JP2018190894A - 半導体モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】枠状の樹脂ケースの内側に接着剤がはみ出るのを抑制できる半導体モジュールを提供する。【解決手段】導体パターンが形成されるとともに半導体素子を搭載した基板20と、枠状をなし、基板20の上面において接着される樹脂ケース30と、基板20の上面の樹脂ケース30内に配置されたポッティング樹脂40と、を備え、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30内側寄りに面当たり部70が形成されるとともに面当たり部70よりも外側に溝72を形成してなる。【選択図】図3

Description

本発明は、半導体モジュールに関するものである。
ポッテングモールド構造の半導体モジュールにおいて、構成部品である樹脂ケースと基板をモールド前に接合する手段として一般的に接着剤が用いられる。その際、樹脂ケースと基板間が接着剤で満たされ接合される(例えば特許文献1)。
特開平8−162572号公報
ところで、基板の上面に枠状の樹脂ケースを接着した状態で枠状の樹脂ケースの内部にポッティング樹脂を充填する。基板の上面に枠状の樹脂ケースを接着するときに接着剤が使用される。この接着の際に、基板の上面と樹脂ケースとの間に荷重をかけた状態で接着剤を硬化させる。このとき、接着剤が樹脂ケースと基板との間の隙間を移動して枠状の樹脂ケースの内側にはみ出てしまう懸念がある。接着剤がはみ出していると、ポッティング樹脂と接着剤との間の接着力が小さいため、剥離が発生する虞がある。
本発明の目的は、枠状の樹脂ケースの内側に接着剤がはみ出るのを抑制できる半導体モジュールを提供することにある。
請求項1に記載の発明では、導体パターンが形成されるとともに半導体素子を搭載した基板と、枠状をなし、前記基板の上面において接着される樹脂ケースと、前記基板の上面の前記樹脂ケース内に配置されたポッティング樹脂と、を備え、前記樹脂ケースにおける前記基板との接着箇所において、前記樹脂ケース内側寄りに面当たり部が形成されるとともに前記面当たり部よりも外側に溝を形成してなることを要旨とする。
請求項1に記載の発明によれば、樹脂ケースと基板を接着剤により接合する際、押付力により接着剤が樹脂ケースにおける基板との接着箇所において移動する。樹脂ケース内側寄りに面当たり部が形成され塞いでいるので枠状の樹脂ケースの内側に接着剤がはみ出るのが抑制されるとともに、面当たり部よりも外側に形成された溝により接着剤が溜まり枠状の樹脂ケースの内側に接着剤がはみ出るのが抑制される。
請求項2に記載のように、請求項1に記載の半導体モジュールにおいて、ねじ止め孔が前記樹脂ケースと前記基板との両方を貫通しているとよい。
請求項3に記載のように、請求項1又は2に記載の半導体モジュールにおいて、前記樹脂ケースは、前記基板の孔に嵌め合う突起を有するとよい。
請求項4に記載のように、請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記樹脂ケースにおける前記基板との接着箇所において、前記樹脂ケース内側寄りの面当たり部よりも外側に溝を2つ有するとよい。
請求項5に記載のように、請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体モジュールにおいて、前記樹脂ケースの下端よりも前記基板の下端面の方が突出しているとよい。
本発明によれば、枠状の樹脂ケースの内側に接着剤がはみ出るのを抑制できる。
(a)は実施形態における半導体モジュールの平面図、(b)は(a)のA−A線での縦断面図。 (a)は樹脂ケースの正面図、(b)は樹脂ケースの下面図((a)のA矢視図)。 半導体モジュールの一部における縦断面図。 半導体モジュールの一部における分解断面図。 半導体モジュールの一部における分解断面図。 別例の半導体モジュールの一部における縦断面図。 別例の半導体モジュールの一部における縦断面図。 別例の半導体モジュールの一部における縦断面図。 別例の半導体モジュールの一部における分解断面図。 比較例における半導体モジュールの縦断面図。
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に従って説明する。なお、図示の都合上、ボンディングワイヤーや端子・電極の図示は省略している。
図1(a),(b)に示すように、半導体モジュール10は、四角板状の基板(放熱基板)20と、四角枠状の樹脂ケース30と、基板20上での樹脂ケース30内のポッティング樹脂(モールド樹脂)40と、を備える。
基板20は金属ベース基板であり、四角板状の金属基板21の上に絶縁層22が形成されている。絶縁層22の上に金属箔による導体パターン23が形成され、半導体素子24が半田付けされて搭載されている。半導体モジュール10は、例えばインバータモジュールであり、半導体素子24は上アーム・下アームを構成するスイッチング素子(IGBT、MOSFET等のパワートランジスタ)である。
また、四角板状の基板20には外周部に8つの貫通孔25が形成されている。貫通孔25は円形をなしている。
図2(a),(b)に示すように、樹脂ケース30は、基板20の上面に配置される四角枠状の本体部31を有する。本体部31の下面には、8つの突起32が形成されている。突起32は本体部31の下面から下方に延びている。突起32は円柱状をなしている。各突起32は基板20の各貫通孔25に嵌め込まれる(図1(b)参照)。つまり、突起32の外径は貫通孔25の内径よりも若干小さく、嵌め合い可能となっており、突起32と貫通孔25の内壁とは若干の隙間が生じる。
なお、樹脂ケース30の突起32と基板20の貫通孔25とは嵌め合う形状であればよく、例えば、貫通孔25が断面矩形をなし、突起32も断面矩形状をなしていてもよい。
樹脂ケース30には、突起32を貫通する貫通孔33が形成されている。貫通孔33は突起32の中心を上下に延びている。貫通孔33には、図1(b)に示すようにねじSc1が挿通可能となっている。
図1に示すように、ポッティング樹脂40は、基板20の上面の樹脂ケース30内に配置されている(充填されている)。
半導体モジュール10はベース部材50の上面に載置される。ベース部材50は、板状をなす。ベース部材50は、アルミ製であり、熱伝導性に優れている。半導体素子24で発生する熱は基板20を介してベース部材50に逃がされる。
ベース部材50の上面に基板20が載置されている。基板20の上に樹脂ケース30が位置し、この状態で、ねじSc1が樹脂ケース30の貫通孔33及び基板20の貫通孔25を通してベース部材50に螺入されている。これにより、半導体モジュール10がベース部材50にねじ締結される。ねじ締結により樹脂ケース30には基板20側に向かう下向きの締結力(押付力)が加わる。なお、ねじ締結の本数は8箇所に限らず樹脂ケース30を介して基板20をベース部材50へ押し付けることが可能であれば何本でもよい。
基板20と樹脂ケース30は接着剤60により接合されている。接着剤60は基板20の上面と樹脂ケース30の本体部31の下面との間に配置されている。
図3,4に示すように、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において本体部31の下面には面当たり部70が内側寄りに形成されている。つまり、樹脂ケース30の面当たり部70で樹脂ケース30が基板20の上面に面当たりしている。
樹脂ケース30における基板20との接着箇所において本体部31の下面における突起32よりも内側には、接着剤注入用の溝71が形成されている。溝71は、下面が開口する断面四角形状の凹部である。溝71は、図2(b)に示すように、樹脂ケース30の本体部31の下面における突起32よりも内側において突起32に接近した位置に四角環状に形成されている。図5に示すように溝71には硬化前の接着剤60が注入される。
樹脂ケース30における基板20との接着箇所において本体部31の下面における接着剤注入用の溝71よりも内側には接着剤溜まり用の溝72が形成されている。溝72は、下面が開口する断面四角形状の凹部である。溝72は、図2(b)に示すように、樹脂ケース30の本体部31の下面における接着剤注入用の溝71よりも内側に四角環状に形成されている。図4に示すように溝71,72の断面での大きさについて、接着剤注入用の溝71よりも溝72は小さい。
このように、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30内側寄りに面当たり部70が形成されるとともに面当たり部70よりも外側に溝72が形成されている。
接着する時において樹脂ケース30は、突起32が基板20の孔25に嵌め合う。また、図3に示すように、樹脂ケース30の下端34、即ち、突起32の先端よりも基板20の下端面26、即ち、基板20の下面の方がより下方、即ち、ベース部材50側に突出している。
次に、作用について説明する。
接着にあたり、図4に示すように、基板20と、樹脂ケース30と、ベース部材50と、ねじSc1を用意する。
そして、図5に示すように、樹脂ケース30における溝(凹部)71に、硬化前の接着剤60を塗布する。
基板20の上から、接着剤60を塗布した樹脂ケース30を載置する。この状態で治具を用いて基板20と樹脂ケース30とを固定する。治具を用いないでベース部材50の上に基板20、樹脂ケース30を順に載せねじSc1で締結することにより基板20と樹脂ケース30とを固定してもよい。
基板20と樹脂ケース30とを固定するとき、樹脂ケース30には基板20側に向かう下向きの押付力(締結力)が加わる。
引き続き、基板20と樹脂ケース30とを固定した状態で接着剤60を硬化させる。
接着工程において、樹脂ケース30の面当たり部70で樹脂ケース30が基板20の上面に面当たりする。このとき、硬化前の接着剤60は、溝(凹部)71から樹脂ケース30の内側に広がり溝72に溜まる。
接着剤60を硬化した後、硬化前のポッティング樹脂40を、基板20の上面の樹脂ケース30内に注入し、その後にポッティング樹脂40を硬化させる。
そして、治具等を外した後、半導体モジュール10をベース部材50の上に載置した状態で、ねじSc1で半導体モジュール10をベース部材50に締結する。
このような製造工程(組立工程)において樹脂ケース30と基板20を接着剤60により接合する際、押付力により接着剤60が樹脂ケース30における基板20との接着箇所において移動する。
このとき、樹脂ケース30内側寄りに面当たり部70が形成され塞いでいるので枠状の樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出るのが抑制されるとともに、面当たり部70よりも外側に形成された溝72により接着剤60が溜まり枠状の樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出るのが抑制される。
また、面当たり部70が基板20に面当たりしているので、下端面26がベース部材50に強固に接触可能であるとともに、ポッティング樹脂40と樹脂ケース30との間に剥離が生じることを抑制できる。
以下、詳しく説明する。
図10は比較例である。
図10に示すように、接合時に接着剤60が押付力や毛細管現象によって樹脂ケース30と基板20の隙間を移動する。そして、樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出すと、ポッティング樹脂40との材質相性(例えば、シリコーン系接着剤とエポキシ樹脂とを用いた場合)によってポッティング樹脂40側にはみ出した接着剤60におけるポッティング樹脂40と接着剤60との界面において剥離が生じやすい。そして、接着剤60とポッティング樹脂40との間の界面剥離した部位を起点にポッティング樹脂40と基板20間の剥離につながる懸念がある。また、樹脂ケース30の外側に接着剤60がはみ出す場合において、基板20の放熱面に接着剤60がはみ出すと基板20の下面の放熱面にベース部材50が接触せず放熱性が悪化する。また、側面への接着剤60のはみ出しにより樹脂バリが発生し、バリの脱落により異物が発生する。
また、ねじにより締結した場合、接着剤60が締結力にて変形して基板20の下端面26に伝わる締結力を低下させるとともに、基板20と樹脂ケース30とが相対移動するため、ポッティング樹脂40と樹脂ケース30との間に剥離が生じやすい。
これに対し、図3に示す本実施形態においては、樹脂ケース30の押さえ込み時に樹脂ケース30内側寄りに面当たり部70が形成されているので樹脂ケース30と基板20との間の隙間を無くしてポッティング樹脂40側への接着剤60のはみ出しを防止することができる。また、樹脂ケース30と基板20を接着剤60により接合する際に押付力により移動してくる接着剤60が樹脂ケース30に設けた溝72に溜まり押付時の接着剤60を吸収してポッティング樹脂40側への接着剤60のはみ出しを抑制できる。また、溝72により樹脂ケース30と基板20との間の隙間が部分的に拡がり毛細管現象も抑制することにより、接着剤60のはみ出しを抑制することができる。他にも樹脂ケース30の簡易な形状の変更により接着剤60のはみ出しを抑制することができる。
また、面当たり部70が基板20に面当たりしているので、ねじSc1による締結力が接着剤を介さないことになる。それゆえ、基板20の下端面26がベース部材50に強固に接触可能である。また、基板20と樹脂ケース30との相対位置が変化しないので、ポッティング樹脂40と樹脂ケース30との間に剥離が生じることを抑制できる。
上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
(1)半導体モジュール10の構成として、導体パターン23が形成されるとともに半導体素子24を搭載した基板20と、枠状をなし、基板20の上面において接着される樹脂ケース30と、基板20の上面の樹脂ケース30内に配置されたポッティング樹脂40と、を備える。樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30内側寄りに面当たり部70が形成されるとともに面当たり部70よりも外側に溝72を形成してなる。よって、樹脂ケース30と基板20を接着剤60により接合する際、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において移動する接着剤を面当たり部70で塞いで枠状の樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出るのが抑制されるとともに溝72により接着剤60が溜まり枠状の樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出るのが抑制される。その結果、枠状の樹脂ケース30の内側に接着剤60がはみ出るのを抑制できる。
(2)半導体モジュール10はベース部材50にねじ締結されるが、ねじ止め孔(33,25)が樹脂ケース30と基板20との両方を貫通している。よって、樹脂ケース30と基板20との両方を容易に締結できる。
(3)樹脂ケース30は、基板20の孔25に嵌め合う突起32を有する。よって、樹脂ケース30と基板20とを容易に位置決めすることができる。
(4)樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30内側寄りの面当たり部70よりも外側に溝(71,72)を2つ有する。これにより、外側の溝71を接着剤注入用とし、内側の溝71を接着剤溜まり用とすることができる。
(5)樹脂ケース30の下端34よりも基板20の下端面26の方が突出している。樹脂ケース30の下端が基板20の下端面より突出していると、基板20の下面がベース部材50の上面に対し浮いてしまい(空隙ができ)放熱性能が悪い。これに対し、樹脂ケース30の下端34よりも基板20の下端面26の方が突出しているので、基板20の下面がベース部材50の上面に当接した状態で突起32が嵌め込まれて放熱性に優れている。このようにして、基板20と樹脂ケース30とを浮くことなく放熱性向上が図られる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 図6に示すように、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30内側寄りの面当たり部70よりも外側に3つの溝80,81,82を形成してもよい。つまり、内外に3重に溝を配置し、中央の溝81を接着剤注入用の溝とする。
○ 図7に示すように、樹脂ケース30の貫通孔83を通るねじSc2をベース部材50に螺入して、樹脂ケース30をねじSc2によりベース部材50に固定してもよい。
○ 図8に示すように、樹脂ケース30における基板20との接着箇所において、樹脂ケース30の下面において内側に溝84を、外側に溝85を形成して、図9に示すように、樹脂ケース30の下面における溝84と溝85との間に接着剤60を塗布してもよい。
○ 樹脂ケース30は、四角枠状でなくてもよく、他の形状の枠であってもよい。
○ 基板20として金属ベース基板(金属板の上面に絶縁層を形成した基板)を用いたが、これに限るものでない。例えば、金属基板(絶縁層を形成しない金属板)、セラミック基板、プリント基板等を用いてもよい。
10…半導体モジュール、20…基板、30…樹脂ケース、40…ポッティング樹脂、70…面当たり部、71…溝、72…溝。

Claims (5)

  1. 導体パターンが形成されるとともに半導体素子を搭載した基板と、
    枠状をなし、前記基板の上面において接着される樹脂ケースと、
    前記基板の上面の前記樹脂ケース内に配置されたポッティング樹脂と、
    を備え、
    前記樹脂ケースにおける前記基板との接着箇所において、前記樹脂ケース内側寄りに面当たり部が形成されるとともに前記面当たり部よりも外側に溝を形成してなることを特徴とする半導体モジュール。
  2. ねじ止め孔が前記樹脂ケースと前記基板との両方を貫通していることを特徴とする請求項1に記載の半導体モジュール。
  3. 前記樹脂ケースは、前記基板の孔に嵌め合う突起を有することを特徴とする請求項1又は2に記載の半導体モジュール。
  4. 前記樹脂ケースにおける前記基板との接着箇所において、前記樹脂ケース内側寄りの面当たり部よりも外側に溝を2つ有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
  5. 前記樹脂ケースの下端よりも前記基板の下端面の方が突出していることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体モジュール。
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