 三菱電機株式会社 | パワー半導体装置 |
-
2012
- 2012-01-18 JP JP2012008083A patent/JP5661052B2/ja active Active
- 2012-09-14 US US13/617,048 patent/US9059334B2/en active Active
- 2012-10-12 CN CN201210385725.8A patent/CN103219301B/zh active Active
- 2012-12-12 DE DE102012222879.9A patent/DE102012222879B4/de active Active
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