JP4044265B2 - パワーモジュール - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、パワーモジュールの構造、特に、IGBT等のパワー半導体素子に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための平滑コンデンサを備えるパワーモジュールの構造に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
図28は、従来のパワーモジュール本体部100の構造を模式的に示す上面図である。ケース枠106の上面の第1辺に沿って、出力端子111U,111V,111Wが並んで配設されており、上記第1辺に平行なケース枠106の上面の第2辺に沿って、P端子108P及びN端子108Nが並んで配設されている。
【0003】
また、図29は、図28に示したラインX100に沿った位置における断面構造を示す断面図である。金属製のベース板101上に、樹脂製のケース枠106が配設されており、ケース枠106上に、樹脂製のケース蓋116が配設されている。ベース板101上には、半田103によって、セラミック製の絶縁基板102が配設されている。絶縁基板102上には、半田104によって、IGBT等の複数のパワー半導体素子105が配設されている。また、絶縁基板102の上面上には、スイッチング素子等の回路素子(図示しない)が搭載されるとともに、所定の回路パターン(図示しない)が形成されている。
【0004】
ケース枠106内には、パワー半導体素子105を制御するための制御回路が形成された制御基板114が配設されている。制御基板114は、中継電極112の一端に半田付けされている。中継電極112の他端は、アルミワイヤ109を介してパワー半導体素子105に接続されている。また、ケース枠106内には、ノイズ防止のためのシールド板113が、制御基板114と絶縁基板102との間に配設されている。シールド板113よりも下方部分のケース枠106の内部は、シリコーンゲル115によって充填されている。
【0005】
ケース枠106の上面上には、N端子108Nが配設されている。N端子108Nは、N電極107Nの一端に接続されている。N電極107Nの他端は、アルミワイヤ109を介してパワー半導体素子105に接続されている。また、ケース枠106の上面上には、P端子108P(図29には現れない)が配設されている。P端子108Pは、P電極107Pの一端に接続されている。P電極107Pの他端は、アルミワイヤ109及び絶縁基板102上に形成されている回路パターンを介して、パワー半導体素子105に接続されている。また、ケース枠106の上面上には、出力端子111Vが配設されている。出力端子111Vは、出力電極110の一端に接続されている。出力電極110の他端は、アルミワイヤ109を介してパワー半導体素子105に接続されている。
【0006】
図30は、側面側から眺めた場合の、従来のパワーモジュールの全体構成を模式的に示す断面図である。パワー半導体素子105に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための平滑コンデンサ120が、パワーモジュール本体部100の上方に配設されている。平滑コンデンサ120のN電極121N及びP電極121P(図30における符号121)と、パワーモジュール本体部100のN端子108N及びP端子108P(図30における符号108)とは、接続導体124によって互いに接続されている。接続導体124は、絶縁板123を挟んで対向する導体板122N,122Pを有している。導体板122N,122PとN端子108N及びP端子108Pとは、ネジ125によってそれぞれ固定されている。
【0007】
図31は、上面側から眺めた場合の、平滑コンデンサ120と接続導体124との接続部分の構造を模式的に示す断面図である。導体板122NはN電極121Nに、導体板122PはP電極121Pにそれぞれ接触している。導体板122Nには、P電極121Pとの接触を回避するために開口部126が部分的に設けられており、導体板122Pには、N電極121Nとの接触を回避するために開口部127が部分的に設けられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、このような従来のパワーモジュールによると、平滑コンデンサ120のN電極121N及びP電極121Pと、パワーモジュール本体部100のN端子108N及びP端子108Pとをそれぞれ接続するために、導体板122N,122P及び絶縁板123から成る接続導体124が必要とされ、部品点数が多く、組立も煩雑であるという問題があった。
【0009】
また、平滑コンデンサ120とパワー半導体素子105との間の配線経路が長いため、回路のインダクタンスが大きくなるという問題もあった。パワーモジュールの動作において、パワー半導体素子105が高速でスイッチングされると、平滑コンデンサ120とパワー半導体素子105との間に、電流の変化分(di/dt)に比例する大きなパルス状の電流が流れ、回路のインダクタンスに比例した電圧が発生して、ノイズとしてパワー半導体素子105に印加される。また、回路のインダクタンスが大きくなると、リプル電圧を抑制するために平滑コンデンサ120の静電容量を大きくする必要があり、その結果、平滑コンデンサ120の大型化、ひいてはパワーモジュール自体の大型化につながる。そのため、回路のインダクタンスは小さいことが望ましい。
【0010】
