JP4583122B2 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4583122B2 JP4583122B2 JP2004281144A JP2004281144A JP4583122B2 JP 4583122 B2 JP4583122 B2 JP 4583122B2 JP 2004281144 A JP2004281144 A JP 2004281144A JP 2004281144 A JP2004281144 A JP 2004281144A JP 4583122 B2 JP4583122 B2 JP 4583122B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor device
- power module
- bus bar
- tpm
- control board
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/162—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits the devices being mounted on two or more different substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
- H05K7/14—Mounting supporting structure in casing or on frame or rack
- H05K7/1422—Printed circuit boards receptacles, e.g. stacked structures, electronic circuit modules or box like frames
- H05K7/1427—Housings
- H05K7/1432—Housings specially adapted for power drive units or power converters
- H05K7/14322—Housings specially adapted for power drive units or power converters wherein the control and power circuits of a power converter are arranged within the same casing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
そのため、パワー半導体素子をトランスファモールド法により、モールディングしたトランスファモールド型パワーモジュールが開発されている。
なお、本発明に関連する先行技術が特許文献1に開示されている。
そのため、半導体装置の組み立てに際し、冷却フィンの取り付けのみ必要なパッケージ型パワーモジュールに比べて、トランスファモールド型パワーモジュールを用いた場合は、組み立て工程数の増加などの問題をユーザ側に生じていた。
図1は、本実施の形態に係る半導体装置の構造を示す図である。図2は、本実施の形態に係る半導体装置の分解図である。また図3には、本実施の形態に係る半導体装置の回路図を示している。図3に示すように、本実施の形態に係る半導体装置は、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor )10のコレクタ−エミッタ間に逆並列に接続された還流ダイオード11と、コレクタ電極に接続されたP極電極12と、エミッタ電極に接続されたN極電極13を備えている。
図4は、本実施の形態に係る半導体装置を形成するトランスファモールド型パワーモジュール60の構成を示す図である。本実施の形態に係るTPM60は、電極33,34の形成されていない対向する側面に第1嵌合部61と第2嵌合部62が夫々形成されている。
図11は、本実施の形態に係る半導体装置を構成するトランスファモールド型パワーモジュール90の構成を示す図である。図11に示すように本実施の形態では、例えば図9に示した2in1の回路構成に対応する半導体素子を全てトランスファモールド法により樹脂封止している。
図12は、本実施の形態に係る半導体装置を構成するトランスファモールド型パワーモジュール200の構成を示す図である。本実施の形態に係るTPM200は、バスバー電極120をTPM200内部のパワー半導体素子(図示せず)とワイヤーボンドで結合した後、バスバー電極120とTPM200内部のパワー半導体素子とをまとめてトランスファモールド法により樹脂封止したパワーモジュールである。
パワー用途の半導体装置には、通常、平滑コンデンサ、放電抵抗、電極間のスナバコンデンサ、リアクトル等の周辺部品が接続される。本実施の形態では、このような周辺部品もトランスファモールド法により樹脂封止する。
Claims (8)
- パワー半導体素子をトランスファモールド法によって樹脂封止したパワーモジュールと、
前記パワーモジュールを制御する制御基板と、
前記パワーモジュールの主表面上に設けられたシールド板と、
を備える半導体装置であって、
前記パワーモジュールは、前記制御基板を実装する構造を備え、前記制御基板は、前記構造を介して前記シールド板の上方に実装され、
前記パワーモジュールは、前記主表面上に形成された突起部を備え、
前記制御基板は前記突起部上に接合され、
前記制御基板、前記シールド板及び前記パワーモジュールはそれらを連通する孔を備え、前記シールド板は、前記孔に嵌入されるネジにより前記パワーモジュールに接合され、
前記パワーモジュールの裏主面において、前記ネジを仮止めする仮固定部材をさらに備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記パワーモジュールは、側面に嵌合部を備え、複数の前記パワーモジュールの側面どうしを前記嵌合部を介して嵌合できることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 複数の前記パワーモジュールを備え、
前記複数のパワーモジュールは、前記嵌合部により一連に嵌合されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記パワーモジュールの電極端子を接続するバスバー電極をさらに備え、
前記バスバー電極は、周辺部品を接続する外部電極端子と、前記電極端子に接続されるモジュール側電極端子と、を有し、
前記モジュール側電極端子は、前記外部電極端子に対して対称な位置に配置されていることを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。 - 前記バスバー電極は、複数の部分バスバー電極を備え、
前記部分バスバー電極は、絶縁膜を介して接合されていることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。 - 前記パワーモジュールは、前記パワー半導体素子に接続されたバスバー電極をさらに備え、
前記パワー半導体素子と前記バスバー電極とをまとめて樹脂封止したことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記パワーモジュールは、前記バスバー電極に接続される周辺部品をさらに備え、
前記パワー半導体素子と、前記バスバー電極と、前記周辺部品とをまとめて樹脂封止したことを特徴とする請求項6に記載の半導体装置。 - 請求項1に記載の半導体装置を準備するステップと、
前記仮固定部材を取り外す工程と、
前記孔に嵌入された前記ネジによって冷却フィンを取り付ける工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004281144A JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
US11/109,788 US7436672B2 (en) | 2004-09-28 | 2005-04-20 | Semiconductor device and method of manufacture thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004281144A JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006100327A JP2006100327A (ja) | 2006-04-13 |
JP2006100327A5 JP2006100327A5 (ja) | 2007-03-08 |
JP4583122B2 true JP4583122B2 (ja) | 2010-11-17 |
Family
ID=36098817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004281144A Active JP4583122B2 (ja) | 2004-09-28 | 2004-09-28 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7436672B2 (ja) |
JP (1) | JP4583122B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2014069406A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9190397B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US9324630B2 (en) | 2012-02-14 | 2016-04-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
Families Citing this family (46)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8761895B2 (en) * | 2008-03-20 | 2014-06-24 | Greatbatch Ltd. | RF activated AIMD telemetry transceiver |
JP5272191B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2013-08-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4964103B2 (ja) * | 2007-11-26 | 2012-06-27 | 株式会社ケーヒン | パワードライブユニット |
US9463329B2 (en) | 2008-03-20 | 2016-10-11 | Greatbatch Ltd. | Shielded three-terminal flat-through EMI/energy dissipating filter with co-fired hermetically sealed feedthrough |
CN102037528A (zh) | 2008-03-20 | 2011-04-27 | 格瑞巴奇有限公司 | 屏蔽三端子平通emi/消能滤波器 |
US10080889B2 (en) | 2009-03-19 | 2018-09-25 | Greatbatch Ltd. | Low inductance and low resistance hermetically sealed filtered feedthrough for an AIMD |
US11147977B2 (en) | 2008-03-20 | 2021-10-19 | Greatbatch Ltd. | MLCC filter on an aimd circuit board conductively connected to a ground pin attached to a hermetic feedthrough ferrule |
TWI381510B (zh) * | 2008-10-07 | 2013-01-01 | Advanced Semiconductor Eng | 具有屏蔽蓋體之晶片封裝結構 |
US8095224B2 (en) | 2009-03-19 | 2012-01-10 | Greatbatch Ltd. | EMI shielded conduit assembly for an active implantable medical device |
WO2010150471A1 (en) * | 2009-06-25 | 2010-12-29 | Fuji Electric Systems Co., Ltd. | Semiconductor device |
US20110075392A1 (en) * | 2009-09-29 | 2011-03-31 | Astec International Limited | Assemblies and Methods for Directly Connecting Integrated Circuits to Electrically Conductive Sheets |
JP5336413B2 (ja) | 2010-04-02 | 2013-11-06 | 株式会社豊田中央研究所 | パワーモジュール |
US8482904B2 (en) * | 2010-05-25 | 2013-07-09 | Lear Corporation | Power module with current sensing |
MX2012014572A (es) * | 2010-07-01 | 2013-02-21 | Mitsubishi Electric Corp | Modulo semiconductor de potencia, aparato de conversion de energia electrica, y vehiculo ferroviario. |
JP2012054262A (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP5644440B2 (ja) * | 2010-12-03 | 2014-12-24 | 富士電機株式会社 | パワー半導体モジュール |
US8878483B2 (en) | 2011-01-14 | 2014-11-04 | Lear Corporation | Electronics unit with current sensing |
US11198014B2 (en) | 2011-03-01 | 2021-12-14 | Greatbatch Ltd. | Hermetically sealed filtered feedthrough assembly having a capacitor with an oxide resistant electrical connection to an active implantable medical device housing |
US10350421B2 (en) | 2013-06-30 | 2019-07-16 | Greatbatch Ltd. | Metallurgically bonded gold pocket pad for grounding an EMI filter to a hermetic terminal for an active implantable medical device |
US10596369B2 (en) | 2011-03-01 | 2020-03-24 | Greatbatch Ltd. | Low equivalent series resistance RF filter for an active implantable medical device |
US10272252B2 (en) | 2016-11-08 | 2019-04-30 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an AIMD having a composite brazed conductive lead |
US9931514B2 (en) | 2013-06-30 | 2018-04-03 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US9427596B2 (en) | 2013-01-16 | 2016-08-30 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
US9504843B2 (en) | 2011-08-19 | 2016-11-29 | Greatbach Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
US20130046354A1 (en) | 2011-08-19 | 2013-02-21 | Greatbatch Ltd. | Implantable cardioverter defibrillator designed for use in a magnetic resonance imaging environment |
JP5747737B2 (ja) | 2011-08-26 | 2015-07-15 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置とその製造方法 |
US9093974B2 (en) | 2012-09-05 | 2015-07-28 | Avx Corporation | Electromagnetic interference filter for implanted electronics |
CN104620488A (zh) * | 2012-09-19 | 2015-05-13 | 日产自动车株式会社 | 电力变换装置 |
USRE46699E1 (en) | 2013-01-16 | 2018-02-06 | Greatbatch Ltd. | Low impedance oxide resistant grounded capacitor for an AIMD |
JP6171586B2 (ja) * | 2013-06-04 | 2017-08-02 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9646912B2 (en) * | 2013-09-10 | 2017-05-09 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and semiconductor module having cooling fins |
WO2016081535A1 (en) * | 2014-11-18 | 2016-05-26 | General Electric Company | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
US11837826B2 (en) * | 2014-11-18 | 2023-12-05 | Transportation Ip Holdings, Llc | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
JP6739993B2 (ja) * | 2016-05-12 | 2020-08-12 | ローム株式会社 | パワーモジュールの製造方法 |
JP6397861B2 (ja) * | 2016-08-22 | 2018-09-26 | 高周波熱錬株式会社 | パワー半導体モジュール及び誘導加熱用電源装置 |
US20190206810A1 (en) | 2016-08-22 | 2019-07-04 | Neturen Co., Ltd. | Power semiconductor module, snubber circuit, and induction heating power supply apparatus |
JP6750416B2 (ja) * | 2016-09-14 | 2020-09-02 | 富士電機株式会社 | 半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
US10249415B2 (en) | 2017-01-06 | 2019-04-02 | Greatbatch Ltd. | Process for manufacturing a leadless feedthrough for an active implantable medical device |
JP7031347B2 (ja) * | 2018-02-14 | 2022-03-08 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール及び半導体装置 |
US10905888B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-02 | Greatbatch Ltd. | Electrical connection for an AIMD EMI filter utilizing an anisotropic conductive layer |
US10912945B2 (en) | 2018-03-22 | 2021-02-09 | Greatbatch Ltd. | Hermetic terminal for an active implantable medical device having a feedthrough capacitor partially overhanging a ferrule for high effective capacitance area |
US10741313B1 (en) | 2019-02-06 | 2020-08-11 | Eaton Intelligent Power Limited | Bus bar assembly with integrated surge arrestor |
DE102019206263B4 (de) * | 2019-05-02 | 2022-06-30 | Abb Schweiz Ag | Halbleiterbauteil, Kraftfahrzeug und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils |
JP7192998B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2022-12-20 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
FR3112424B1 (fr) * | 2020-07-10 | 2023-05-12 | Valeo Siemens eAutomotive France | Module électronique de puissance, système électrique comportant un tel module, procédés de fabrication correspondants |
CN113571975A (zh) * | 2021-07-22 | 2021-10-29 | 阳光电源股份有限公司 | 铜排组件和电子设备 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58180643U (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | クラリオン株式会社 | 半導体装置のパツケ−ジ |
JPH06169578A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | インバ−タ装置およびインバ−タ装置の使用方法 |
JPH0888317A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその実装方法 |
JP2001053222A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001168278A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2003100987A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003179203A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 電力半導体素子モジュール駆動用回路とその構成方法 |
JP2003188345A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-07-04 | Fci | 電力を分配するためのプレス係合ブスバー |
JP2003218554A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-07-31 | Yazaki Corp | 電源分配箱及びパワーデバイスモジュール |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02170597A (ja) * | 1988-12-23 | 1990-07-02 | Mazda Motor Corp | 車載用制御ユニツト構造 |
JP3225457B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-11-05 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
US5606919A (en) * | 1995-06-07 | 1997-03-04 | Haworth, Inc. | Space-dividing fence for power and/or communication distribution |
DE19924993C2 (de) * | 1999-05-31 | 2002-10-10 | Tyco Electronics Logistics Ag | Intelligentes Leistungsmodul in Sandwich-Bauweise |
JP3501685B2 (ja) * | 1999-06-04 | 2004-03-02 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP3460973B2 (ja) * | 1999-12-27 | 2003-10-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP3553849B2 (ja) | 2000-03-07 | 2004-08-11 | 富士電機デバイステクノロジー株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP4044265B2 (ja) * | 2000-05-16 | 2008-02-06 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
JP3692906B2 (ja) * | 2000-05-25 | 2005-09-07 | 日産自動車株式会社 | 電力配線構造及び半導体装置 |
JP4218193B2 (ja) * | 2000-08-24 | 2009-02-04 | 三菱電機株式会社 | パワーモジュール |
DE10114125A1 (de) * | 2001-03-22 | 2002-09-26 | Isad Electronic Sys Gmbh & Co | Aus mehreren Leistungsmodulen bestehende elektronische Leistungsschaltung |
JP3813098B2 (ja) * | 2002-02-14 | 2006-08-23 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体モジュール |
DE10227008B4 (de) * | 2002-06-18 | 2012-10-18 | Robert Bosch Gmbh | Kühlvorrichtung für Halbleitermodule und Elektronikanordnung |
US6956742B2 (en) * | 2002-09-27 | 2005-10-18 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Compact liquid converter assembly |
US6822850B2 (en) * | 2002-09-27 | 2004-11-23 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Laminated bus bar for use with a power conversion configuration |
JP3740117B2 (ja) * | 2002-11-13 | 2006-02-01 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
DE10316356B4 (de) * | 2003-04-10 | 2012-07-26 | Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg | Modular aufgebautes Leistungshalbleitermodul |
JP4138612B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2008-08-27 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
-
2004
- 2004-09-28 JP JP2004281144A patent/JP4583122B2/ja active Active
-
2005
- 2005-04-20 US US11/109,788 patent/US7436672B2/en active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58180643U (ja) * | 1982-05-25 | 1983-12-02 | クラリオン株式会社 | 半導体装置のパツケ−ジ |
JPH06169578A (ja) * | 1992-09-30 | 1994-06-14 | Mitsubishi Electric Corp | インバ−タ装置およびインバ−タ装置の使用方法 |
JPH0888317A (ja) * | 1994-09-14 | 1996-04-02 | Nec Corp | 半導体装置及びその実装方法 |
JP2001053222A (ja) * | 1999-08-09 | 2001-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001168278A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Toshiba Corp | パワー半導体モジュール及び電力変換装置 |
JP2003031765A (ja) * | 2001-07-17 | 2003-01-31 | Hitachi Ltd | パワーモジュールおよびインバータ |
JP2003100987A (ja) * | 2001-09-20 | 2003-04-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置 |
JP2003218554A (ja) * | 2001-11-14 | 2003-07-31 | Yazaki Corp | 電源分配箱及びパワーデバイスモジュール |
JP2003188345A (ja) * | 2001-11-20 | 2003-07-04 | Fci | 電力を分配するためのプレス係合ブスバー |
JP2003179203A (ja) * | 2001-12-11 | 2003-06-27 | Fuji Electric Co Ltd | 電力半導体素子モジュール駆動用回路とその構成方法 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9190397B2 (en) | 2012-02-14 | 2015-11-17 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
US9324630B2 (en) | 2012-02-14 | 2016-04-26 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device |
DE112012005457B4 (de) | 2012-02-14 | 2018-07-12 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung mit elektrisch isolierten Kommunikationsvorrichtungen zur Ansteuerung |
DE112012005867B4 (de) | 2012-02-14 | 2021-10-07 | Mitsubishi Electric Corporation | Halbleitervorrichtung |
WO2014069406A1 (ja) | 2012-10-29 | 2014-05-08 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
US9603291B2 (en) | 2012-10-29 | 2017-03-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006100327A (ja) | 2006-04-13 |
US7436672B2 (en) | 2008-10-14 |
US20060067059A1 (en) | 2006-03-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4583122B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP6075380B2 (ja) | 半導体装置 | |
US5942797A (en) | Power semiconductor module | |
JP5169353B2 (ja) | パワーモジュール | |
JP3847676B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP5289348B2 (ja) | 車載用電力変換装置 | |
US5747876A (en) | Semiconductor device and semiconductor module | |
US20110194248A1 (en) | Power conversion apparatus | |
WO2006030606A1 (ja) | モータ制御装置およびモータ制御装置の組立方法 | |
JP2006190972A (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6929813B2 (ja) | パワー半導体装置 | |
JP4040838B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
US9478477B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2013507760A (ja) | 自動車のための電力モジュール | |
JP2006140217A (ja) | 半導体モジュール | |
JP6227150B2 (ja) | 半導体装置及び多相用半導体装置 | |
US10950526B2 (en) | Semiconductor device | |
CN111587528B (zh) | 功率半导体装置 | |
JP4715283B2 (ja) | 電力変換装置及びその製造方法 | |
JP2008135422A (ja) | モータ制御装置 | |
JP2002238260A (ja) | 半導体装置 | |
JP5040418B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10903138B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
JP2006294973A (ja) | 半導体装置 | |
JP2014154770A (ja) | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070123 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070123 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081202 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20091126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091215 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100209 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100831 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4583122 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130910 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |