JP4040838B2 - 電力用半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は電力用半導体装置に関し、特に複数の電力用IGBTモジュールで構成されるモジュールユニットに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来からトランジスタ、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ダイオード等の電力用半導体素子をモジュール化した構成(以後、半導体装置モジュールと呼称)が知られている。
【0003】
これらの半導体装置モジュールの電流容量はモジュール内部の各半導体素子の電流容量と、その半導体素子の並列数で決まる。すなわちモジュールの定格電流容量を決定し、定格電流容量を満たすために複数の半導体素子を並列に配設してパッケージングして1個のモジュールを構成している。
【0004】
従来の半導体装置モジュールの一例として、図24に特開平10−125856号公報に示された構成を示す。
【0005】
図24はモジュールの内部構成を示す平面図であり、底面金属基板109の上に同じ構成を有した6つのブロックが配設されている。
【0006】
各ブロックにおいては、4個のIGBT素子101、2個のダイオード素子102および4個の抵抗素子108を有し、それらは絶縁基板103上に配設されている。
【0007】
また、絶縁基板103上のエミッタ配線104上にはエミッタ端子接続位置110が設けられ、コレクタ配線105上にはコレクタ端子接続位置112が設けられ、ゲート配線106上にはゲート端子接続位置113が設けられている。
【0008】
これらエミッタ端子接続位置110、コレクタ端子接続位置112およびゲート端子接続位置113には外部との接続のための電極板(図示せず)が接続される。
【0009】
そして、底面金属基板109の端縁部を囲むように樹脂ケースを配設し、その内部に熱硬化型エポキシ樹脂を封入することで1個の半導体装置モジュールが完成する。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
以上説明したように、従来はモジュールの定格電流容量に応じて複数の電力用半導体素子を並列に配設していたが、以下のような問題点を有していた。
【0011】
すなわち、第1の問題点は、モジュールの定格電流に応じた底面金属基板、樹脂ケースおよび電極板が必要であり、定格電流値の異なるモジュールとの部品の共用が困難ということである。
【0012】
特に、IGBTモジュールにはゲートおよびエミッタの接続端子が必要であり、また制御回路を内蔵したIPM(Intelligent Power Module)では制御基板のスペースが必要であるとともに、保護機能の関係からゲートおよびエミッタに加えてさらに多くの端子が必要でありパッケージの共通化が困難である。
【0013】
なお、樹脂ケース(パッケージ)および各種電極板の作成には、費用的に高額な金型が必要であり、また、モジュールの種類を増やすことは、モジュールを供給する立場としては、管理が煩雑になり得策ではない。
【0014】
第2の問題点は、定格電流値が大きくなると半導体素子数が増え、底面金属基板の面積を広くする必要があることである。その結果、熱応力による歪みを受けやすくなり、ハンダ付け部分のストレス増大に起因する信頼性の低下などの問題が発生しやすくなる。
【0015】
第3の問題点は、並列に接続された複数の半導体素子に電流を流すために、電極板には厚い金属板を使用する必要があることである。上述したように各種電極板は、絶縁基板103上に配設された各種配線パターンにハンダ付けにより接続するが、電極板が厚いと、振動やヒートサイクルを受けた場合に、ハンダ付け部分にストレスが加わりやすくなり、信頼性の低下などの問題が発生しやすくなる。
【0016】
第4の問題点は、電極に流れる電流は測定できるが、並列に接続された複数の半導体素子のそれぞれに流れる電流は測定できないことである。このため、モジュールに定格電流を流した場合、電極間の電流バランスは確認できるが、各半導体素子間の電流バランスは確認することはできない。
【0017】
第5の問題点は、モジュール内の1素子に不具合が発生すると、モジュール全体を交換する必要が生じ、また修理もできなということである。また、大容量になればなるほどロスコストが多くなるが、モジュールを作り込む前に1素子のみを使用状態と同様の条件下でテストをしようとしても困難である。
【0018】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、モジュール間で構成部品や樹脂ケースが共通化され、定格電流値の増大に伴うストレス等の不具合を防止し、各半導体素子個々の特性が測定可能で、テストやメンテナンスが容易な電力用半導体装置を提供することを目的とする。
【0019】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る請求項1記載の電力用半導体装置は、金属基板と、前記金属基板を覆うように配設される箱状の樹脂ケースと、所定の回路パターンを有し、前記金属基板上に配設される絶縁基板と、前記絶縁基板上に設けられた電力用半導体素子と、それぞれの一方端が前記電力用半導体素子の2つの主電極に電気的に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出し、前記電力用半導体素子の主電流が流れる1対の主電極板と、それぞれの一方端が前記電力用半導体素子に電気的に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する前記電力用半導体素子の駆動制御のための制御信号が入力される第1および第2の制御信号端子とを有した半導体装置モジュールを複数個と、複数の前記半導体装置モジュールの上部に渡って配設される制御基板と、を備え、前記制御基板は、複数の前記半導体装置モジュールの、それぞれの前記第1および第2の制御信号端子が直接に接続される第1および第2の配線パターンと、前記第1および第2の配線パターンを介して複数の前記第1および第2の制御信号端子がそれぞれ共通に接続される第1および第2の制御信号端子板とを主面上に有する。
【0020】
本発明に係る請求項2記載の電力用半導体装置は、前記電力用半導体素子が、1個のIGBT素子を含み、前記第1および第2の制御信号端子は、前記IGBT素子のエミッタ電極およびゲート電極に電気的に接続される。
【0021】
本発明に係る請求項3記載の電力用半導体装置は、前記電力用半導体素子が、2個のIGBT素子を含み、前記第1および第2の制御信号端子は、前記IGBT素子のそれぞれに対して1対ずつ配設され、対になった前記第1および第2の制御信号端子は、それぞれ対応する前記IGBT素子のエミッタ電極およびゲート電極に電気的に接続される。
【0022】
本発明に係る請求項4記載の電力用半導体装置は、前記所定の回路パターンが、前記電力用半導体素子が搭載され、その一方の主電極が直接に接続される第1の主回路パターンと、前記電力用半導体素子の他方の主電極が電気的に接続される第2の主回路パターンと、前記第1および第2の制御信号端子が接続される第1および第2の信号回路パターンとを含み、前記1対の主電極板は、前記第1および第2の主回路パターンにそれぞれ直接に接続され、前記第1および第2の制御信号端子は、前記第1および第2の信号回路パターンに直接に接続される。
【0023】
本発明に係る請求項5記載の電力用半導体装置は、前記所定の回路パターンが、前記電力用半導体素子が搭載され、その一方の主電極が直接に接続される第1の主回路パターンと、前記電力用半導体素子の他方の主電極が電気的に接続される第2の主回路パターンとを含み、前記1対の主電極板は、前記第1および第2の主回路パターンにそれぞれ直接に接続され、前記半導体装置モジュールは、前記絶縁基板の前記第1および第2の主回路パターン以外の部分に配設された中継絶縁基板と、前記中継絶縁基板上に配設され、前記電力用半導体素子の動作状態を検出する検出手段とをさらに備え、前記第1および第2の制御信号端子は、前記中継絶縁基板上に配設された第1および第2の中継絶縁基板上パターンに直接に接続される。
【0024】
本発明に係る請求項6記載の電力用半導体装置は、前記電力用半導体素子がIGBT素子を含み、前記検出手段は、前記IGBT素子の電流センス電極からの出力を受ける電流センスパターンと、2つの出力端が第1および第2のサーミスタパターンに接続されたサーミスタ素子とを有し、前記半導体装置モジュールは、一方端が前記電流センスパターンに直接に接続され、他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する電流センス端子と、それぞれの一方端が前記第1および第2のサーミスタパターンに直接に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する第1および第2のサーミスタ端子とをさらに備え、前記制御基板は、前記電流センス端子、前記第1および第2のサーミスタ端子が直接に接続される第3ないし第5の配線パターンとをさらに備える。
【0025】
本発明に係る請求項7記載の電力用半導体装置は、前記制御基板が、前記電力用半導体素子の駆動制御のための前記制御信号を出力する駆動回路をその主面上に備える。
【0026】
本発明に係る請求項8記載の電力用半導体装置は、前記制御基板と複数の前記半導体装置モジュールとの間に配設された前記制御基板と同一形状のシールド金属板をさらに備える。
【0027】
本発明に係る請求項9記載の電力用半導体装置は、前記制御基板と前記シールド金属板との間に配設された前記制御基板と同一形状の絶縁シートをさらに備える。
【0028】
本発明に係る請求項10記載の電力用半導体装置は、前記半導体装置モジュールが、前記樹脂ケースの上面に前記制御基板を固定するネジ穴を有する。
【0029】
本発明に係る請求項11記載の電力用半導体装置は、前記金属基板が、前記樹脂ケースによって覆われず、互いに反対方向に位置する2つの端部を有し、複数の前記半導体装置モジュールの配列は、複数の前記半導体装置モジュールのそれぞれの前記金属基板の2つの端部のうち、少なくとも一方側の上部に渡るように配設された連結板によって連結接続される。
【0030】
本発明に係る請求項12記載の電力用半導体装置は、前記連結板が、複数の前記半導体装置モジュールを連結接続した状態で、被取り付け部に取り付けるための貫通穴を有する。
【0031】
【発明の実施の形態】
<A.実施の形態1>
<A−1.半導体装置モジュールの構成>
本発明に係る電力用半導体装置の実施の形態1として、図1に半導体装置モジュール100を示す。
【0032】
図1は半導体装置モジュール100の内部構成を示す平面図であり、図1において、矩形の底面金属基板9上に絶縁基板3が配設され、絶縁基板3上にはエミッタパターン4、コレクタパターン5、ゲートパターン6、制御エミッタパターン8が互いに電気的に分離されて配設されている。
【0033】
そして、コレクタパターン5上にはIGBT素子1およびダイオード素子2が1個ずつ配設され、IGBT素子1とエミッタパターン4との間、IGBT素子1とゲートパターン6および制御エミッタパターン8との間、ダイオード素子2とエミッタパターン4との間は、複数の金属ワイヤー7によって電気的に接続されている。
【0034】
図2は半導体装置モジュール100の内部構成を示す斜視図であり、ゲートパターン6および制御エミッタパターン8からは、ゲート端子16および制御エミッタ端子18が垂直に延在している。なお、ゲート端子16および制御エミッタ端子18の長さはさらに長いが、図においては省略している。また、説明に無関係な部分の金属ワイヤー7も省略している。
【0035】
図3は半導体装置モジュール100を上面側から見た外観形状を示す平面図であり、図2に示す内部構成を樹脂ケース10で覆った状態を示している。
【0036】
図3において、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12が、樹脂ケース10の上面において外部に突出し、樹脂ケース10の上面に並行になるように折り曲げて配設されている。
【0037】
なお、樹脂ケース10内にはシリコーンゲルおよびエポキシ樹脂等が充填されている。
【0038】
また、樹脂ケース10には、後に説明する制御基板20をネジ止めする複数のナット13が埋め込まれている。
【0039】
また、底面金属基板9の長手方向両端部は樹脂ケース10で覆われず、そこには円形の貫通穴HLと半円形の切欠部NPが設けられている。
【0040】
図4は、図3に示す樹脂ケース10で覆われた半導体装置モジュール100を、矢示A方向の側面側から見た外観形状を示す平面図である。図4に示すように、樹脂ケース10は本体部BDと、本体部BDの上面上に突出するように配設され、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の取り出し部位となる突出部DPとを有した構成となっている。
【0041】
なお、ゲート端子16および制御エミッタ端子18は、本体部BDの上面から外部に突出する構成となっているしている。
【0042】
ここで、図5にIGBT素子1およびダイオード素子2の接続関係を示す。図5に示すようにダイオード素子2は、フリーホイールダイオードとして機能するように、IGBT素子1に対して順電流が還流する向きに並列に接続されている。
【0043】
なお、IGBT素子1のエミッタはエミッタパターン4を介して主エミッタ端子板11に接続されるとともに、制御エミッタパターン8を介して制御エミッタ端子18にも接続されている。
【0044】
制御エミッタ端子18はIGBT素子1の駆動に際して使用され、制御エミッタ端子18とゲート端子16との間にゲート−エミッタ間電圧(例えば15V程度)を印加することでIGBT素子1を駆動することができる。
【0045】
次に、図6を用いて、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の構成について説明する。
【0046】
図6に示すように、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の平面視形状は略L字形状であり、L字形状の底辺にあたる部分の端部が外部に突出して外部端子となり、L字形状の長辺にあたる部分に、上記底辺とは反対方向に延在する内部端子111および121を有している。なお、内部端子111および121は同方向に90度折り曲げられた構成となっている。
【0047】
主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12は、L字形状の長辺にあたる部分の主面どうしが対向するように配設されるが、それぞれの外部端子部分どうしが対面しないように、180度回転した位置関係となるように配設されている。
【0048】
そして、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の対向する主面間には、両者を電気的に絶縁する絶縁シートISが挟まれ、さらに、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の互いに反対方向を向く主面を覆うように絶縁シートISがそれぞれ配設され、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12を、その周囲の構成から電気的に絶縁する構成となっている。
【0049】
なお、各絶縁シートISは、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の各主面に接着されている。
【0050】
図7に主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の半導体装置モジュール100中での配設状態を示す。
【0051】
図7に示すように、絶縁基板3上のコレクタパターン5に主コレクタ端子板12の内部端子121が接合され、エミッタパターン4に主エミッタ端子板11の内部端子111が接合されている。なお、両者の外部端子部分は、これらが突出するように樹脂ケース10を被せた後、図3に示すように折り曲げられる。
【0052】
主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12は、例えば銅板で構成され、3枚の絶縁シートISで挟まれて1枚の板状となっているので、ラミネート板と呼称されることもある。
【0053】
なお、ラミネート板を用いない構成としても良い。図8(A)、(B)にその構成例を示す。
【0054】
図8(A)に示す主エミッタ端子板11Aおよび主コレクタ端子板12Aは、矩形の細長形状の銅板の長辺方向の両端部の一方が折り曲げられ、内部端子111Aおよび121Aとなった構成を有している。
【0055】
なお、主エミッタ端子板11Aおよび主コレクタ端子板12Aを使用する場合、それぞれの外部端子の位置関係は、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12を使用する場合とは入れ替わる。
【0056】
また、図8(B)に示す主エミッタ端子板11Bおよび主コレクタ端子板12Bは、銅板の折り曲げられた部分111Bおよび121Bが絶縁基板3上に直接配設され、主エミッタ端子板11Bの表面がエミッタパターン4を兼用し、主コレクタ端子板12Bの表面がコレクタパターン5を兼用する構成となっている。
【0057】
このように、主電極板としてラミネート板を使用しないことで、コスト低減、製作工程数の低減が可能となる。
【0058】
<A−2.モジュールユニット>
半導体装置モジュール100は、1個のIGBT素子1を有するので、半導体装置モジュール100を複数個集め、電気的に並列に接続して1ユニット(モジュールユニットと呼称)を構成することで、並列に接続された複数のIGBT素子を有する1個の半導体装置モジュールと等価な構成となる。以下、モジュールユニットの構成例について図9〜図14を用いて説明する。
【0059】
<A−2−1.第1の構成例>
図9に、複数の半導体装置モジュール100で構成されるモジュールユニット1000を上部側から見た構成を、図10には図9における矢示B方向から見た構成を示す。
【0060】
図9に示すように、モジュールユニット1000は、4個の半導体装置モジュール100(図3参照)を、それぞれの主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12が一直線上に並ぶように密接して配列した第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2を有している。
【0061】
第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2は、180度回転した位置関係となるように密接して並列に配設されている。
【0062】
そして図10に示すように、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2を接合する部分においては、底面金属基板9の一方の端部の上部に、金属で構成される連結板であるユニット枠221が第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2に跨るように配設され、該ユニット枠221によって底面金属基板9どうしを連結する構成となっている。
【0063】
ユニット枠221と各底面金属基板9との接続は、例えば、各底面金属基板9の裏面に皿穴加工を施し、対応するユニット枠221側にネジ穴を設け、皿ネジにて両者を固定するようにすれば良い。
【0064】
また、各底面金属基板9の切欠部NP(図3参照)が隣り合うことによって形成される貫通穴(図示省略)と、当該貫通穴に対応するようにユニット枠221に配設された貫通穴HL1とを重ね合わせ、両者を貫通するようにネジを挿入して、放熱フィン(図示省略)に設けたネジ穴に固定することでモジュールユニット1000を放熱フィンに固定することができる。
【0065】
また、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2を構成する半導体装置モジュール100のそれぞれの底面金属基板9の他方の端部の上部には、それぞれユニット枠222(連結板)が配設され、該ユニット枠222によって底面金属基板9どうしを連結する構成となっている。なお、ユニット枠222と各底面金属基板9との接続は、ユニット枠221と同様であり、放熱フィンとの固定もユニット枠221と同様である。
【0066】
また、図9に示すように、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2を構成する半導体装置モジュール100の本体部BD(図3参照)の上面全域を覆うように制御基板20が配設されている。
【0067】
制御基板20は絶縁材で構成され、その主面表面にゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58が配設されている。なお、図9においてはゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58が裏面に配設された構成を示しており、上部からは見えないが、便宜的にゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58を示している。
【0068】
制御基板20は本体部BDの上面上だけでなく、ユニット枠221の上部を跨ぐように構成され、ユニット枠221の貫通穴HL1の上部および半導体装置モジュール100の突出部DPに対応する部分が開口部となった構成を有している。
【0069】
また、半導体装置モジュール100の本体部BDの上面から垂直に突出するゲート端子16および制御エミッタ端子18および(図3参照)に対応する部分には貫通穴HL2およびHL3が設けられ、当該貫通穴HL2およびHL3にゲート端子16および制御エミッタ端子18が挿入される構成となっている。
【0070】
ここで、図9における領域Xの断面構成を示す図11を用いて、制御基板20の構成について説明する。
【0071】
図11に示すように、半導体装置モジュール100から垂直に突出する制御エミッタ端子18は制御基板20の貫通穴HL3に挿入されハンダSDにより固定されている。制御エミッタ配線パターン58は制御基板20の下面側(半導体装置モジュール100側)から貫通穴HL3の内および制御基板20の上面側(半導体装置モジュール100とは反対側)にかけて配設されており、ハンダSDにより制御エミッタ端子18と制御エミッタ配線パターン58が電気的に接続されることになる。
【0072】
なお、図11においては制御エミッタ配線パターン58は制御基板20の下面側に配設されているが、制御基板20の上面側に配設されていても良い。
【0073】
また、ゲート端子16は貫通穴HL2に挿入されるが、貫通穴HL2にはゲート配線パターン56が係合していることは言うまでもない。
【0074】
また、ゲート配線パターン56は制御基板20の下面側、上面側のどちらに配設しても良く、また、制御エミッタ配線パターン58およびゲート配線パターン56が同じ主面側に配設されずとも良い。
【0075】
なお、制御エミッタ配線パターン58およびゲート配線パターン56のパターン形状は特に限定されるものではなく、両者が混線しないように配設できるのであればどのような形状であっても良い。
【0076】
そして、制御基板20のそれぞれ複数の貫通穴HL2およびHL3に係合するゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58は、制御基板20上に配設されたゲート端子板23および制御エミッタ端子板24に共通に接続され、ゲート端子板23および制御エミッタ端子板24を介して外部の駆動装置に電気的に接続され、IGBTの駆動信号を受ける構成となっている。
【0077】
なお、全てのゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58は、ゲート端子板23および制御エミッタ端子板24に共通に接続されるので、全ての半導体装置モジュール100のIGBT素子は電気的に並列に接続され、モジュールユニット1000は8個のIGBT素子が並列に接続された構成となる。
【0078】
なお、制御基板20の半導体装置モジュール100の本体部BDの上面に埋め込まれた複数のナット13(図3参照)に対応する部分には貫通穴(図示省略)が設けられ、当該貫通穴を通してネジ25により制御基板20が第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2に固定される。このような構成にすることで、貫通穴HL2およびHL3にゲート端子16および制御エミッタ端子18が挿入された場合に、ゲート端子16および制御エミッタ端子18に制御基板20の荷重がかかることを防止できる。
【0079】
<A−2−2.第2の構成例>
図12に、複数の半導体装置モジュール100で構成されるモジュールユニット2000を上部側から見た構成を、図13には図12における矢示C方向から見た構成を示す。
【0080】
図12に示すように、モジュールユニット2000は、4個の半導体装置モジュール100(図3参照)を、それぞれの主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12が一直線上に並ぶように密接して配列した第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2を有している。
【0081】
第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2は、並行移動した位置関係となるように密接して並列に配設されている。
【0082】
そして、図12に示すように、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2の半導体装置モジュール100の本体部BD(図3参照)の上面上には、互いに独立した制御基板20Aが配設されている。
【0083】
制御基板20Aの平面視形状はL字形であり、L字形状の底辺にあたる部分にゲート端子板23および制御エミッタ端子板24が配設され、L字形状の長辺にあたる部分に、各半導体装置モジュール100のゲート端子16および制御エミッタ端子18を挿入する複数の貫通穴HL2およびHL3が設けられている。
【0084】
その他、図9を用いて説明したモジュールユニット1000と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0085】
モジュールユニット1000と異なるのは、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2で、それぞれ独立した2枚の制御基板20Aを用いている点であり、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2は独立して動作させることが可能である。
【0086】
すなわち、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2は、それぞれ4個のIGBT素子が並列に接続された独立したモジュールユニットとして動作させることができる。
【0087】
なお、例えば、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2の主エミッタ端子板11どうし、および主コレクタ端子板12どうしを電気的に接続し、2枚の制御基板20Aのそれぞれのゲート端子板23および制御エミッタ端子板24を共通化すれば、モジュールユニット1000と同様に8個のIGBT素子が並列に接続された構成にもできる。
【0088】
なお、モジュールユニット2000では、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2で、それぞれ独立した2枚の制御基板20Aを用いる構成を示したが、図14に示すように構造的には一体化した制御基板20Bを用いるようにしても良い。
【0089】
すなわち、図14に示す制御基板20Bは、図12に示した第1モジュールアレイMA1側の制御基板20Aに相当する部分のL字形状の底辺にあたる部分と、第2モジュールアレイMA2側の制御基板20Aに相当する部分のL字形状の底辺にあたる部分とを構造的に一体化したものであるが、ゲート端子板23および制御エミッタ端子板24は、第1モジュールアレイMA1側および第2モジュールアレイMA2側のそれぞれに配設され、第1モジュールアレイMA1側と第2モジュールアレイMA2側とで、ゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58は独立している。
【0090】
<A−3.作用効果>
以上説明したように、本発明に係る半導体装置モジュール100においては、IGBT素子1およびダイオード素子2を1個ずつ有する構成であり、底面金属基板9の面積を小さくすることができるので、熱応力による歪みを受けにくく、ハンダ付け部分のストレス増大に起因する信頼性の低下などの問題の発生を防止できる。
【0091】
また、電流容量が小さいので、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12の厚みを薄くすることができ、絶縁基板3上のエミッタパターン4およびコレクタパターン5との接続において接合部にストレスが加わることが抑制され、信頼性の低下などの問題の発生を防止できる。
【0092】
また、絶縁基板3も小さくできるので、コスト低減が可能となる。
【0093】
そして、定格電流容量を大きくするには半導体装置モジュール100を複数個集め、電気的に並列に接続してモジュールユニットを構成すれば、並列に接続された複数のIGBT素子を有する1個の半導体装置モジュールと等価な構成にできる。
【0094】
従って、あらゆる電流容量に対応したIGBTモジュールユニットを容易に得ることができる。
【0095】
すなわち、モジュールユニット1000を例に採れば、電流容量を大きくするには半導体装置モジュール100の個数を増やし、それに合わせて大型化した制御基板20、ユニット枠221および222を準備すれば良いのでコスト低減が可能となる。
【0096】
ここで、制御基板20においては、ゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58を通じて、各半導体装置モジュール100のゲート端子16および制御エミッタ端子18を共通化できるので、複数の半導体装置モジュール100で構成されるモジュールユニット1000の駆動制御には不可欠の構成である。
【0097】
また、半導体装置モジュール100の使用個数が増えれば、量産効果によりさらなるコスト低減が可能となる。
【0098】
例えば、従来、800アンペアのIGBTモジュールを100台製造していたのに対し、本発明によれば100アンペアのIGBTモジュールを800台製造することになる。
【0099】
また、工場出荷試験時およびユーザー使用時に過電流等により素子が破壊した場合でも、半導体装置モジュール100単位での交換が可能であるので、1つの素子の故障により装置全体が不良品になるという事態を回避でき、ロスコスト(廃却によるロス)を低減できる。
【0100】
また、半導体装置モジュール100の主端子間に流れる電流を測定することにより、IGBT素子1個ずつについての電流バランスを確認することができ、特性にバラつきを有する半導体装置モジュール100を除外することで、特性の揃ったIGBTモジュールユニットを得ることができる。
【0101】
また、モジュールユニット2000のように、モジュールアレイごとにそれぞれ独立した制御基板を用いることで、電流容量だけでなく、異なるアーム数を有する回路など、回路構成の多種多様なバリエーションに対応することが可能となる。
【0102】
なお、制御基板20および20A上に半導体装置モジュール100の並列駆動に関して必要なゲートバランス抵抗や、ゲート電圧保護用ツェナーダイオード等の電気部品を搭載することもでき、これらの電気部品を外部に配設する場合に比べて、占有面積を低減できる。
【0103】
<B.実施の形態2>
<B−1.半導体装置モジュールの構成>
本発明に係る半導体装置の実施の形態2として、図15に半導体装置モジュール200を示す。
【0104】
図15は半導体装置モジュール200の内部構成を示す斜視図であり、IGBT素子1は、中継絶縁基板31上に配設されたゲート抵抗36の一方端が電気的に接続されるゲート抵抗パターン261、制御エミッタパターン28(中継絶縁基板上パターン)および電流センスパターン29に金属ワイヤー7によって電気的に接続されている。
【0105】
そして、制御エミッタパターン28および電流センスパターン29からは、制御エミッタ端子18および電流センス端子19が垂直に延在し、ゲート抵抗36の他方端が電気的に接続されるゲート抵抗パターン262(中継絶縁基板上パターン)からはゲート端子16が垂直に延在している。
【0106】
なお、中継絶縁基板31上にはサーミスタ35が配設されており、サーミスタ35の2つの端子に電気的に接続されるサーミスタパターン251および252からはサーミスタ端子151および152が垂直に延在している。
【0107】
その他、図2に示した半導体装置モジュール100の内部構成と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0108】
図16に半導体装置モジュール200の回路構成を示す。図16に示すように、中継絶縁基板31上にはゲート抵抗36およびサーミスタ35が配設されている。ここで、電流センスパターン29はIGBT素子1の電流センス電極に接続されるが、電流センス電極とは主エミッタ電極11に流れる電流の数千分の1の電流(センス電流)が流れるように形成された電極であり、センス電流を検出することで、IGBT素子1の過電流保護および短絡保護が可能となる。
【0109】
また、サーミスタ35により半導体装置モジュール200内の温度検出が可能になるので、モジュールの過熱保護が可能となる。なお、サーミスタ35の代わりに温度検出のための集積回路を使用することもできる。
【0110】
なお、半導体装置モジュール200においては、ゲート端子16および制御エミッタ端子18の他に、電流センス端子19、サーミスタ端子151および152を有し、これらは樹脂ケース10の外部に突出するので、樹脂ケース10にはこれらに対応した部分に貫通穴が必要となる。しかし、半導体装置モジュール100および200において、ゲート端子16および制御エミッタ端子18の配設位置や配設間隔を同じにし、樹脂ケース10に、ゲート端子16および制御エミッタ端子18のための貫通穴HL2およびHL3とともに、電流センス端子19、サーミスタ端子151および152に対応した貫通穴を予め配設しておけば、半導体装置モジュール100および200において樹脂ケース10を共用できる。
【0111】
<B−2.モジュールユニット>
図17に、複数の半導体装置モジュール100と1個の半導体装置モジュール200で構成されるモジュールユニット3000を上部側から見た構成を、図18には図17における矢示D方向から見た構成を示す。
【0112】
図17に示すように、モジュールユニット3000は、3個の半導体装置モジュール100と1個の半導体装置モジュール200を配列した第1のモジュールアレイMA11と、4個の半導体装置モジュール100を配列した第2のモジュールアレイMA12とを有している。
【0113】
なお、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12は、それぞれの主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12が一直線上に並ぶように密接して配列されており、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12は、180度回転した位置関係となるように密接して並列に配設されている。
【0114】
図17に示すように、第1のモジュールアレイMA11の半導体装置モジュール100および200の本体部BD(図3参照)の上面上、第2のモジュールアレイMA12の本体部BDの上面上には、制御基板21が配設されている。
【0115】
より正確に言えば、制御基板21は略C字形状をなし、C字形状の2つの腕にあたる部分が、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12上において制御基板腕部211および212として配設されている。
【0116】
そして、制御基板腕部211には、半導体装置モジュール100および200のゲート端子16および制御エミッタ端子18を挿入する複数の貫通穴HL2およびHL3に加えて、半導体装置モジュール200の電流センス端子19、サーミスタ端子151および152を挿入する貫通穴HL4、HL5およびHL6が配設されている。なお、貫通穴HL2およびHL3にはゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58が係合し、貫通穴HL4、HL5およびHL6には電流センス配線パターン59、サーミスタ配線パターン551および552が係合する。
【0117】
なお、図17においては各種配線パターンが裏面に配設された構成を示しており、上部からは見えないが、便宜的に各種配線パターンを示している。
【0118】
また、制御基板腕部212には、半導体装置モジュール100のゲート端子16および制御エミッタ端子18を挿入する複数の貫通穴HL2およびHL3が配設されている。
【0119】
そして、制御基板21のC字形状の胴体部をなす部分は、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12の上部から外れて位置し、当該部分を制御基板胴体部213と呼称する。
【0120】
制御基板胴体部213には、駆動回路や保護回路などが形成された回路部41が配設され、また、ゲート配線パターン56および制御エミッタ配線パターン58が共通に接続されるゲート端子板23および制御エミッタ端子板24、電流センス配線パターン59、サーミスタ配線パターン551および552に接続される電流センス端子板39およびサーミスタ端子板351および352が配列された端子台42が配設されている。
【0121】
回路部41に配設される駆動回路は、8個のIGBT素子のオン/オフ動作を並列して行う回路であり、保護回路は、半導体装置モジュール200の電流センス端子19およびサーミスタ端子151および152の出力を受けて半導体装置モジュール100および200の過電流保護および過熱保護を行う回路である。
【0122】
また、図17に示すように、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12を接合するユニット枠23は略E字形状をなし、E字形状の中央の腕にあたる部分が、第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12を接合する部分の上部においてユニット枠腕部231として配設されている。
【0123】
図18に示すように、ユニット枠腕部231は、半導体装置モジュール100および200の底面金属基板9の一方の端部の上部に、第1および第2のモジュールアレイMA1およびMA2に跨るように配設され、該ユニット枠腕部231によって底面金属基板9どうしを連結する構成となっている。
【0124】
また、E字形状のユニット枠23の両端の2つの腕にあたる部分が、底面金属基板9の他方の端部の上部に、それぞれユニット枠腕部232として配設され、該ユニット枠腕部232によって底面金属基板9どうしを連結する構成となっている。
【0125】
そして、E字形状のユニット枠23の胴体部をなす部分はユニット枠胴体部233と呼称され、制御基板胴体部213に対応する位置に配設されている。
【0126】
ユニット枠胴体部233は制御基板胴体部213をスペーサ51を介して支えるために配設されている。スペーサ51は少なくともユニット枠胴体部233側で固定されている。
【0127】
その他、図9を用いて説明したモジュールユニット1000と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0128】
<B−3.作用効果>
以上説明したように、半導体装置モジュール200においては、図1を用いて説明した半導体装置モジュール100の基本構成を変えることなく、中継絶縁基板31を付加するだけで、付加機能(電流センス、温度センス)を有した半導体装置モジュールを得ることができ、また絶縁基板の共用化を図ることができる。
【0129】
従って、半導体装置モジュール100と同様の作用効果に加え、サーミスタ35およびIGBT素子1のセンス電流を検出する構成を内部に有しているので、IGBT素子1の過電流保護、短絡保護および過熱保護が可能となる。
【0130】
また、モジュールユニット3000を例に採れば、制御基板21上に駆動回路や保護回路などが形成された回路部41を有しているので、IGBT素子1の駆動および制御がモジュールユニット3000だけで可能となる。
【0131】
また、半導体装置モジュール200を組み込み、センス電流や内部温度をモニタすることで、モジュールユニット3000に含まれる8個のIGBT素子1の何れかに不具合が生じた場合に、保護回路を動作させてIGBT素子1の過電流保護、短絡保護を行うことができる。また、保護回路を動作とともにエラー信号を外部に送信することもできる。
【0132】
また、制御基板21上に絶縁トランスおよび光データリンクを搭載することで、モジュールユニット3000を高電位部に配設した場合でも、低電位部からの制御が可能となり、アイソレーション機能を有したモジュールユニットにすることができる。
【0133】
なお、上述のように、駆動回路や保護回路を有したモジュールユニットをIPMユニットと称する。
【0134】
<B−4.変形例>
モジュールユニット3000においては、半導体装置モジュール100および200の近傍に駆動回路や保護回路を有するので、半導体装置モジュール100および200内のIGBT素子1のスイッチング動作に際して発生するスイッチングノイズが駆動回路や保護回路に影響を及ぼす可能性がある。
【0135】
そこで、制御基板21と半導体装置モジュール100および200との間にシールド板を配設することでスイッチングノイズの影響を低減することができる。
【0136】
図19は、シールド板61を配設するための構成を示す図であり、制御基板21の下面側(半導体装置モジュール100側)に、まず制御基板21と同等の形状を有する絶縁シート62を配設し、絶縁シート62を間に介して、金属板で構成される制御基板21と同等の形状を有するシールド板61を配設する。
【0137】
絶縁シート62は制御基板21の下面に各種配線パターンが配設されている場合に、シールド板61が各種配線パターンに接触して配線パターン間の短絡を防止するために設けられている。
【0138】
なお、シールド板61および絶縁シート62には、制御基板21における貫通穴HL7に対応する部分に貫通穴HL71およびHL72が配設されており、これらの貫通穴を通してネジ25(図17参照)により第1および第2のモジュールアレイMA11およびMA12に固定される。
【0139】
図20に、図17に示す領域Yに相当する部分の断面図を示す。図20に示すように、制御基板21、シールド板61および絶縁シート62がネジ25により固定されている。
【0140】
図20に示すように、ゲート端子16は、シールド板61および絶縁シート62に接触しないように、両者に配設された開口部を通って制御基板21に達している。これは他の端子においても同様である。
【0141】
なお、シールド板61はスペーサ52の上に載置されており、シールド板61の半導体装置モジュール100および200上での高さ方向の位置が保持されている。スペーサ52内は空洞であり、ネジ25はスペーサ52内を通って半導体装置モジュール100および200の本体部BDの上面埋め込まれた複数のナット13(図3参照)に固定されている。
【0142】
<C.実施の形態3>
<C−1.半導体装置モジュールの構成>
本発明に係る半導体装置の実施の形態3として、図21に半導体装置モジュール300を示す。
【0143】
図21は半導体装置モジュール300の内部構成を示す平面図であり、図21において、矩形の底面金属基板9A上に絶縁基板3Aが配設され、絶縁基板3A上にはエミッタパターン4A、コレクタパターン5A、2つのゲートパターン6A、2つの制御エミッタパターン8Aが互いに電気的に分離されて配設されている。
【0144】
そして、コレクタパターン5A上にはIGBT素子1およびダイオード素子2が2個ずつ配設され、IGBT素子1とエミッタパターン4との間、IGBT素子1とゲートパターン6および制御エミッタパターン8との間、ダイオード素子2とエミッタパターン4との間は、複数の金属ワイヤー7によって電気的に接続されている。
【0145】
そして、2つのIGBT素子1は、それぞれ異なるゲートパターン6および制御エミッタパターン8に電気的に接続され、それぞれのゲートパターン6および制御エミッタパターン8からは、ゲート端子16および制御エミッタ端子18が垂直に延在していることは、図2に示した半導体装置モジュール100と同じである。
【0146】
図22は半導体装置モジュール300を上面側から見た外観形状を示す平面図であり、図21に示す内部構成を樹脂ケース10Aで覆った状態を示している。
【0147】
図22において、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12が、樹脂ケース10Aの上面において外部に突出し、樹脂ケース10の上面に並行になるように折り曲げて配設されている。
【0148】
その他、図3に示した半導体装置モジュール100と同一の構成については同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【0149】
<C−2.作用効果>
以上説明したように、半導体装置モジュール300はIGBT素子1およびダイオード素子2を2個ずつ有しており、各素子は電気的に並列に接続されているが、2つのIGBT素子1は、それぞれ異なるゲートパターン6および制御エミッタパターン8に電気的に接続され、それぞれのゲートパターン6および制御エミッタパターン8からは、ゲート端子16および制御エミッタ端子18が延在しているので、2つのIGBT素子1を別々に駆動することができる。
【0150】
そのため各IGBT素子の閾値電圧(Vth)および飽和電圧(Vsat)を測定でき、並列動作させた場合の分流比を予め把握した上で使用することができる。
【0151】
また、実施の形態1および2において説明した半導体装置モジュール100および200に比べて、電流容量を2倍にできるが、モジュールの短手方向の幅は2倍以下にすることができる。
【0152】
<D.実施の形態4>
<D−1.半導体装置モジュールの構成>
本発明に係る半導体装置の実施の形態4として、図23に半導体装置モジュール400を示す。
【0153】
図23は半導体装置モジュール400の内部構成を示す平面図であり、図23において、矩形の底面金属基板9上に絶縁基板3が配設され、絶縁基板3上にはアノードパターン74、カソードパターン75、ゲートパターン6、制御エミッタパターン8が互いに電気的に分離されて配設されている。
【0154】
そして、カソードパターン75上にはダイオード素子2が2個配設され、ダイオード素子2とアノードパターン74との間は複数の金属ワイヤー7によって電気的に接続されている。
【0155】
なお、アノードパターン74およびカソードパターン75は、図1に示す半導体装置モジュール100のエミッタパターン4およびコレクタパターン5と同じものであり、半導体装置モジュール100の絶縁基板3を兼用できる。
【0156】
また、ゲートパターン6および制御エミッタパターン8は使用しないが、半導体装置モジュール100の絶縁基板3を兼用しているので、絶縁基板3上に存在している。
【0157】
なお、半導体装置モジュール400の外観形状は、図3および図4に示す半導体装置モジュール100と基本的には同じであるので図示は省略するが、樹脂ケース10の上面においてゲート端子16および制御エミッタ端子18は存在せず、また、主エミッタ端子板11および主コレクタ端子板12はアノード端子板およびカソード端子板となる。
【0158】
<D−2.作用効果>
以上説明したように、半導体装置モジュール400は2個のダイオード素子を有するだけであるが、モジュールユニット1000〜3000と同様に、複数の半導体装置モジュール400を用いてモジュールユニットを構成することで、あらゆる電流容量に応じたダイオードモジュールユニットを得ることができる。
【0159】
また、絶縁基板3は半導体装置モジュール100と兼用できるので、コストを低減したモジュールを得ることができる。
【0160】
【発明の効果】
本発明に係る請求項1記載の電力用半導体装置によれば、半導体装置モジュールを複数集めて1つの半導体装置を構成するので、電流容量を増減するには半導体装置モジュールを増減すれば良く、あらゆる電流容量に対応した半導体装置を低コストで得ることができる。また、電力用半導体素子に不具合が生じた場合、半導体装置モジュールを効果することで対応でき、メンテナンスが容易となる。また、制御基板において複数の第1および第2の制御信号端子が直接に第1および第2の配線パターンに接続され、第1および第2の配線パターンを介して複数の第1および第2の制御信号端子が第1および第2の制御信号端子板に共通に接続されるので、複数の半導体装置モジュールに含まれる電力用半導体素子を共通に駆動制御するには、第1および第2の制御信号端子板に制御信号を入力すれば良く、複数の第1および第2の制御信号端子を個々に接続する手間が省ける。
【0161】
本発明に係る請求項2記載の電力用半導体装置によれば、半導体装置モジュールが電力用半導体素子として1個のIGBT素子を含んで構成されるので、半導体装置モジュール1個あたりの定格電流容量は小さく、また、金属基板の面積を小さくすることができるので、熱応力による歪みを受けにくく、ハンダ付け部分のストレス増大に起因する信頼性の低下などの問題の発生を防止できる。また、電流容量が小さいので、1対の主電極板の厚みを薄くすることができ、絶縁基板上の回路パターンとの接続において接合部にストレスが加わることが抑制され、信頼性の低下などの問題の発生を防止できる。また、絶縁基板も小さくできるので、コスト低減が可能となる。
【0162】
本発明に係る請求項3記載の電力用半導体装置によれば、半導体装置モジュールが電力用半導体素子として2個のIGBT素子を含んで構成され、第1および第2の制御信号端子が、IGBT素子のそれぞれに対して1対ずつ配設されるので、2つのIGBT素子を別々に駆動することができる。そのため各IGBT素子の閾値電圧および飽和電圧を測定でき、並列動作させた場合の分流比を予め把握した上で使用することができる。
【0163】
本発明に係る請求項4記載の電力用半導体装置によれば、絶縁基板上に比較的簡単な回路パターンを配設するだけで電力用半導体素子を搭載することができ、コスト的に安価な半導体装置モジュールを得ることができる。
【0164】
本発明に係る請求項5記載の電力用半導体装置によれば、中継絶縁基板には第1および第2の制御信号端子を接続するための第1および第2の中継絶縁基板上パターンを備えるので、検出手段を備えない場合の半導体装置モジュールの絶縁基板では第1および第2の制御信号端子が接続される部分に中継絶縁基板を搭載することで、検出手段を備えた半導体装置モジュールを容易に得ることができ、絶縁基板を共用化して、コストを削減することができる。
【0165】
本発明に係る請求項6記載の電力用半導体装置によれば、検出手段が、IGBT素子の電流センス電極からの出力を受ける電流センスパターンと、サーミスタ素子とを有しているので、IGBT素子の過電流保護、短絡保護および過熱保護が可能となる。また、制御基板が電流センス端子、第1および第2のサーミスタ端子が直接に接続される第3ないし第5の配線パターンをさらに備えるので、電流センス端子、第1および第2のサーミスタ端子への配線作業の手間が省ける。
【0166】
本発明に係る請求項7記載の電力用半導体装置によれば、制御基板が、電力用半導体素子の駆動制御のための駆動回路を備えるので、駆動回路を外部に設ける場合に比べて占有面積を低減できる。
【0167】
本発明に係る請求項8記載の電力用半導体装置によれば、制御基板と複数の半導体装置モジュールとの間にシールド金属板を備えるので、電力用半導体素子がスイッチング素子である場合に、スイッチング動作に際して発生するスイッチングノイズが駆動回路等に影響を及ぼす可能性を低減できる。
【0168】
本発明に係る請求項9記載の電力用半導体装置によれば、制御基板とシールド金属板との間に絶縁シートを備えるので、制御基板の下面に何れかの配線パターンが配設されている場合に、シールド金属板が接触して配線パターン間の短絡を防止することができる。
【0169】
本発明に係る請求項10記載の電力用半導体装置によれば、樹脂ケースに制御基板を固定することができるので、第1および第2の制御信号端子を第1および第2の配線パターンに接続しても、第1および第2の制御信号端子に制御基板の荷重等が作用することを防止できる。
【0170】
本発明に係る請求項11記載の電力用半導体装置によれば、複数の半導体装置モジュールの配列を、金属基板の2つの端部のうち、少なくとも一方側の上部に渡るように配設された連結板によって連結接続するので、半導体装置モジュールの個数を増加した場合でも、連結板を変更することで容易に対応できるので、コスト増加を抑制できる。
【0171】
本発明に係る請求項12記載の電力用半導体装置によれば、複数の半導体装置モジュールを連結接続した状態で取り付けできるので、被取り付け部への取り付け作業が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施の形態1の半導体装置モジュールの内部構成を示す平面図である。
【図2】 本発明に係る実施の形態1の半導体装置モジュールの内部構成を示す斜視図である。
【図3】 本発明に係る実施の形態1の半導体装置モジュールの上面外観図である。
【図4】 本発明に係る実施の形態1の半導体装置モジュールの側面外観図である。
【図5】 IGBT素子およびダイオード素子の接続関係を示す図である。
【図6】 主端子板の構成を示す斜視図である。
【図7】 主端子板の取り付け状態を示す斜視図である。
【図8】 主端子板の他の構成を示す斜視図である。
【図9】 本発明に係る実施の形態1のモジュールユニットの上面外観図である。
【図10】 本発明に係る実施の形態1のモジュールユニットの側面外観図である。
【図11】 制御基板の断面構成を示す図である。
【図12】 本発明に係る実施の形態1のモジュールユニットの上面外観図である。
【図13】 本発明に係る実施の形態1のモジュールユニットの側面外観図である。
【図14】 本発明に係る実施の形態1のモジュールユニットの上面外観図である。
【図15】 本発明に係る実施の形態2の半導体装置モジュールの内部構成を示す斜視図である。
【図16】 本発明に係る実施の形態2の半導体装置モジュールの回路構成を示す図である。
【図17】 本発明に係る実施の形態2のモジュールユニットの上面外観図である。
【図18】 本発明に係る実施の形態2のモジュールユニットの側面外観図である。
【図19】 制御基板にシールド板を備えた構成を示す斜視図である。
【図20】 制御基板にシールド板を備えた構成を示す部分断面図である。
【図21】 本発明に係る実施の形態3の半導体装置モジュールの内部構成を示す平面図である。
【図22】 本発明に係る実施の形態3の半導体装置モジュールの上面外観図である。
【図23】 本発明に係る実施の形態4の半導体装置モジュールの内部構成を示す平面図である。
【図24】 従来の半導体装置モジュールの内部構成を示す平面図である。
【符号の説明】
1 IGBT素子、2 ダイオード素子、3 絶縁基板、4 エミッタパターン、5 コレクタパターン、6 ゲートパターン、8 制御エミッタパターン、9 底面金属基板、10 樹脂ケース、11 主エミッタ端子板、12 主コレクタ端子板、16 ゲート端子、18 制御エミッタ端子、19 電流センス端子、20,20A,20B,21 制御基板、221,222,23 ユニット枠、151,152 サーミスタ端子、251,252 サーミスタパターン、61 シールド板、62 絶縁シート。
Claims (12)
- 金属基板と、
前記金属基板を覆うように配設される箱状の樹脂ケースと、
所定の回路パターンを有し、前記金属基板上に配設される絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた電力用半導体素子と、
それぞれの一方端が前記電力用半導体素子の2つの主電極に電気的に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出し、前記電力用半導体素子の主電流が流れる1対の主電極板と、
それぞれの一方端が前記電力用半導体素子に電気的に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する前記電力用半導体素子の駆動制御のための制御信号が入力される第1および第2の制御信号端子とを有した半導体装置モジュールを複数個と、
複数の前記半導体装置モジュールの上部に渡って配設される制御基板と、を備え、
前記制御基板は、
複数の前記半導体装置モジュールの、それぞれの前記第1および第2の制御信号端子が直接に接続される第1および第2の配線パターンと、
前記第1および第2の配線パターンを介して複数の前記第1および第2の制御信号端子がそれぞれ共通に接続される第1および第2の制御信号端子板とを主面上に有する、電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子は、1個のIGBT素子を含み、
前記第1および第2の制御信号端子は、前記IGBT素子のエミッタ電極およびゲート電極に電気的に接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子は、2個のIGBT素子を含み、
前記第1および第2の制御信号端子は、前記IGBT素子のそれぞれに対して1対ずつ配設され、
対になった前記第1および第2の制御信号端子は、それぞれ対応する前記IGBT素子のエミッタ電極およびゲート電極に電気的に接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記所定の回路パターンは、
前記電力用半導体素子が搭載され、その一方の主電極が直接に接続される第1の主回路パターンと、
前記電力用半導体素子の他方の主電極が電気的に接続される第2の主回路パターンと、
前記第1および第2の制御信号端子が接続される第1および第2の信号回路パターンとを含み、
前記1対の主電極板は、前記第1および第2の主回路パターンにそれぞれ直接に接続され、
前記第1および第2の制御信号端子は、前記第1および第2の信号回路パターンに直接に接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記所定の回路パターンは、
前記電力用半導体素子が搭載され、その一方の主電極が直接に接続される第1の主回路パターンと、
前記電力用半導体素子の他方の主電極が電気的に接続される第2の主回路パターンとを含み、
前記1対の主電極板は、前記第1および第2の主回路パターンにそれぞれ直接に接続され、
前記半導体装置モジュールは、
前記絶縁基板の前記第1および第2の主回路パターン以外の部分に配設された中継絶縁基板と、
前記中継絶縁基板上に配設され、前記電力用半導体素子の動作状態を検出する検出手段とをさらに備え、
前記第1および第2の制御信号端子は、前記中継絶縁基板上に配設された第1および第2の中継絶縁基板上パターンに直接に接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記電力用半導体素子はIGBT素子を含み、
前記検出手段は、
前記IGBT素子の電流センス電極からの出力を受ける電流センスパターンと、
2つの出力端が第1および第2のサーミスタパターンに接続されたサーミスタ素子とを有し、
前記半導体装置モジュールは、
一方端が前記電流センスパターンに直接に接続され、他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する電流センス端子と、
それぞれの一方端が前記第1および第2のサーミスタパターンに直接に接続され、それぞれの他方端が前記樹脂ケースの上面から外部へ突出する第1および第2のサーミスタ端子とをさらに備え、
前記制御基板は、
前記電流センス端子、前記第1および第2のサーミスタ端子が直接に接続される第3ないし第5の配線パターンとをさらに備える、請求項5記載の電力用半導体装置。 - 前記制御基板は、前記電力用半導体素子の駆動制御のための前記制御信号を出力する駆動回路をその主面上に備える、請求項1記載の電力用半導体装置。
- 前記制御基板と複数の前記半導体装置モジュールとの間に配設された前記制御基板と同一形状のシールド金属板をさらに備える、請求項1記載の電力用半導体装置。
- 前記制御基板と前記シールド金属板との間に配設された前記制御基板と同一形状の絶縁シートをさらに備える、請求項8記載の電力用半導体装置。
- 前記半導体装置モジュールは、
前記樹脂ケースの上面に前記制御基板を固定するネジ穴を有する、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記金属基板は、前記樹脂ケースによって覆われず、互いに反対方向に位置する2つの端部を有し、
複数の前記半導体装置モジュールの配列は、複数の前記半導体装置モジュールのそれぞれの前記金属基板の2つの端部のうち、少なくとも一方側の上部に渡るように配設された連結板によって連結接続される、請求項1記載の電力用半導体装置。 - 前記連結板は、複数の前記半導体装置モジュールを連結接続した状態で、被取り付け部に取り付けるための貫通穴を有する、請求項11記載の電力用半導体装置。
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