JP2014120657A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】電力端子への応力または振動を緩和する機能を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、樹脂パッケージ4と、半導体素子11と、封止樹脂14と、金属端子10と、を備える。封止樹脂は、樹脂パッケージ内に充填され、半導体素子及び絶縁基板5を封ずる。金属端子は、樹脂パッケージ内から樹脂パッケージ外に延伸し、樹脂パッケージ内で半導体素子に電気的に接続される。金属端子は、樹脂天板3を含む樹脂パッケージの上面に平行な平面体により構成されボルト貫通用の孔を有するバスバー取り付け部10aと、放熱板の表面に垂直な方向に延伸しバスバー取り付け部に繋がる引出部10bと、バスバー取り付け部において樹脂パッケージの上面に垂直な方向へ反発力を有するバネ構造10cと、を有する。
【選択図】図1
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、樹脂パッケージ4と、半導体素子11と、封止樹脂14と、金属端子10と、を備える。封止樹脂は、樹脂パッケージ内に充填され、半導体素子及び絶縁基板5を封ずる。金属端子は、樹脂パッケージ内から樹脂パッケージ外に延伸し、樹脂パッケージ内で半導体素子に電気的に接続される。金属端子は、樹脂天板3を含む樹脂パッケージの上面に平行な平面体により構成されボルト貫通用の孔を有するバスバー取り付け部10aと、放熱板の表面に垂直な方向に延伸しバスバー取り付け部に繋がる引出部10bと、バスバー取り付け部において樹脂パッケージの上面に垂直な方向へ反発力を有するバネ構造10cと、を有する。
【選択図】図1
Description
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
電力用の半導体装置は、樹脂パッケージ内にシリコン系樹脂で封止された、大電力用途のIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)またはMOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等の半導体素子を有する。樹脂パッケージの上面は、樹脂パッケージ内を封止する樹脂蓋または、電力端子や信号端子の支持体となる樹脂製のターミナルホルダーにより構成される。樹脂蓋は、樹脂製の外枠の上端の開口を塞ぐように形成される。また、ターミナルホルダーは、半導体素子の各種電極に電気的に接続された電力端子または信号端子が樹脂パッケージ内から外へ延伸するように、電力端子または信号端子を支持する。この場合、電力端子または信号端子は、ターミナルホルダーの開口部をとおり、樹脂パッケージ内から外へ延伸する。ターミナルホルダーは、シリコン系樹脂の上に設けられたエポキシ系樹脂により、樹脂パッケージの外枠に対して固定される。大電力用半導体装置が実際の大電力制御回路などに用いられるときは、電力端子の端は、ボルト及びナットを用いてバスバーにねじ止めされる。大電力用半導体装置と電力制御回路との間で、大電流はバスバーを介して流れる。この構造のため、大電力用半導体装置の電力端子等は、バスバーを介して応力または振動等を受ける。この結果、樹脂パッケージ内で、電力端子の半田固定箇所が破壊され、導電性不良等が発生する。または、電力端子とバスバーとのねじ止めが緩み、導電性不良の発生の虞がある。
電力端子への応力または振動を緩和する半導体装置を提供する。
本発明の実施形態に係る半導体装置は、樹脂パッケージと、半導体素子と、封止樹脂と、金属端子と、を備える。樹脂パッケージは、放熱板と、放熱板の表面の縁を沿って放熱板の表面上を取り囲む樹脂ケースと、放熱板から離間して放熱板上に設けられた樹脂天板と、を有する。半導体素子は、放熱板上に絶縁基板を介して設けられる。封止樹脂は、樹脂パッケージ内に充填され、半導体素子及び絶縁基板を封ずる。金属端子は、樹脂パッケージ内から樹脂パッケージ外に延伸し、樹脂パッケージ内で半導体素子に電気的に接続される。金属端子は、樹脂天板を含む樹脂パッケージの上面に平行な平面体により構成されボルト貫通用の孔を有するバスバー取り付け部と、樹脂パッケージの上面に垂直な方向に延伸しバスバー取り付け部に繋がる引出部と、バスバー取り付け部において樹脂パッケージの上面に垂直な方向へ反発力を有するバネ構造と、を有する。
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら説明する。実施形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。
