JP2013149730A5 - - Google Patents
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絶縁層360は例えば、フィラーが充填されたエポキシ樹脂、セラミック等で構成されており、互いに表裏の関係にある主面361,362を有している。図2の図示に合わせて、主面361を下面361とも称し、主面362を上面362とも称する。
ヒートスプレッダ160cdeには、IGBTチップ120c〜120eおよびダイオードチップ140c〜140eが、第1接合部材180によって接合されている。より具体的には、IGBTチップ120c〜120eのコレクタ面121(図2参照)およびダイオードチップ140c〜140eのカソード面141(図2参照)が、ヒートスプレッダ160cdeのチップ搭載面162(図2参照)に接合されている。
ここで、主電極250fgh,270cde,270f〜270hは、モールド樹脂410の外部へ突出した外部端子253,273を有している。これに対し、主電極250c〜250eは、外部端子253を有していない。
なお、モールド樹脂410が、電極250fgh,270cde,270f〜270h,290c〜290hの外部端子部分253,273,293と、箔付き絶縁シート230のうちで半導体チップ120c〜120h,140c〜140hから遠い側に位置するシート表面221(図2参照)と、絶縁基板350Bのうちで半導体チップ120c〜120h,140c〜140hから遠い側に位置する基板主面352(図2参照)を覆わないように、例えばモールド金型の樹脂注入空間が設計されている。
このような構造によれば、ヒートスプレッダ160ijによってMOSFET120i,120jのドレイン電極とダイオード140i,140jのカソード電極とが接続され、第1主電極250ijによってMOSFET120i,120jのソース電極とダイオード140i,140jのアノード電極とが接続される。すなわち、図20の回路図に示すように、MOSFET120iとダイオード140iとが逆並列に接続され、MOSFET120jとダイオード140jとが逆並列に接続され、これら2つの逆並列回路が並列に接続される。
ワイヤ330Dは、実施の形態1で例示したワイヤ330と同様に、ヒートスプレッダ160a,160bから見て絶縁基板350Dの側へ突出したワイヤループ形状を有している。しかし、ワイヤ330Dのワイヤループ形状は、実施の形態1で例示したワイヤ330に比べて低い。具体的には、ワイヤ330Dのループ頂点331は、絶縁基板350Dの下面351の位置を超えていない。換言すれば、ワイヤ330Dは、絶縁基板350Dから見てヒートスプレッダ160a,160bの側の領域内に収まっている。なお、ワイヤ330Dのその他の点は、基本的に、実施の形態1で例示したワイヤ330と同様である。
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