JP2906673B2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- Japan
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- resin
- resin frame
- semiconductor chip
- sealing resin
- wiring substrate
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置に関し、特に
ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅ
ｒ）を有する半導体装置に関する。
ＬＣＣ（Ｌｅａｄｌｅｓｓ Ｃｈｉｐ Ｃａｒｒｉｅ
ｒ）を有する半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体装置は図３に示すように、
ガラスエポキシ配線基板の側面に設けた溝に外部リード
を有する有機系の配線基板８の上面に設けた凹部の底面
に半導体チップ２を接着剤でダイボンディングした後、
半導体チップ２の電極と内部リードを金属細線３で接続
し、エポキシ樹脂等の封止樹脂で封止される。封止樹脂
の粘度の高い場合は、そのまま封止するのが、粘度の低
い樹脂を使用して、封止する場合は、樹脂枠４を配線基
板８の上面に接着したのち樹脂枠４内をエポキシ樹脂等
の封止樹脂５で封止する。封止樹脂は１５０℃程度で熱
処理して硬化させるが、硬化後室温に戻すと配線基板８
と封止樹脂５の熱膨張率の違い等により図４に示すよう
に配線基板８に反りを生じることがある。材料の組み合
わせにより、反り量の大きさに大小があるが反りの程度
がひどいとＬＣＣが電子機器の回路基板上に半田付けで
きなくなる場合がある。
ガラスエポキシ配線基板の側面に設けた溝に外部リード
を有する有機系の配線基板８の上面に設けた凹部の底面
に半導体チップ２を接着剤でダイボンディングした後、
半導体チップ２の電極と内部リードを金属細線３で接続
し、エポキシ樹脂等の封止樹脂で封止される。封止樹脂
の粘度の高い場合は、そのまま封止するのが、粘度の低
い樹脂を使用して、封止する場合は、樹脂枠４を配線基
板８の上面に接着したのち樹脂枠４内をエポキシ樹脂等
の封止樹脂５で封止する。封止樹脂は１５０℃程度で熱
処理して硬化させるが、硬化後室温に戻すと配線基板８
と封止樹脂５の熱膨張率の違い等により図４に示すよう
に配線基板８に反りを生じることがある。材料の組み合
わせにより、反り量の大きさに大小があるが反りの程度
がひどいとＬＣＣが電子機器の回路基板上に半田付けで
きなくなる場合がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】この従来の半導体装置
は、配線基板と封止樹脂の組み合わせによっては、配線
基板に大きな反りを生じるが、材料を選定する条件とし
てＬＣＣの耐湿性，耐温度サイクル性，耐熱性等に重点
を置いているため、ある程度の配線基板の反りを許容せ
ざるをえない。しかしながら、配線基板が反るという事
は、ＬＣＣの構造としてバランスがとれていないことを
示しており、周囲温度の変化に対して反り量が変動する
ことになる。例えば、１５０℃にすると反りはほとんど
なくなり、逆に室温より低温度にすると反りはさらに大
きくなる。したがって、半導体装置を回路基板上に半田
付した状態での温度変化に対してＬＣＣの反り量が変化
しようとして内部応力が働くが半田付されているため
に、応力が半田接続部に集中し、半田の応力疲労につな
がる恐れがある。
は、配線基板と封止樹脂の組み合わせによっては、配線
基板に大きな反りを生じるが、材料を選定する条件とし
てＬＣＣの耐湿性，耐温度サイクル性，耐熱性等に重点
を置いているため、ある程度の配線基板の反りを許容せ
ざるをえない。しかしながら、配線基板が反るという事
は、ＬＣＣの構造としてバランスがとれていないことを
示しており、周囲温度の変化に対して反り量が変動する
ことになる。例えば、１５０℃にすると反りはほとんど
なくなり、逆に室温より低温度にすると反りはさらに大
きくなる。したがって、半導体装置を回路基板上に半田
付した状態での温度変化に対してＬＣＣの反り量が変化
しようとして内部応力が働くが半田付されているため
に、応力が半田接続部に集中し、半田の応力疲労につな
がる恐れがある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
有機系の配線基板を有するリードレスチップキャリア
と、前記配線基板の上面にマウントした半導体チップ
と、前記半導体チップを囲んで前記配線基板の上面に設
けた樹脂枠と、前記樹脂枠から突出しないで該樹脂枠内
に設け、前記半導体チップを含む表面を封止した第１の
封止樹脂と、前記樹脂枠により囲まれた前記配線基板の
上面部分からのスルーホールが形成されていない前記配
線基板の下面部分に設けられた凹部と、前記凹部から突
出しないで該凹部内に設け、前記第１の封止樹脂と同じ
性質で且つ同じ膜厚の第２の封止樹脂とを有する。ある
いは本発明の半導体装置は、有機系の配線基板を有する
リードレスチップキャリアと、前記配線基板の上面にマ
ウントした半導体チップと、前記半導体チップを囲んで
前記配線基板の上面に設けた第１の樹脂枠と、前記第１
の樹脂枠から突出しないで該第１の樹脂枠内に設け、前
記半導体チップを含む表面を封止した第１の封止樹脂
と、前記第１の樹脂枠に囲まれた前記配線基板の上面部
分からのスルーホールが形成されていない前記配線基板
の下面部分にを囲んで前記配線基板の下面に設けた第２
の樹脂枠と、前記第２の樹脂枠から突出しないで該第２
の樹脂枠内に設け、前記第１の封止樹脂と同じ性質で且
つ同じ膜厚の第２の封止樹脂とを有する。
有機系の配線基板を有するリードレスチップキャリア
と、前記配線基板の上面にマウントした半導体チップ
と、前記半導体チップを囲んで前記配線基板の上面に設
けた樹脂枠と、前記樹脂枠から突出しないで該樹脂枠内
に設け、前記半導体チップを含む表面を封止した第１の
封止樹脂と、前記樹脂枠により囲まれた前記配線基板の
上面部分からのスルーホールが形成されていない前記配
線基板の下面部分に設けられた凹部と、前記凹部から突
出しないで該凹部内に設け、前記第１の封止樹脂と同じ
性質で且つ同じ膜厚の第２の封止樹脂とを有する。ある
いは本発明の半導体装置は、有機系の配線基板を有する
リードレスチップキャリアと、前記配線基板の上面にマ
ウントした半導体チップと、前記半導体チップを囲んで
前記配線基板の上面に設けた第１の樹脂枠と、前記第１
の樹脂枠から突出しないで該第１の樹脂枠内に設け、前
記半導体チップを含む表面を封止した第１の封止樹脂
と、前記第１の樹脂枠に囲まれた前記配線基板の上面部
分からのスルーホールが形成されていない前記配線基板
の下面部分にを囲んで前記配線基板の下面に設けた第２
の樹脂枠と、前記第２の樹脂枠から突出しないで該第２
の樹脂枠内に設け、前記第１の封止樹脂と同じ性質で且
つ同じ膜厚の第２の封止樹脂とを有する。
【０００５】
【実施例】次に、本発明について図面を参照して説明す
る。
る。
【０００６】図１は本発明の一実施例を示す断面図であ
る。
る。
【０００７】図１に示すように、ガラスエポキシ基板の
側面に溝を設け、溝内に外部リードを設けた有機系の配
線基板１を有するＬＣＣの上に半導体チップ２をマウン
トし、金属細線３で半導体チップ２の電極と配線基板１
の内部リードとの間を接続し、配線基板１の上に設けた
樹脂枠４の内側に封止樹脂５を流し込んで封止し、ルー
ター加工等により配線基板１の裏側に設けた凹部に封止
樹脂６を充填し、封止樹脂５，６を硬化させる。配線基
板１の厚さは０．５〜１．０ｍｍで厚くなるほど、側面
に設けた外部リードのピッチが粗くなる。樹脂枠４の高
さは０．７〜１．０ｍｍで金属細線３が完全に封止樹脂
５で被覆されるように設定されている。裏面の凹部深さ
は、０．４〜０．６ｍｍで封止樹脂５及び６の厚さがほ
ぼ同等となるように設定している。このように、配線基
板１と封止樹脂５，６の３層構造の半導体装置を構成
し、内部応力をバランスさせて反りを抑えることができ
る。
側面に溝を設け、溝内に外部リードを設けた有機系の配
線基板１を有するＬＣＣの上に半導体チップ２をマウン
トし、金属細線３で半導体チップ２の電極と配線基板１
の内部リードとの間を接続し、配線基板１の上に設けた
樹脂枠４の内側に封止樹脂５を流し込んで封止し、ルー
ター加工等により配線基板１の裏側に設けた凹部に封止
樹脂６を充填し、封止樹脂５，６を硬化させる。配線基
板１の厚さは０．５〜１．０ｍｍで厚くなるほど、側面
に設けた外部リードのピッチが粗くなる。樹脂枠４の高
さは０．７〜１．０ｍｍで金属細線３が完全に封止樹脂
５で被覆されるように設定されている。裏面の凹部深さ
は、０．４〜０．６ｍｍで封止樹脂５及び６の厚さがほ
ぼ同等となるように設定している。このように、配線基
板１と封止樹脂５，６の３層構造の半導体装置を構成
し、内部応力をバランスさせて反りを抑えることができ
る。
【０００８】図２は本発明の第２の実施例を示す断面図
である。
である。
【０００９】図２に示すように、プリント基板に実装し
たときの高さを低くするために、上面に凹部を設けた配
線基板８の凹部底面に半導体チップ２をマウントし、配
線基板８の下面に樹脂枠７を設けて封止樹脂６を充填し
た以外は第１の実施例と同様の構成を有しており、これ
を回路基板に実装する場合に、樹脂枠７に対応する位置
に孔を設けておけば実装したときの高さを従来のＬＣＣ
と同等の高さに抑えることができる。従来のＬＣＣで
は、０．１〜０．５ｍｍ程の反りが生じるが、本実施例
では０．１ｍｍ以内に反りをおさえることが可能となっ
た。
たときの高さを低くするために、上面に凹部を設けた配
線基板８の凹部底面に半導体チップ２をマウントし、配
線基板８の下面に樹脂枠７を設けて封止樹脂６を充填し
た以外は第１の実施例と同様の構成を有しており、これ
を回路基板に実装する場合に、樹脂枠７に対応する位置
に孔を設けておけば実装したときの高さを従来のＬＣＣ
と同等の高さに抑えることができる。従来のＬＣＣで
は、０．１〜０．５ｍｍ程の反りが生じるが、本実施例
では０．１ｍｍ以内に反りをおさえることが可能となっ
た。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、配線基板
の両面に封止樹脂を設けてＬＣＣの構造を配線基板と上
下の封止樹脂によるサンドイッチ構造にすることによ
り、力学的に安定な構造とし、周囲温度の変化にする反
りを抑えて回路基板上に実装したときの半田付けの接続
部への応力疲労を防止して信頼性を向上させるという効
果を有する。
の両面に封止樹脂を設けてＬＣＣの構造を配線基板と上
下の封止樹脂によるサンドイッチ構造にすることによ
り、力学的に安定な構造とし、周囲温度の変化にする反
りを抑えて回路基板上に実装したときの半田付けの接続
部への応力疲労を防止して信頼性を向上させるという効
果を有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施例を示す断面図である。
【図２】本発明の第２の実施例を示す断面図である。
【図３】従来の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図４】従来の半導体装置の問題点を説明するための模
式図である。
式図である。
【符号の説明】 １，８ 配線基板 ２ 半導体チップ ３ 金属配線 ４，７ 樹脂枠 ５，６ 封止樹脂 ９ 反り量
Claims (2)
- 【請求項１】 有機系の配線基板を有するリードレスチ
ップキャリアと、前記配線基板の上面にマウントした半
導体チップと、前記半導体チップを囲んで前記配線基板
の上面に設けた樹脂枠と、前記樹脂枠から突出しないで
該樹脂枠内に設け、前記半導体チップを含む表面を封止
した第１の封止樹脂と、前記樹脂枠により囲まれた前記
配線基板の上面部分からのスルーホールが形成されてい
ない前記配線基板の下面部分に設けられた凹部と、前記
凹部から突出しないで該凹部内に設け、前記第１の封止
樹脂と同じ性質で且つ同じ膜厚の第２の封止樹脂とを有
することを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 有機系の配線基板を有するリードレスチ
ップキャリアと、前記配線基板の上面にマウントした半
導体チップと、前記半導体チップを囲んで前記配線基板
の上面に設けた第１の樹脂枠と、前記第１の樹脂枠から
突出しないで該第１の樹脂枠内に設け、前記半導体チッ
プを含む表面を封止した第１の封止樹脂と、前記第１の
樹脂枠に囲まれた前記配線基板の上面部分からのスルー
ホールが形成されていない前記配線基板の下面部分にを
囲んで前記配線基板の下面に設けた第２の樹脂枠と、前
記第２の樹脂枠から突出しないで該第２の樹脂枠内に設
け、前記第１の封止樹脂と同じ性質で且つ同じ膜厚の第
２の封止樹脂とを有することを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP134891A JP2906673B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP134891A JP2906673B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04305961A JPH04305961A (ja) | 1992-10-28 |
| JP2906673B2 true JP2906673B2 (ja) | 1999-06-21 |
Family
ID=11498989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP134891A Expired - Lifetime JP2906673B2 (ja) | 1991-01-10 | 1991-01-10 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2906673B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4744998B2 (ja) * | 2005-09-14 | 2011-08-10 | ローム株式会社 | 光通信モジュール |
| US8157400B2 (en) | 2006-07-25 | 2012-04-17 | Showa Denko K.K. | Light emitting apparatus, display apparatus and method for manufacturing light emitting apparatus |
-
1991
- 1991-01-10 JP JP134891A patent/JP2906673B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04305961A (ja) | 1992-10-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990302 |