さらに、従来のパワーモジュールは、大型の平滑コンデンサ120をパワーモジュール本体部100の上方に配設した構成となっているため、例えば車載用のパワーモジュールとして使用するには、耐振動性が低いという問題もあった。
【0011】
本発明はこれらの問題を解決するために成されたものであり、回路のインダクタンスを低減し得るとともに、小型化及び軽量化が図られ、しかも耐振動性にも優れたパワーモジュールを得ることを目的とするものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
また、この発明のうち請求項1に記載のパワーモジュールは、パワー半導体素子が搭載された第1の基板と、パワー半導体素子を制御するための制御回路が形成された第2の基板と、パワー半導体素子に電気的に接続され、外部からパワー半導体素子に供給される電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、第1の基板、第2の基板、及び平滑コンデンサが内部に配設された、ケース枠及びケース蓋を有するケースとを備えている。
【0019】
さらに、請求項1に記載のパワーモジュールにおいて、平滑コンデンサは、前記ケース蓋に接触して、前記第2の基板に対向する側に配設されていることを特徴とするものである。
【0020】
また、この発明のうち請求項2に記載のパワーモジュールは、パワー半導体素子が搭載された第1の基板と、パワー半導体素子を制御するための制御回路が形成された第2の基板と、パワー半導体素子に電気的に接続され、外部からパワー半導体素子に供給される電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、第1の基板、第2の基板、及び平滑コンデンサが内部に配設された、ケース枠及びケース蓋を有するケースとを備えている。
さらに、請求項2に記載のパワーモジュールにおいて、第1の基板と第2の基板との間に配設され、ケース枠に固定されたシールド板をさらに備え、平滑コンデンサは、シールド板上に配設されていることを特徴とするものである。
【0021】
また、この発明のうち請求項3に記載のパワーモジュールは、請求項2に記載のパワーモジュールであって、シールド板と平滑コンデンサとの間に形成された熱伝導シートをさらに備えることを特徴とするものである。
【0022】
また、この発明のうち請求項4に記載のパワーモジュールは、請求項2に記載のパワーモジュールであって、シールド板は金属から成るシールド板であることを特徴とするものである。
【0027】
また、この発明のうち請求項5に記載のパワーモジュールは、請求項1〜請求項4のいずれか一つに記載のパワーモジュールであって、平滑コンデンサはセラミックコンデンサであることを特徴とするものである。
【0028】
【発明の実施の形態】
第1の参考例(実施の形態1)
図1は、本発明の第1の参考例に係るパワーモジュール本体部99の構造を模式的に示す上面図である。ケース枠6の上面の第1辺に沿って、三相のU相、V相、W相の各相にそれぞれ対応する、出力端子11U,11V,11Wが並んで配設されている。また、上記第1辺に平行なケース枠6の上面の第2辺に沿って、N端子8N及びP端子8Pが並んで配設されている。
【0029】
図2は、図1に示したラインX1に沿った位置における断面構造を示す断面図である。放熱板として機能する金属製のベース板1上に、樹脂製のケース枠6が配設されており、ケース枠6上に、樹脂製のケース蓋16が配設されている。ベース板1上には、半田3によって、セラミック製の絶縁基板2が配設されている。絶縁基板2上には、半田4によって、IGBT等の複数のパワー半導体素子5が搭載されている。また、絶縁基板2の上面上には、スイッチング素子(IGBT)等の回路素子(図示しない)が搭載されるとともに、所定の回路パターン(図示しない)が形成されている。
【0030】
ケース枠6内には、パワー半導体素子5を制御するための制御回路が形成された制御基板14が配設されている。制御基板14は、中継電極12の一端に半田付けされている。中継電極12の他端は、アルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5に接続されている。また、ケース枠6内には、ノイズ防止のためのシールド板13が、制御基板14と絶縁基板2との間に配設されている。シールド板13よりも下方部分のケース枠6の内部は、シリコーンゲル15によって充填されている。
【0031】
ケース枠6の上面上には、N端子8Nが配設されている。N端子8Nは、ケース枠6内に埋め込まれたN電極7Nの一端に接続されている。N電極7Nの他端は、アルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5に接続されている。また、ケース枠6の上面上には、P端子8P(図2には現れない)が配設されている。P端子8Pは、ケース枠6内に埋め込まれたP電極7Pの一端に接続されている。P電極7Pの他端は、アルミワイヤ9及び絶縁基板2上に形成されている回路パターンを介して、パワー半導体素子5に接続されている。
【0032】
また、ケース枠6の上面上には、出力端子11Vが配設されている。出力端子11Vは、ケース6内に埋め込まれた出力電極10の一端に接続されている。出力電極10の他端は、アルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5に接続されている。図2には現れないが、出力端子11U,11Wも、出力端子11Vと同様に、出力電極10及びアルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5にそれぞれ接続されている。
【0033】
図3は、本第1の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図であり、図4は、図3に示したパワーモジュール本体部99と平滑コンデンサ20との接続部分を拡大して示す断面図である。パワー半導体素子5に外部から印加される直流電源電圧を平滑化するための箱形の平滑コンデンサ20が、ケース枠6の上面の上記第2辺(即ち、N端子8N及びP端子8Pが並ぶ辺)を含むケース枠6の側面に接触して、かつ、ケース枠6の上面に対して平滑コンデンサ20の上面の高さが揃えられた状態で配設されている。
【0034】
また、平滑コンデンサ20のN電極21N及びP電極21Pは、平滑コンデンサ20の上面上において、パワーモジュール本体部99のN端子8N及びP端子8Pにそれぞれ近接する箇所に配設されている。図4を参照して、N電極21N及びP電極21P(図4においては符号21を付している)は、平滑コンデンサ20の上面から突出した板状の電極である。N電極21N及びP電極21Pをケース枠6側に折り曲げて、N端子8N及びP端子8P(図4においては符号8を付している)にそれぞれ重ね合わせ、ネジ25によって、N電極21NとN端子8N、及びP電極21PとP端子8Pとをそれぞれ固定する。これにより、平滑コンデンサ20のN電極21N及びP電極21Pと、パワーモジュール本体部99のN端子8N及びP端子8Pとを、接続ケーブル等の他の接続体を用いることなく、それぞれ直接的に接続することができる。
【0035】
このように本第1の参考例に係るパワーモジュールによれば、平滑コンデンサ20は、ケース枠6の側面に接触して、かつ、ケース枠6と上面の高さを揃えて配設されている。そして、平滑コンデンサ20のN電極21N及びP電極21Pは、パワーモジュール本体部99のN端子8N及びP端子8Pにそれぞれ近接する箇所に配設されている。従って、N電極21N及びP電極21PとN端子8N及びP端子8Pとを、従来の接続導体124を用いることなく直接的に接続することができる。その結果、部品点数を削減できるとともに、平滑コンデンサ20とパワー半導体素子5との間の配線経路を短縮でき、回路のインダクタンスを低減することができる。
【0036】
また、平滑コンデンサ20の側面とパワーモジュール本体部99の側面とが互いに接触し合うことにより、耐振動性を高めることもできる。
【0037】
なお、以上の説明では、1つの平滑コンデンサ20が配設される場合の例について説明したが、複数の平滑コンデンサを配設することもできる。例えばU相、V相、W相の各相に対応させて、3つの平滑コンデンサを配設してもよい。図5,6は、3つの平滑コンデンサ20a〜20cが配設されたパワーモジュールの構成をそれぞれ模式的に示す上面図である。
【0038】
図5において、平滑コンデンサ20a〜20cの各N電極22Na〜22Ncは、いずれもパッド状の電極であり、接続導体23Nによって、パワーモジュール本体部99のN端子8Nに共通に接続されている。接続導体23Nは、P電極22Pa〜22Pcとは絶縁されている。また、平滑コンデンサ20a〜20cの各P電極22Pa〜22Pcは、いずれもパッド状の電極であり、接続導体23Pによって、パワーモジュール本体部99のP端子8Pに共通に接続されている。接続導体23Pは、接続導体23N及びN電極22Na〜22Ncとは絶縁されている。
【0039】
図6において、平滑コンデンサ20a〜20cの各N電極21Na〜21Ncは、パワーモジュール本体部99のN端子8Na〜8Ncにそれぞれ直接的に接続されている。また、平滑コンデンサ20a〜20cの各P電極21Pa〜21Pcは、パワーモジュール本体部99のP端子8Pa〜8Pcにそれぞれ直接的に接続されている。
【0040】
図5,6に示したパワーモジュールによれば、三相の各相に対応させて平滑コンデンサ20a〜20cが分割して配設されているため、平滑コンデンサ20a〜20cのいずれかが故障した場合に、その故障した平滑コンデンサのみを修理若しくは交換すればよいので、コストの低減を図ることができる。さらに、図6に示したパワーモジュールによれば、三相の各相に関して、最短かつ等しい距離に平滑コンデンサ20a〜20cを配置することができるため、相間のアンバランスを低減できるとともに、回路のインダクタンスをさらに低減することができる。
【0041】
第2の参考例(実施の形態2)
図7は、本発明の第2の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図であり、図8,9はそれぞれ、図7に示したラインX2,X3に沿った位置における断面構造を示す断面図である。図7を参照して、平滑コンデンサの筐体32内には、複数のコンデンサ素子30a〜30eが並んで配設されている。図8を参照して、コンデンサ素子30a〜30eは、底面にそれぞれN電極35a〜35eが設けられており、N電極35a〜35eは、板状のN電極21Nに共通して接触している。N電極21Nの一部は筐体32の上面に引き出され、ネジ25によって、パワーモジュール本体部99のN端子8Nに固定されている。
【0042】
図9を参照して、コンデンサ素子30a〜30eは、上面にそれぞれP電極36a〜36eが設けられており、P電極36a〜36eは、板状のP電極21Pに共通して接触している。P電極21Pの一部は筐体32の上面に引き出され、ネジ25によって、パワーモジュール本体部99のP端子8Pに固定されている。
【0043】
筐体32は、上記第1の参考例に係る平滑コンデンサ20と同様に、ケース枠6の側面に接触して、かつ、ケース枠6と上面の高さを揃えて配設されている。コンデンサ素子30aの側面とN電極21Nとの間には、絶縁体31が設けられており、筐体32の底面は、コンデンサ素子30a〜30eにおける発熱を外部に放熱するための放熱板33によって構成されている。また、コンデンサ素子30a〜30eは、筐体32の上面にネジ止めされた押さえ板34の押圧力によって、N電極21Nを介して筐体32の底面に押圧固定されている。
【0044】
このように本第2の参考例に係るパワーモジュールによると、上記第1の参考例に係るパワーモジュールによって得られる効果に加えて、以下の効果が得られる。即ち、複数のコンデンサ素子30a〜30eを筐体32内に固定するにあたり、押さえ板34を筐体32の上面に1箇所ネジ止めするだけで足りるため、複数のコンデンサ素子の取付工程が容易となる。
【0045】
また、筐体32の底面が、コンデンサ素子30a〜30eにおける発熱を外部に放熱するための一枚の放熱板33によって構成されているため、複数のコンデンサ素子30a〜30eのそれぞれに対する冷却効果の均一性を高めることができる。
【0046】
なお、弾性のある材質を電極材に用いる等して、N電極35a〜35e及びP電極36a〜36eのうちの少なくとも一方に弾力性を持たせてもよい。これにより、押さえ板34による押圧力や、コンデンサ素子30a〜30eの発熱に伴う熱応力に起因する、コンデンサ素子30a〜30eの破損を防止できる。また、N電極21NとN電極35a〜35e、及びP電極21PとP電極36a〜36eとを確実に接触させることが可能となる。
【0047】
図10は、本発明の第2の参考例の変形例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。図7〜9に示した平滑コンデンサと同一構成の3つの平滑コンデンサを、三相の各相に対応させて個別に配設したものである。図10において、符号32a〜32cは筐体、符号21Na〜21NcはN電極、符号21Pa〜21PcはP電極、符号8Na〜8NcはN端子、符号8Pa〜8PcはP端子である。
【0048】
第3の参考例(実施の形態3)
図11は、本発明の第3の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図であり、図12は、図11に示したラインX4に沿った位置における断面構造を示す断面図である。ケース枠6には、その外面内の一部に凹部が形成されている。そして、互いに対向する凹部の2つの側面のうち、一方の側面にはN端子8Nが、他方の側面にはP端子8Pがそれぞれ配設されている。図12に示すように、N端子8N及びP端子8Pは、凹部の周囲におけるケース枠6の上面の一部にも延在して形成されている。
【0049】
平滑コンデンサ40は、凹部に嵌合する形状を有しており、凹部の上記一方の側面に対向する側面にN電極43Nが、凹部の上記他方の側面に対向する側面にP電極43Pがそれぞれ配設されている。平滑コンデンサ40は凹部内にはめ込まれており、N電極43NとN端子8N、及びP電極43PとP端子8Pとがそれぞれ半田41によって接合されて、平滑コンデンサ40とケース枠6とが互いに固定されている。また、平滑コンデンサ40上には、ケース枠6の上面に固定された蓋44が配設されている。
【0050】
このように本第3の参考例に係るパワーモジュールによれば、ケース枠6の外面内に凹部を形成し、その凹部内に平滑コンデンサ40をはめ込んで、半田41によって固定する。従って、N電極43NとN端子8N、及びP電極43PとP端子8Pとを、従来の接続導体124を用いることなく直接的に接続することができる。その結果、部品点数を削減できるとともに、平滑コンデンサ40とパワー半導体素子5との間の配線経路を短縮でき、回路のインダクタンスを低減することができる。
【0051】
また、平滑コンデンサ40をケース枠6の凹部内にはめ込んで配設するため、パワーモジュールの小型化を図ることもできる。
【0052】
第4の参考例(実施の形態4)
図13は、本発明の第4の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図であり、図14は、ケース枠6に固定される前の平滑コンデンサ40及び弾性体45を示す断面図である。また、図15は、図13に示したラインX5に沿った位置における断面構造を示す断面図である。本第4の参考例に係るパワーモジュールは、上記第3の参考例に係るパワーモジュールを基礎として、N電極43NとN端子8N、及びP電極43PとP端子8Pとを半田41によって接合するのではなく、N電極43NとN端子8Nとの間、及びP電極43PとP端子8Pとの間に、板バネ等の導電性の弾性体45をそれぞれ配設したものである。平滑コンデンサ40とケース枠6とは、押圧された弾性体45の反発力によって互いに固定されている。但し、弾性体45は、N電極43NとN端子8Nとの間、及びP電極43PとP端子8Pとの間のうちの少なくとも一方に配設されていればよい。
【0053】
このように本第4の参考例に係るパワーモジュールによれば、上記第3の参考例に係るパワーモジュールによって得られる効果に加えて、以下の効果が得られる。即ち、平滑コンデンサ40を凹部内にはめ込む際の押圧力や、平滑コンデンサ40の発熱に伴う熱応力に起因する、平滑コンデンサ40の破損を防止できる。また、N電極43NとN端子8N、及びP電極43PとP端子8Pとを、確実に接触させることが可能となる。
【0054】
実施の形態5.
