JP7351278B2 - 半導体装置 - Google Patents

Description

本開示は、半導体装置に関する。

特許文献１には、パワー半導体装置のパッケージ構造が開示されている。このパワー半導体装置は、電力用主回路組立体を備える。電力用主回路組立体では、セラミックス板を基材とする絶縁基板にパワー半導体チップが搭載される。電力用主回路組立体は、外囲ケースの底面に開口した基板取付穴に下方から嵌め込まれる。電力用主回路組立体の周縁と基板取付穴の裏面側周縁に形成した段付き座面との間は、接着材で固着される。

特開２０００－１３３７６９号公報

特許文献１ではセラミック絶縁基板が用いられ、樹脂絶縁層を有する基板とケースとが接着される構造については言及されていない。半導体装置のパッケージにおいて、例えば強固な接着材が用いられた場合に、ケース剥離が起こるような応力がケースの接着部に発生するおそれがある。このとき、樹脂絶縁層を有する基板とケースとが接着される構造では、樹脂絶縁層が基板から剥離して、基板が絶縁性を維持できないおそれがある。

本開示は、上述の課題を解決するためになされたもので、樹脂絶縁層の剥離を抑制できる半導体装置を得ることを目的とする。

第１の開示に係る半導体装置は、ベース板と、ベース板の上面に設けられた樹脂絶縁層と、を有する基板と、該基板の上面に設けられた半導体チップと、該基板の上面に該半導体チップを囲むように設けられ、該樹脂絶縁層の上面と対向する接着面を有するケースと、該樹脂絶縁層の上面に設けられ、該接着面と該樹脂絶縁層の上面とを接着する接着材と、を備え、該接着面は第１部分と、該第１部分よりも該接着材との接着力が弱い第２部分と、を有し、該接着材は、該接着面のうち少なくとも該第１部分と接触し、該第１部分と該接着材との接触面積は、該樹脂絶縁層と該接着材との接触面積よりも小さい。

第２の開示に係る半導体装置は、ベース板と、ベース板の上面に設けられた樹脂絶縁層と、を有する基板と、該基板の上面に設けられた半導体チップと、該基板の上面に該半導体チップを囲むように設けられ、該樹脂絶縁層の上面と対向する接着面を有するケースと、該樹脂絶縁層の上面に設けられ、該接着面と該樹脂絶縁層の上面とを接着する接着材と、を備え、該接着材は、第１接着部と、該第１接着部よりも線膨張率が小さい第２接着部を有し、該接着面と該第１接着部との接触面積は、該樹脂絶縁層と該第１接着部との接触面積よりも小さい。

第１の開示に係る半導体装置では、接着面のうち第１部分と接着材との接触面積は、樹脂絶縁層と接着材との接触面積よりも小さい。このため、優先的にケースと接着材との界面で破壊を発生させることができ、樹脂絶縁層の剥離を抑制できる。

第２の開示に係る半導体装置では、接着材は、第１接着部と、第１接着部よりも線膨張率が小さい第２接着部を有する。また、ケースの接着面と第１接着部との接触面積は、樹脂絶縁層と第１接着部との接触面積よりも小さい。このため、優先的に接着材またはケースと接着材との界面に破壊を発生させることができる。従って、樹脂絶縁層の剥離を抑制できる。

実施の形態１に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置の拡大図である。 実施の形態１に係るケースの底面図である。 第１の比較例に係る半導体装置の断面図である。 第２の比較例に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態１に係る半導体装置にクラックが発生した状態を示す図である。 実施の形態１の変形例に係るケースの底面図である。 実施の形態２に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態２に係るケースの底面図である。 実施の形態２に係る半導体装置にクラックが発生した状態を示す図である。 実施の形態２の第１の変形例に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態２の第２の変形例に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態２の第３の変形例に係るケースの底面図である。 実施の形態３に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態３に係るケースの底面図である。 実施の形態３に係る半導体装置にクラックが発生した状態を示す図である。 実施の形態３の変形例に係るケースの底面図である。 実施の形態４に係る半導体装置の断面図である。 実施の形態４に係るケースの底面図である。 実施の形態４に係る半導体装置にクラックが発生した状態を示す図である。 実施の形態４の変形例に係るケースの底面図である。

各本実施の形態に係る半導体装置について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る半導体装置１００の断面図である。半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上面に設けられた半導体チップ２０を備える。基板１０は、ベース板１１と、ベース板１１の上面に設けられた樹脂絶縁層１２と、樹脂絶縁層１２の上面に設けられた金属パターン１３を有する。ベース板１１は金属から形成される。基板１０は絶縁基板とも呼ばれる。樹脂絶縁層１２とベース板１１は一体品である。半導体チップ２０は金属パターン１３の上面に設けられる。

半導体装置１００は、ケース３０を備える。ケース３０は、基板１０の上面に半導体チップ２０を囲むように設けられる。ケース３０は、基板１０の上面に乗り上げた部分と、基板１０の側面を覆うスカート部３４を有する。

半導体装置１００は、主端子２４、２６、制御端子２８および金属ワイヤ２２を備える。主端子２４、２６および制御端子２８はケース３０に埋め込まれていても良い。半導体チップ２０は金属ワイヤ２２または金属パターン１３を介して主端子２４、２６および制御端子２８と電気的に接続される。これにより半導体装置１００には、例えばインバータ等の電力半導体装置が構成される。図１において半導体装置１００は、複数の半導体チップ２０を備える。半導体装置１００が備える半導体チップ２０の数は限定されない。半導体チップ２０は、例えばＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）またはダイオードであっても良い。

ケース３０に囲まれる領域は、封止材５０で封止されている。基板１０の上面、半導体チップ２０、金属ワイヤ２２は封止材５０に覆われる。

半導体装置１００は、樹脂絶縁層１２の上面に設けられた接着材４０を備える。接着材４０は、ケース３０と基板１０を接着する。接着材４０は、封止材５０が外部に漏れないようにケース３０と基板１０を固定する。また、接着材４０は封止材５０の硬化を阻害しないものとしても良い。これにより、ケース３０を接着する際の接着の安定性、気密性、信頼性を確保できる。

図２は、実施の形態１に係る半導体装置１００の拡大図である。基板１０は、接着材４０と接触する領域である基板側接着面１４を有する。ケース３０は、樹脂絶縁層１２の上面と対向する接着面３３を有する。接着材４０は、接着面３３と樹脂絶縁層１２の上面とを接着する。接着面３３は、第１部分３１と、第１部分３１よりも接着材４０との接着力が弱い第２部分３２とを有する。第２部分３２は、第１部分３１よりも外側に設けられる。第１部分３１と接着材４０との接触面積は、樹脂絶縁層１２と接着材４０との接触面積よりも小さい。

図３は、実施の形態１に係るケース３０の底面図である。平面視で、ケース３０の最外周にはスカート部３４が設けられる。また、第１部分３１は、半導体チップ２０を囲むように設けられる。第２部分３２は、第１部分３１よりも外側で半導体チップ２０を囲むように設けられる。

第２部分３２は接着阻害処理が施された面であり、第１部分３１は接着阻害処理が施されていない面である。接着阻害処理は、例えば接着材４０の接着を阻害するようなコーティング処理である。つまり、第２部分３２は、第１部分３１よりも接着材４０との接着力が弱い材料で形成される。第２部分３２は鏡面仕上げされていても良い。

図４は、第１の比較例に係る半導体装置８００の断面図である。半導体装置８００では、絶縁性を有さない金属ベース板８１８の上面に、はんだ８１６でセラミック絶縁基板８１０が接合されている。また、金属ベース板８１８には接着材８４０でケース８３０が接着されている。ケース８３０の内部は封止材８５０で封止される。

図５は、第２の比較例に係る半導体装置９００の断面図である。半導体装置９００では、セラミック絶縁基板９１０に接着材９４０でケース９３０が接着されている。ケース９３０の内部は封止材９５０で封止される。

図４、５に示される構造では、ケースの接着部の剥離により基板の絶縁性が損なわれることはない。これに対し、樹脂絶縁層を有する基板では、接着材ではなく樹脂絶縁層が凝集破壊等により剥離する可能性がある。このとき、基板の絶縁性を維持できないおそれがある。

図６は、実施の形態１に係る半導体装置１００にクラック８０が発生した状態を示す図である。ケース３０の接着部にケース剥離が起こるような応力が発生すると、接着力の弱い第２部分３２と接着材４０との界面からクラック８０が発生する。クラック８０はパッケージ内部に進行する。これにより、ケース３０の接着部の応力は分散される。

また、第１部分３１と接着材４０との接触面積は、樹脂絶縁層１２と接着材４０との接触面積よりも小さい。このため、クラック８０は第１部分３１に到達した後、第１部分３１と接着材４０の界面を進行する。このため、ベース板１１から樹脂絶縁層１２を引き剥がすことなく、ケース３０の接着部に発生する応力を分散させることができる。このように、本実施の形態では樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。従って、樹脂絶縁層１２を完全に剥離させないことで、基板１０の絶縁性を維持できる。

また、スカート部３４の基板１０の側面と対向する内側面３５は、鏡面仕上げされていることが望ましい。これにより、スカート部３４の内側面３５への接着材４０の付着を抑制できる。

また、図２では接着面３３の全体と接着材４０が接触している。これに限らず、接着材４０は接着面３３のうち少なくとも第１部分３１と接触していれば良い。例えば、接着材４０がケース３０の外周部まで広がらず、第２部分３２と樹脂絶縁層１２との間に接着材４０が無くても良い。この場合も、第１部分３１と接着材４０との接触面積が樹脂絶縁層１２と接着材４０との接触面積よりも小さいため、第１部分３１と接着材４０との接着力を、樹脂絶縁層１２と接着材４０との接着力よりも弱くできる。従って、第１部分３１と接着材４０との界面にクラック８０を進展させ、樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。

ここで、一例として、第１部分３１と接着材４０、接着材４０と樹脂絶縁層１２、樹脂絶縁層１２とベース板１１の単位面積当たりの接着力は、同等である。また、第１部分３１と接着材４０との接触面積は、樹脂絶縁層１２とベース板１１との接触面積よりも小さくても良い。この場合、第１部分３１と接着材４０との接着力を、樹脂絶縁層１２とベース板１１との接着力よりも弱くできる。従って、第１部分３１と接着材４０との界面にクラック８０を進展させ、樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。

なお、ケース３０の外周部まで接着材４０が満たされていないと、封止材５０への水分の浸透が促進され、不具合が生じる可能性がある。このため、ケース３０の外周部まで接着材４０が充填されていることが望ましい。

本実施の形態の変形例として、第１部分３１と第２部分３２の配置は図３に示されるものに限らない。図７は、実施の形態１の変形例に係るケース３０ａの底面図である。ケース３０ａは接着面３３ａを有する。接着面３３ａにおいて、第２部分３２ａは複数の部分に離散している。第２部分３２ａを構成する複数の部分の間には、第１部分３１ａが設けられる。このように、第２部分３２ａは、ケース３０ａの全周に設けられなくても良い。例えば、ケース剥離を起こしてほしくない箇所は接着阻害処理をしないものとしても良い。

また、第２部分３２は第１部分３１よりも内側に設けられても良い。なお、構成部材の膨張収縮率の差異による応力は、端部に集中し易い。このため、接着力の小さいパッケージの外周部からクラック８０は発生し易い。よって、第２部分３２は第１部分３１よりも外側に設けられる方が効果的である。第２部分３２が第１部分３１よりも外側に設けられることで、パッケージの内部からクラック８０が発生して封止材５０にクラック８０が進展することを抑制できる。従って、金属ワイヤ２２が切れて不具合が発生することを抑制できる。

