JPH09121003A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH09121003A JPH09121003A JP27802495A JP27802495A JPH09121003A JP H09121003 A JPH09121003 A JP H09121003A JP 27802495 A JP27802495 A JP 27802495A JP 27802495 A JP27802495 A JP 27802495A JP H09121003 A JPH09121003 A JP H09121003A
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- material substrate
- semiconductor chip
- substrate
- bga
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 有機材基板への水分の浸入を低減し、マザー
ボードへの実装のためのリフロー工程時における、クラ
ックや膨れをなくす。 【解決手段】 有機材基板１上に半導体チップ３が実装
され、その半導体チップ３が封止樹脂６により封止され
る半導体パッケージにおいて、前記有機材基板１の４つ
の側面をエポキシ系の液状樹脂８により封止するように
したものである。
ボードへの実装のためのリフロー工程時における、クラ
ックや膨れをなくす。 【解決手段】 有機材基板１上に半導体チップ３が実装
され、その半導体チップ３が封止樹脂６により封止され
る半導体パッケージにおいて、前記有機材基板１の４つ
の側面をエポキシ系の液状樹脂８により封止するように
したものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
に係り、特に、プラスチック・ボール・グリッド・アレ
イ・パッケージ（以下、ＢＧＡ−Ｐという）の構造に関
するものである。
に係り、特に、プラスチック・ボール・グリッド・アレ
イ・パッケージ（以下、ＢＧＡ−Ｐという）の構造に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来のＢＧＡ−Ｐは、１０μｍ〜４０μ
ｍ厚の銅箔により配線を施したビスマレイン酸トリアジ
ン系基板等の有機材基板上に、導電性ペーストを介して
半導体チップを搭載し、この半導体チップの電極と有機
材基板上の配線をボンディング線にて接続した後、半導
体チップが搭載されている面をエポキシ系の封止材料に
より封止し、その反対の面に端子となる半田ボールを格
子状に配列した構造となっている。
ｍ厚の銅箔により配線を施したビスマレイン酸トリアジ
ン系基板等の有機材基板上に、導電性ペーストを介して
半導体チップを搭載し、この半導体チップの電極と有機
材基板上の配線をボンディング線にて接続した後、半導
体チップが搭載されている面をエポキシ系の封止材料に
より封止し、その反対の面に端子となる半田ボールを格
子状に配列した構造となっている。
【０００３】図５はかかる従来のＢＧＡ−Ｐの構造を示
す図であり、図５（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面図、図
５（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図、図５（ｃ）はその
ＢＧＡ−Ｐの部分拡大断面図である。これらの図はＢＧ
Ａ−Ｐの一例であり、有機材基板（ベース基板）１０１
は、下部層から上部層に順次、レジスト１１１、樹脂
（有機材）１１２、ガラス繊維１１３、樹脂（有機材）
１１４、ガラス繊維１１５、樹脂（有機材）１１６、レ
ジスト１１７から構成されているのが一般的である。
す図であり、図５（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面図、図
５（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図、図５（ｃ）はその
ＢＧＡ−Ｐの部分拡大断面図である。これらの図はＢＧ
Ａ−Ｐの一例であり、有機材基板（ベース基板）１０１
は、下部層から上部層に順次、レジスト１１１、樹脂
（有機材）１１２、ガラス繊維１１３、樹脂（有機材）
１１４、ガラス繊維１１５、樹脂（有機材）１１６、レ
ジスト１１７から構成されているのが一般的である。
【０００４】この有機材基板１０１上に導電体ペースト
１０２により、半導体チップ１０３がダイスボンディン
グされ、また、有機材基板１０１に銅箔配線１０４が施
され、その銅箔配線１０４と半導体チップ１０３間はボ
ンディング線１０５により接続され、半導体チップ１０
３とボンディング線１０５は封止樹脂１０６により樹脂
封止される。また、銅箔配線１０４は接続用スルーホー
ル１０９により有機材基板１０１の裏面に配線された半
田ボール１０７と接続されている。
１０２により、半導体チップ１０３がダイスボンディン
グされ、また、有機材基板１０１に銅箔配線１０４が施
され、その銅箔配線１０４と半導体チップ１０３間はボ
ンディング線１０５により接続され、半導体チップ１０
３とボンディング線１０５は封止樹脂１０６により樹脂
封止される。また、銅箔配線１０４は接続用スルーホー
ル１０９により有機材基板１０１の裏面に配線された半
田ボール１０７と接続されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の構造のＢＧＡ−Ｐでは、ベース基板として、吸
水率の高い、ガラスエポキシ材や、ビスマレイン酸トリ
アジン系材等の有機材基板を使用している上、有機材基
板等を個片にするため、プレス加工等により打ち抜いて
いるので、有機材基板の側面にガラス繊維が露出してい
る。
た従来の構造のＢＧＡ−Ｐでは、ベース基板として、吸
水率の高い、ガラスエポキシ材や、ビスマレイン酸トリ
アジン系材等の有機材基板を使用している上、有機材基
板等を個片にするため、プレス加工等により打ち抜いて
いるので、有機材基板の側面にガラス繊維が露出してい
る。
【０００６】このため、ＢＧＡ−Ｐの保管環境により、
有機材基板の側面及び表面から水分が浸入し、これが原
因となり、マザーボードへの実装のためのリフロー工程
時に、クラックや膨れが発生したり、その後のＢＧＡ−
Ｐ自体の耐湿性の劣化といった問題点があった。本発明
は、上記問題点を除去し、有機材基板への水分の浸入を
低減し、マザーボードへの実装のためのリフロー工程時
における、クラックや膨れをなくすことができる半導体
パッケージを提供することを目的とする。
有機材基板の側面及び表面から水分が浸入し、これが原
因となり、マザーボードへの実装のためのリフロー工程
時に、クラックや膨れが発生したり、その後のＢＧＡ−
Ｐ自体の耐湿性の劣化といった問題点があった。本発明
は、上記問題点を除去し、有機材基板への水分の浸入を
低減し、マザーボードへの実装のためのリフロー工程時
における、クラックや膨れをなくすことができる半導体
パッケージを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 （１）有機材基板上に半導体チップが実装され、この半
導体チップが封止樹脂により封止される半導体パッケー
ジにおいて、前記有機材基板の４つの側面をエポキシ系
の液状樹脂により封止するようにしたものである。
成するために、 （１）有機材基板上に半導体チップが実装され、この半
導体チップが封止樹脂により封止される半導体パッケー
ジにおいて、前記有機材基板の４つの側面をエポキシ系
の液状樹脂により封止するようにしたものである。
【０００８】このように、ガラス繊維が露出している有
機材基板の４つの側面をエポキシ系の液状樹脂にて封止
することにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を
低減することが可能となる。また、液状樹脂による封止
方法は、ポッティング又はディッピング等の従来技術に
て対応ができるので、簡単で安価な方法にて、水分の浸
入を低減させることができる。
機材基板の４つの側面をエポキシ系の液状樹脂にて封止
することにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を
低減することが可能となる。また、液状樹脂による封止
方法は、ポッティング又はディッピング等の従来技術に
て対応ができるので、簡単で安価な方法にて、水分の浸
入を低減させることができる。
【０００９】（２）有機材基板上に半導体チップが実装
され、この半導体チップが封止樹脂により封止される半
導体パッケージにおいて、前記有機材基板の４つの側面
に、予め機械加工した金属嵌合片を嵌め込み被覆するよ
うにしたものである。このように、ガラス繊維が露出し
ている有機材基板の４つの側面を金属嵌合片にて被覆す
ることにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を低
減することが可能となる。
され、この半導体チップが封止樹脂により封止される半
導体パッケージにおいて、前記有機材基板の４つの側面
に、予め機械加工した金属嵌合片を嵌め込み被覆するよ
うにしたものである。このように、ガラス繊維が露出し
ている有機材基板の４つの側面を金属嵌合片にて被覆す
ることにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を低
減することが可能となる。
【００１０】また、有機材基板の厚さよりも、狭い間隙
を設けた金属嵌合片を嵌め込むことにより、有機材基板
の４つの側面が固定されるので、封止樹脂による封止工
程にて生じた有機材基板の反りを矯正するという効果も
