JP6157584B2 - 電力用半導体装置組み込み機器の製造方法および電力用半導体装置 - Google Patents
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- H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
Description
また、本発明の電力用半導体装置は、筐体と、前記筐体内に設置され、電力用半導体素子を含む電気回路が形成された回路基板と、前記筐体内で前記電気回路と電気接続される内部端子部と、被接続機器と電気接続するためのプレスフィット部と、前記内部端子部に連なる一端が前記筐体内で固定され、他端で前記プレスフィット部を前記筐体から引き離すように支持する胴体部とを有する複数のプレスフィット端子と、を備え、前記複数のプレスフィット端子のそれぞれは、板材で形成され、前記胴体部のうち、前記筐体から露出した部分に、前記板材の幅方向に分岐した部分を備えた前記プレスフィット部と前記筐体から露出した部分の根元部分とを結ぶ中心線の部分を残すように、前記中心線に垂直な方向における前記板材の幅方向の両側から窪んだ括れ部が前記中心線に沿った異なる位置に複数形成されており、前記複数形成された括れ部のうち、前記プレスフィット部に近い方の括れ部の幅よりも、遠い方の括れ部の幅の方が広いことを特徴とする。
また、本発明の電力用半導体装置は、筐体と、前記筐体内に設置され、電力用半導体素子を含む電気回路が形成された回路基板と、前記筐体内で前記電気回路と電気接続される内部端子部と、被接続機器と電気接続するための外部端子部と、前記内部端子部に連なる一端が前記筐体内で固定され、他端で前記外部端子部を前記筐体から引き離すように支持する胴体部とを有する複数の端子と、を備え、前記複数の端子のそれぞれは、前記胴体部のうち、前記筐体から露出した部分に、前記外部端子部と前記筐体から露出した部分の根元部分とを結ぶ中心線の部分を残すように、前記中心線に垂直な方向における両側から窪んだ括れ部が前記中心線に沿った異なる位置に複数形成され、前記複数形成された括れ部のうち、前記外部端子部に近い方の括れ部の幅よりも、遠い方の括れ部の幅の方が広いことを特徴とする。
図1〜図6は本発明の実施の形態1にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのものであり、図1(a)と図1(b)はそれぞれ電力用半導体装置の外観を示す平面図と正面図、図2は図1(a)のA−A線に対応する断面図、図3は電力用半導体装置の機器への組み込み状態を説明するための図1(a)のB−B線に対応する断面図、図4は電力用半導体装置中での端子の状態を説明するためにケース部分を透過させた部分側面図、図5は端子の構成を説明するための正面図と側面図、図6は端子の加工工程を説明するための、端子の元となるフレーム(一部)の曲げ工程前の正面図と断面図の組合せ図(a)と、曲げ加工後の正面図と側面図の組合せ図(b)である。また、図7は変形例にかかる電力用半導体装置の構成を説明するための断面図で、描画基準は図3と同様である。以下、詳細に説明する。
図1に示すように、電力用半導体装置1は、ベース板4が下面側から露出した状態で全体がパッケージ2(インサートケース21と蓋22)により覆われ、パッケージ2(を構成するインサートケース21)には、放熱用のヒートシンクをベース板4に取り付けるための取り付け穴2hが形成されている。一方、電力用半導体装置1の上面部には、外部(被接続機器)との電気接続を確保するために、端子である複数のプレスフィット端子3が、パッケージ2から突出するように配置されている。
図2に示すように、電力用半導体装置1には、パッケージ2内にセラミック基材51の回路面(図中上側)側に銅による複数のパターン52が形成された回路基板5が設置されている。回路基板5の放熱面(図中下側)には、はんだ8によって銅製のベース板4が接合され、回路面のパターン52のうちのひとつには、半導体材料にシリコンを用いたIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)61とFwDi(Free-Wheeling Diode)62(まとめて電力用半導体素子6)がはんだ8で接合されている。IGBT61、FwDi62の上部電極には、直径200〜400μmのアルミニウムのワイヤ7が、複数本ワイヤボンディングされており、他のパターン52上や、プレスフィット端子3のパッケージ2内の部分に形成されたワイヤボンド部35に接続されている。なお、インサートケース21の内部はシリコンゲル23にて封止され、開放された上部を蓋22で覆うことでパッケージ化される。
プレスフィット端子3の一端には、図4に示すように、例えば、上述したプリント基板9に挿入してスルーホール9hと導通させる接点となるプレスフィット部32が形成され、他端には、電力用半導体装置1内のパターン52あるいは電力用半導体素子6等の回路部材とのワイヤボンドを行うためのワイヤボンド部35が形成されている。そして、プレスフィット部32と、ワイヤボンド部35とをつなぐ胴体部33とを有し、胴体部33のうち、ワイヤボンド部35側の部分(インサート部33u)とワイヤボンド部35が電力用半導体装置1のパッケージ2内に埋め込まれ、胴体部33の残りの部分(露出部33e)がプレスフィット部32をパッケージ2から引き離すように支持している。プレスフィット部32および露出部33eの表面には、電気接点に一般的に用いられるニッケル下地スズめっきが施され、ワイヤボンド部35にはアルミワイヤボンディングが可能なように、光沢ニッケルめっきが施される。
プレスフィット端子3は、厚さ1mmの金属板材から製作され、複数の順送型を用いたプレス加工により図6(a)に示すように、プレスフィット端子3の元となる端子ユニット3Pがタイバー38で連結されたフレーム30から形成される。フレーム30は、各端子ユニット3Pが連結された状態で、プレスフィット部32および露出部33eに対応する領域A32には、厚さ数μm程度の下層ニッケルめっきおよび上層スズめっきが施され、ワイヤボンド部35に対応する領域A35には光沢ニッケルメッキが施される。その後、図6(b)に示すように、ワイヤボンドパッド(ワイヤボンド部35)を形成するためにタイバー38で連結(一体化)されたままの状態で、LB部分で折り曲げ加工される。
図3で説明したように、電力用半導体装置1はプレスフィット端子3に対応した接点が設けられたプリント基板9のような機器に取り付けられて使用される。ここで、電力用半導体装置1とプリント基板9は使用中に温度変化や振動などの苛酷な環境にさらされる。使用中の温度変化により、電力用半導体装置1はこれらの環境にさらされた際に、プリント基板9の線膨張係数(約13ppm/K)と電力用半導体装置の線膨張係数(パッケージ2の線膨張係数:約5ppm/K)の違いにより、電力用半導体装置1のプレスフィット端子3の配列とプリント基板9の接点の配列間に繰り返し変位が生じる。
なお、本実施の形態では、端子として、上述した効果が顕著に顕れるプレスフィット端子3を用いた場合について説明したが、これに限ることはない。例えば、図7に示すようなはんだ用接点32Vがはんだ付け用の平板状に形成されたピン端子3Vを用いた場合でも、はんだ用接点32Vの剛性よりも、括れ部36の剛性の方が小さい形態を実現すればよい。
本実施の形態2にかかる電力用半導体装置は、実施の形態1で説明した電力用半導体装置に対して、端子の括れ部の一部をケース内に埋め込むようにするとともに、括れ部分から上を捻るようにしたものである。図8は本実施の形態2にかかる電力用半導体装置の構成を説明するためのもので、図8(a)は、端子の状態を説明するためにケース部分を透過させた部分側面図、図8(b)は、隣接する端子間の状態を説明するためのもので、図8(a)の視点Cから見たときの部分平面図である。その他の電力用半導体装置としての基本的な構成については、実施の形態1の電力用半導体装置と同じであるので説明を省略する。
プレスフィット端子3のような板材の端子は、厚み方向の寸法(例えば図5のt)よりも幅方向の寸法(同Wm)の方が大きい。そのため、プレスフィット端子3を配列し、隣接するプレスフィット端子3の間隔を保ったまま、ピッチを狭めようとすれば、各プレスフィット端子3を極端に言えば板厚方向に並べればよい。
本実施の形態3では、上述した実施の形態1および2で説明した電力用半導体装置とプリント基板とを接続する方法(機器の取付方法)について説明する。そして、接続する際に括れ部の構造に起因するプレスフィット端子の動作について説明する。図9(a)と(b)は本実施の形態3にかかる機器の取付方法を説明するためのもので、それぞれ電力用半導体装置とプリント基板との取付方法における工程ごとの状態を示す断面図であり、切断位置は図2と同様である。
本実施の形態4にかかる電力用半導体装置は、上述した各実施の形態で説明したプレスフィット端子を備えたものであるが、パッケージとの位置関係が異なるものである。図13は、本発明の実施の形態4にかかる電力用半導体装置を説明するためのもので、実施の形態2における図2に対応する断面図であるとともに、内蔵するプリント基板部分を透過させた図である。
2Vs:内部空間、3:プレスフィット端子(端子)、
3V:ピン端子(端子)、4:ベース板、5:回路基板、
6:電力用半導体素子、7:ボンディングワイヤ、8:はんだ、
9:プリント基板(被接合機器)、 9h:スルーホール(接点)、
9I:制御基板(被接合機器)、32:プレスフィット部(外部端子部)、
32V:はんだ用接点(外部端子部)、33:胴体部、33e:露出部、
33u:インサート部、35:ワイヤボンド部(内部端子部)、
36:括れ部、36−1:プレスフィット部に近い方の括れ部、
36−2:プレスフィット部から遠い方の括れ部、201:下治具、
202:上治具、Lcc:括れ部間の距離、
Lcp:プレスフィット部の中心と近い方の括れ部との距離、
Pp:プレスフィット部の長方向の中心、
Wb:プレスフィット部の分岐部のそれぞれの幅、
Wc:括れ部の幅、 Wc1:近い方の括れ部の幅、
Wc2:遠い方の括れ部の幅。
Claims (12)
- 筐体と、
前記筐体内に設置され、電力用半導体素子を含む電気回路が形成された回路基板と、
前記筐体内で前記電気回路と電気接続される内部端子部と、被接続機器と電気接続するためのプレスフィット部と、前記内部端子部に連なる一端が前記筐体内で固定され、他端で前記プレスフィット部を前記筐体から引き離すように支持する胴体部とを有する複数のプレスフィット端子と、を備え、
前記複数のプレスフィット端子のそれぞれは、板材で形成され、前記胴体部の一端は筐体内部で固定されており、前記胴体部の前記筐体から露出した部分に、前記板材の幅方向に分岐した部分を備えた前記プレスフィット部と前記筐体から露出した部分の根元部分とを結ぶ中心線の部分を残すように、前記中心線に垂直な方向における前記板材の幅方向の両側から窪んだ括れ部が形成され、前記括れ部が塑性変形をするように前記筐体から露出する前記括れ部よりも幅の広い前記胴体部が前記筐体内に埋め込まれて固定されている電力用半導体装置を第1治具に設置する第1設置工程と、
複数のスルーホールを備える被接続機器を第2治具に設置する第2設置工程と、
前記複数のプレスフィット端子のプレスフィット部と前記複数のスルーホールの位置を合わせる仮装着工程と、
前記括れ部を塑性変形させ、前記複数のプレスフィット部と前記複数のスルーホールの位置ずれを吸収し、前記プレスフィット部を前記スルーホールへ挿入し、前記被接続機器と接続するプレス工程と、
を含むことを特徴とする電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。 - 前記プレスフィット部の分岐した部分のそれぞれが間隔を隔てて対向する両持梁構造であることを特徴とする請求項1に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記括れ部の先端が曲線形状であることを特徴とする請求項1または2に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記プレスフィット部の分岐した部分の4隅の角の断面形状が曲線形状であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記括れ部の幅が、前記プレスフィット部の分岐した部分のそれぞれの幅よりも狭いことを特徴とする請求項4に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記複数のプレスフィット端子のそれぞれには、前記括れ部が前記中心線に沿った異なる位置に複数形成されていることを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記複数形成された括れ部のうち、前記プレスフィット部に近い方の括れ部の幅よりも、遠い方の括れ部の幅の方が広いことを特徴とする請求項6に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記複数のプレスフィット端子のそれぞれの前記プレスフィット部が、前記筐体の内部で配列されていることを特徴とする請求項1から7のいずれか1項に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記電力用半導体素子がワイドバンドギャップ半導体材料により形成されていることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 前記ワイドバンドギャップ半導体材料は、炭化ケイ素、窒化ガリウム系材料、およびダイヤモンドのうちのいずれかであることを特徴とする請求項9に記載の電力用半導体装置組み込み機器の製造方法。
- 筐体と、
前記筐体内に設置され、電力用半導体素子を含む電気回路が形成された回路基板と、
前記筐体内で前記電気回路と電気接続される内部端子部と、被接続機器と電気接続するためのプレスフィット部と、前記内部端子部に連なる一端が前記筐体内で固定され、他端で前記プレスフィット部を前記筐体から引き離すように支持する胴体部とを有する複数のプレスフィット端子と、を備え、
前記複数のプレスフィット端子のそれぞれは、板材で形成され、前記胴体部のうち、前記筐体から露出した部分に、前記板材の幅方向に分岐した部分を備えた前記プレスフィット部と前記筐体から露出した部分の根元部分とを結ぶ中心線の部分を残すように、前記中心線に垂直な方向における前記板材の幅方向の両側から窪んだ括れ部が前記中心線に沿った異なる位置に複数形成されており、前記複数形成された括れ部のうち、前記プレスフィット部に近い方の括れ部の幅よりも、遠い方の括れ部の幅の方が広いことを特徴とする電力用半導体装置。 - 筐体と、
前記筐体内に設置され、電力用半導体素子を含む電気回路が形成された回路基板と、
前記筐体内で前記電気回路と電気接続される内部端子部と、被接続機器と電気接続するための外部端子部と、前記内部端子部に連なる一端が前記筐体内で固定され、他端で前記外部端子部を前記筐体から引き離すように支持する胴体部とを有する複数の端子と、を備え、
前記複数の端子のそれぞれは、前記胴体部のうち、前記筐体から露出した部分に、前記外部端子部と前記筐体から露出した部分の根元部分とを結ぶ中心線の部分を残すように、前記中心線に垂直な方向における両側から窪んだ括れ部が前記中心線に沿った異なる位置に複数形成され、前記複数形成された括れ部のうち、前記外部端子部に近い方の括れ部の幅よりも、遠い方の括れ部の幅の方が広いことを特徴とする電力用半導体装置。
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