また、半導体チップ２０はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていても良い。ワイドバンドギャップ半導体は、例えば炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドである。本実施の形態によれば、ワイドバンドギャップ半導体で形成された半導体チップ２０が高温で動作する場合にも、構成部材の膨張収縮により樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。

これらの変形は、以下の実施の形態に係る半導体装置について適宜応用することができる。なお、以下の実施の形態に係る半導体装置については実施の形態１との共通点が多いので、実施の形態１との相違点を中心に説明する。

実施の形態２．
図８は、実施の形態２に係る半導体装置２００の断面図である。図９は、実施の形態２に係るケース２３０の底面図である。本実施の形態では、接着面２３３が実施の形態１の接着面３３と異なる。他の構成は実施の形態１の構成と同様である。

接着面２３３は第１部分２３１と第２部分２３２を有する。第２部分２３２には、溝２３６が形成される。溝２３６を形成するケース２３０の側面と、接着材４０との間には空洞が形成される。つまり、溝２３６は接着材４０で埋め込まれていない。

図１０は、実施の形態２に係る半導体装置２００にクラック８０が発生した状態を示す図である。第２部分２３２は、溝加工により接着材４０との接着面積が低減されている。このため、第２部分２３２は第１部分２３１よりも接着材との接着力が弱い。ケース剥離が起こるような応力が発生すると、第２部分２３２と接着材４０との界面からクラック８０が発生する。クラック８０はパッケージ内部に進行する。これにより、ケース２３０の接着部の応力は分散される。

また、第１部分２３１と接着材４０との接触面積は、樹脂絶縁層１２と接着材４０との接触面積よりも小さい。このため、クラック８０は第１部分２３１に到達した後、第１部分２３１と接着材４０の界面を進行する。このため、樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。従って、基板１０の絶縁性を維持できる。

図８に示される例では、溝２３６は断面視で三角形または山形である。溝２３６の形状および数は限定されない。図１１は、実施の形態２の第１の変形例に係る半導体装置２００ａの断面図である。半導体装置２００ａはケース２３０ａを備える。ケース２３０ａは接着面２３３ａを有する。接着面２３３ａは第１部分２３１と第２部分２３２ａを有する。第２部分２３２ａには溝２３６ａが形成される。溝２３６ａは断面視で半円形または半楕円形であっても良い。

図１２は、実施の形態２の第２の変形例に係る半導体装置２００ｂの断面図である。半導体装置２００ｂはケース２３０ｂを備える。ケース２３０ｂは接着面２３３ｂを有する。接着面２３３ｂは第１部分２３１と第２部分２３２ｂを有する。第２部分２３２ｂは波型である。第２部分２３２ｂには、溝２３６ｂと突起２３７ｂが形成される。突起２３７ｂは接着材４０の内部に突出する。

第２部分２３２は、第２部分２３２が平面である場合よりも、ケース２３０と接着材４０の接着面積が小さくなるように形成されれば良い。接着材４０は、ケース２３０の嵌合および固定の際に、基板側接着面１４と第１部分２３１の間で潰されて外周に広がる。接着材４０の厚みは、基板１０の反りと接着面２３３の反りによって決まる。接着材４０の厚みは、一般に公差を考慮しても０．３ｍｍ以下である。接着材４０が充填されないために、溝２３６の十分な深さとして０．５ｍｍ以上が望ましい。このとき、溝２３６の入口部に接着材４０が入り込むことは有り得るが、溝２３６が全て接着材４０で埋まることを防止できる。

図１３は、実施の形態２の第３の変形例に係るケース２３０ｃの底面図である。ケース２３０ｃは接着面２３３ｃを有する。接着面２３３ｃにおいて、第２部分２３２ｃは複数の部分に離散している。第２部分２３２ｃを構成する複数の部分の間には、第１部分２３１ｃが設けられる。このように、第２部分２３２ｃは、ケース２３０ｃの全周に設けられなくても良い。

また、実施の形態１と同様に、第２部分２３２と基板側接着面１４の間に接着材４０が無くても良い。

実施の形態３．
図１４は、実施の形態３に係る半導体装置３００の断面図である。本実施の形態では、接着面３３３が実施の形態２の接着面２３３と異なる。他の構成は実施の形態２の構成と同様である。接着面３３３は第１部分３３１と第２部分３３２を有する。第２部分３３２には、溝３３６が形成される。また、接着面３３３には樹脂絶縁層１２に向かって突出する突起３３７が形成される。

図１５は、実施の形態３に係るケース３３０の底面図である。突起３３７は例えば第１部分３３１と第２部分３３２との境界部分に配置される。

図１６は、実施の形態３に係る半導体装置３００にクラックが発生した状態を示す図である。ケース剥離が起こるような応力が発生すると、実施の形態２と同様に、第２部分３３２と接着材４０との界面からクラック８０が発生する。また、第１部分３３１と接着材４０との接触面積は、樹脂絶縁層１２と接着材４０との接触面積よりも小さい。このため、クラック８０は第１部分３３１に到達した後、第１部分３３１と接着材４０の界面を進行する。このため、樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。

本実施の形態では突起３３７により接着材４０の厚みを均一にできる。また、突起３３７により接着材４０の厚みを一定以上に確保できる。従って、接着面積を安定化させ、ケース３３０を安定して接着できる。突起３３７は、欠けおよび潰れが生じないような強度を有することが望ましい。突起３３７は、直径が０．５ｍｍ以上、厚みが０．１ｍｍ～０．２ｍｍであることが望ましい。

また、溝３３６の深さは、実施の形態２と同様に、溝３３６に接着材４０が充填されないように０．５ｍｍ以上が望ましい。

図１７は、実施の形態３の変形例に係るケース３３０ａの底面図である。ケース３３０ａは接着面３３３ａを有する。接着面３３３ａにおいて、第２部分３３２ａは複数の部分に離散している。第２部分３３２ａを構成する複数の部分の間には、第１部分３３１ａが設けられる。このように、第２部分３３２ａは、ケース３３０ａの全周に設けられなくても良い。

また、突起３３７の位置および数は限定されない。突起３３７は、ケース３３０を安定して接着できる配置または数で設けられれば良い。突起３３７は、第１部分３３１に設けられても良く、第２部分３３２に設けられても良い。また、実施の形態１の接着面３３に突起３３７が設けられても良い。

実施の形態４．
図１８は、実施の形態４に係る半導体装置４００の断面図である。本実施の形態では、ケース４３０と接着材４４０の構成が実施の形態１の構成と異なる。他の構成は実施の形態１の構成と同様である。ケース４３０は、樹脂絶縁層１２の上面と対向する接着面４３３を有する。接着材４４０は、樹脂絶縁層１２の上面に設けられ、接着面４３３と樹脂絶縁層１２の上面とを接着する。接着材４４０は、第１接着部４４１と、第１接着部４４１よりも線膨張率が小さい第２接着部４４２を有する。また、接着面４３３と第１接着部４１１との接触面積は、樹脂絶縁層１２と第１接着部４４１との接触面積よりも小さい。

ケース４３０は、基板１０の側面を覆うスカート部３４を有する。スカート部３４のうち基板１０の側面と対向する内側面３５は、鏡面仕上げされていることが望ましい。これにより、スカート部３４の内側面３５への接着材４４０の付着を抑制できる。

図１９は、実施の形態４に係るケース４３０の底面図である。図１９において、ケース４３０の底面には接着材４４０が設けられている。第２接着部４４２は接着材４４０のうち外周部に設けられる。第１接着部４４１と第２接着部４４２は、半導体チップ２０を囲むように設けられる。

接着材４４０はフィラーを含む。第２接着部４４２は、第１接着部４４１の塗布後にフィラーを追加塗布することにより形成される。第２接着部４４２は第１接着部４４１よりも体積当たりのフィラーの含有量が多い。第２接着部４４２は、低沸点溶媒に分散されたフィラーを、低沸点溶媒と共に第１接着部４４１上に微小塗布することで形成される。フィラーは、ジェットディスペンサーなどで塗布される。

フィラーの径は１０～１００ミクロン程度である。電力半導体装置は駆動時に熱が発生する。このため、フィラー種はアルミナ、ＢＮ、ＡｌＮなどの放熱性を有するものが望ましい。しかし、ケース４３０の接着部での発熱は一般に小さいため、フィラー種としてシリカなどを用いることもできる。

接着材４４０は例えば２液混合タイプの熱硬化性樹脂である。接着材４４０として、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂などを用いることができる。低沸点溶媒は、例えばメタノール、エタノールなどのアルコール類である。接着材４４０の硬化温度は１５０℃程度であるため、低沸点溶媒の沸点は１５０℃以下が望ましい。これにより、接着材４４０の硬化時に低沸点溶媒が気泡として残ることを抑制できる。

図２０は、実施の形態４に係る半導体装置４００にクラック８０が発生した状態を示す図である。ケース剥離が起こるような応力が発生すると、線膨張率が小さい第２接着部４４２で凝集破壊が発生する。または、第２接着部４４２と接着面４３３との界面からクラック８０が発生する。これにより、第２接着部４４２の内部または第２接着部４４２と接着面４３３の界面から、パッケージの内部へクラック８０が進行する。これにより、ケース４３０の接着部の応力は分散される。

また、接着面４３３と第１接着部４４１との接触面積は、樹脂絶縁層１２と第１接着部４４１との接触面積よりも小さい。このため、クラック８０は第１接着部４４１に到達した後、接着面４３３と第１接着部４４１との界面を進行する。このため、樹脂絶縁層１２がベース板１１から剥離することを抑制できる。従って、基板１０の絶縁性を維持できる。

図２１は、実施の形態４の変形例に係るケース４３０ａの底面図である。ケース４３０ａの底面には、接着材４４０ａが設けられる。接着材４４０ａにおいて、第２接着部４４２ａは複数の部分に離散している。第２接着部４４２ａを構成する複数の部分の間には、第１接着部４４１ａが設けられる。このように、第２接着部４４２ａは、接着面４３３の全周に設けられなくても良い。

また、本実施の形態の第２接着部４４２は、接着材４４０の上面側に接着面４３３と接して設けられている。これに限らず、第２接着部４４２は接着材４４０の内部に設けられても良い。また、第２接着部４４２は接着材４４０のうち内周部に設けられても良い。

また、接着材４４０は、線膨張率の異なる３種以上の接着部から形成されても良い。このとき、接着材４４０は図１９における外側ほど線膨張率が小さくても良い。

また、実施の形態１と同様に、半導体チップ２０はワイドバンドギャップ半導体によって形成されていても良い。なお、各実施の形態で説明した技術的特徴は適宜に組み合わせて用いてもよい。

１０ 基板、１１ ベース板、１２ 樹脂絶縁層、１３ 金属パターン、１４ 基板側接着面、２０ 半導体チップ、２２ 金属ワイヤ、２４、２６ 主端子、２８ 制御端子、３０、３０ａ ケース、３１、３１ａ 第１部分、３２、３２ａ 第２部分、３３、３３ａ 接着面、３４ スカート部、３５ 内側面、４０ 接着材、５０ 封止材、８０ クラック、１００、２００、２００ａ、２００ｂ 半導体装置、２３０、２３０ａ、２３０ｂ、２３０ｃ ケース、２３１、２３１ｃ 第１部分、２３２、２３２ａ、２３２ｂ、２３２ｃ 第２部分、２３３、２３３ａ、２３３ｂ、２３３ｃ 接着面、２３６、２３６ａ、２３６ｂ 溝、２３７ｂ 突起、３００ 半導体装置、３３０、３３０ａ ケース、３３１、３３１ａ 第１部分、３３２、３３２ａ 第２部分、３３３、３３３ａ 接着面、３３６ 溝、３３７ 突起、４００ 半導体装置、４１１ 第１接着部、４３０、４３０ａ ケース、４３３ 接着面、４４０、４４０ａ 接着材、４４１、４４１ａ 第１接着部、４４２、４４２ａ 第２接着部、８００ 半導体装置、８１０ セラミック絶縁基板、８１８ 金属ベース板、８３０ ケース、８４０ 接着材、８５０ 封止材、９００ 半導体装置、９１０ セラミック絶縁基板、９３０ ケース、９４０ 接着材、９５０ 封止材