期待できる。 （３）有機材基板上に半導体チップが実装され、この半
導体チップが封止樹脂により封止される半導体パッケー
ジにおいて、前記有機材基板の封止樹脂の封止面側より
金属平板を貼り合わせ、この金属平板の４辺を前記有機
材基板の裏面へ折り曲げることにより、金属被覆体によ
り有機材基板の表面と側面を被覆するようにしたもので
ある。
を設けた金属嵌合片を嵌め込むことにより、有機材基板
の４つの側面が固定されるので、封止樹脂による封止工
程にて生じた有機材基板の反りを矯正するという効果も
期待できる。 （３）有機材基板上に半導体チップが実装され、この半
導体チップが封止樹脂により封止される半導体パッケー
ジにおいて、前記有機材基板の封止樹脂の封止面側より
金属平板を貼り合わせ、この金属平板の４辺を前記有機
材基板の裏面へ折り曲げることにより、金属被覆体によ
り有機材基板の表面と側面を被覆するようにしたもので
ある。
【００１１】このように、金属被覆板により有機材基板
の表面及び側面を被覆することにより、有機材基板への
トータル的な水分の浸入を低減することが可能となる。
また、上記（２）記載の効果と同様に、金属被覆板によ
り、有機材基板の反りを矯正できるほか、有機材基板全
体を熱伝導率の高い金属被覆板にて被覆しているので、
放熱性の向上も期待できる。
の表面及び側面を被覆することにより、有機材基板への
トータル的な水分の浸入を低減することが可能となる。
また、上記（２）記載の効果と同様に、金属被覆板によ
り、有機材基板の反りを矯正できるほか、有機材基板全
体を熱伝導率の高い金属被覆板にて被覆しているので、
放熱性の向上も期待できる。
【００１２】（４）有機材基板上に半導体チップが実装
され、この半導体チップが封止樹脂により封止される半
導体パッケージにおいて、前記有機材基板の表面層に銅
箔金属平面を設け、２層目以降に信号配線を配置するよ
うにしたものである。このように、有機材基板の表面層
に配置した厚さ１０〜４０μｍの銅箔金属平面により、
有機材基板の表面からの水分の浸入を低減することが可
能となる。
され、この半導体チップが封止樹脂により封止される半
導体パッケージにおいて、前記有機材基板の表面層に銅
箔金属平面を設け、２層目以降に信号配線を配置するよ
うにしたものである。このように、有機材基板の表面層
に配置した厚さ１０〜４０μｍの銅箔金属平面により、
有機材基板の表面からの水分の浸入を低減することが可
能となる。
【００１３】また、この金属平面を有機材基板の外周部
に配置されたスルーホールを介して、裏面の半田ボール
と接続することにより、電源又はグランド層として使用
することが可能となり、電源又はグランド系のインダク
タンスが低減されるので、電源ノイズ等のノイズの低減
も可能となる。
に配置されたスルーホールを介して、裏面の半田ボール
と接続することにより、電源又はグランド層として使用
することが可能となり、電源又はグランド系のインダク
タンスが低減されるので、電源ノイズ等のノイズの低減
も可能となる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図であり、図１（ａ）はそ
のＢＧＡ−Ｐの平面図、図１（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの
断面図である。これらの図に示すように、有機材基板１
上に導電体ペースト２により、半導体チップ３がダイス
ボンディングされ、また、有機材基板１に銅箔配線４が
施され、その銅箔配線４と半導体チップ３間はボンディ
ング線５により接続され、半導体チップ３とボンディン
グ線５は封止樹脂６により樹脂封止される。また、銅箔
配線４は接続用スルーホール９により有機材基板１の裏
面に接続され、また、その裏面には半田ボール７が形成
されている。
て図面を参照しながら説明する。図１は本発明の第１実
施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図であり、図１（ａ）はそ
のＢＧＡ−Ｐの平面図、図１（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの
断面図である。これらの図に示すように、有機材基板１
上に導電体ペースト２により、半導体チップ３がダイス
ボンディングされ、また、有機材基板１に銅箔配線４が
施され、その銅箔配線４と半導体チップ３間はボンディ
ング線５により接続され、半導体チップ３とボンディン
グ線５は封止樹脂６により樹脂封止される。また、銅箔
配線４は接続用スルーホール９により有機材基板１の裏
面に接続され、また、その裏面には半田ボール７が形成
されている。
【００１５】封止樹脂６による封止工程、又は半田ボー
ル７の実装工程の後、ＢＧＡ−Ｐを個片状態にし、有機
材基板１のガラス繊維が露出している４つの側面を、ポ
ッティング又はディッピング等の方法により、エポキシ
系の液状樹脂８にて封止する。このように、第１実施例
によれば、ガラス繊維が露出している有機材基板１の４
つの側面をエポキシ系の液状樹脂８にて封止することに
より、有機材基板１の側面からの水分の浸入を低減する
ことが可能となる。
ル７の実装工程の後、ＢＧＡ−Ｐを個片状態にし、有機
材基板１のガラス繊維が露出している４つの側面を、ポ
ッティング又はディッピング等の方法により、エポキシ
系の液状樹脂８にて封止する。このように、第１実施例
によれば、ガラス繊維が露出している有機材基板１の４
つの側面をエポキシ系の液状樹脂８にて封止することに
より、有機材基板１の側面からの水分の浸入を低減する
ことが可能となる。
【００１６】また、液状樹脂８による封止方法は、ポッ
ティング又はディッピング等の従来技術にて対応が可能
であり、簡単で安価な方法によって、水分の浸入を低減
することができる。図２は本発明の第２実施例を示すＢ
ＧＡ−Ｐの構造図であり、図２（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐ
の平面図、図２（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図、図２
（ｃ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面が露出している有機材基
板の側面に設けられる金属片の斜視図である。なお、上
記第１実施例と同じ部分については同じ符号を付してそ
れらの説明は省略する。
ティング又はディッピング等の従来技術にて対応が可能
であり、簡単で安価な方法によって、水分の浸入を低減
することができる。図２は本発明の第２実施例を示すＢ
ＧＡ−Ｐの構造図であり、図２（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐ
の平面図、図２（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図、図２
（ｃ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面が露出している有機材基
板の側面に設けられる金属片の斜視図である。なお、上
記第１実施例と同じ部分については同じ符号を付してそ
れらの説明は省略する。
【００１７】これらの図に示すように、封止樹脂６によ
る封止工程又は半田ボール７の実装工程の後、ＢＧＡ−
Ｐを個片状態にし、有機材基板１のガラス繊維が露出し
ている４つの側面に、予め断面「コ」の字型に機械加工
した厚さ０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの金属嵌合片１０を、
直接又は接着材１１を介して嵌め込む。なお、有機材基
板１に嵌め込むための「コ」の字型の金属嵌合片１０の
間隙Ａの寸法は、有機材基板１の厚さよりも０．０５ｍ
ｍ〜０．１ｍｍ程度小さく設定しておくのが望ましい。
る封止工程又は半田ボール７の実装工程の後、ＢＧＡ−
Ｐを個片状態にし、有機材基板１のガラス繊維が露出し
ている４つの側面に、予め断面「コ」の字型に機械加工
した厚さ０．２ｍｍ〜０．４ｍｍの金属嵌合片１０を、
直接又は接着材１１を介して嵌め込む。なお、有機材基
板１に嵌め込むための「コ」の字型の金属嵌合片１０の
間隙Ａの寸法は、有機材基板１の厚さよりも０．０５ｍ
ｍ〜０．１ｍｍ程度小さく設定しておくのが望ましい。
【００１８】このように、第２実施例によれば、ガラス
繊維が露出している有機材基板１の４つの側面を金属嵌
合片１０にて被覆することにより、有機材基板１の側面
からの水分の浸入を低減することが可能となる。また、
有機材基板１の厚さよりも、狭い間隙を設けた金属嵌合
片１０を嵌め込むことにより、有機材基板１の４つの側
面が固定されるので、封止樹脂６による封止工程にて生
じた有機材基板１の反りを矯正するという効果も期待で
きる。
繊維が露出している有機材基板１の４つの側面を金属嵌
合片１０にて被覆することにより、有機材基板１の側面
からの水分の浸入を低減することが可能となる。また、
有機材基板１の厚さよりも、狭い間隙を設けた金属嵌合
片１０を嵌め込むことにより、有機材基板１の４つの側
面が固定されるので、封止樹脂６による封止工程にて生
じた有機材基板１の反りを矯正するという効果も期待で
きる。
【００１９】図３は本発明の第３実施例を示すＢＧＡ−
Ｐの構造図であり、図３（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面
図、図３（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図である。ここ
でも、上記第１実施例と同じ部分については同じ符号を
付してそれらの説明は省略する。これらの図に示すよう
に、封止樹脂６による封止工程、又は半田ボール７の実
装工程の後、ＢＧＡ−Ｐを個片状態にし、この個片状態
となったＢＧＡ−Ｐに、予め封止樹脂６の部分が逃げら
れるような開口部を設けた、厚さ０．２ｍｍ〜０．４ｍ
ｍの金属被覆板１２を有機材基板１の封止面側より接着
材１１を介して、有機材基板１に貼り合わせる。
Ｐの構造図であり、図３（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面
図、図３（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図である。ここ
でも、上記第１実施例と同じ部分については同じ符号を
付してそれらの説明は省略する。これらの図に示すよう
に、封止樹脂６による封止工程、又は半田ボール７の実
装工程の後、ＢＧＡ−Ｐを個片状態にし、この個片状態
となったＢＧＡ−Ｐに、予め封止樹脂６の部分が逃げら
れるような開口部を設けた、厚さ０．２ｍｍ〜０．４ｍ
ｍの金属被覆板１２を有機材基板１の封止面側より接着
材１１を介して、有機材基板１に貼り合わせる。
【００２０】その後、金属被覆板１２の４辺を有機材基
板１の側面を覆うように、下方及び有機材基板１の裏面
側へ機械的に折り曲げる。なお、金属被覆板１２の材料
としては、熱伝導率の高い銅やアルミニウムを用い、表
面には酸化防止処理を施すことが望ましい。ＢＧＡ−Ｐ
の有機材基板１の封止面側より貼り合わせた金属被覆板
１２が有機材基板１の表面と、ガラス繊維が露出してい
る側面を被覆することにより、有機材基板１からの水分
の浸入を低減することが可能となる。
板１の側面を覆うように、下方及び有機材基板１の裏面
側へ機械的に折り曲げる。なお、金属被覆板１２の材料
としては、熱伝導率の高い銅やアルミニウムを用い、表
面には酸化防止処理を施すことが望ましい。ＢＧＡ−Ｐ
の有機材基板１の封止面側より貼り合わせた金属被覆板
１２が有機材基板１の表面と、ガラス繊維が露出してい
る側面を被覆することにより、有機材基板１からの水分
の浸入を低減することが可能となる。
【００２１】このように、第３実施例によれば、金属被
覆板１２により有機材基板１の表面及び側面を被覆する
ようにしているので、有機材基板１へのトータル的な水
分の浸入を低減することが可能となる。また、第２実施
例の効果と同様に、金属被覆板１２により、有機材基板
１の反りを矯正できるほか、有機材基板１全体を熱伝導
率の高い金属被覆板１２にて被覆しているので、放熱性
の向上も期待できる。
覆板１２により有機材基板１の表面及び側面を被覆する
ようにしているので、有機材基板１へのトータル的な水
分の浸入を低減することが可能となる。また、第２実施
例の効果と同様に、金属被覆板１２により、有機材基板
１の反りを矯正できるほか、有機材基板１全体を熱伝導
率の高い金属被覆板１２にて被覆しているので、放熱性
の向上も期待できる。
【００２２】図４は本発明の第４実施例を示すＢＧＡ−
Ｐの構造図であり、図４（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面
図、図４（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図である。ここ
でも、上記第１実施例と同じ部分については同じ符号を
付してそれらの説明は省略する。この実施例において
は、有機材基板１は、少なくとも配線層を３層以上有す
る構造とする。まず、第１の表面層には、厚さ１０μｍ
〜４０μｍの銅箔による金属平面１３を配置する。そし
て、表面層から下側の２層目以降は、従来表面層に配置
していた信号配線１４を配置する。ただし、信号配線１
４の一部は、半導体チップ３とボンディング線５によ
り、電気的に接続するため、スルーホール１５等によ
り、表面層に形成することになる。
Ｐの構造図であり、図４（ａ）はそのＢＧＡ−Ｐの平面
図、図４（ｂ）はそのＢＧＡ−Ｐの断面図である。ここ
でも、上記第１実施例と同じ部分については同じ符号を
付してそれらの説明は省略する。この実施例において
は、有機材基板１は、少なくとも配線層を３層以上有す
る構造とする。まず、第１の表面層には、厚さ１０μｍ
〜４０μｍの銅箔による金属平面１３を配置する。そし
て、表面層から下側の２層目以降は、従来表面層に配置
していた信号配線１４を配置する。ただし、信号配線１
４の一部は、半導体チップ３とボンディング線５によ
り、電気的に接続するため、スルーホール１５等によ
り、表面層に形成することになる。
【００２３】また、表面層に配置した金属平面１３は、
有機材基板１の外周部に配置された接続用スルーホール
９を介して、裏面の半田ボール７と接続することによ
り、電源又はグランド層として使用する場合もある。こ
のように、第４実施例によれば、有機材基板１の表面層
に配置した厚さ１０μｍ〜４０μｍの銅箔金属平面１３
により、有機材基板１の表面からの水分の浸入を低減す
ることが可能となる。
有機材基板１の外周部に配置された接続用スルーホール
９を介して、裏面の半田ボール７と接続することによ
り、電源又はグランド層として使用する場合もある。こ
のように、第４実施例によれば、有機材基板１の表面層
に配置した厚さ１０μｍ〜４０μｍの銅箔金属平面１３
により、有機材基板１の表面からの水分の浸入を低減す
ることが可能となる。
【００２４】また、この金属平面１３を有機材基板１の
外周部に配置された接続用スルーホール９を介して、裏
面の半田ボール７と接続することにより、電源又はグラ
ンド層として使用することが可能となり、電源又はグラ
ンド系のインダクタンスが低減されるので、電源ノイズ
等のノイズの低減も可能となる。なお、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づい
て種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から
排除するものではない。
外周部に配置された接続用スルーホール９を介して、裏
面の半田ボール７と接続することにより、電源又はグラ
ンド層として使用することが可能となり、電源又はグラ
ンド系のインダクタンスが低減されるので、電源ノイズ
等のノイズの低減も可能となる。なお、本発明は上記実
施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づい
て種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から
排除するものではない。
【００２５】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ガラス繊維が露出
している有機材基板の４つの側面をエポキシ系の液状樹
脂にて封止することにより、有機材基板の側面からの水
分の浸入を低減することが可能となる。
よれば、以下のような効果を奏することができる。 （１）請求項１記載の発明によれば、ガラス繊維が露出
している有機材基板の４つの側面をエポキシ系の液状樹
脂にて封止することにより、有機材基板の側面からの水
分の浸入を低減することが可能となる。
【００２６】また、液状樹脂による封止方法は、ポッテ
ィング又はディッピング等の従来技術にて対応ができる
ので、簡単で安価な方法にて、水分の浸入を低減させる
ことができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、ガラス繊維が露出
している有機材基板の４つの側面を金属嵌合片にて被覆
することにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を
低減することが可能となる。
ィング又はディッピング等の従来技術にて対応ができる
ので、簡単で安価な方法にて、水分の浸入を低減させる
ことができる。 （２）請求項２記載の発明によれば、ガラス繊維が露出
している有機材基板の４つの側面を金属嵌合片にて被覆
することにより、有機材基板の側面からの水分の浸入を
低減することが可能となる。
【００２７】また、有機材基板の厚さよりも、狭い間隙
を設けた金属嵌合片を嵌め込むことにより、有機材基板
の４つの側面が固定されるので、封止樹脂による封止工
程にて生じた有機材基板の反りを矯正するという効果も
期待できる。 （３）請求項３記載の発明によれば、金属被覆板により
有機材基板の表面及び側面を被覆することにより、有機
材基板へのトータル的な水分の浸入を低減することが可
能となる。
を設けた金属嵌合片を嵌め込むことにより、有機材基板
の４つの側面が固定されるので、封止樹脂による封止工
程にて生じた有機材基板の反りを矯正するという効果も
期待できる。 （３）請求項３記載の発明によれば、金属被覆板により
有機材基板の表面及び側面を被覆することにより、有機
材基板へのトータル的な水分の浸入を低減することが可
能となる。
【００２８】また、上記（２）記載の効果と同様に、金
属被覆板により、有機材基板の反りを矯正できるほか、
有機材基板全体を熱伝導率の高い金属被覆板にて被覆し
ているので、放熱性の向上も期待できる。 （４）請求項４記載の発明によれば、有機材基板の表面
層に配置した厚さ１０〜４０μｍの銅箔金属平面によ
り、有機材基板の表面からの水分の浸入を低減すること
が可能となる。
属被覆板により、有機材基板の反りを矯正できるほか、
有機材基板全体を熱伝導率の高い金属被覆板にて被覆し
ているので、放熱性の向上も期待できる。 （４）請求項４記載の発明によれば、有機材基板の表面
層に配置した厚さ１０〜４０μｍの銅箔金属平面によ
り、有機材基板の表面からの水分の浸入を低減すること
が可能となる。
【００２９】また、この金属平面を有機材基板の外周部
に配置されたスルーホールを介して、裏面の半田ボール
と接続することにより、電源又はグランド層として使用
することが可能となり、電源又はグランド系のインダク
タンスが低減されるので、電源ノイズ等のノイズの低減
も可能となる。
に配置されたスルーホールを介して、裏面の半田ボール
と接続することにより、電源又はグランド層として使用
することが可能となり、電源又はグランド系のインダク
タンスが低減されるので、電源ノイズ等のノイズの低減
も可能となる。
【図１】本発明の第１実施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図
である。
である。
【図２】本発明の第２実施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図
である。
である。
【図３】本発明の第３実施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図
である。
である。
【図４】本発明の第４実施例を示すＢＧＡ−Ｐの構造図
である。
である。
【図５】従来のＢＧＡ−Ｐの構造図である。
１ 有機材基板 ２ 導電体ペースト ３ 半導体チップ ４ 銅箔配線 ５ ボンディング線 ６ 封止樹脂 ７ 半田ボール ８ エポキシ系の液状樹脂 ９ 接続用スルーホール １０ 金属嵌合片 １１ 接着材 １２ 金属被覆板 １３ 金属平面 １４ 信号配線 １５ スルーホール
Claims (4)
- 【請求項１】 有機材基板上に半導体チップが実装さ
れ、該半導体チップが封止樹脂により封止される半導体
パッケージにおいて、 前記有機材基板の４つの側面をエポキシ系の液状樹脂に
より封止するようにしたことを特徴とする半導体パッケ
ージ。 - 【請求項２】 有機材基板上に半導体チップが実装さ
れ、該半導体チップが封止樹脂により封止される半導体
パッケージにおいて、 前記有機材基板の４つの側面に予め機械加工した金属嵌
合片を嵌め込み被覆するようにしたことを特徴とする半
導体パッケージ。 - 【請求項３】 有機材基板上に半導体チップが実装さ
れ、該半導体チップが封止樹脂により封止される半導体
パッケージにおいて、 前記有機材基板の封止樹脂の封止面側より金属平板を貼
り合わせ、該金属平板の４辺を前記有機材基板の裏面へ
折り曲げることにより、金属被覆体により前記有機材基
板の表面と側面を被覆するようにしたことを特徴とする
半導体パッケージ。 - 【請求項４】 有機材基板上に半導体チップが実装さ
れ、該半導体チップが封止樹脂により封止される半導体
パッケージにおいて、 前記有機材基板の表面層に銅箔金属平面を設け、２層目
以降に信号配線を配置するようにしたことを特徴とする
半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27802495A JPH09121003A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27802495A JPH09121003A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09121003A true JPH09121003A (ja) | 1997-05-06 |
Family
ID=17591595
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27802495A Withdrawn JPH09121003A (ja) | 1995-10-25 | 1995-10-25 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09121003A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100308899B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2001-11-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지및그제조방법 |
| JP2002265797A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物とその利用 |
-
1995
- 1995-10-25 JP JP27802495A patent/JPH09121003A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100308899B1 (ko) * | 1998-12-29 | 2001-11-15 | 마이클 디. 오브라이언 | 반도체패키지및그제조방법 |
| JP2002265797A (ja) * | 2001-03-08 | 2002-09-18 | Hitachi Chem Co Ltd | 樹脂組成物とその利用 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030107 |