JPH10229149A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JPH10229149A
JPH10229149A JP3053097A JP3053097A JPH10229149A JP H10229149 A JPH10229149 A JP H10229149A JP 3053097 A JP3053097 A JP 3053097A JP 3053097 A JP3053097 A JP 3053097A JP H10229149 A JPH10229149 A JP H10229149A
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JP
Japan
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module
semiconductor device
hole
heat sink
electrode
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Withdrawn
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JP3053097A
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English (en)
Inventor
Eiji Kono
栄次 河野
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Toyota Industries Corp
Original Assignee
Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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Publication date
Application filed by Toyoda Automatic Loom Works Ltd filed Critical Toyoda Automatic Loom Works Ltd
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Publication of JPH10229149A publication Critical patent/JPH10229149A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors

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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 本発明は非絶縁型で電力用の半導体装置に関
し、アルミブロックを使用しない構造でモジュールをヒ
ートシンクに取り付け、装置を小型化すると共に装置の
コストダウンが可能な半導体装置を提供するものであ
る。 【解決手段】 モジュール21に外部電極22、23を
取り付け、モジュール21にヒートシンク24を取り付
ける際、アルミブロックを使用することなく両部材をモ
ジュール21に取り付けた半導体装置20である。すな
わち、外部電極22、23の取り付けは、不図示の円筒
形ターミナルをモジュール21に形成した第1の孔に貫
入し、この円筒形ターミナルを介してモジュール21内
の電極と外部電極を接続し、ヒートシンク24の取り付
けはモジュール21に形成した第2の孔にネジ29を嵌
入し、サーマルシート25を介装して締着することで取
り付けられている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置に係り、
特に非絶縁型で電力用の半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】今日、多くの産業分野で半導体装置が使
用され、特に電気自動車や電動式フォークリフト等の電
動機器には電力用の半導体装置が広く使用されている。
また、このような電力用の半導体装置は、スペース等の
関係から非絶縁型の半導体装置が採用されている。
【0003】図4は従来例の電力用半導体装置を示す。
半導体装置1は、半導体チップが内蔵されたモジュール
ケース2と、このモジュールケース2内の1つの電極と
接続するアルミニューム(以下、単にアルミという)ブ
ロック3と、アルミブロック3に絶縁性のサーマルシー
ト4を介して貼着されたヒートシンク5で構成されてい
る。また、モジュール2の上面には端部がL字型の板状
電極(ブースバー)6がネジ7で取り付けられている。
また、上述のアルミブロック3の上面にも端部がL字型
の板状電極(ブースバー)8がネジ9で取り付けられて
いる。
【0004】図5は上述のモジュールケース2内の構造
を簡単に説明する図である。半導体チップ10は絶縁基
板11上の電極13とワイヤボンディング12により接
続されている。また、半導体チップ10の裏面電極はM
o板15を介して銅板14に半田付けされており、銅板
14に電気的に接続されている。また、図4に示すよう
に、モジュールケース2はネジ16a、16bによっ
て、アルミブロック3上に取り付けられている。したが
って、モジュール2内の銅板14とアルミブロック3は
密着し、半導体チップ10の裏面電極は、Mo板15、
銅板14、アルミブロック3を介して上述の板状電極
(ブースバー)8に接続される。
【0005】尚、図6はアルミブロック3をヒートシン
ク5に取り付ける構造を説明する図である。この取り付
けは、図4に示すようにアルミブロック3の両側で行う
が、図6では代表して図4の左側の取り付け構造を示
す。同図に示すように、アルミブロック3はサーマルシ
ート4を介して、ネジ17を締着することでヒートシン
ク5に取り付けられている。また、この時ネジ17を絶
縁するため、例えば樹脂性の絶縁カラム18を介装して
いる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】従来の半導体装置で
は、上述のようにアルミブロック3が必要となる。すな
わち、非絶縁型モジュールにおいては、電極として銅板
14がモジュール底面に露出して位置する構造であるた
め、その銅板14に外部電極を接続するためにはアルミ
ブロックのような何らかの導電部材をモジュールの下に
配置する必要があった。しかも、このアルミブロック3
は上述のように、モジュール2の外側にネジ17により
取り付けるため、大きなアルミブロック3を必要とす
る。したがって、装置が大型化すると共に、コストアッ
プの原因ともなる。
【0007】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、アルミブロックを使用しない構造でモジュール
をヒートシンクに取り付け、装置を小型化すると共に装
置のコストダウンが可能な半導体装置を提供するもので
ある。
【0008】
【課題を解決するための手段】請求項1記載の発明は上
記課題を解決するため、半導体回路が内蔵され第1の孔
と第2の孔が形成された絶縁性材料から成るモジュール
ケースと、該モジュールケースの第1の孔に貫入する導
電部材を介して前記半導体回路の1つの電極に接続され
た外部電極と、前記モジュールの第2の孔に嵌入する固
定部材により、前記モジュールケースに取り付けられた
放熱板とを有する半導体装置を提供することで達成でき
る。
【0009】ここで、半導体回路は、例えば電力用トラ
ンジスタや、電力用ICが形成された半導体チップであ
り、このような半導体回路に形成する電極の1つを絶縁
性のモジュールに形成された第1の孔に貫入した導電部
材を介して外部電極に導く構成とするものである。
【0010】このように構成することにより、従来必要
であったアルミブロックを不要とし、半導体装置を小型
化するものである。請求項2記載の発明は上記請求項1
記載の発明をより具体化するものであり、例えば前記第
1の孔に嵌入する導電部材は、前記半導体回路の下面に
設けられた導電板に固設する構成である。
【0011】ここで、半導体回路の下面に設けられた導
電板は、半導体回路の前記1つの電極に電気的に接続す
るものであり、この導電板に前記導電部材を固設するこ
とで、半導体回路に形成する電極の1つを導電板、導電
部材を介して外部電極に導くことができる。
【0012】請求項3記載の発明は、前記導電部材と導
電板の構成を具体化するものであり、前記導電部材と導
電板は金属材料から成る。ここで、金属材料は例えば銅
(Cu)、銀(Ag)、ニッケル(Ni)等であり、大
きな構成のアルミブロックを使用することなく半導体回
路の1つの電極を外部電極に接続することができる。
【0013】請求項4記載の発明は、前記第2の孔に嵌
入する固定部材を特定するものであり、前記第2の孔に
嵌入する固定部材は、例えばネジである。すなわち、例
えばネジでモジュールと放熱板を固定することにより、
アルミブロックを使用することなく、放熱板をモジュー
ルに取り付けることができる。
【0014】請求項5記載の発明は、前記モジュールと
放熱板間に絶縁材料を介装する構成とするものである。
このように構成することにより、モジュールの下面に形
成された導電板と放熱板間の絶縁を確実に行い、例えば
マイラフィルム等の熱伝導率に優れた材料を使用するこ
とで効率よい放熱を行うことができる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。図1は、本実施形態例
の半導体装置の全体構成図である。尚、同図に示す半導
体装置は、例えば電気自動車や電動式フォークリフトの
駆動回路に使用する半導体パワー回路である。
【0016】同図において、本実施形態例の半導体装置
20はモジュール21と板状電極(ブースバー)22、
23、及びモジュール21に接続するヒートシンク24
で構成されている。モジュール21は内部に半導体チッ
プを有し、外形は樹脂等の絶縁材料で構成されている。
また、モジュール21はサーマルシート25を介してヒ
ートシンク24に取り付けられている。この取り付け
は、後述するネジ26、27により行われている。ま
た、モジュール21上には上述の板状電極(ブースバ
ー)22、23が取り付けられている。それぞれの板状
電極(ブースバー)は、例えば信号電極や、電源電極を
構成し、大きな電流を流す。
【0017】次に、上述のモジュール21に取り付けら
れた板状電極(ブースバー)22、23の取り付け構造
を説明する。図2は板状電極(ブースバー)23の取り
付け構造を説明する図である。上述のように、板状電極
(ブースバー)23はモジュール21の上面にネジ29
で取り付けられている。尚、この取り付けはモジュール
21の側部を上下につらぬいて形成されている。すなわ
ち、図1のA部に形成されており、モジュール21内の
半導体チップ、基板、銅ベースの配置は同じである。
【0018】導電部材である円筒形ターミナル28は、
その凸部28aが銅ベース30に固設され、かつその周
面部28bがモジュール21に形成された孔21aに圧
設している。また、円筒形ターミナル28の内周には所
定ピッチのネジ溝28cが形成され、このネジ溝28c
に上述のネジ29が締着される構成である。
【0019】すなわち、第1の孔である孔21aが形成
されたモジュール21に円筒形ターミナル28を貫入す
ると共に、円筒形ターミナル28の凸部28aを銅ベー
ス30に形成する孔30aに圧入し、例えば接着剤で固
定する。次に、外部電極である端部がL字型の板状電極
(ブースバー)23をネジ29で締着する。尚、ネジ2
9の締着には、ネジ頭と板状電極(ブースバー)23間
にワシャー31を介装する。
【0020】このように構成することで、半導体チップ
からワイヤボンディングにより導かれた電極、例えば信
号電極や電源電極の中の1つの電極を銅ベース30、円
筒形ターミナル28を介して板状電極(ブースバー)2
3に接続することができる。
【0021】次に、モジュール21を放熱板であるヒー
トシンク24に取り付ける構成について、図3を参照し
て説明する。同図に示すように、モジュール21には第
2の孔である孔21bが形成されている。また、前述の
銅ベース30の端部には穴30bが形成され、モジュー
ル21の孔21bを有する部分が銅ベース30に形成さ
れた穴30bに嵌入している。したがって、ネジ32を
締着すると、銅ベース30に対してモジュール21が絶
縁手段となり、銅ベース30からネジ32とヒートシン
ク24を絶縁する。
【0022】また、ネジ32を締着することで銅ベース
30とヒートシンク24は接触するが、両部材間にサー
マルシート25を介装することで、両部材を絶縁してい
る。尚、サーマルシート25は絶縁性を有すると共に、
熱伝導性に優れ、半導体回路で発生する熱が伝達され高
温となる銅ベース30の熱を効率良くヒートシンク24
に逃がす。
【0023】以上のように構成することにより、従来必
要であったアルミブロックを用いることなく、半導体装
置を構成することができる。尚、上述の実施形態例では
円筒形ターミナル28として銅(Cu)を使用したが、
その他の金属材料であってもよく、または他の導電材料
であってもよい。
【0024】また、銅ベース30も他の材料で構成され
た導電板であってもよい。さらに、導電部材として円筒
形ターミナル28を用い、モジュール21及び銅ベース
30に圧入して取り付けたが、他の方法でモジュール2
1等に固設してもよく、また円筒形に限るものでもな
い。
【0025】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によればア
ルミブロックを使用しないので半導体装置を小型化で
き、装置のコストダウンを図ることもできる。
【0026】また、半導体装置を構成する部材が少なく
てすむので、組立等の作業も簡単になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態例の半導体装置の全体構成図であ
る。
【図2】板状電極(ブースバー)の取り付け構造を説明
する図である。
【図3】モジュールを放熱板であるヒートシンクに取り
付ける構成を説明する図である。
【図4】従来例の電力用半導体装置を示す図である。
【図5】モジュール内の構造を簡単に説明する図であ
る。
【図6】アルミブロックをヒートシンクに取り付ける構
造を説明する図である。
【符号の説明】
20 半導体装置 21 モジュール 21a 孔 22、23 板状電極(ブースバー) 24 ヒートシンク 25 サーマルシート 26、27 ネジ 29 ネジ 28 円筒形ターミナル 28a 凸部 28b 周面部 28c ネジ溝 29 ネジ 30 銅ベース 30a,30b 孔 32 ネジ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体回路が内蔵され、第1の孔と第2
    の孔が形成された絶縁性材料から成るモジュールケース
    と、 該モジュールケースの第1の孔に貫入する導電部材を介
    して、前記半導体回路の1つの電極に接続された外部電
    極と、 前記モジュールケースの第2の孔に嵌入する固定部材に
    より、前記モジュールケースに取り付けられた放熱板
    と、 を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記第1の孔に嵌入する導電部材は、前
    記半導体回路の下面に設けられた導電板に固設されてい
    ることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記導電部材と導電板は金属材料から成
    ることを特徴とする請求項2記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記第2の孔に嵌入する固定部材は、ネ
    ジであることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記モジュールと放熱板間に絶縁材料が
    介装されていることを特徴とする請求項1記載の半導体
    装置。
JP3053097A 1997-02-14 1997-02-14 半導体装置 Withdrawn JPH10229149A (ja)

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Effective date: 20040511