(第1の実施形態)
図1を用いて、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子10の要部を拡大した斜視図を示す。
図1を用いて、本発明の第1の実施形態に係る半導体装置を説明する。図1は、第1の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子10の要部を拡大した斜視図を示す。
第1の実施形態に係る半導体装置は、樹脂パッケージ4と、半導体素子11と、シリコンゲル14(封止樹脂)、エポキシ樹脂15(封止樹脂)と、電力端子10(金属端子)及び信号端子8(金属端子)と、を備える。
樹脂パッケージ4は、放熱板1と、樹脂ケース2と、ターミナルホルダー3(樹脂天板)とにより構成される。放熱板1は、銅またはセラミックスにより構成される。樹脂ケース2は、放熱板1の表面の縁を沿って放熱板1の表面上を取り囲む。樹脂ケース2は、例えば、PBT(Polybutyleneterephtalate)またはPPS(Polyphenylenesulfide)により構成される。ターミナルホルダー3は、平板状であり、放熱板1上に離間して設けられる。後述するように、ターミナルホルダー3、樹脂ケース2、及び放熱板1により囲まれた樹脂パッケージ4内には、シリコンゲル14が充填され、シリコンゲル14上にはエポキシ樹脂15が充填される。ターミナルホルダー3は、エポキシ樹脂15により、樹脂ケース2に固定される。ターミナルホルダー3は、例えば、PBTまたはPPSにより構成される。
半導体素子11は、放熱板1上に絶縁基板5を介して設けられる。半導体素子11は、例えば、サイリスタ、ダイオード、IGBTまたはMOSFETなどの電流が流れる半導体素子である。本実施形態に係る半導体装置においては、半導体素子11は、単数の場合で説明するが、実際には、これらがそれぞれ複数、またはこれらがそれぞれ組み合わされて用いられることもある。本実施形態では、以下、半導体素子11はMOSFETを例に説明する。
絶縁基板5は、裏面のほぼ全面に金属膜6を有する。金属膜6は、例えば、銅である。絶縁基板5は、金属膜6と放熱板1との半田付けにより、放熱板1上へ固定される。絶縁基板5は、表面に金属配線パターン7a〜7cを有する。金属配線パターンは、例えば、銅である。半導体素子11は、裏面のドレイン電極を介して金属配線パターン7a上に搭載される。半導体素子11の表面には、ソース電極及びゲート電極が設けられている。
ドレイン電極用の電力端子10の一端が、絶縁基板5上の金属配線パターン7aに電気的に接続される。ドレイン電極用の電力端子10は、金属配線パターン7aを介して半導体素子11のドレイン電極に電気的に接続される。ドレイン電極用の電力端子10は、バスバー取り付け部10a、引出部10b、2つの折り返し部10c、10d、により構成される。ドレイン電極用の電力端子10は、例えば、銅により構成される。
引出部10bは、一端が金属配線パターン7aに電気的に接続され、放熱板1の表面に垂直な方向に延伸し、ターミナルホルダー3を開口部を介して通り抜ける。すなわち、ドレイン電極用の電力端子10は、樹脂パッケージ4内から樹脂パッケージ外へ延伸する。
金属端子10のバスバー取り付け部10aは、ターミナルホルダー3の上面に平行な平板状の平面体により構成される。バスバー取り付け部10aは、ボルトを通すための孔10eを有する。バスバー取り付け部10aの一端は折り返されることにより、バスバー取り付け部10aは、バスバー取り付け部10aに対向する折り返し部10cを有する。同様にして、バスバー取り付け部10aは、その一端とは反対側の他端で、バスバー取り付け部10aに対向する折り返し部10dを有する。
バスバー取り付け部10aは、他端の折り返し部10dにおいてターミナルホルダー3を通り抜けた引出部10bの前述の一端とは反対側の他端に接続される。バスバー取り付け部10aは、上記2つの折り返し部10c、10dを介してターミナルホルダー3上に配置される。折り返し部10c、10dは、ターミナルホルダー3の上面と垂直な方向(樹脂パッケージの上面に垂直な方向)へ反発力を有ずるバネ構造として機能する。
放熱板1とは反対側のターミナルホルダー3の上面には凹み3aが設けられる。ドレイン電極用の電力端子10をボルトでバスバーに固定するためのナット13aが、この凹み3a内に設けられる。凹み3aの中心が、放熱板1に垂直な方向において、電力端子10のバスバー取り付け部10aに設けられた孔10eの中心と同一線上にあるように、凹み3aが形成される。凹み3aは、ナット13aと同じ平面形状を有する。これにより、ナット13aは、凹み3a内に収まって、ボルトにより締め付けられる際に動かないように固定される。また、ナット13aの孔の中心とバスバー取り付け部10aの孔13eの中心が放熱板に垂直な方向で同一線上に並ぶ。
