JPH08162572A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH08162572A JPH08162572A JP30577394A JP30577394A JPH08162572A JP H08162572 A JPH08162572 A JP H08162572A JP 30577394 A JP30577394 A JP 30577394A JP 30577394 A JP30577394 A JP 30577394A JP H08162572 A JPH08162572 A JP H08162572A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case frame
- adhesive
- frame
- base plate
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
Abstract
(57)【要約】
【目的】半導体モジュールにおいて、リードピンブロッ
クと額縁部との隙間からのゲル状樹脂封止材の滲み出し
を防止する構造を実現する。 【構成】ケース枠１０の四隅においては樹脂肉薄部であ
る取付座部１５が形成されており、これには一体成形で
通し孔１５ａ用の金属製筒状カラー８０が埋め込まれて
いる。金属製筒状カラー８０はその裏面側の端面が開口
段差面１４のレベルよりもギャップｄだけ突出するよう
に埋め込まれている。ギャップｄに相当する層厚の接着
剤層が確保されることになる。接着剤１５ｃの層厚バラ
ツキを無くすことができる。接着剤層の剥離，ゲル状樹
脂封止材の漏れや取付座部の割れを防止できる。
クと額縁部との隙間からのゲル状樹脂封止材の滲み出し
を防止する構造を実現する。 【構成】ケース枠１０の四隅においては樹脂肉薄部であ
る取付座部１５が形成されており、これには一体成形で
通し孔１５ａ用の金属製筒状カラー８０が埋め込まれて
いる。金属製筒状カラー８０はその裏面側の端面が開口
段差面１４のレベルよりもギャップｄだけ突出するよう
に埋め込まれている。ギャップｄに相当する層厚の接着
剤層が確保されることになる。接着剤１５ｃの層厚バラ
ツキを無くすことができる。接着剤層の剥離，ゲル状樹
脂封止材の漏れや取付座部の割れを防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体素子が実装され
た回路基板をケース枠内に収納したパワーモジュールと
称される半導体装置に関し、特に、ケース枠と放熱ベー
ス板との取付け構造に関する。
た回路基板をケース枠内に収納したパワーモジュールと
称される半導体装置に関し、特に、ケース枠と放熱ベー
ス板との取付け構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、パワーモジュール又はインテリジ
ェントパワーモジュールと称される半導体装置（半導体
モジュール）は、図２，図３に示す如く、リードフレー
ム付きの絶縁樹脂製ケース枠１０と、このケース枠１０
の額縁部１２の一方面側の開口段差面１４に接着剤を以
て固着して開口を閉蓋する放熱ベース板（金属板）２０
と、この放熱ベース板２０の内面に半田等で固着された
回路基板（セラミックス基板）３０，３１と、この回路
基板３０上の厚膜配線にインナーリード先端Ａが接続し
たリードフレーム４０〜４５と、ケース枠１０の額縁部
１２に取付け固定され、回路基板３１上の厚膜配線にイ
ンナーリード先端Ｂが接続した多数のリードピンＰ１〜
Ｐ１６を有するリードピンブロック７０と、ケース枠１
０の内部空間に充填され、回路基板３０，３１，リード
フレーム４０〜４５のインナーリード及びリードピンＰ
１〜Ｐ１６のインナーリードを浸漬するゲル状樹脂（シ
リコーン樹脂）封止材５０と、ケース枠１０の他面側の
開口段差面１８に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する
絶縁樹脂製の蓋板６０とを有している。回路基板３０，
３１にはパワートランジスタ，ＩＧＢＴ（伝導度変調形
トランジスタ），ダイオード，サイリスタ等の半導体素
子（チップ）３２，３４が実装されている。リードフレ
ーム４０〜４５のインナーリード先端Ａは回路基板３０
の厚膜配線（ランド部）に半田等で固着されており、そ
の配線と対応の半導体素子３２，３４にボンディングワ
イア３２ａ，３４ａで接続されている。リードフレーム
４０〜４５は額縁部１２にインサート成形で埋め込まれ
ており、額縁部１２の端子座板４０ａ〜４５ａに外部接
続の端子ねじ（図示せず）が螺着するようになってい
る。
ェントパワーモジュールと称される半導体装置（半導体
モジュール）は、図２，図３に示す如く、リードフレー
ム付きの絶縁樹脂製ケース枠１０と、このケース枠１０
の額縁部１２の一方面側の開口段差面１４に接着剤を以
て固着して開口を閉蓋する放熱ベース板（金属板）２０
と、この放熱ベース板２０の内面に半田等で固着された
回路基板（セラミックス基板）３０，３１と、この回路
基板３０上の厚膜配線にインナーリード先端Ａが接続し
たリードフレーム４０〜４５と、ケース枠１０の額縁部
１２に取付け固定され、回路基板３１上の厚膜配線にイ
ンナーリード先端Ｂが接続した多数のリードピンＰ１〜
Ｐ１６を有するリードピンブロック７０と、ケース枠１
０の内部空間に充填され、回路基板３０，３１，リード
フレーム４０〜４５のインナーリード及びリードピンＰ
１〜Ｐ１６のインナーリードを浸漬するゲル状樹脂（シ
リコーン樹脂）封止材５０と、ケース枠１０の他面側の
開口段差面１８に接着剤を以て固着して開口を閉蓋する
絶縁樹脂製の蓋板６０とを有している。回路基板３０，
３１にはパワートランジスタ，ＩＧＢＴ（伝導度変調形
トランジスタ），ダイオード，サイリスタ等の半導体素
子（チップ）３２，３４が実装されている。リードフレ
ーム４０〜４５のインナーリード先端Ａは回路基板３０
の厚膜配線（ランド部）に半田等で固着されており、そ
の配線と対応の半導体素子３２，３４にボンディングワ
イア３２ａ，３４ａで接続されている。リードフレーム
４０〜４５は額縁部１２にインサート成形で埋め込まれ
ており、額縁部１２の端子座板４０ａ〜４５ａに外部接
続の端子ねじ（図示せず）が螺着するようになってい
る。
【０００３】このような構造の半導体モジュールは絶縁
樹脂製のケース枠１０の四隅の肉薄部である取付座部１
５に貫通した通し孔１５ａに通しボルト（図示せず）を
挿入して電子機器等に取付けるようになっている。その
通しボルトによる締め付けで通し孔１５ａの縁や取付座
部１５にカケ，割れ等の損傷が生じないように、図４に
示す如く、通し孔１５ａは取付座部１５に金属製の筒状
カラー１５ｂを一体成形埋め込みで縁取られている。こ
のため、通しボルトの締め付け力によって通し孔１５ａ
周辺の取付座部１５を通しボルトのボルト頭とベース板
２０で挟み付けても、金属製の筒状カラー１５ｂが補強
しているので、取付座部１５の割れ等が防止されてい
る。
樹脂製のケース枠１０の四隅の肉薄部である取付座部１
５に貫通した通し孔１５ａに通しボルト（図示せず）を
挿入して電子機器等に取付けるようになっている。その
通しボルトによる締め付けで通し孔１５ａの縁や取付座
部１５にカケ，割れ等の損傷が生じないように、図４に
示す如く、通し孔１５ａは取付座部１５に金属製の筒状
カラー１５ｂを一体成形埋め込みで縁取られている。こ
のため、通しボルトの締め付け力によって通し孔１５ａ
周辺の取付座部１５を通しボルトのボルト頭とベース板
２０で挟み付けても、金属製の筒状カラー１５ｂが補強
しているので、取付座部１５の割れ等が防止されてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
半導体モジュールの絶縁樹脂製のケース枠１０と放熱ベ
ース板２０との取付け構造にあっては、次のような問題
点があった。
半導体モジュールの絶縁樹脂製のケース枠１０と放熱ベ
ース板２０との取付け構造にあっては、次のような問題
点があった。
【０００５】取付座部１５の裏面も含めた絶縁樹脂製ケ
ース枠１０の開口段差面１４には接着剤１５ｃを塗布し
て金属製のベース板２０を貼り合わせて開口を閉塞する
ようにしているものの、自動塗布機で接着剤１５ｃの分
量を最適化して塗布しても、ベース板２０の貼り合わせ
力の如何によって接着剤層の層厚ｔにバラツキが生じ
る。貼り合わせ力が強すぎると、開口段差面１４とベー
ス板２０との間に挟まれている接着剤１５ｃが過度には
み出すので、層厚ｔが薄くなり過ぎ、乾燥後に接着剤層
の剥離やゲル状樹脂封止材の漏れを起こすおそれがあ
る。貼り合わせ力が弱すぎると、膜中にボイド等が残留
したままであるため層厚ｔは厚いものの、半導体モジュ
ールの機器等への取付け時においては通しボルトの締め
付け力によって接着剤層が押し潰されて変形する。この
結果、ボルトの締め付け力が樹脂製の取付座部１５の部
分に曲げモーメントとして作用し、取付座部１５に割れ
等を生じさせることがあった。
ース枠１０の開口段差面１４には接着剤１５ｃを塗布し
て金属製のベース板２０を貼り合わせて開口を閉塞する
ようにしているものの、自動塗布機で接着剤１５ｃの分
量を最適化して塗布しても、ベース板２０の貼り合わせ
力の如何によって接着剤層の層厚ｔにバラツキが生じ
る。貼り合わせ力が強すぎると、開口段差面１４とベー
ス板２０との間に挟まれている接着剤１５ｃが過度には
み出すので、層厚ｔが薄くなり過ぎ、乾燥後に接着剤層
の剥離やゲル状樹脂封止材の漏れを起こすおそれがあ
る。貼り合わせ力が弱すぎると、膜中にボイド等が残留
したままであるため層厚ｔは厚いものの、半導体モジュ
ールの機器等への取付け時においては通しボルトの締め
付け力によって接着剤層が押し潰されて変形する。この
結果、ボルトの締め付け力が樹脂製の取付座部１５の部
分に曲げモーメントとして作用し、取付座部１５に割れ
等を生じさせることがあった。
【０００６】そこで上記問題点に鑑み、本発明の課題
は、半導体モジュールにおいてケース枠とベース板との
取付け構造を改善することにより、接着剤層の層厚のバ
ラツキを無くして最適化し、接着剤層の剥離，ゲル状樹
脂封止材の漏れや取付座部の割れ等を防止することにあ
る。
は、半導体モジュールにおいてケース枠とベース板との
取付け構造を改善することにより、接着剤層の層厚のバ
ラツキを無くして最適化し、接着剤層の剥離，ゲル状樹
脂封止材の漏れや取付座部の割れ等を防止することにあ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の手段は、金属製の筒状カラー自体を接着
剤層の層厚を規定するスペーサとして利用するものであ
る。即ち、本発明は、額縁部からリードフレームが延出
する絶縁樹脂製のケース枠と、このケース枠の一方の開
口段差面に接着剤を以て固着して閉蓋する金属製の放熱
ベース板と、上記放熱ベース板の内面に固着され、上記
リードフレームのインナーリード先端に接続する半導体
素子が実装された回路基板と、上記ケース枠の内部空間
に充填され、上記回路基板及び上記インナーリードを浸
漬するゲル状樹脂封止材と、上記ケース枠の他方の開口
を閉蓋する絶縁樹脂製の蓋板と、上記ケース枠の四隅の
取付座部に一体成形で埋め込んだ通し孔用の金属製筒状
カラーとを有する半導体装置において、上記金属製筒状
カラーの端面が前記接着剤の塗布される前記開口段差面
のレベルから所定長さだけ突出していることを特徴とす
る。このような構成においては、上記開口段差面の周囲
に接着剤の逃がし溜め溝を形成することが望ましい。
めに、本発明の手段は、金属製の筒状カラー自体を接着
剤層の層厚を規定するスペーサとして利用するものであ
る。即ち、本発明は、額縁部からリードフレームが延出
する絶縁樹脂製のケース枠と、このケース枠の一方の開
口段差面に接着剤を以て固着して閉蓋する金属製の放熱
ベース板と、上記放熱ベース板の内面に固着され、上記
リードフレームのインナーリード先端に接続する半導体
素子が実装された回路基板と、上記ケース枠の内部空間
に充填され、上記回路基板及び上記インナーリードを浸
漬するゲル状樹脂封止材と、上記ケース枠の他方の開口
を閉蓋する絶縁樹脂製の蓋板と、上記ケース枠の四隅の
取付座部に一体成形で埋め込んだ通し孔用の金属製筒状
カラーとを有する半導体装置において、上記金属製筒状
カラーの端面が前記接着剤の塗布される前記開口段差面
のレベルから所定長さだけ突出していることを特徴とす
る。このような構成においては、上記開口段差面の周囲
に接着剤の逃がし溜め溝を形成することが望ましい。
【０００８】
【作用】本発明においても、ケース枠の開口段差面に接
着剤を塗布した後、金属製の放熱ベース板を貼り合わせ
てケース枠とベース板とを固着するが、金属製筒状カラ
ーが開口段差面のレベルから所定長さだけ突出している
ため、この突出長さ分に相当する層厚の接着剤層が確保
されることになり、層厚が薄すぎたり厚すぎたりするこ
とが無く、接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材の漏れや
取付座部の割れを防止できる。このような構造の半導体
装置も、絶縁樹脂製のケース枠の四隅の取付座部の金属
製筒状カラーに通しボルトを挿入して電子機器等に締め
付け固定するようになっているが、金属製のベース板が
ケース枠の樹脂部分に直接当たらなくなるため、締め付
け力がケース枠の樹脂部に加わらず樹脂変形を防止で
き、不如意なケース枠の反りを無くすことができる。更
に、開口段差面の周囲に接着剤の逃がし溜め溝が形成さ
れている場合には、貼り合わせ時にはみ出した余分な樹
脂を逃がし溜めすることができ、外観不良を無くすこと
ができる。
着剤を塗布した後、金属製の放熱ベース板を貼り合わせ
てケース枠とベース板とを固着するが、金属製筒状カラ
ーが開口段差面のレベルから所定長さだけ突出している
ため、この突出長さ分に相当する層厚の接着剤層が確保
されることになり、層厚が薄すぎたり厚すぎたりするこ
とが無く、接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材の漏れや
取付座部の割れを防止できる。このような構造の半導体
装置も、絶縁樹脂製のケース枠の四隅の取付座部の金属
製筒状カラーに通しボルトを挿入して電子機器等に締め
付け固定するようになっているが、金属製のベース板が
ケース枠の樹脂部分に直接当たらなくなるため、締め付
け力がケース枠の樹脂部に加わらず樹脂変形を防止で
き、不如意なケース枠の反りを無くすことができる。更
に、開口段差面の周囲に接着剤の逃がし溜め溝が形成さ
れている場合には、貼り合わせ時にはみ出した余分な樹
脂を逃がし溜めすることができ、外観不良を無くすこと
ができる。
【０００９】
【実施例】以下、図面に基づいて本発明の実施例を詳細
に説明する。
に説明する。
【００１０】図１（ａ）は本発明の実施例に係る半導体
装置におけるケース枠と放熱ベース板との取付け前の状
態を示す部分断面図、図１（ｂ）は同半導体装置におけ
るケース枠と放熱ベース板との取付け後の状態を示す部
分断面図である。
装置におけるケース枠と放熱ベース板との取付け前の状
態を示す部分断面図、図１（ｂ）は同半導体装置におけ
るケース枠と放熱ベース板との取付け後の状態を示す部
分断面図である。
【００１１】本例の半導体装置はパワーモジュール又は
インテリジェントパワーモジュールと称される半導体モ
ジュールで、図２に示す如くと同様の平面構造を有して
いる。そして従来例と同様に、本例の半導体モジュール
の断面構造も、図３と略同様に、リードフレーム付きの
絶縁樹脂製ケース枠１０と、このケース枠１０の額縁部
１２の一方面側の開口段差面１４に接着剤を以て固着し
て開口を閉蓋する放熱ベース板（金属板）２０と、この
放熱ベース板２０の内面に半田等で固着された回路基板
（セラミックス基板）３０，３１と、この回路基板３０
上の厚膜配線にインナーリード先端Ａが接続したリード
フレーム４０〜４５と、回路基板３０，３１，リードフ
レーム４０〜４５のインナーリードを浸漬するゲル状樹
脂（シリコーン樹脂）封止材５０と、ケース枠１０の他
面側の開口段差面１８に接着剤を以て固着して開口を閉
蓋する絶縁樹脂製の蓋板６０とを有している。
インテリジェントパワーモジュールと称される半導体モ
ジュールで、図２に示す如くと同様の平面構造を有して
いる。そして従来例と同様に、本例の半導体モジュール
の断面構造も、図３と略同様に、リードフレーム付きの
絶縁樹脂製ケース枠１０と、このケース枠１０の額縁部
１２の一方面側の開口段差面１４に接着剤を以て固着し
て開口を閉蓋する放熱ベース板（金属板）２０と、この
放熱ベース板２０の内面に半田等で固着された回路基板
（セラミックス基板）３０，３１と、この回路基板３０
上の厚膜配線にインナーリード先端Ａが接続したリード
フレーム４０〜４５と、回路基板３０，３１，リードフ
レーム４０〜４５のインナーリードを浸漬するゲル状樹
脂（シリコーン樹脂）封止材５０と、ケース枠１０の他
面側の開口段差面１８に接着剤を以て固着して開口を閉
蓋する絶縁樹脂製の蓋板６０とを有している。
【００１２】ケース枠１０の四隅においては樹脂肉薄部
である取付座部１５が形成されており、これには一体成
形（インサート成形）で通し孔１５ａ用の金属製筒状カ
ラー８０が埋め込まれている。この金属製筒状カラー８
０はその裏面側の端面が開口段差面１４のレベルよりも
ギャップｄ（例えば0.1 〜0.2mm ）だけ突出するように
埋め込まれている。そして、開口段差面１４の周囲には
接着剤１５ｃの逃がし溜め溝８５が形成されている。
である取付座部１５が形成されており、これには一体成
形（インサート成形）で通し孔１５ａ用の金属製筒状カ
ラー８０が埋め込まれている。この金属製筒状カラー８
０はその裏面側の端面が開口段差面１４のレベルよりも
ギャップｄ（例えば0.1 〜0.2mm ）だけ突出するように
埋め込まれている。そして、開口段差面１４の周囲には
接着剤１５ｃの逃がし溜め溝８５が形成されている。
【００１３】ケース枠１０の開口段差面１４に接着剤１
５ｃを自動塗布機で所定量塗布した後、金属製の通し孔
２０ａを有する放熱ベース板２０を貼り合わせてケース
枠１０とベース板２０とを固着する。この際、金属製筒
状カラー８０の端面が開口段差面１４のレベルからギャ
ップｄだけ突出しているため、図１（ｂ）に示す如く、
このギャップｄに相当する層厚の接着剤層が確保される
ことになる。このため接着剤１５ｃの層厚バラツキを無
くすことができる。接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材
の漏れや取付座部の割れを防止できる。
５ｃを自動塗布機で所定量塗布した後、金属製の通し孔
２０ａを有する放熱ベース板２０を貼り合わせてケース
枠１０とベース板２０とを固着する。この際、金属製筒
状カラー８０の端面が開口段差面１４のレベルからギャ
ップｄだけ突出しているため、図１（ｂ）に示す如く、
このギャップｄに相当する層厚の接着剤層が確保される
ことになる。このため接着剤１５ｃの層厚バラツキを無
くすことができる。接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材
の漏れや取付座部の割れを防止できる。
【００１４】本例の半導体モジュールの機器取付けにお
いては、金属製筒状カラー８０の通し孔１５ａ及びベー
ス板２０の通し孔２０ａに通しボルト（図示せず）を挿
入して締め付け固定するようになっているが、金属製筒
状カラー８０の突出部分がベース板受け部としてのスト
ッパとなっているので、金属製のベース板２０がケース
枠１０の樹脂部分に直接当たらなくなるため、締め付け
力がケース枠１０の樹脂部に加わらず樹脂変形を防止で
き、不如意なケース枠の反りを無くすことができる。
いては、金属製筒状カラー８０の通し孔１５ａ及びベー
ス板２０の通し孔２０ａに通しボルト（図示せず）を挿
入して締め付け固定するようになっているが、金属製筒
状カラー８０の突出部分がベース板受け部としてのスト
ッパとなっているので、金属製のベース板２０がケース
枠１０の樹脂部分に直接当たらなくなるため、締め付け
力がケース枠１０の樹脂部に加わらず樹脂変形を防止で
き、不如意なケース枠の反りを無くすことができる。
【００１５】更にまた、本例においては逃がし溜め溝８
５が巡らされているため、接着剤塗布の貼り合わせ時に
は、隙間からはみ出した余分な樹脂が逃がし溜め溝８５
に溜まり、ベース板２０の表面には露出しないので、外
観不良を無くすことができる。
５が巡らされているため、接着剤塗布の貼り合わせ時に
は、隙間からはみ出した余分な樹脂が逃がし溜め溝８５
に溜まり、ベース板２０の表面には露出しないので、外
観不良を無くすことができる。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、ケース
枠の四隅の取付座部における通し孔用の金属製筒状カラ
ーをその端面が接着剤の塗布される開口段差面のレベル
から所定長さだけ突出するように埋め込んだ点を特徴と
している。従って次の効果を奏する。
枠の四隅の取付座部における通し孔用の金属製筒状カラ
ーをその端面が接着剤の塗布される開口段差面のレベル
から所定長さだけ突出するように埋め込んだ点を特徴と
している。従って次の効果を奏する。
【００１７】 金属製筒状カラーの突出長さ分に相当
する層厚の接着剤層が確保され、そのバラツキを無くす
ことができるので、接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材
の漏れや取付座部の割れを防止できる。
する層厚の接着剤層が確保され、そのバラツキを無くす
ことができるので、接着剤層の剥離，ゲル状樹脂封止材
の漏れや取付座部の割れを防止できる。
【００１８】 金属製筒状カラーの突出部分がストッ
パとなり、金属製のベース板がケース枠の樹脂部分に直
接当たらなくなるため、締め付け力がケース枠の樹脂部
に加わらず樹脂変形を防止でき、不如意なケース枠の反
りを無くすことができる。
パとなり、金属製のベース板がケース枠の樹脂部分に直
接当たらなくなるため、締め付け力がケース枠の樹脂部
に加わらず樹脂変形を防止でき、不如意なケース枠の反
りを無くすことができる。
【００１９】 更に、開口段差面の周囲に接着剤の逃
がし溜め溝が形成されている場合には、貼り合わせ時に
はみ出した余分な樹脂を逃がし溜めすることができ、外
観不良を無くすことができる。
がし溜め溝が形成されている場合には、貼り合わせ時に
はみ出した余分な樹脂を逃がし溜めすることができ、外
観不良を無くすことができる。
【図１】（ａ）は本発明の実施例に係る半導体装置にお
けるケース枠と放熱ベース板との取付け前の状態を示す
部分断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるケース枠と
放熱ベース板との取付け後の状態を示す部分断面図であ
る。
けるケース枠と放熱ベース板との取付け前の状態を示す
部分断面図、（ｂ）は同半導体装置におけるケース枠と
放熱ベース板との取付け後の状態を示す部分断面図であ
る。
【図２】パワーモジュールと称される半導体装置の構造
を示す平面図である。
を示す平面図である。
【図３】図２のＱ−Ｑ′線に沿って切断した状態を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】従来のパワーモジュールと称される半導体装置
におけるケース枠と放熱ベース板との取付け構造を示す
部分断面図である。
におけるケース枠と放熱ベース板との取付け構造を示す
部分断面図である。
１０…絶縁樹脂製ケース枠 １２…額縁部 １４，１８…開口段差面 １５…取付座部 １５ａ，２０ａ…通し孔 １５ｃ…接着剤 ２０…金属製放熱ベース板 ３０，３１…回路基板 ３２，３４…半導体素子（チップ） ３２ａ，３４ａ…ボンディングワイア ４０〜４５…リードフレーム ４０ａ〜４０ａ…端子座板 ５０…ゲル状樹脂封止材（シリコーン樹脂） ６０…絶縁性蓋板 Ａ，Ｂ…インナーリード先端 Ｐ１〜Ｐ１６…リードピン ７０…リードピンブロック ８０…金属製筒状カラー ８５…逃がし溜め溝。
Claims (2)
- 【請求項１】 額縁部からリードフレームが延出する絶
縁樹脂製のケース枠と、このケース枠の一方の開口段差
面に接着剤を以て固着して閉蓋する金属製の放熱ベース
板と、前記放熱ベース板の内面に固着され、前記リード
フレームのインナーリード先端に接続する半導体素子が
実装された回路基板と、前記ケース枠の内部空間に充填
され、前記回路基板及び前記インナーリードを浸漬する
ゲル状樹脂封止材と、前記ケース枠の他方の開口を閉蓋
する絶縁樹脂製の蓋板と、前記ケース枠の四隅の取付座
部に一体成形で埋め込んだ通し孔用の金属製筒状カラー
とを有する半導体装置において、前記金属製筒状カラー
の端面が前記接着剤の塗布される前記開口段差面のレベ
ルから所定長さだけ突出していることを特徴とする半導
体装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の半導体装置において、
前記開口段差面の周囲には前記接着剤の逃がし溜め溝が
形成されて成ることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30577394A JP3196540B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30577394A JP3196540B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08162572A true JPH08162572A (ja) | 1996-06-21 |
| JP3196540B2 JP3196540B2 (ja) | 2001-08-06 |
Family
ID=17949178
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30577394A Expired - Lifetime JP3196540B2 (ja) | 1994-12-09 | 1994-12-09 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3196540B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265982B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2011233814A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Nissan Motor Co Ltd | 電子モジュール及び電子モジュール取付け構造 |
| JP2013110296A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法、並びに樹脂フレーム |
| US9576913B2 (en) | 2011-12-08 | 2017-02-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2018190894A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5310660B2 (ja) | 2010-07-01 | 2013-10-09 | 富士電機株式会社 | 半導体装置 |
-
1994
- 1994-12-09 JP JP30577394A patent/JP3196540B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7265982B2 (en) | 2004-09-21 | 2007-09-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2011233814A (ja) * | 2010-04-30 | 2011-11-17 | Nissan Motor Co Ltd | 電子モジュール及び電子モジュール取付け構造 |
| JP2013110296A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Shindengen Electric Mfg Co Ltd | パワーモジュールおよびその製造方法、並びに樹脂フレーム |
| US9576913B2 (en) | 2011-12-08 | 2017-02-21 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device |
| JP2018190894A (ja) * | 2017-05-10 | 2018-11-29 | 株式会社豊田自動織機 | 半導体モジュール |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3196540B2 (ja) | 2001-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7082033B1 (en) | Removing heat from integrated circuit devices mounted on a support structure | |
| US5814882A (en) | Seal structure for tape carrier package | |
| JP3758383B2 (ja) | パワー半導体装置およびその組立方法 | |
| JP3196540B2 (ja) | 半導体装置 | |
| US5874783A (en) | Semiconductor device having the inner end of connector leads displaced onto the surface of semiconductor chip | |
| JP3239640B2 (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
| JP2770947B2 (ja) | 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法 | |
| JP2895504B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2004335493A (ja) | 半導体装置の実装構造 | |
| JPH08130291A (ja) | 半導体装置 | |
| JP3425924B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0778921A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH06334070A (ja) | 混成集積回路装置 | |
| JP2975782B2 (ja) | 混成集積回路装置およびこれに用いるケース材 | |
| JPH11260963A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JPH10200018A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
| JP2000124401A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH0457104B2 (ja) | ||
| JPH05166967A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH05251602A (ja) | ハイブリッドｉｃの製造方法 | |
| JPH06163812A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04168753A (ja) | 半導体装置 | |
| JPH09121003A (ja) | 半導体パッケージ | |
| JPH06268094A (ja) | 混成集積回路 | |
| JPH0831547B2 (ja) | 混成集積回路装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080608 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090608 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 10 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 12 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |