JP4395096B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置に関し、とりわけ主電極とバスバーとの間の接触面積を増大させた半導体装置に関する。

近年の半導体装置は、さまざまな技術分野で応用され、大電力（高電圧・大電流）を必要とする電気自動車や産業用装置のモータの電流制御用スイッチング装置（パワーモジュール）としても極めて重要なキーデバイスの位置を確立している。

こうした従来式のパワーモジュールは、ここでは図示しないが、概略、ケースに内蔵された絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などの電力用半導体素子と、電力用半導体素子と電気的に接続された主電極と、主電極およびモータなどの駆動部品に電気的に接続されたバスバーとを有する。主電極およびバスバーは、ケースの主面と実質的に平行に延びている。そして、主電極とバスバーは、それぞれ同心軸上に設けられた貫通孔を有し、これらの貫通孔を貫通するボルトをナットに締め付けることにより電気的に接続される。

一般に、主電極とバスバーの間における接触抵抗に起因して、電力損失が生じ得る。とりわけ、大きな電流が流れると、接触抵抗が小さくても、電力損失は無視できない程度に大きくなることがある。そこで、主電極とバスバーの間に生じ得る電気抵抗を極力抑えることが必要となる。そのためには、主電極とバスバーの間のより大きい接触面積において、バスバーを主電極により密着させなければならない。

特許文献１のバスバーの接続方法によれば、一対のあて板を介して、接続すべき一対のバスバーの両側から挟みつけ、あて板およびバスバーに同心軸上に設けられたねじ孔に貫通させたボルトをナットに締め付けることにより、一対のバスバーをより広範な領域でより密接に当接させることが開示されている。
特開平９−２３３６５８号公報

しかしながら、接続すべきバスバーにボルトを貫通させるためのねじ孔を設けると、ねじ孔の面積だけ両者間の接触面積が確実に減少し、接触抵抗が増大する。したがって、接触抵抗をできるだけ小さく抑えて、電力損失を極力避けるためには、バスバー自体の面積を大きくしなければならず、これは半導体装置の小型化を阻害するものであった。

また上記以外の従来技術によるパワーモジュールも同様に、バスバーおよび主電極にねじ孔（貫通孔）が設けられ、形成されたねじ孔の面積に呼応して両者間の接触面積が減り、接触抵抗が大きくなる。したがって、バスバーおよび主電極の間で実質的な電力損失が生じ、多量のジュール熱が発生する（極めて高温となる）ことを防止するためには、バスバーおよび主電極の接触面積を大きく設定する必要があり、その結果バスバー、ひいてはパワーモジュールの寸法を小さくすることが困難であった。

本発明の１つの態様による半導体装置は、ケースと、前記ケース内に配設された半導体素子と、前記半導体素子と電気的に接続された主電極と、固定部材を用いて、前記ケースに固定された圧接バーと、前記主電極と前記圧接バーの間に挟持され、前記主電極と電気的に接続されたバスバーとを備え、前記圧接バーが前記バスバーに対向する対向部および対向しない非対向部からなり、該圧接バーの該対向部と前記主電極の間に該バスバーが挟持されることを特徴とする。

本発明の１つの態様によれば、バスバーおよび主電極にねじ孔を形成することなく、バスバーおよび主電極の間の接触抵抗をできるだけ小さく抑えて（両者間の電力損失を極力抑えて）、信頼性の高い小型化された半導体装置を提供することができる。

以下、添付図面を参照して本発明に係る半導体装置の実施の形態を説明する。各実施の形態の説明において、理解を容易にするために方向を表す用語（例えば、「上方」および「下方」など）を適宜用いるが、これは説明のためのものであって、これらの用語は本発明を限定するものでない。

実施の形態１．
ここで図１を参照しながら、本発明に係る半導体装置（パワーモジュール）の実施の形態１について以下に説明する。図１（ａ）〜（ｃ）に示すパワーモジュール１は、概略、良好な熱伝導性を有する銅などの金属板からなる金属ベース板１０と、金属ベース板１０上に固定された樹脂などの絶縁材料からなるケース２０とを備えている。またパワーモジュール１は、ケース２０の内部において、図１（ｃ）に示すように、半田などの導電性接着材（図示せず）を介して金属ベース板１０に固着された、一対の主面（表面および裏面）上に金属パターン１１ａ，１１ｂを含む絶縁基板１２と、同様に半田などの導電性接着材（図示せず）を介して絶縁基板１２上に実装された少なくとも１つの半導体素子１４（例えば、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）チップまたはフリーホイールダイオード（ＦＷＤ）チップ）と、ケース２０の内部から上側主面２２まで延びる主電極（外部接続用端子）２４とを有する。また、半導体素子１４は図示しないチップ電極を有し、チップ電極および主電極２４はアルミニウムなどからなる導電性ワイヤ１６を用いて電気的に接続されている。

さらに、図１（ｃ）に示すパワーモジュール１は、絶縁基板１２および半導体素子１４の上方にある空間１８に、半導体素子１４および導電性ワイヤ１６を保護するために充填されたシリコーンゲルと、その上方を封止するために配設されたエポキシ樹脂と（ともに図示せず）を有し、さらにその上方を覆う蓋２６を備える。なお、蓋２６は、ケース２０と同様の樹脂などの絶縁材料からなる。

図１（ａ）に示すパワーモジュール１において、蓋２６は、４つのねじ２７を用いてケース２０に固定されている。また、図１（ａ）および（ｃ）に示すように、本実施の形態による主電極２４は、ケース２０から突出した部分において、ケース２０の上側主面２２に支持され、これに対して実質的に平行に延びている。
また主電極２４上には、主電極２４と実質的に平行に延びる金属材料からなる板状のバスバー３０が配設されている。このバスバー３０は、後述する圧接バー４０に押圧されることにより、圧接バー４０と主電極２４の間に挟持され、主電極２４との良好な電気的接続を実現する。

本実施の形態の圧接バー４０は、銅などの金属材料からなり、バスバー３０に対向・当接する中央部（対向部）４２と、バスバー３０に対向・当接しない両端部（非対向部）４４ａ，４４ｂとを有する。圧接バー４０の両端部４４ａ，４４ｂには一対の貫通孔４５ａ，４５ｂが設けられている。また、図１（ｂ）に示すように、これらの貫通孔４５ａ，４５ｂの位置に合わせてケース２０内にナット４６ａ，４６ｂが埋め込み成型され、一対のボルト４８ａ，４８ｂが圧接バー４０の貫通孔４５ａ，４５ｂを介してナット４６ａ，４６ｂに螺合することにより、圧接バー４０がバスバー３０を主電極２４に向かって押圧し、圧接バー４０の中央部（対向部）４２と主電極２４の間にバスバー３０が挟持される。

このように、上述の従来式の半導体装置とは異なり、バスバー３０および主電極２４にはボルトを挿通させるための貫通孔が形成されないので、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積を広げることができる。したがって、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗を低減して、両者間で生じ得る電力損失を極力小さく抑えることができる。あるいは、電力損失を小さく維持しながら、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積、さらにはバスバー３０と主電極２４の寸法を小さくして、パワーモジュール１の小型化を図ることができる。さらに、バスバー３０および主電極２４は、貫通孔を有さないことに起因して、機械的強度をこれまでのものに比べて実質的に改善することができ、特に、このパワーモジュール１が機械的振動に曝される場合、バスバー３０および主電極２４が貫通孔付近で破断することを防止し、信頼性の高いパワーモジュール１を実現できる。

実施の形態２．
図２を参照しながら、本発明に係る実施の形態２について以下に説明する。実施の形態２によるパワーモジュール２は、圧接バー４０が蓋２６の内部に埋め込み成型される点を除いて、実施の形態１のパワーモジュール１と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態１と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

上述の通り、実施の形態２の圧接バー４０は、図２（ｂ）〜（ｄ）に示すように、蓋２６の内部に埋め込み成型されている。したがって、シリコーンゲルおよびエポキシ樹脂をケース２０の内部に充填した後、蓋２６をケース２０上に配設し、バスバー３０を圧接バー４０と主電極２４の間に挟んだ状態で、ケース２０内に一体成型されたナット４６ａ，４６ｂにボルト４４ａ，４４ｂを螺合させることにより、容易にパワーモジュール２を完成させることができる。このように、実施の形態２のパワーモジュール２は構造が簡単で、製造しやすく、ナット４６ａ，４６ｂを確実に固定することができる。したがって、製造コストを削減して、安価で信頼の高いパワーモジュール２を提供することができる。

実施の形態３．
図３を参照しながら、本発明に係る実施の形態３について以下に説明する。実施の形態３によるパワーモジュール３は、概略、圧接バー４０を固定するためのボルトを用いて、ケース２０、ベース板１０およびヒートシンクを固定する点を除いて、実施の形態２のパワーモジュール２と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態２と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

実施の形態３のパワーモジュール３において、圧接バー４０は、実施の形態２と同様、ケース２０の内部に埋め込み成型されている。ただし、実施の形態２の圧接バー４０の両端部４４がバスバー３０より上方の位置で固定され、中央部４２がバスバー３０と当接するために下向きに凹んだ断面形状を有するのに対し（図２（ｂ））、実施の形態３の圧接バー４０の両端部４４ａ，４４ｂはバスバー３０より低い位置に配置され、その中央部４２はバスバー３０と当接するよう上向きに突出した断面形状を有する（図３（ｂ））。

また、実施の形態３のパワーモジュール３は、図３（ａ）〜（ｄ）に示すように、複数のねじ孔５１が設けられたヒートシンク５０を有し、ベース板１０、蓋２６、および圧接バー４０は、ヒートシンク５０のねじ孔５１ａ，５１ｂと同軸状に形成された貫通孔１３ａ，１３ｂ、２７ａ，２７ｂ，４１ａ，４１ｂをそれぞれ有する。

こうして、バスバー３０を圧接バー４０と主電極２４の間に挟んだ状態で、実施の形態２のボルトよりやや長尺の一対のボルト５２ａ，５２ｂを、蓋２６、圧接バー４０、およびベース板１０の貫通孔１３ａ，１３ｂ、２７ａ，２７ｂ，４１ａ，４１ｂに挿通させ、ヒートシンク５０のねじ孔５１ａ，５１ｂに螺合させることにより、バスバー３０を圧接バー４０と主電極２４の間で挟持するとともに、蓋２６（およびケース２０）をベース板１０およびヒートシンク５０に固定させることができる。したがって、実施の形態３によれば、実施の形態２に比して、組み立て作業性が格段に改善され、製造コストがさらに低減された安価なパワーモジュール３を実現することができる。

実施の形態４．
図４を参照しながら、本発明に係る実施の形態４について以下に説明する。実施の形態４によるパワーモジュール４は、概略、主電極２４と、バスバー３０の真上に固定されたボルトなどの固定部材の先端部との間にバスバー３０を挟持する点を除いて、実施の形態１のパワーモジュール１と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態１と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

実施の形態４によるパワーモジュール４は、ボルトなどの固定部材６２を支持するクランパ６０を有する。クランパ６０は、ケース２０と同様の樹脂からなり、ケース２０上に固定されるか、蓋２６と一体に成形されている。クランパ６０は、図４（ｂ）および（ｃ）に示すように、バスバー３０が延びる方向に開口し、空洞部６４を有する。この空洞部６４内において、バスバー３０を主電極２４とボルト６２の先端部６３との間に配置した状態で、ボルト６２をケース２０の方へ締め付けることにより、主電極２４とボルト６２の先端部６３との間でバスバー３０を確実に挟持することができる。特に図示しないが、ボルト６２の締め付けを支援するために、クランパ６０の天井部６５にナットを埋め込み成型してもよい。

このように構成されたパワーモジュール４は、実施の形態１と同様、バスバー３０および主電極２４に貫通孔が形成されないので、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積を従来のものより広げることができる。すなわち、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗を低減して、電力損失を極力小さく抑えることができる。さらに換言すると、本実施の形態によれば、電力損失を小さく維持しながら、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積、ひいてはバスバー３０と主電極２４の寸法を小さくして、パワーモジュール４の小型化を図ることができる。同様に、バスバー３０および主電極２４に貫通孔が形成されないので、金属疲労によるバスバー３０の破断が生じにくい信頼性の高いパワーモジュール４を実現できる。

さらに、実施の形態４によれば、図４（ｂ）および（ｃ）に示すように、ボルト６２の先端部６３とバスバー３０の間に、ボルト６２の先端部６３より大きい面積を有する圧接プレート６６を設けることが好ましい。さらに好適には、圧接プレート６６は、実施の形態１の圧接バー４０と同様の金属またはセラミックなどの堅い材料を用いて形成される。こうして、より広い面積のバスバー３０を均一な圧力で押圧することにより、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗をさらに低減し、これらの間に生じ得る電力損失をいっそう小さく抑えることができる。

実施の形態５．
図５を参照しながら、本発明に係る実施の形態５について以下に説明する。実施の形態５によるパワーモジュール５は、概略、主電極２４の一部がケース２０の主面２２に対して実質的に垂直な方向に延びる点、およびバスバー３０および主電極２４に設けられた貫通孔に挿通されたボルトを用いて、バスバー３０と主電極２４の間の電気的接触が実現される点を除いて、実施の形態１のパワーモジュール１と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、実施の形態１と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

実施の形態５によるパワーモジュール５の主電極２４は、とりわけ図５（ｂ）に示すように、半導体素子１４の近傍においてはケース２０の主面２２に対して実質的に平行に延びる平行部分２４ａと、ほぼＬ字状に折り曲げられて、ケース２０の主面２２に対して実質的に垂直な方向に延びる垂直部分２４ｂとを有する。すなわち、主電極２４の垂直部分２４ｂは、ケース２０（または蓋２６）の主面と直交する方向に延びている。

また、主電極２４の垂直部分２４ｂは、ケース２０（または蓋２６）から突出した端部において、貫通孔２８が設けられ、この実施の形態のバスバー３０にも貫通孔３２が設けられている。そして、主電極２４の垂直部分２４ｂおよびバスバー３０の貫通孔２８，３２に挿通されたボルトなどの固定部材７２をナット７４に固定することにより、バスバー３０と主電極２４の垂直部分２４ｂが電気的に接続される。なお、図５（ｂ）に示すように、ナット７４を樹脂などの材料からなるナットホルダ７０に埋め込み成形してもよい。また、このナットホルダ７０は、ケース２０または蓋２６に固定してもよいし、独立した別部材として構成してもよい。

こうして構成されたパワーモジュール５によれば、従来式の半導体装置と同様、ボルト７２とナット７４を用いてバスバー３０を主電極２４に固定するが、固定位置がベース板１０により近いため、より近接した主電極２４およびバスバー３０を介して、半導体素子１４から生じる熱をより効率的に放熱させることができる。
また、ナットホルダ７０を用いなければ、ボルト７２をナット７４に締め付ける際に、主電極２４からケース２０に機械的応力が加わり、主電極２４と導電性ワイヤ１６の間（主電極２４が絶縁基板１２の表面側の金属パターン１１ａと直接的に半田接続される場合は半田接合部）にも応力が加わるが、ナットホルダ７０を用いることにより、こうした機械的応力を緩和することができる。
したがって、実施の形態５によれば、放熱効果が高く、信頼性の高いパワーモジュール５を実現することができる。

実施の形態６．
図６を参照しながら、本発明に係る実施の形態６について以下に説明する。実施の形態６によるパワーモジュール６は、実施の形態４とは別のクランパを用いる点、およびバスバー３０および主電極２４には貫通孔が形成されないようにした点を除いて、実施の形態５のパワーモジュール５と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、上記の実施の形態と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

実施の形態６によるパワーモジュール６の主電極２４は、実施の形態５と同様、ケース２０の主面２２に対して実質的に平行に延びる平行部分２４ａと、ケース２０から露出し、実質的に垂直な方向に延びる垂直部分２４ｂとを有する。また、実施の形態６によれば、クランパ８０が設けられ、このクランパ８０は、図６（ｂ）に示すように、Ｕ字状の断面形状を有し、その内部に空洞部８２を有する。さらに、このクランパ８０は、その一方の端部８３において、蓋２６に形成されたフランジ２９と係合し、他方の端部８４において、ねじ孔８５を有する。こうして、実施の形態４と同様、クランパ８０の空洞部８２において、バスバー３０を主電極２４の垂直部分２４ｂとボルト６２の先端部６３の間に配置した状態でボルト６２をケース２０に対して締め付けることにより、バスバー３０を主電極２４の垂直部分２４ｂとボルト６２の先端部６３の間で確実に挟持することができる。こうして、主電極２４の垂直部分２４ｂおよびバスバー３０を電気的に接続することができる。

したがって、実施の形態６によるパワーモジュール６によれば、実施の形態４と同様、バスバー３０および主電極２４には貫通孔が形成されないので、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積を拡大し、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗を低減して、電力損失を極力小さく抑えることができる。すなわち、電力損失を小さく維持しながら、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積、ひいてはバスバー３０と主電極２４の寸法を小さくして、パワーモジュール６の小型化を図ることができる。また、バスバー３０および主電極２４は貫通孔を持たないので、金属疲労によるバスバー３０の破断が生じにくい信頼性の高いパワーモジュール６を実現できる。さらに、実施の形態６によれば、実施の形態５と同様に、半導体素子１４から生じる熱をより効率的に放熱させ、機械的ストレスを緩和することができるので、放熱効果が高く、信頼性の高いパワーモジュール６を実現することができる。

加えて、実施の形態４と同様、好適には、図６（ｂ）に示すように、ボルト８６の先端部８７とバスバー３０の間に、ボルト８６の先端部８７より大きい面積を有する圧接プレート８８が配設される。こうして、より広い面積のバスバー３０を均一な圧力で押圧することにより、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗をさらに低減し、電力損失を極力抑えることができる。

実施の形態７．
図７を参照しながら、本発明に係る実施の形態７について以下に説明する。実施の形態７によるパワーモジュール７は、複数の小ねじを用いて、単一のバスバー３０を主電極２４との間に挟持する点を除いて、実施の形態４のパワーモジュール４と同様の構成を有するので、重複する部分に関する詳細な説明を省略する。また、上記の実施の形態と同様の構成部品については、同様の符号を用いて説明する。

実施の形態７によるパワーモジュール７のクランパ９０は、図７（ａ）に示すように、上から見て四方に４つのねじ孔９２を有し、図７（ｂ）および（ｃ）に示すように、バスバー３０が延びる方向に開口し、リング状の断面形状を有する外枠で包囲された空間部９４を有する。このクランパ９０の空間部９４には、バスバー３０と主電極２４を重ね合わせた状態で挿入され、小ねじ９６をねじ孔９２に螺合させることにより、小ねじ９６の先端部と主電極２４の間にバスバー３０を挟持する。

実施の形態７のクランパ９０は、４つのねじ孔９２を四方に設けたが、任意の数のねじ孔を任意の適当な位置に設けてもよい。また、この実施の形態のクランパ９０は、実施の形態６に適用することが可能であって、主電極２４の垂直部分２４ｂに配設してもよい。

こうして、実施の形態７によるパワーモジュール７によれば、上記の実施の形態と同様、バスバー３０および主電極２４には貫通孔が形成されないので、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積を拡大して、バスバー３０と主電極２４の間の接触抵抗を低減し、電力損失を極力小さく抑えることができる。すなわち、電力損失を小さく維持しながら、バスバー３０と主電極２４の間の接触面積、ひいてはバスバー３０と主電極２４の寸法を小さくして、半導体装置の小型化を図ることができる。また、バスバー３０および主電極２４は貫通孔を持たないので、金属疲労によるバスバー３０の破断が生じにくい信頼性の高いパワーモジュール７を実現できる。

なお、実施の形態７のパワーモジュール７によれば、バスバー３０および主電極２４は、図７（ａ）において、ともに左右方向に延びるように図示されているが、図８に示すように、クランパ９０が互いに直交する方向（図中の矢印Ａおよび矢印Ｂの方向）に開口し、主電極２４がクランパ９０内において矢印Ａの方向に延びる一方、バスバー３０が矢印Ｂの方向に延びるように、クランパ９０を構成することができる。その結果、このクランパ９０を用いることにより、バスバー３０の配線方向を容易に変更することができるので、周辺回路装置の配置位置に対してより柔軟に対応可能な半導体装置を提供することができる。

本発明にかかる実施の形態１による半導体装置を示す平面図（ａ）、１Ｂ−１Ｂ線から見た端面図（ｂ）、および１Ｃ−１Ｃ線から見た端面図（ｃ）である。 本発明にかかる実施の形態２による半導体装置を示す平面図（ａ）、２Ｂ−２Ｂ線から見た端面図（ｂ）、２Ｃ−２Ｃ線から見た端面図（ｃ）、および２Ｄ−２Ｄ線から見た端面図（ｄ）である。 本発明にかかる実施の形態３による半導体装置を示す平面図（ａ）、３Ｂ−３Ｂ線から見た端面図（ｂ）、３Ｃ−３Ｃ線から見た端面図（ｃ）、および３Ｄ−３Ｄ線から見た端面図（ｄ）である。 本発明にかかる実施の形態４による半導体装置を示す平面図（ａ）、４Ｂ−４Ｂ線から見た端面図（ｂ）、および４Ｃ−４Ｃ線から見た断面図（ｃ）である。 本発明にかかる実施の形態５による半導体装置を示す平面図（ａ）、５Ｂ−５Ｂ線から見た端面図（ｂ）、および５Ｃ−５Ｃ線から見た断面図（ｃ）である。 本発明にかかる実施の形態６による半導体装置を示す平面図（ａ）、６Ｂ−６Ｂ線から見た側面端面図（ｂ）、および正面図（ｃ）である。 本発明にかかる実施の形態７による半導体装置を示す平面図（ａ）、７Ｂ−７Ｂ線から見た側面端面図（ｂ）、および正面断面図（ｃ）である。 実施の形態７の別のクランパを示す斜視図である。

符号の説明

１〜７ パワーモジュール、１０ 金属ベース板、１１ａ，１１ｂ 金属パターン、１２ 絶縁基板、１４ 半導体素子、１６ 導電性ワイヤ、２０ ケース、２２ 主面、２４ 主電極、２６ 蓋、２７ ねじ、３０ バスバー、４０ 圧接バー、４２ 中央部（対向部）、４４ａ，４４ｂ 両端部（非対向部）、５０ ヒートシンク、６０ クランパ、６６ 圧接プレート、７０ ナットホルダ、８０ クランパ、８８ 圧接プレート、９０ クランパ、９６ 小ねじ。

Claims (4)

1. ケースと、
   前記ケース内に配設された半導体素子と、
   前記半導体素子と電気的に接続された主電極と、
   固定部材を用いて、前記ケースに固定された圧接バーと、
   前記主電極と前記圧接バーの間に挟持され、前記主電極と電気的に接続されたバスバーとを備え、
   前記圧接バーが前記バスバーに対向する対向部および対向しない非対向部からなり、該圧接バーの該対向部と前記主電極の間に該バスバーが挟持されることを特徴とする半導体装置。
2. 前記固定部材は、ボルトと、前記ケース内に配設されたナットとからなり、
   前記圧接バーの前記非対向部に圧接バー貫通孔が設けられ、前記ボルトが前記圧接バーの前記圧接バー貫通孔を介して前記ナットに螺合することにより、前記圧接バーの前記対向部と前記主電極の間に前記バスバーが挟持されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記ケース上に配設される蓋をさらに有し、
   前記圧接バーは、前記ケースまたは前記蓋と一体に成形されることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 複数のベース板貫通孔を含むベース板と、
   前記ベース板の前記ベース板貫通孔と同軸上に形成された複数のねじ孔を含むヒートシンクとをさらに有し、
   前記固定部材は複数のボルトからなり、
   前記圧接バーの前記非対向部に圧接バー貫通孔が設けられ、
   前記ボルトが前記圧接バー貫通孔および前記ベース板貫通孔を介して前記ヒートシンクの前記ねじ孔に螺合することにより、前記ケースおよび前記ベース板が前記ヒートシンクに固定されるとともに、前記圧接バーと前記主電極の間にバスバーが挟持されることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。

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