Claims (20)

1. ベース板と、ベース板の上面に設けられた樹脂絶縁層と、を有する基板と、
   前記基板の上面に設けられた半導体チップと、
   前記基板の上面に前記半導体チップを囲むように設けられ、前記樹脂絶縁層の上面と対向する接着面を有するケースと、
   前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記接着面と前記樹脂絶縁層の上面とを接着する接着材と、
   を備え、
   前記接着面は第１部分と、前記第１部分よりも前記接着材との接着力が弱い第２部分と、を有し、
   前記接着材は、前記接着面のうち少なくとも前記第１部分と接触し、
   前記第１部分と前記接着材との接触面積は、前記樹脂絶縁層と前記接着材との接触面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
2. 前記第２部分は、前記第１部分よりも外側に設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第１部分は、前記半導体チップを囲むように設けられ、
   前記第２部分は、前記第１部分よりも外側で前記半導体チップを囲むように設けられることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記第２部分は複数の部分に離散し、
   前記複数の部分の間には前記第１部分が設けられることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
5. 前記第２部分は、前記第１部分よりも前記接着材との前記接着力が弱い材料で形成されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の半導体装置。
6. 前記第２部分は鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の半導体装置。
7. 前記第２部分には溝が形成されることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の半導体装置。
8. 前記溝を形成する前記ケースの側面と、前記接着材との間には空洞が形成されることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
9. 前記接着面には前記樹脂絶縁層に向かって突出する突起が形成されることを特徴とする請求項１から８の何れか１項に記載の半導体装置。
10. 前記ケースは、前記基板の側面を覆うスカート部を有し、
    前記スカート部の前記基板の側面と対向する面は、鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の半導体装置。
11. 前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の半導体装置。
12. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置。
13. ベース板と、ベース板の上面に設けられた樹脂絶縁層と、を有する基板と、
    前記基板の上面に設けられた半導体チップと、
    前記基板の上面に前記半導体チップを囲むように設けられ、前記樹脂絶縁層の上面と対向する接着面を有するケースと、
    前記樹脂絶縁層の上面に設けられ、前記接着面と前記樹脂絶縁層の上面とを接着する接着材と、
    を備え、
    前記接着材は、第１接着部と、前記第１接着部よりも線膨張率が小さい第２接着部を有し、
    前記接着面と前記第１接着部との接触面積は、前記樹脂絶縁層と前記第１接着部との接触面積よりも小さいことを特徴とする半導体装置。
14. 前記第２接着部は前記接着材のうち外周部に設けられることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置。
15. 前記第２接着部は、前記半導体チップを囲むように設けられることを特徴とする請求項１３または１４に記載の半導体装置。
16. 前記第２接着部は複数の部分に離散し、
    前記複数の部分の間には前記第１接着部が設けられることを特徴とする請求項１３または１４記載の半導体装置。
17. 前記接着材はフィラーを含み、
    前記第２接着部は前記第１接着部よりも体積当たりの前記フィラーの含有量が多いことを特徴とする請求項１３から１６の何れか１項に記載の半導体装置。
18. 前記ケースは、前記基板の側面を覆うスカート部を有し、
    前記スカート部の前記基板の側面と対向する面は、鏡面仕上げされていることを特徴とする請求項１３から１７の何れか１項に記載の半導体装置。
19. 前記半導体チップはワイドバンドギャップ半導体によって形成されていることを特徴とする請求項１３から１８の何れか１項に記載の半導体装置。
20. 前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドであることを特徴とする請求項１９に記載の半導体装置。

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