図16は、本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールに関して、N端子54Nが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。平滑コンデンサ50は、ケース蓋51の裏面(制御基板14に対向する側の面)上に取り付けられている。N端子54Nは、ケース枠6の上面上において、ケース蓋51の外側から内側に延在して形成されている。平滑コンデンサ50の上面(ケース蓋51の裏面に接触する側の面)にはN電極52Nが形成されており、N電極52Nは、ケース蓋51の裏面上に形成された接続電極53Nを介して、N端子54Nに接続されている。N端子54Nは、N電極7N及びアルミワイヤ9を介して、パワー半導体素子5に接続されている。
【0055】
また、図17は、本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールに関して、P端子54Pが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。P端子54Pは、ケース枠6の上面上において、ケース蓋51の外側から内側に延在して形成されている。平滑コンデンサ50の上面にはP電極52Pが形成されており、P電極52Pは、ケース蓋51の裏面上に形成された接続電極53Pを介して、P端子54Pに接続されている。P端子54Pは、P電極7P、アルミワイヤ9、及び絶縁基板2上に形成された回路パターンを介して、パワー半導体素子5に接続されている。
【0056】
このように本実施の形態5に係るパワーモジュールによれば、平滑コンデンサ50が、ケース枠6及びケース蓋51から成るケース内において、ケース蓋51の裏面上に配設されている。従って、平滑コンデンサ50とパワー半導体素子5との間の配線経路を短縮でき、回路のインダクタンスを低減することができる。
【0057】
また、平滑コンデンサ50は、ケース外の外部環境と隔離されるため、外部環境に起因する平滑コンデンサ50へのゴミの付着や錆の発生等を抑制できる。即ち、耐環境性の向上を図ることができる。
【0058】
さらに、平滑コンデンサ50はケース蓋51に接触して取り付けられているため、平滑コンデンサ50における発熱を、ケース蓋51を介して外部に放熱することができる。なお、図16,17には平板状のケース蓋51を示したが、ケース蓋51の外形をフィン状にすることにより、放熱性をさらに向上することができる。
【0059】
実施の形態6.
図18は、本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールに関して、N端子8Nが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。制御基板14と絶縁基板2との間にはシールド板56が配設されており、ケース枠6の内面には、シールド板56の周縁の一部に接触する階段状構造が設けられている。階段状構造の上面上には端子59Nが形成されており、端子59Nは、ケース枠6内に埋め込まれた接続電極7N2を介して、N電極7N1に接続されている。N電極7N1の一端はN端子8Nに接続されており、他端はアルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5に接続されている。
【0060】
平滑コンデンサ55は、シールド板56の裏面(絶縁基板2に対向する側の面)上に取り付けられている。平滑コンデンサ55の上面(シールド板56の裏面に接触する側の面)にはN電極57Nが形成されており、N電極57Nは、シールド板56の裏面上に形成された接続電極58Nを介して、端子59Nに接続されている。
【0061】
また、図19は、本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールに関して、P端子8Pが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。上記階段状構造の上面上には端子59Pが形成されており、端子59Pは、ケース枠6内に埋め込まれた接続電極7P2を介して、P電極7P1に接続されている。P電極7P1の一端はP端子8Pに接続されており、他端はアルミワイヤ9、及び絶縁基板2上に形成された回路パターンを介して、パワー半導体素子5に接続されている。平滑コンデンサ55の上面にはP電極57Pが形成されており、P電極57Pは、シールド板56の裏面上に形成された接続電極58Pを介して、端子59Pに接続されている。
【0062】
このように本実施の形態6に係るパワーモジュールによれば、平滑コンデンサ55が、ケース枠6及びケース蓋16から成るケース内において、シールド板56の裏面上に配設されている。従って、上記実施の形態5に係るパワーモジュールよりも、平滑コンデンサ55とパワー半導体素子5との間の配線経路を短縮でき、回路のインダクタンスをさらに低減することができる。また、平滑コンデンサ55は外部環境と隔離されるため、耐環境性の向上を図ることもできる。
【0063】
実施の形態7.
図20は、本発明の実施の形態7に係るパワーモジュールに関して、N端子8Nが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。本実施の形態7に係るパワーモジュールは、上記実施の形態6に係るパワーモジュールを基礎として、シールド板56に、特にプリント基板から成るシールド板63を採用したものである。ケース枠6には、その内面に沿って、シールド板63の周縁に接触する階段状構造が設けられている。シールド板63の裏面は熱伝導シート64によって全面が覆われており、平滑コンデンサ60は、シールド板63の中央部において、熱伝導シート64上に配設されている。
【0064】
平滑コンデンサ60の第1側面に設けられたN電極61Nは、N電極61Nに接触し、シールド板63を貫通する接続電極62N1と、シールド板63の上面上に形成され、接続電極62N1に接触する導体パターン62N2と、導体パターン62N2に接触し、シールド板63を貫通する接続電極62N3とをこの順に介して、端子59Nに接続されている。
【0065】
また、図21は、本発明の実施の形態7に係るパワーモジュールに関して、P端子8Pが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。上記第1側面に対向する平滑コンデンサ60の第2側面に設けられたP電極61Pは、P電極61Pに接触し、シールド板63を貫通する接続電極62P1と、シールド板63の上面上に形成され、接続電極62P1に接触する導体パターン62P2と、導体パターン62P2に接触し、シールド板63を貫通する接続電極62P3とをこの順に介して、端子59Pに接続されている。
【0066】
本実施の形態7に係るパワーモジュールのその他の構造は、図18,19に示した上記実施の形態6に係るパワーモジュールの構造と同様である。
【0067】
このように本実施の形態7に係るパワーモジュールによれば、上記実施の形態6に係るパワーモジュールと同様に、回路のインダクタンスの低減、及び耐環境性の向上を図ることができる。また、平滑コンデンサ60を熱伝導シート64を介してシールド板63の裏面上に配設したため、平滑コンデンサ60における発熱を、熱伝導シート64及びケース枠6を介して外部に効果的に放熱できるとともに、発熱に伴う応力を緩和することもできる。
【0068】
実施の形態8.
図22は、本発明の実施の形態8に係るパワーモジュールに関して、N端子8Nが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。本実施の形態8に係るパワーモジュールは、上記実施の形態6に係るパワーモジュールを基礎として、シールド板56に、特に金属製のシールド板65を採用したものである。平滑コンデンサ55のN電極57Nと、階段状構造の上面上に設けられた端子59Nとは、シールド板65の裏面上に設けられ、絶縁薄膜で被覆された接続導体66Nを介して互いに接続されている。
【0069】
また、図23は、本発明の実施の形態8に係るパワーモジュールに関して、P端子8Pが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。平滑コンデンサ55のP電極57Pと、階段状構造の上面上に設けられた端子59Pとは、シールド板65の裏面上に設けられ、絶縁薄膜で被覆された接続導体66Pを介して互いに接続されている。
【0070】
本実施の形態8に係るパワーモジュールのその他の構造は、図18,19に示した上記実施の形態6に係るパワーモジュールの構造と同様である。
【0071】
このように本実施の形態8に係るパワーモジュールによれば、上記実施の形態6に係るパワーモジュールと同様に、回路のインダクタンスの低減、及び耐環境性の向上を図ることができる。また、平滑コンデンサ55を、金属製のシールド板65の裏面上に配設したため、平滑コンデンサ55における発熱を、シールド板65及びケース枠6を介して外部に効果的に放熱することができる。
【0072】
第5の参考例(実施の形態9)
図24は、本発明の第5の参考例に係るパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。平滑コンデンサ70は、パワー半導体素子5が搭載されていない部分の絶縁基板2の上面上に、縦置きに配設されている。平滑コンデンサ70の上面にはN電極71Nが形成されており、N電極71Nを覆い、かつP電極71Pに接触しないように、接続電極72が配設されている。接続電極72の一端はアルミワイヤ9を介してN電極7Nに接続されており、他端はアルミワイヤ9を介してパワー半導体素子5に接続されている。
【0073】
平滑コンデンサ70の底面にはP電極71Pが形成されており、P電極71Pは、絶縁基板2上に形成されている回路パターンを介して、パワー半導体素子5に接続されている。また、P電極71Pは、上記回路パターン及びアルミワイヤ9を介して、P電極7P(現実にはN電極7Nとは同一断面上には現れないため、図24においては破線で示している)に接続されている。
【0074】
このように本第5の参考例に係るパワーモジュールによれば、平滑コンデンサ70が、ケース枠6及びケース蓋16から成るケース内に配設されているため、上記実施の形態5〜8に係るパワーモジュールと同様に、耐環境性の向上を図ることができる。
【0075】
また、平滑コンデンサ70は絶縁基板2上に配設されているため、平滑コンデンサ70とパワー半導体素子5との間の配線経路を著しく短縮でき、回路のインダクタンスを大きく低減することができる。
【0076】
なお、平滑コンデンサ70を、絶縁基板2の材質と同じ材質によって構成してもよい。例えば、絶縁基板2がセラミックで構成されている場合に、平滑コンデンサ70として、セラミックコンデンサを採用する。これにより、平滑コンデンサ70と絶縁基板2との熱膨張係数を互いに等しくできるため、熱膨張係数の相違に起因する各種不都合を回避でき、パワーモジュールの信頼性を高めることができる。
【0077】
第6の参考例(実施の形態10)
図25は、本発明の第6の参考例に係るパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。平滑コンデンサ80は、絶縁基板2が配設されていない部分のベース板1の上面上に、縦置きに配設されている。特に図25に示した構造では、平滑コンデンサ80はケース枠6内に埋め込まれた状態で配設されている。平滑コンデンサ80の上面にはN電極81Nが形成されており、N電極81Nは、導電性の接着材や半田等によってN電極7Nに接触・固定されている。
【0078】
また、平滑コンデンサ80の底面にはP電極81Pが形成されており、P電極81Pは、導電性の接着材や半田等によって、P電極7P(現実にはN電極7Nとは同一断面上には現れないため、図25においては破線で示している)に接触・固定されている。なお、P電極7Pとベース板1との間は、互いに絶縁されている。
【0079】
このように本第6の参考例に係るパワーモジュールによれば、上記実施の形態5〜9に係るパワーモジュールと同様に耐環境性の向上を図ることができるとともに、平滑コンデンサ80が金属製のベース板1上に配設されているため、平滑コンデンサ80における発熱を、ベース板1を介して効果的に外部に放熱することができる。
【0080】
また、平滑コンデンサ80のN電極81N及びP電極81Pを、N電極7N及びP電極7Pにそれぞれ直接的に接触・固定する構成としたことにより、以下の効果が得られる。即ち、接続電極等を介して両電極間をそれぞれ接続する場合と比較すると、電極間接続用の部材が不要となるため、軽量化及び低コスト化を図ることができる。また、平滑コンデンサ80のN電極81N及びP電極81Pにそれぞれ接続された接続電極と、N電極7N及びP電極7Pにそれぞれ接続された端子とをネジ止めにより固定する構成と比較すると、ネジ止め部における接触抵抗の発生を回避でき、パワーモジュール全体としてのエネルギー損失を抑制することができる。とともに、接触抵抗の発生に伴う発熱も抑制され、冷却機構の小型化を図ることもできる。
【0081】
第7の参考例(実施の形態11)
図26は、本発明の第7の参考例に係るパワーモジュールに関して、N電極95Nが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。ケース枠6及び絶縁基板2は、冷却水の流路91を内部に有する水冷フィン90上に横置きに配設されている。平滑コンデンサ92は、水冷フィン90の裏面(絶縁基板2が配設されている面とは反対側の面)上に配設されている。ケース枠6内には、ケース枠6の内側面から外側面に貫通するN電極95Nが埋め込まれている。平滑コンデンサ92の側面上に形成されたN電極93Nは、接続導体94Nを介してN電極95Nに接続されている。接続導体94Nは、水冷フィン90の底面、側面、及びケース枠6の外側面の一部に形成されている。
【0082】
図27は、本発明の第7の参考例に係るパワーモジュールに関して、P電極95Pが配設されている部分の断面構造を示す断面図である。ケース枠6内には、ケース枠6の内側面から外側面に貫通するP電極95Pが埋め込まれている。平滑コンデンサ92の側面上に形成されたP電極93Pは、接続導体94Pを介してP電極95Pに接続されている。接続導体94Pは、水冷フィン90の底面、側面、及びケース枠6の外側面の一部に形成されている。
【0083】
このように本第7の参考例に係るパワーモジュールによれば、平滑コンデンサ92が、水冷フィン90の裏面上に配設されている。従って、平滑コンデンサ92における発熱を、水冷フィン90によって効果的に放熱することができ、パワーモジュールの信頼性を高めることができる。
【0084】
なお、上記各実施の形態5〜8及び第1〜第7の参考例において、充放電特性に優れるセラミックコンデンサを平滑コンデンサに用いることにより、パワーモジュールの動作の高速化を図ることができる。
【0091】
【発明の効果】
また、この発明のうち請求項1に係るものによれば、平滑コンデンサはケース外の外部環境と隔離されるため、耐環境性の向上を図ることができる。
【0092】
さらに、この発明のうち請求項1に係るものによれば、平滑コンデンサにおける発熱を、ケース蓋を介して外部に放熱することができる。
【0093】
また、この発明のうち請求項2に係るものによれば、請求項1に係るパワーモジュールよりも、平滑コンデンサとパワー半導体素子との間の配線経路を短縮でき、回路のインダクタンスをさらに低減することができる。
【0094】
また、この発明のうち請求項3に係るものによれば、平滑コンデンサにおける発熱を、熱伝導シート及びケース枠を介して外部に効果的に放熱できるとともに、平滑コンデンサの発熱に伴う応力を緩和することもできる。
【0095】
また、この発明のうち請求項4に係るものによれば、平滑コンデンサにおける発熱を、シールド板及びケース枠を介して外部に効果的に放熱することができる。
【0100】
また、この発明のうち請求項5に係るものによれば、充放電特性に優れるセラミックコンデンサを採用することにより、パワーモジュールの動作の高速化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の参考例に係るパワーモジュール本体部の構造を模式的に示す上面図である。
【図2】 図1に示したラインX1に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図3】 本発明の第1の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。
【図4】 図3に示したパワーモジュール本体部と平滑コンデンサとの接続部分を拡大して示す断面図である。
【図5】 3つの平滑コンデンサが配設されたパワーモジュールの構成を模式的に示す上面図である。
【図6】 3つの平滑コンデンサが配設されたパワーモジュールの構成を模式的に示す上面図である。
【図7】 本発明の第2の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。
【図8】 図7に示したラインX2に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図9】 図7に示したラインX3に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図10】 本発明の第2の参考例の変形例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。
【図11】 本発明の第3の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。
【図12】 図11に示したラインX4に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図13】 本発明の第4の参考例に係るパワーモジュールの全体構成を模式的に示す上面図である。
【図14】 ケース枠に固定される前の平滑コンデンサ及び弾性体を示す断面図である。
【図15】 図13に示したラインX5に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図16】 本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールに関して、N端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図17】 本発明の実施の形態5に係るパワーモジュールに関して、P端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図18】 本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールに関して、N端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図19】 本発明の実施の形態6に係るパワーモジュールに関して、P端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図20】 本発明の実施の形態7に係るパワーモジュールに関して、N端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図21】 本発明の実施の形態7に係るパワーモジュールに関して、P端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図22】 本発明の実施の形態8に係るパワーモジュールに関して、N端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図23】 本発明の実施の形態8に係るパワーモジュールに関して、P端子が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図24】 本発明の第5の参考例に係るパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。
【図25】 本発明の第6の参考例に係るパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。
【図26】 本発明の第7の参考例に係るパワーモジュールに関して、N電極が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図27】 本発明の第7の参考例に係るパワーモジュールに関して、P電極が配設されている部分の断面構造を示す断面図である。
【図28】 従来のパワーモジュール本体部の構造を模式的に示す上面図である。
【図29】 図28に示したラインX100に沿った位置における断面構造を示す断面図である。
【図30】 側面側から眺めた場合の、従来のパワーモジュールの全体構成を模式的に示す断面図である。
【図31】 上面側から眺めた場合の、平滑コンデンサと接続導体との接続部分の構造を模式的に示す断面図である。
Claims (5)
- パワー半導体素子が搭載された第1の基板と、
前記パワー半導体素子を制御するための制御回路が形成された第2の基板と、
前記パワー半導体素子に電気的に接続され、外部から前記パワー半導体素子に供給される電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、
前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記平滑コンデンサが内部に配設された、ケース枠及びケース蓋を有するケースとを備え、
前記平滑コンデンサは、前記ケース蓋に接触して、前記第2の基板に対向する側に配設されていることを特徴とする、