電力端子10のバスバー取り付け部10aの一端で折り返された折り返し部10cの先端が、バスバー取り付け部10aとナット13aとの間に挟まれるように、折り返し部10cが形成される。図示しないボルトが、図示しないバスバーの孔及び電力端子10のバスバー取り付け部10aの孔10eを通りナット13aに締め付けられることで、バスバーとドレイン電極用の電力端子10が電気的に接続されることができる。
ソース電極用の電力端子10の一端が、絶縁基板5上の金属配線パターン7bに電気的に接続される。ソース電極用の電力端子10は、ドレイン電極用の電力端子10と全く同じ構造であり、全く同じように、樹脂パッケージ4内から樹脂パッケージ4外に延伸し、ターミナルホルダー3の上面に形成された凹み3b内に設けられたナット13b上に、そのバスバー取り付け部10aが配置される。ソース電極用の電力端子10は、ドレイン電極用の電力端子10と同様に、バスバー取り付け部10aにおいて図示しないボルトにより図示しないバスバーと電気的に接続されることができる。
金属配線パターン7bは、ボンディングワイヤ12により半導体素子11のソース電極に電気的に接続される。これにより、ソース電極用の電力端子10は、金属配線パターン7b及びボンディングワイヤ12を介して、半導体素子11のソース電極と電気的に接続される。
信号端子8が、一端が絶縁基板5上の金属配線パターン7cに電気的に接続される。信号端子8は、樹脂パッケージ4内から樹脂パッケージ4外へ電力端子10と同様にターミナルホルダー3を通り抜けて延伸する。金属配線パターン7cは、半導体素子11のゲート電極とボンディングワイヤ12により電気的に接続される。これにより、信号端子は、金属配線パターン7c及びボンディングワイヤ12を介して、半導体素子11のゲート電極と電気的に接続される。すなわち、ゲート電極は、信号端子8により樹脂パッケージ4外に引き出される。
樹脂パッケージ4内にシリコンゲル14が充填されることにより、半導体素子11、絶縁基板5、ボンディングワイヤ12、ドレイン電極用の電力端子10の引出部10b、ソース電極用の電力端子10の引出部10b、及び信号端子8が、シリコンゲル14により封じられる。さらに、シリコンゲル14上に、エポキシ樹脂15が設けられることにより、ターミナルホルダー3が、樹脂ケース2に固定される。さらに、シリコンゲル14が、樹脂パッケージ4内にエポキシ樹脂15により封じられる。
なお、本実施形態に係る半導体装置では、シリコンゲル14とエポキシ樹脂15とを用いて、半導体素子11等が封じられていた。しかしながら、エポキシ樹脂15よりも半導体素子11に対する応力が小さい低応力エポキシ樹脂を用いれば、低応力エポキシ樹脂だけで、樹脂パッケージ4内で半導体素子11等が封じられ、ターミナルホルダー3を樹脂ケース2に固定することが可能となる。
本実施形態に係る半導体装置では、ドレイン電極用及びソース電極用の電力用端子10は、バスバー取り付け部10a、引出部10b、及び折り返し部10c、10dにより構成される。折り返し部10c、10dは、バスバー取り付け部10aの一端とその反対側の他端に設けられる。このため、バスバー取り付け部10aが、ボルトとナット13によりバスバーに固定されると、両端の折り返し部10c、10dが、ターミナルホルダー3の上面に垂直な方向へ反発力を有するバネとして機能する。すなわち、折り返し部10c、10dはバネ構造である。従って、電力端子10は、バスバー取り付け部10a、引出部10、及びバネ構造を有する。
半導体装置のドレイン電極及びソース電極の電力端子10が、ボルト及びナット13により、バスバーに電気的に固定されると、バスバーから振動等が半導体装置の電力端子10に伝搬される。電力端子10の引出部10bと絶縁基板5上の金属配線パターン7a、7bは、半田付けにより電気的に接続されている。このため、電力端子10に振動が伝わると、この半田付けした部分に亀裂が入り、導電不良が発生してしまう。
しかしながら、本実施形態に係る半導体装置では、上記のようにドレイン電極用及びソース電極用の電力端子10は、バスバー取り付け部10a、引出部10b、及び折り返し部10c、10dにより構成されることによって、折り返し部10c、10dがバネとして機能する。このため、バスバーから電力端子10に伝搬してきた振動は、折り返し部10c、10dにより緩和される。この結果、電力端子10の引出部10bと絶縁基板5上の金属配線パターン7a、7bとの半田付け部分に振動がほとんど伝搬されないので、本実施形態に係る半導体装置では、導電不良が大きく抑制される。
さらに、電力端子10の折り返し部10c、10dの先端が、バスバー取り付け部10aとナット13a、13bとの間に入り込んでいることにより、折り返し部10c、10dはワッシャーとして機能する。すなわち、折り返し部10c、10dが有する放熱板に垂直な方向の反発力により、ボルトとナット3aとの締め付けが強固にされる。この結果、バスバーから電力端子10に振動が伝わってきても、本実施形態に係る半導体装置では、電力端子10のバスバー取り付け部1aにおいて、ボルトとナット13a,13bとのねじの緩みの発生を抑制することができる。従って、電力端子10とバスバーとの導電不良の発生が抑制される。
(第2の実施形態)
第2の実施形態に係る半導体装置を図2を用いて説明する。図2は第2の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子10の要部を拡大した斜視図を示す。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
第2の実施形態に係る半導体装置を図2を用いて説明する。図2は第2の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子10の要部を拡大した斜視図を示す。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
本実施形態に係る電力半導体装置では、ソース電極用の電力端子10の引出部10bが樹脂ケース22内に埋め込まれて、樹脂ケースと一体的に金型により形成される。ソース電極用の電力端子10は、第1の実施形態と同様に、バスバー取り付け部10a、引出部10b、両端の2つの繰り返し部10c、10dを有する。本実施形態に係るソース電極用電力端子10は、引出部10bの一部の形状を除いて、第1の実施形態に係るソース電極用電力端子10と全て同じ形状を有する。
樹脂ケース22は、内部に電力端子10の引出部10bを内蔵するため、第1の実施形態に係る樹脂ケースより厚く形成される。樹脂ケース22は放熱板とは反対側に上面を有する。この上面には、ナット13bを収納するための凹み3bが、第1の実施形態に係るターミナルホルダー3の上面に凹み3a、3bが形成されていたのと同様に、形成される。
ソース電極用の電力端子10のバスバー取り付け部10aは、第1の実施形態と同様に、両端の2つの折り返し部10c、10dを介して、上記樹脂ケース22の上面上に設けられる。バスバー取り付け部10aの孔10eの中心と、樹脂ケース22の上面の凹み3b内に設けられたナット13bの孔の中心とが、放熱板1の表面に垂直な方向において同一線上にある。バスバー取り付け部10aの一端の折り返し部の先端は、バスバー取り付け部10aとナット13bとの間に入り込んでいる。また、他端の折り返し部は、引出部10bの上端に繋がっている。引出部10bは、樹脂ケース22の上面から樹脂ケース22内を放熱板1に垂直な方向に沿って延伸し、放熱板1に達しない位置で曲折し、放熱板1と平行に樹脂ケース22内を延伸して樹脂パッケージ24内に露出する。
ソース電極用の電力端子10の引出部10bの樹脂パッケージ内に露出した一端では、引出部10bの上方の樹脂ケース22の部分が、引出部10bの下方の樹脂ケース22の部分よりも、樹脂ケース22の外側に向かって薄くなっている。このため、引出部10bの放熱板1とは反対側の上面が樹脂パッケージ24内に露出される。この引出部10bの露出された一端と絶縁基板5上の金属配線パターン7a上に搭載された半導体素子11bのソース電極とは、ボンディングワイヤ12により電気的に接続される。
本実施形態では、半導体素子は、絶縁基板5上の金属配線パターン7a上に電気的に並列に搭載されたMOSFET11a及びMOSFET11bにより構成される。MOSFET11aのソース電極とMOSFET11bのソース電極とは、ボンディングワイヤ12により電気的に接続される。
図示しないドレイン電極用の電力端子10も、ソース電極用電力端子10と同じように、樹脂ケース22内に引出部10bが内蔵されて形成される。ドレイン電極用の電力端子10も、ソース電極用の電力端子10と全く同じ、バスバー取り付け部10a、引出部10b、及び両端の2つの折り返し部10c、10dにより構成される。ドレン電極用の電力端子10は、ソース電極用の電力端子10と同様に、樹脂パッケージ24内に引出部10bの一端が露出される。この露出された一端は、絶縁基板上で2つの半導体素子10a、10bが搭載された金属配線パターン7aに図示しないボンディングワイヤにより電気的に接続される。
信号端子8も、ソース電極用の電力端子10と同じように、樹脂ケース22内に内蔵されて形成される。信号端子8の一端は、ソース電極及びドレイン電極用の電力端子10と同様に、樹脂パッケージ24内に露出される。信号端子8の樹脂パッケージ24内で露出された一端の上面は、半導体素子11aのゲート電極とボンディングワイヤにより電気的に接続される。図示は省略するが、信号端子8の一端は、半導体素子11bのゲート電極に対しても、同様にしてボンディングワイヤにより電気的に接続される。信号端子8の上記一端とは反対側の他端は、樹脂パッケージ24の外に突き出ることにより、2つの半導体素子11a、11bのゲート電極が、樹脂パッケージ24の外に引き出される。
ゲル状のシリコン系樹脂14が、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、樹脂ケース22に囲まれた放熱板1上に注入され、絶縁基板5、半導体素子11a、11b、ボンディングワイヤ12、ドレイン電極用及びソース電極用の電力端子10、及び信号端子8が、シリコン樹脂14により封じられる。
本実施形態に係る半導体装置では、電力端子10及び信号端子8が、樹脂ケース内に一体的に設けられているため、これらを支えるターミナルホルダー3が必要ない。これに替わって、樹脂パッケージ24内を封じるために、樹脂蓋23(樹脂天板)が用いられる。樹脂蓋23は、樹脂ケース24の上端の開口部を塞ぐように、樹脂ケース24の上端の開口部にはめ込まれる。このため、本実施形態に係る半導体装置では、第1の実施形態に係る半導体装置と違い、エポキシ樹脂15は不要である。樹脂パッケージ24は、放熱板1、樹脂ケース22、及び樹脂蓋23により構成される。
本実施形態に係る半導体装置においても、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ドレイン電極用及びソース電極用の電力端子10は、バスバー取り付け部10a、引出部10b、及び2つの折り返し部10c、10dにより構成されることによって、2つの折り返し部10c、10dがバネとして機能する。このため、バスバーから電力端子10に伝搬してきた振動は、折り返し部10c、10dにより緩和される。この結果、電力端子10の引出部10bとボンディングワイヤとのボンディング部分に振動がほとんど伝搬されないので、本実施形態に係る半導体装置においても、導電不良が大きく抑制される。
さらに、ドレイン電極用及びソース電極用の電力端子10の折り返し部10cの先端が、バスバー取り付け部10aとナット13a、13bとの間に入り込んでいることにより、折り返し部10cはワッシャーとして機能する。すなわち、折り返し部10cが有する放熱板1に垂直な方向の反発力により、ボルトとナット3aとの締め付けを強固にする。この結果、バスバーから電力端子10に振動が伝わってきても、本実施形態に係る半導体装置では、電力端子10のバスバー取り付け部10aにおいて、ボルトとナット13a,13bとのねじの緩みの発生を抑制することができる。従って、電力端子10とバスバーとの導電不良の発生が抑制される。
なお、本実施形態に係る半導体装置は、2つの半導体素子11を有する場合で説明したが、これに限定されずに、電気的に並列に接続された単数または複数の半導体素子を有することが可能である。
(第3の実施形態)
第3の実施形態に係る半導体装置を図3を用いて説明する。図3は第3の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子30の要部を拡大した斜視図を示す。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
第3の実施形態に係る半導体装置を図3を用いて説明する。図3は第3の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。図中には、模式断面図とともに、電力端子30の要部を拡大した斜視図を示す。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
図3に示したように、本実施形態に係る半導体装置では、ドレイン電極用の電力端子30のバスバー取り付け部10aは、一端で放熱板1とは反対側に折り返されて形成された折り返し部30cを有し、この一端とは反対側の他端では、折り返し部を有しない。バスバー取り付け部30aは、この他端で、引出部30bの上端に直接直交するように接続される。すなわち、電力端子30は、樹脂パッケージ4内から樹脂パッケージ4外へターミナルホルダー3を通り抜けたところで曲折し、ターミナルホルダー3上に直接設けられたバスバー取り付け部30aと、ターミナルホルダー3を貫通する引出部30bと、を有する。
バスバー取り付け部30aは、ボルトを通すための孔30eを有し、この孔30eの中心は、ターミナルホルダー3の上面の凹み3a内に設けられたナット13aの孔の中心と、放熱板1の垂直方向において同一線上にある。バスバー取り付け部30aの孔30eの径は、少なくとも、ナット13aの外径よりも小さく、ナット13aの孔の径よりも大きい。
バスバー取り付け部30aの折り返し部30cは、バスバー取り付け部30aの孔30eの直上でバスバー取り付け部30aと対向するように延伸する。折り返し部30cは、バスバー取り付け部30aの孔30eと同じ径を有するボルトを通すための孔30fを有する。その孔30fの中心がバスバー取り付け部30aの孔30eの中心と、放熱板1の表面に垂直な方向において同一線上にある。
本実施形態に係る半導体装置では、ドレイン電極用の電力端子30は、第1の実施形態に係る電力端子10と同様に、バスバー取り付け部30a、折り返し部30c、及び引出部30bを有する。しかしながら、本実施形態に係るドレイン電極用の電力端子30のバスバー取り付け部30a及び折り返し部30cの構造が、第1の実施形態に係る電力端子10のバスバー取り付け部10a及び折り返し部10c、10dと上記の点で相異する。
本実施形態に係る半導体装置では、ドレイン電極用の電力端子30とバスバーとをボルトで連結する際は、バスバーの孔、ドレイン電極用の電力端子30のバスバー取り付け部30aの孔10e、及び折り返し部30cの孔30fに通したボルトを、ナット13aに締め付ける。これにより、第1の実施形態に係るドレイン電極用の電力端子10と同様に、本実施形態に係るドレイン電極用の電力端子30は、バネ構造として折り返し部30cを有する。折り返し部30cは、放熱板1と垂直方向に反発力を有する。また、本実施形態に係る半導体装置においても、ドレイン電極用の電力端子30の折り返し部30cは、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ワッシャーとして機能する。
本実施形態に係る半導体装置では、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ソース電極用の電力端子30に関しても、ドレイン電極用の電力端子30と同様の構造及び同様の機能を有する。
本実施形態に係る半導体装置においても、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ドレイン電極用及びソース電極用の電力端子30は、バスバー取り付け部30a、引出部30b、及び折り返し部30cにより構成されることによって、折り返し部30cがバネとして機能する。このため、バスバーから電力端子30に伝搬してきた振動は、折り返し部30cにより緩和される。この結果、電力端子30の引出部30bと絶縁基板5上の金属配線パターン7a、7bとの半田付け部部に振動がほとんど伝搬されないので、本実施形態に係る半導体装置においても、導電不良が大きく抑制される。
さらに、電力端子30のバスバー取り付け部30aの孔30eの径が、ナット13a、13bの外径よりも小さく、ナット13a、13bの孔の径よりも大きいことにより、折り返し部10cはワッシャーとして機能する。すなわち、折り返し部10cが有する放熱板1に垂直な方向の反発力により、ボルトとナット3a、3bとの締め付けを強固にする。この結果、バスバーから電力端子30に振動が伝わってきても、本実施形態に係る半導体装置では、電力端子30のバスバー取り付け部30aにおいて、ボルトとナット13a,13bとのねじの緩みの発生を抑制することができる。従って、電力端子30とバスバーとの導電不良の発生が抑制される。
(第4の実施形態)
第4の実施形態に係る半導体装置を図4を用いて説明する。図4は第4の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
第4の実施形態に係る半導体装置を図4を用いて説明する。図4は第4の実施形態に係る半導体装置の模式断面図である。なお、第1の実施形態で説明した構成と同じ構成の部分には同じ参照番号または記号を用いその説明は省略する。第1の実施形態との相異点について主に説明する。
図4に示したように、本実施形態に係る半導体装置では、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ドレイン電極用の電力端子40は、バスバー取り付け部40a、引出部40b、及び折り返し部40gにより構成される。
ドレイン電極用の電力端子40の引出部40bは、樹脂パッケージ4内から樹脂パッケージ4外へ、放熱板1に垂直な方向に沿って延伸し、ターミナルホルダー3を貫通する。引出部40bの一端は、ターミナルホルダー3の上面において折り返され、引出部40bと対向する折り返し部40gが設けられる。引出部40bの一端とは反対側の他端は、半導体素子11が搭載された絶縁基板上の金属配線パターン7aに、半田付けにより電気的に接続される。
バスバー取り付け部40aは、ターミナルホルダー3の放熱板とは反対側の上面の凹み3a内に設けられたナット13aを覆うように、直接ターミナルホルダー3の上面上に設けられる。バスバー取り付け部40aの一端は、上記引出部40bの一端に設けられた折り返し部40gに接続される。バスバー取り付け部40aは、ボルトを通すための孔40eを有する。バスバー取り付け部40aの孔40eの中心は、放熱板1に垂直な方向において、ナット13aの孔の中心と同一線上にある。
本実施形態に係る半導体装置では、ドレイン電極用の電力端子40が、上記の点で、第1の実施形態に係る半導体装置のドレイン電極用の電力端子10と相異する。本実施形態に係るドレイン電極用の電力端子40では、バスバー取り付け部40aが、引出部40bの折り返し部40gを介して引出部40bにより支持される。この結果、折り返し部40gはバネ構造として機能するので、バスバー取り付け部40aは、放熱板1に垂直な方向に反発力を有する。これにより、第1の実施形態に係るドレイン電極用の電力端子10と同様に、本実施形態に係るドレイン電極用の電力端子40は、ボルトとナット13aにより連結されたバスバーからの振動または応力を緩和することができる。
本実施形態に係るソース電極用の電力端子40も、上記ドレイン電極用の電力端子40と同様の構造及び同様の機能を有する。上記以外に関しては、本実施形態に係る半導体装置は、第1の実施形態に係る半導体装置と同じ構造を有する。
本実施形態に係る半導体装置においても、第1の実施形態に係る半導体装置と同様に、ドレイン電極用及びソース電極用の電力端子40は、バスバー取り付け部40a、引出部40b、及び折り返し部40gにより構成されることによって、折り返し部40gがバネ構造として機能する。このため、バスバーから電力端子40に伝搬してきた振動は、折り返し部40gにより緩和される。この結果、電力端子40の引出部40bと絶縁基板5上の金属配線パターン7a、7bとの半田付け部に振動がほとんど伝搬されないので、本実施形態に係る半導体装置においても、導電不良が大きく抑制される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 放熱板
2、22 樹脂ケース
3 ターミナルホルダー
3a、3b 凹み
4、24 樹脂パッケージ
5 絶縁基板
6 裏面金属膜
7a、7b、7c 金属配線パターン
8 信号端子
10、30、40 電力端子
10a、30a、40a バスバー取り付け部
10b、30b、40b 引出部
10c、10d、30c、40g 折り返し部
10e、30e、30f、40e 孔
11 半導体素子
12 ボンディングワイヤ
13a、13b ナット
14 シリコンゲル
15 エポキシ樹脂
23 樹脂蓋
2、22 樹脂ケース
3 ターミナルホルダー
3a、3b 凹み
4、24 樹脂パッケージ
5 絶縁基板
6 裏面金属膜
7a、7b、7c 金属配線パターン
8 信号端子
10、30、40 電力端子
10a、30a、40a バスバー取り付け部
10b、30b、40b 引出部
10c、10d、30c、40g 折り返し部
10e、30e、30f、40e 孔
11 半導体素子
12 ボンディングワイヤ
13a、13b ナット
14 シリコンゲル
15 エポキシ樹脂
23 樹脂蓋
Claims (12)
- 放熱板と、前記放熱板の表面の縁を沿って前記表面上を取り囲む樹脂ケースと、前記放熱板から離間して前記放熱板上に設けられた樹脂天板と、を有する樹脂パッケージと、
前記放熱板上に絶縁基板を介して設けられた半導体素子と、
前記樹脂パッケージ内に充填され、前記半導体素子及び前記絶縁基板を封ずる封止樹脂と、
前記樹脂パッケージ内から前記樹脂パッケージ外に延伸し、前記樹脂パッケージ内で前記半導体素子に電気的に接続された金属端子と、
を備え、
前記金属端子は、
前記樹脂天板の上面に平行な平面体により構成され、ボルト貫通用の孔を有するバスバー取り付け部と、
前記放熱板の表面に垂直な方向に延伸し、前記バスバー取り付け部に繋がる引出部と、
前記バスバー取り付け部において前記樹脂天板の上面に垂直な方向へ反発力を有するバネ構造と、
を有し、
前記バネ構造は、前記バスバー取り付け部の一端が折り返されて前記バスバー取り付け部に対向するように形成された折り返し部によって構成され、
前記金属端子は、前記バスバー取り付け部の前記一端とは反対側の他端が折り返されて前記バスバー取り付け部に対向するように形成された別の折り返し部によって構成された別のバネ構造をさらに有し、
前記折り返し部と前記別の折り返し部は、前記放熱板側に折り返されており、
前記別の折り返し部により前記バスバー取り付け部と前記引出部が連結され、
前記引出部は、前記樹脂天板を通り抜けており、
前記バスバー取り付け部は前記バネ構造及び前記別のバネ構造を介して前記樹脂天板上にあり、
前記樹脂天板の前記放熱板とは反対側の面に設けられた凹み内にナットをさらに備え、
前記バスバー取り付け部の前記孔の中心は、前記放熱板の表面に垂直な方向において、前記ナットの孔の中心と同一線上にあり、
前記ナットと前記バスバー取り付け部との間に、前記折り返し部の先端が入り込んでいる半導体装置。 - 放熱板と、前記放熱板の表面の縁を沿って前記表面上を取り囲む樹脂ケースと、前記放熱板から離間して前記放熱板上に設けられた樹脂天板と、を有する樹脂パッケージと、
前記放熱板上に絶縁基板を介して設けられた半導体素子と、
前記樹脂パッケージ内に充填され、前記半導体素子及び前記絶縁基板を封ずる封止樹脂と、
前記樹脂パッケージ内から前記樹脂パッケージ外に延伸し、前記樹脂パッケージ内で前記半導体素子に電気的に接続された金属端子と、
を備え、
前記金属端子は、
前記樹脂天板の上面に平行な平面体により構成され、ボルト貫通用の孔を有するバスバー取り付け部と、
前記放熱板の表面に垂直な方向に延伸し、前記バスバー取り付け部に繋がる引出部と、
前記バスバー取り付け部において前記樹脂天板の上面に垂直な方向へ反発力を有するバネ構造と、
を有する半導体装置。 - 前記バネ構造は、前記バスバー取り付け部の一端が折り返されて前記バスバー取り付け部に対向するように形成された折り返し部によって構成された請求項2記載の半導体装置。
- 前記金属端子は、前記バスバー取り付け部の前記一端とは反対側の他端が折り返されて前記バスバー取り付け部に対向するように形成された別の折り返し部によって構成された別のバネ構造をさらに有し、
前記折り返し部と前記別の折り返し部は、前記放熱板側に折り返されており、
前記別の折り返し部により前記バスバー取り付け部と前記引出部が連結されている請求項3記載の半導体装置。 - 前記引出部は、前記樹脂天板を通り抜けており、
前記バスバー取り付け部は前記バネ構造及び前記別のバネ構造を介して前記樹脂天板上にある請求項4記載の半導体装置。 - 前記樹脂天板の前記放熱板とは反対側の面に設けられた凹み内にナットをさらに備え、
前記バスバー取り付け部の前記孔の中心は、前記放熱板の表面に垂直な方向において、前記ナットの孔の中心と同一線上にあり、
前記ナットと前記バスバー取り付け部との間に、前記折り返し部の先端が入り込んでいる請求項5記載の半導体装置。 - 前記引出部は前記樹脂ケース内に設けられ、
前記バスバー取り付け部は前記バネ構造を介して前記樹脂ケースの上面上にある請求項4記載の半導体装置。 - 前記樹脂ケースの前記上面に設けられた凹み内にナットをさらに備え、
前記バスバー取り付け部の前記孔の中心は、前記放熱板の表面に垂直な方向において、前記ナットの孔の中心と同一線上にあり、
前記ナットと前記バスバー取り付け部との間に、前記折り返し部の先端が入り込んでいる請求項7記載の半導体装置。 - 前記折り返し部は、前記放熱板とは反対側に折り返されており、
前記バスバー取り付け部は前記樹脂天板上に直接設けられ、前記一端とは反対側の他端で前記樹脂天板を通り抜けた前記引出部に連結されている請求項3記載の半導体装置。 - 前記折り返し部は、前記放熱板の表面に垂直な方向において前記バスバー取り付け部の前記孔の中心と同一線上に中心を有する別の孔を有する請求項9記載の半導体装置。
- 前記樹脂天板の前記放熱板とは反対側の面に設けられた凹み内にナットをさらに備え、
前記放熱板の表面に垂直な方向において前記ナットの孔の中心と同一線上に、前記バスバー取り付け部の前記孔の前記中心がある請求項10記載の半導体装置。 - 前記樹脂天板の前記放熱板とは反対側の面に設けられた凹み内にナットをさらに備え、
前記放熱板の表面に垂直な方向において前記ナットの孔の中心と同一線上に、前記バスバー取り付け部の前記孔の中心が有り、
前記引出部は、前記樹脂パッケージ内から前記樹脂天板を通り抜けて形成され、
前記バネ構造は、前記引出部の一端が前記樹脂天板上で折り返されて前記引出部に対向して前記バスバー取り付け部に連結される折り返し部により構成される、請求項2記載の半導体装置。
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