パワーモジュール。 - パワー半導体素子が搭載された第1の基板と、
前記パワー半導体素子を制御するための制御回路が形成された第2の基板と、
前記パワー半導体素子に電気的に接続され、外部から前記パワー半導体素子に供給される電圧を平滑化するための平滑コンデンサと、
前記第1の基板、前記第2の基板、及び前記平滑コンデンサが内部に配設された、ケース枠及びケース蓋を有するケースと、
前記第1の基板と前記第2の基板との間に配設され、前記ケース枠に固定されたシールド板とを備え、
前記平滑コンデンサは、前記シールド板上に配設されていることを特徴とする、
パワーモジュール。 - 前記シールド板と前記平滑コンデンサとの間に形成された熱伝導シートをさらに備える、請求項2に記載のパワーモジュール。
- 前記シールド板は金属から成るシールド板であることを特徴とする、請求項2に記載のパワーモジュール。
- 前記平滑コンデンサはセラミックコンデンサであることを特徴とする、請求項1〜請求項4のいずれか一つに記載のパワーモジュール。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000143482A JP4044265B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | パワーモジュール |
US09/690,012 US6522544B1 (en) | 2000-05-16 | 2000-10-17 | Power module |
DE10103106.8A DE10103106B4 (de) | 2000-05-16 | 2001-01-24 | Leistungsmodul |
US10/314,989 US6762937B2 (en) | 2000-05-16 | 2002-12-10 | Power module |
US10/810,832 US6900986B2 (en) | 2000-05-16 | 2004-03-29 | Power module |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000143482A JP4044265B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | パワーモジュール |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007225187A Division JP4550093B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | パワーモジュール |
JP2007225188A Division JP4583423B2 (ja) | 2007-08-31 | 2007-08-31 | パワーモジュール |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001326318A JP2001326318A (ja) | 2001-11-22 |
JP2001326318A5 JP2001326318A5 (ja) | 2005-11-04 |
JP4044265B2 true JP4044265B2 (ja) | 2008-02-06 |
Family
ID=18650295
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000143482A Expired - Fee Related JP4044265B2 (ja) | 2000-05-16 | 2000-05-16 | パワーモジュール |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6522544B1 (ja) |
JP (1) | JP4044265B2 (ja) |
DE (1) | DE10103106B4 (ja) |
Families Citing this family (80)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
2000
- 2000-05-16 JP JP2000143482A patent/JP4044265B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-10-17 US US09/690,012 patent/US6522544B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-01-24 DE DE10103106.8A patent/DE10103106B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-12-10 US US10/314,989 patent/US6762937B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-03-29 US US10/810,832 patent/US6900986B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2001326318A (ja) | 2001-11-22 |
US20030063442A1 (en) | 2003-04-03 |
US6522544B1 (en) | 2003-02-18 |
US6762937B2 (en) | 2004-07-13 |
DE10103106B4 (de) | 2015-11-12 |
US6900986B2 (en) | 2005-05-31 |
US20040179341A1 (en) | 2004-09-16 |
DE10103106A1 (de) | 2001-12-06 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050810 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050810 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051226 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070703 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070831 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071002 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071115 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111122 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121122 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |