CN102725914B - 压配合端子及半导体装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是得到一种压配合端子及半导体装置，能够容易且高精度地进行加工，能够不使压入时的压入力增大并降低与通孔的接触电阻。本发明的压配合端子（10）是重叠多个压配合端子单体单元（10L）而构成的。压配合端子单体单元（10L）的压接部（15）以从前端部（14）分支的部分（15a）隔开规定间隔（15s）地相对的方式形成。压配合端子单体单元（10L）的板厚（tL）比规定间隔（15s）的宽度（Ws）或从前端部（14）分支的部分（15a）的宽度（Wa）薄。由此，能够容易且高精度地加工压配合端子（10），并且各压配合端子单体单元（10L）的分支部（15a）独立地相对于贯通孔（31）的内壁施加压接力，因此能够以小的压入力实现压入。

Description

压配合端子及半导体装置
技术领域
本发明涉及压配合端子及具有压配合端子的半导体装置，尤其是涉及能够不增大压配合端子向阴极电极即贯通孔压入时的压入力并降低与通孔的接触电阻的压配合端子构造。
背景技术
半导体装置中的电力半导体装置在铁路车辆、混合动力汽车、电动汽车等车辆、家用电器、工业机械等中被用于进行较大电力的控制、整流。因此，要求电力半导体装置所使用的半导体元件以超过100A/cm2的高电流密度通电。由此，近年来，作为代替硅(Si)的半导体材料，宽禁带半导体材料即碳化硅(SiC)倍受关注，由SiC构成的半导体元件与硅相比能够以更高的电流密度工作。
但是，在以高电流密度工作的电力半导体装置中，为了使让电流流过电力半导体装置的端子也适应大电流，需要使其截面积变大。由此，端子的热容量变大，软钎焊变得困难，谋求不需要软钎焊的端子。
作为不进行软钎焊的端子的连接方法，以往公知使端子向布线基板上的阴极电极即通孔压入并接触的压配合连接。在压配合连接中，通过压入后的压配合端子的回弹力，利用与通孔内壁的机械接触来进行电连接，因此接触力的维持是重要的技术课题。所以，提出了一种压配合端子，被集中在压入方向的两端部并沿垂直于压入方向的方向打开的压接部的形状在垂直于压入方向的截面中形成为相互反向的L字型，在相对于两端部变形的基础上，通过相对于L字形状的变形的回弹力提高接触力(例如，参照专利文献1。)。
现有技术文献
专利文献1:日本特开2007-265641号公报(0024、0030段，图3、图4、图5)
但是，将上述结构的压配合端子用于大电流流动的电力半导体装置时，需要降低端子的电阻，必须将端子的板厚保持在一定以上。但是，为了在垂直于压入方向的截面中形成为L字形状，需要拉深加工这样的特殊加工，使用厚板高精度地进行加工是困难的。
发明内容
本发明是为解决上述课题而研发的，其目的是提供一种压配合端子及具有该压配合端子的半导体装置，该压配合端子能够容易且高精度地进行加工，不使压入时的压入力增大地降低与阴极电极即通孔的接触电阻。
本发明的压配合端子是压入电触点用的通孔并用于进行电连接的压配合端子，其特征在于，沿厚度方向重叠多个压配合端子单体单元，该压配合端子单体单元由板材构成，具有：前端部，其形成为尖头状；压接部，其从所述前端部分支，以分支的部分的各个侧面隔开规定间隔地相对的方式形成，并被插入压接于所述通孔，所述多个压配合端子单体单元的各板厚比所述规定间隔或从所述前端部分支的部分的各宽度薄。
发明的效果
根据本发明的压配合端子，使厚度薄的压配合端子单体单元沿厚度方向重叠而构成压配合端子，从而能够得到一种压配合端子及具有该压配合端子的电力半导体装置，其能够容易且高精度地进行加工，并能够不使压入时的压入力增大地降低与通孔的接触电阻。
附图说明
图1是用于说明本发明的实施方式1的压配合端子的结构的图。
图2是用于说明本发明的实施方式1的压配合端子的结构的、用于说明阴极电极即布线基板通孔的结构的图。
图3是用于说明将本发明的实施方式1的压配合端子压入布线基板通孔时的状态的图。
图4是用于说明将本发明的实施方式1的压配合端子在压接部非一体化的情况下压入布线基板通孔时的状态的图。
图5是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。
图6是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。
图7是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。
图8是用于说明本发明的实施方式1的变形例的压配合端子的结构的图。
图9是用于说明本发明的实施方式2的压配合端子的结构的图。
图10是用于说明本发明的实施方式3的压配合端子的结构的图。
图11是用于说明本发明的实施方式4的压配合端子的结构的图。
图12是用于说明将本发明的实施方式5的压配合端子压入布线基板通孔时的状态及尺寸关系的图。
图13是用于说明将本发明的实施方式6的压配合端子压入布线基板通孔时的状态及尺寸关系的图。
图14是用于说明本发明的实施方式7的电力半导体装置的内部结构的图。
图15是用于说明本发明的实施方式7的电力半导体装置的外观的图。
图16是用于说明本发明的实施方式7的变形例的电力半导体装置的外观的图。
具体实施方式
实施方式1
图1～图3用于说明本发明的实施方式1的压配合端子的结构，图1是用于说明压配合端子的结构的外观图及剖视图，图2是成为压配合端子的压入(连接)对象的阴极电极即布线基板通孔(贯通孔)的俯视图及剖视图，图3是用于说明压配合端子被压入通孔的状态的侧视图及俯视剖视图。以下，详细地进行说明。
在图1中，压配合端子10由压配合部13和除此以外的部分构成，上述压配合部13被压入在布线基板(图2)上开设的中空圆柱状的贯通孔即通孔31(图2)中。而且，压配合部13由以下部分构成：前端部14，其成为端子压入方向的前端，通过锥形部17而成为尖头状；基部12侧的锥形部16；压接部15，其位于两锥形部17和16之间，在包含压入方向(z方向)DI的xz面内，在垂直于压入方向DI的方向(x方向)上分支并伸出的一对分支部15aL、15aR(总称为15a)之间形成有开口部15s。而且，如图1(b)所示，压配合部13部分的尺寸为厚度TO＝1.0mm、宽度WO＝2.2mm，形成有前端部14和压接部15的压配合端子单体单元10L1、10L2(总称为10L)层叠(重叠)在铜或铜合金的带状的平板上。
此外，压接部15相对于与压配合端子10的压入方向DI平行的中心轴AC轴对称，而且，左右的分支部15a优选相对于包含中心轴AC(z方向)和薄板10L的层叠方向(y方向)的平面(zy平面)面对称。前端部14侧的锥形部17在压入时使施加于通孔31的内壁31w的负荷减弱，因此，优选相对于端子10的压入方向DI平行地接近，并为平缓的角度。另外，对于压入时与通孔31的厚度方向一致的压接部15的压入方向DI上的长度La，由于在特别大的电流流动时需要增大与通孔31的内壁31w之间的接触面积，因此，优选比通孔31(布线基板)的厚度DTH(图2(b))大。
另外，向通孔31压入时，为增加压接部15和通孔31的内壁31w之间的接触面积，在分支部15中，在与垂直于压接部15的压入方向DI的截面的四角接触的部分15c，优选如图1(c)所示那样倒角。通过倒角，通孔内壁31w和压配合端子10的压接部15之间的接触面积增大，电阻降低。
在压配合端子的基部12，用于向通孔31压入时通过夹具固定或压入的接收部11设置于两侧水平方向。将压配合端子单体向通孔31压入的情况下，需要接收部11，但是，例如在用于电源模块的电极端子等的情况下，端子与模块成为一体，因此不一定需要接收部11。
而且，如图1(b)所示，本发明的压配合端子10具有如下特征，即，端子的板厚tO为1.0mm，并沿板厚方向分成两部分。也就是说，层叠呈板厚tL1＝tL2＝0.5mm的压配合形状的平板即压配合端子单体单元10L1和10L2，将一体化(接合)后的部件作为压配合端子10。在压配合端子10的表面，为防止端子母材的氧化，还为降低与通孔内壁31w之间的接触部的接触电阻，优选通过锡等进行电镀处理。另外，作为母材，优选使用导电性良好的铜或铜合金的薄板，但也可以采用铝等铜以外的导电性材料的薄板。
这里，关于成为压配合端子10的压入对象的阴极电极即布线基板30的通孔31，使用图2进行说明。图2(a)是表示设置在布线基板30上的通孔31的附近部分的俯视图，图2(b)是沿图2(a)的B－B线的剖视图。在图中，在厚度1.6mm的布线基板30的表里两面，形成有厚度35μm的铜布线图案33。关于通孔31，在布线基板30上与铜布线图案33一起形成直径φH＝2.05mm的贯通孔之后，在通孔的内周面通过电镀处理形成由厚度25μm的铜构成的电触点部32。电镀处理后的通孔31的精加工尺寸为直径φTH＝2.00mm、深度DTH＝1.67mm。此外，在布线基板30的两面的铜布线图案33及通孔内壁31w，即在通孔31内周的触点部32的表面上，为防止铜的氧化，在布线基板上涂布通常使用的水溶性预焊剂。也可以代替水溶性预焊剂，采用通过锡等进行的电镀处理或焊接矫直处理。基板厚度、通孔直径、图案厚度、电镀厚度也可以适当调整。
然后，对于将压配合端子10压入通孔31(与阴极电极连接)时的状态进行说明。图3是表示将压配合端子10压入阴极电极即布线基板30的通孔31的情况下的端子的变形(形状)的图，图3(a)是表示压入后的侧面的图，图3(b)表示图3(a)中的B－B截面，图3(c)表示图3(a)中的C－C截面，图3(d)表示图3(a)中的D－D截面。
将压配合端子10压入通孔31时，在压接部15，向通孔31的内壁31w的外侧伸出的左右的分支部15aL、15aR向内侧被压缩，开口部15s被压缩，间隔缩小。此时，分支部15aL、15aR相对于基部12及前端部14变形，因此，对通孔内壁31w施加回弹力，向通孔31的内壁31w的接触力增强。
这样地构成的理由如下所述。
压配合端子一般情况下通过冲压加工制作。通过冲压加工制作的理由是加工成本低，能够高精度地大量生产同规格的产品。但是，对于冲压加工来说，加工比板厚小的圆的直径或椭圆的短轴的尺寸，即，加工板厚相对于开口部的比(板厚/开口部径＝tO/Ws)比1大的形状，从加工精度方面来看是非常难的。另外，保留并冲切比板厚细的部分的加工，即形成比板厚细的压接部的加工(板厚/压接部粗细＝tO/WaL＞1的加工)是困难的。因此，存在成品率变差、端子的制作成本变高的问题。但是，如本实施方式那样，层叠多片仅将板厚薄的板材冲切成压配合端子的平面形状而成的压配合端子单体单元10L1、10L2来制作压配合端子10，由此，能够通过冲压加工容易且高精度地进行制造。
其原因是，在制作并层叠本实施方式的各压配合端子单体单元10L1、10L2的情况下，由于各板厚tL1、tL2薄，因此开口部15s相对于板厚的宽度Ws、分支部15a的粗细WaL、WaR变大，加工变得容易。在进行对板厚不同的材料开设相同宽度的孔的加工时，对于一般的加工方法，板厚越大，加工越难，板厚越小，加工越容易。例如，板厚为1mm、开口部15s的宽度为0.5mm的情况下，若没有沿板厚方向被分割，则板厚相对于开口部15s的宽度的比为2，在将板沿厚度方向分成两部分的情况下，端子单体单元的厚度相对于开口部15s的比成为1，加工变得容易。而且，通过使端子单体单元的板厚变薄(使分割片数增加)，能够提高加工时的尺寸精度，其结果，端子成本变低。
而且，由于开口部15s的加工变得容易，所以能够利用一个冲切模具同时加工端子的开口部15s部分和外形部分。由此，能够减少模具的数量，并削减模具制作成本。也就是说，通过使多个压配合端子单体单元10L的各板厚tL比开口部15S的间隔Ws或分支部15a的各宽度Wa的至少一方薄，能够容易且高精度地进行加工。
另外，如本实施方式的压配合端子10那样，在能够按照沿厚度方向分割了的端子单体单元进行形状加工的结构中，即使通过难以开设比加工部件的板厚小的开口部的蚀刻加工，也能够制作。蚀刻加工不需要模具等，是少量生产时成本也低的加工方法。通过该方法，例如，即使在模块的电极端子等少量多品种的情况下，也具有能够成本低地制作压配合端子的优点。
另外，在本实施方式的压配合端子中，对如下例子进行了说明，即，在按照各层加工压配合端子单体单元10L之后，沿压入方向DI使整体一体化。但是，在压接部15也一体化的情况下，在压入过程中及压入后，各端子单体单元成为一体并变形，因此，局部的压接力也会作用于通孔31，降低压入力的效果被削弱，存在通孔31发生损坏的情况。
因此，如果仅基部12侧和前端部14一体化，在压接部15不对端子单体单元之间进行固定，则各压配合端子单体单元独立地跟随通孔内壁31w的形状，因此压配合端子10和通孔内壁31w的实质的接触面积增大，电阻进一步降低。例如，图4示出了如下情况下的与图3(c)相当的压接部15的状态，即，在压接部15中，将不对端子单体单元之间进行固定的压配合端子10压入通孔31的情况。如图所示，各端子单体单元的分支部15a分别沿内壁31w变形。因此，各压配合端子单体单元10L1、10L2的分支部15a部分独立地对通孔内壁31w施加压接力，从而能够以小的压入力实现压入，并且在压入后，不会作用局部大的压接力。因此，能够抑制通孔31发生的损坏。
另一方面，向通孔31压入时，层叠的端子单体单元中的一部分的压配合端子单体单元，尤其是，在层叠后述的3层以上的端子单体单元的情况下成为最外层的压配合端子单体单元，可能发生从通孔31脱离而不能压入的情况，为避免该情况，对于作为前端导向部而发挥功能的前端部14，实施一体化。由此，能够容易地将层叠的全部的压配合端子单体单元、即构成压配合端子的所有层的压配合端子单体单元导向通孔31内部。因此，能够避免以下状况，即，在压入时，一部分的压配合端子单体单元从通孔31内部伸出，可能与相邻的端子接触而发生短路，另外，端子的导电面积变得不足，端子的发热增大。
另外，在端子的基部12被接合并一体化的情况下，还能够发挥以下效果。在端子的基部12被一体化的情况下，在压配合端子10的压入过程中，基部12的压曲强度变高，因此不会引起基部12被压曲而不能被压入通孔31的问题，能够将压配合部13正常地插入通孔31内。另外，在被层叠的各个压配合端子单体单元10L1和内壁31w的接触电阻以及10L2和内壁31w的接触电阻存在偏差的情况下，由于至少基部12被一体化，所以各层的压配合形状被热连接、电连接，因此，在大电流流动时，能够抑制局部发热。其结果，能够良好地抑制局部的温度上升。但是，关于端子的基部12，单独采用压配合端子时，即使不被一体地接合，在固定在半导体装置内时，实质上也成为一体化的结构，因此只要各端子单体单元10L的至少前端部14的区域被一体化(接合)，就能够得到良好的压配合端子。
实施方式1的变形例
另外，在上述结构中，通过冲压加工、蚀刻加工等，接合部15的内部形状(开口部15s)的加工变得容易，因此，能够与所需特性相应地对开口部15s的形状进行各种各样的变更。图5～图8示出了本发明的实施方式1的压配合端子的变形例。图5～图8记载的压配合端子10V1～10V4的形状是以压入通孔31之后增强对于通孔内壁31w的压接力的目的而设计的。例如，在图5～图7中，设置有压入时从内侧推压压接部的突起部15pV1～15pV3，在图8中，设置有压入前从内侧支承压接部15V4的支柱部15bV4。
上述变形例中，如图5～6所示，在从前端部14分支的部分15a的各个侧面上设置有朝向相对的侧面突出的突起部15pV1～15pV3的情况下，在将压配合端子10V1～10V3插入基板通孔31等时，端子10V1～10V3相对于通孔31的接触力增强。另外，端子10V1～10V3的压接部15V1～10V3对通孔内壁31w均匀地施加接触力，由此，接触面积增大，接触电阻降低，能够流过大电流。另外，在插入初期，能够增大支点间距离，即使采用柔软的材料，也能够降低插入力而不破坏端子10V1～10V3和基板30而正常插入。
另外，如图5及图7所示，在来自各侧面的根部15pB形成为锥状的情况下，即使将压配合端子10V1、10V3倾斜地插入通孔31，也能够使突起部15pV1、15pV3分别相对于通孔内壁31w产生回弹力。这是因为，压配合端子10V1、10V3相对于通孔31被倾斜地插入时，突起部15pV1、15pV3彼此单侧接触，来自侧面部的锥状的根部15pB使突起部15pV1、15pV3的弯曲强度增强，所以，能够抑制突起部15pV1、15pV3的变形。因此，即使倾斜地插入压配合端子10V1、10V3的情况下，突起部15pV1、15pV3也能够相对于通孔内壁31w产生回弹力。此外，在图6中，突起部15pV2的根部15pB不是锥状，但通过与图5、图7同样地成为锥状，能够得到同样的效果。
这里，从1张板直接加工出具有上述的(开口部的)内部形状的压配合端子是非常困难的。但是，在本发明的压配合端子中，由于采用沿板厚方向多片层叠的构造，所以各个压配合端子单体单元的加工变得容易。由此，压配合形状的加工变得容易，能够减小开口部的宽度，而且，为施加必要的压接力，能够使开口部内的形状复杂化，因此，能够没有加工的制约地进行端子的设计。
此外，例如，在图5～图7所示的压配合端子10V1～10V3中，开口部15sV1～15sV3的宽度在突起部15pV1～15pV3的部分变窄，但在加工时，存在没有突起部15pV1～15pV3的部分的间隔是否窄的问题，因此，以开口部中的最宽的间隔为代表宽度，使代表宽度比板厚宽即可。另外，关于分支部15a的各宽度，中途可以变窄也可以变宽，该情况下，以最窄的宽度为代表宽度，使代表宽度比板厚宽。
此外，虽然示出了上述各图记载的压配合端子10沿板厚方向(y方向)分成两部分的状态，但也可以以更多的分割数进行分割。被分割的压配合端子10的每1层的板厚越小，压配合形状的加工越容易，即使开口部的宽度变小，也能够高精度地进行加工，而且，为施加必要的压接力，能够使开口部内的形状复杂化。另外，板厚薄的各端子单体单元能够在进行冲压加工时也不会产生大幅度翘曲地保持平坦性，但会产生一些飞边等。该情况下，例如，通过以飞边产生的方向在厚度(层叠)方向上对称的方式进行配置，能够得到质量更均匀的压配合端子。
以上，本发明的实施方式1的压配合端子10(及10V1～10V4)是压入电触点用的贯通孔31并进行电连接的压配合端子，是沿厚度方向(y方向)重叠多个压配合端子单体单元10L而构成的，其中，上述多个压配合端子单体单元10L具有：前端部14，其由板材形成，并形成为尖头状；压接部15，其从前端部14分支，以分支的部分15a的各侧面隔开规定的间隔15s并相对的方式形成，并被插入压接在通孔31，因此，能够获得一种压配合端子，其与以往那样地由1片材料形成压配合端子的情况相比，加工对象的板厚变薄，从而能够容易且高精度地进行加工，能够不增大压入时的压入力地降低与阴极电极的接触电阻。
尤其是，能够得到一种压配合端子，其重叠的多个压配合端子单体单元10L的各自的板厚t变得比开口部15s的间隔Ws或从前端部分支的部分15a的各自的宽度Wa薄，因此，能够可靠地高精度地加工各压配合端子单体单元10L，能够不增大压入时的压入力地降低与阴极电极的接触电阻。
而且，使压配合端子单体单元10L重叠而构成的压配合端子10的总厚度tO比分支部15a的各自的宽度Wa厚，由此能够实现所期望的压入特性。
另外，重叠的压配合端子单体单元10L彼此至少在前端部14的区域被接合，因此，最外层的压配合端子单体单元10L能够不从通孔31伸出而被容易地压入。
而且，重叠的压配合端子单体单元10L彼此至少在压接部15的区域分离，也就是说，不对各压配合端子单体单元10L之间进行固定，各分支部15a能够独自地变形，因此，能够以小的压入力得到大的压接力，并且，能够抑制压接力相对于通孔内壁31w的局部的偏差，从而降低对通孔31的损坏。
另外，在从前端部14分支的部分15a的各侧面上设置有朝向相对的侧面而突出的突起部15pV1～15pV3的情况下，在将压配合端子10V1～10V3插入基板通孔31等时，端子10V1～10V3相对于通孔31的接触力被增强。另外，端子10V1～10V3的压接部15V1～10V3相对于通孔内壁31w均匀地施加接触力，由此，接触面积增大，接触电阻降低，能够流过大电流。另外，在插入初期，能够增大支点间距离，即使采用柔软的材料，也能够降低插入力并且能够不破坏端子10V1～10V3和基板30地正常插入。
而且，在来自各侧面的根部15pB形成为锥状的情况下，即使将压配合端子10V1、10V3倾斜地插入通孔31，也能够使突起部15pV1、15pV3相对于通孔内壁31w产生回弹力。
此外，压配合端子10及通孔31的尺寸也可以与上述不同，只要至少压配合端子10的压接部15的宽度(当前2.2mm)比通孔内径(当前2.0mm)大，就能够成立。另外，各压配合端子单体单元不限于平坦，也可以对压接部等施加弯曲加工。另外，铜布线图案33的厚度、电镀厚度也可以不同。另外，以上记载的实施方式是以向布线基板的通孔的压入为例，但在向连接器等的筒状的金属导体等压入的压配合端子等中也成立。
实施方式2
本实施方式2的压配合端子相对于实施方式1的压配合端子变更了各端子单体单元的材质的结构。图9是表示本实施方式2的压配合端子210的图。在图中，压配合形状的端子单体单元210L1由纯铜板形成，另一个压配合形状的端子单体单元210L2由磷青铜板形成。在本发明的各实施方式的压配合端子中，采用层叠多片具有压配合形状的端子单体单元的构造，因此，能够容易地构成由不同材料形成的压配合端子210。关于其他结构，与实施方式1所示的压配合端子相同，因此省略说明。
在大电流流动时，需要抑制端子的发热、以及端子压接部和通孔内壁的接触部的发热这两方面。为抑制端子的发热，需要导电性高的材质。另外，为抑制接触部的发热，需要提高向压接部施加的力并降低接触电阻。但是，用于抑制端子的发热的导电性高的材质即纯铜等非常柔软且强度低。另一方面，机械强度高的磷青铜的导电性比铜低。也就是说，现实中，没有同时实现导电性和机械强度的材料。因此，优先导电性时，容易塑性变形，提高向压接部施加的力变得困难，相反，优先机械强度时，导电性变低，因此，在任意情况下，接触部的电阻都变大，发热非常大，存在大电流化困难的问题。
但是，在本实施方式的压配合端子210中，一个压配合形状的端子单体单元210L1采用导电性高的材质，另一个压配合形状薄板的端子单体单元210L2采用强度高的材质，由此，能够满足提高压配合端子210整体的导电性、以及提高向压接部215施加的力这两方面的要求。
此外，作为不同材质的层叠体公知有包层材料等，但由于在材料阶段被一体化，所以与1张板相同，开口部的加工繁琐没有改变。而且，强度不同的材质的包层材料在压配合端子的开口部这样的小尺寸的冲压加工中，在加工时，强度高的材料发生应变，会使强度低的材料变形，因此，各压配合端子单体单元不能维持平板形状，不适合使用。另一方面，在本发明中，采用对加工成压配合形状的薄板材进行层叠的构造，因此，开口部的加工容易，而且，如上所述，具有在加工时强度高的材料不会使强度低的材料变形的优点。
以上，根据本实施方式2的压配合端子210，在多个压配合端子单体单元210L1、210L2中，采用了材质不同的板材(铜板/磷青铜板)，因此，能够满足提高压配合端子210整体的导电性并且提高向压接部215施加的力这两方面的要求。
实施方式3
本实施方式3的压配合端子中，板厚方向的分割数量为3以上，并改变了板厚方向上成为外侧的层的端子单体单元和成为内侧的层的端子单体单元的材质。图10示出了本发明的实施方式3的压配合端子310的结构。在图中，压配合端310的板厚方向(y方向)的分割数量为3，最外侧的薄板310L1和310L3为相同的材质。各层310L1、310L2、310L3的板厚为0.33mm，层叠3片板材时，整体约为1mm厚。以成为中央层的压配合端子单体单元310L2的材质使用强度高的不锈钢、成为最外层的压配合端子单体单元310L1、310L3的材质使用导电性高的纯铜为例进行说明。此外，成为压配合端子的各层的端子单体单元彼此被一体化。除上述以外，大致是与实施方式1所示的结构相同的结构，因此省略重复的说明。
这样构成的理由如下所述。
纯铜的线膨胀系数为17ppm/K左右，不锈钢为14ppm/K左右。压配合端子处在高温环境下时，各材料热膨胀。此时，由于材料的线膨胀系数不同，所以各材料与材料的界面产生热应力，成为翘曲的原因，但通过在最外侧使用相同的材料，在高温上升时，处于板厚方向上对称的位置的材料与材料的界面产生均匀的热应力，其结果，端子整体不会变形地膨胀。由此，对于通孔内壁的接触部，在高温时也能够均匀地产生压接力，因此能够得到稳定的电连接，能够提高温度循环可靠性。
在本实施方式的压配合端子中，板厚方向的分割数量为4以上也成立。该情况下，从板厚方向的中心对称地配置材料即可。
另外，在上述结构中，对各层整体一体化的情况进行了说明，但在仅前端部、仅前端部和基部的压入方向上部分地一体化的情况下，也能够发挥同样的效果。另外，有时，为应对温度变化以外的因素而使用不同的材料也能发挥良好效果。例如，压配合端子的压接部与通孔的接触通过端子的四角实现。因此，例如层结构为3层(也可以是更多)，成为最外层的压配合端子单体单元的材料采用导电性高的柔软的纯铜，成为内层的压配合形状的端子单体单元的材料采用强度高的材料，由此，在端子向通孔压入时，端子的四角被压缩并变形，因此，向通孔的接触面积变大。另一方面，若在内侧的层采用机械强度高的端子单体单元，则成为内侧的端子单体单元承受对于通孔的机械支承，因此端子机械性地稳定，不会对成为外侧的层的端子单体单元施加不必要的应力。其结果，能够降低接触电阻。而且，压入良好的情况下的压接部与通孔内壁形成扩散接合，因此能够得到更牢固的连接，温度循环、高温保持等的可靠性增加。
以上，根据本发明的实施方式3的压配合端子310，对于多个压配合端子单体单元310L中的与重叠方向的中心AC的距离相同的位置处的压配合端子单体单元(外侧的310LE彼此、和内侧的310I彼此)，采用相同材质的板材构成，因此，即使温度变化，在层叠方向(板厚方向：y方向)上处于对称位置的材料与材料的界面产生均匀的热应力，其结果，作为压配合端子310整体的翘曲减少，连接可靠性提高。
实施方式4
在本实施方式4的压配合端子中，板厚方向的分割数量为3以上，并改变了在板厚方向上成为外侧的层的端子单体单元和成为内侧的层的端子单体单元的厚度。图11示出了本发明的实施方式4的压配合端子410的结构。在图中，在层叠3片压配合端子单体单元(410L1～410L3)的压配合端子410中，在整体的板厚为1mm的情况下，成为中央层的压配合端子单体单元410L2的板厚为0.2mm，成为最外层的压配合端子单体单元410L1、410L3的板厚为0.4mm，对各端子单体单元之间进行接合，并使各层一体化。另外，作为各端子单体单元的材质，成为中央层的压配合端子单体单元410L2的材质使用强度高的不锈钢，成为最外层的压配合端子单体单元410L1、410L3的材质使用导电性高的纯铜。关于其他结构，与上述各实施方式所示的结构相同，因此省略说明。
这样构成的理由如下所述。
如上所述地构成的情况下，整体的板厚为1mm，与各端子单体单元的板厚相同的情况相比，能够提高端子整体的导电性。这是因为，本实施方式4的压配合端子410的整体板厚的5分之4(0.8mm)成为导电性高的纯铜的板厚，端子整体的导电性与整体为纯铜的情况相比，最低为80％以上。另外，成为中央层的端子单体单元410L2采用强度比纯铜高的材料，因此，即使板厚薄到整体的20％左右(0.2mm)，也能够维持相对于通孔内壁31w的表面压力。其结果，与以相同板厚组合上述材质相比，在大电流流动时，能够进一步抑制端子的发热。
此外，本实施方式的压配合端子410例示了分割数量为3的情况，但采用4以上也成立。另外，至少在厚度方向(y方向)上成为最外层的端子单体单元的角部415c与通孔内壁31w接触即可，因此，该情况下，压配合端子单体单元的压接部的宽度WO比压配合端子单体单元(410LE)的厚度方向的外侧的面的位置处的通孔内壁31w的弦大即可。
以上，根据本发明的实施方式4的压配合端子410，多个压配合端子单体单元410L采用厚度不同的板材，因此能够进一步提高导电性和连接可靠性。
特别是，多个压配合端子单体单元410L中的与重叠方向的中心AC的距离相同的位置的压配合端子单体单元(外侧的410LE彼此、内侧的410LI彼此)采用厚度相同的板材，因此，对于温度变化，也能够抑制翘曲的发生，能够进一步提高导电性和连接可靠性。
实施方式5
在本实施方式5的压配合端子中，板厚方向的分割数量为3以上，并改变了在板厚方向上成为外侧的层的端子单体单元和成为内侧的层的端子单体单元的压配合形状。图12示出了本发明的实施方式5的压配合端子510的结构，图12(a)是将压配合端子510压入通孔时的侧视图，图12(b)是沿图12(a)的B－B线的剖视图，即压配合端子510的通孔压入后的通孔厚度方向的中央位置处的剖视图，图12(c)是用于说明通孔压入前的尺寸关系的图。在图中，压配合端子510沿板厚方向被分成三部分，成为最外层的压配合端子单体单元510L1、510L3(以下称为510LE)的压接部515的宽度WOE比成为中央层的压配合端子单体单元510L2(以下称为510LM)的压接部515的宽度WOM小。而且，各端子单体单元的端子的压接部的宽度WOE、WOM比成为厚度方向的外侧面FEE的位置处的通孔内壁31w的截面形状即圆弧A31W的弦的长度(与弦的距离DCE、DCM对应的弦的长度)LCE、LCM大。
此外，关于形成压配合端子的各层的端子单体单元之间的一体化状态，可以是整体一体化，也可以部分一体化。除上述以外，大致与各实施方式所示的结构相同，因此省略说明。
这样构成的理由如下所述。
通过这样构成，与压配合端子510和通孔内壁31w接触的位置不仅在最外层的端子单体单元510LE的4点的角部515c，还有内层的端子单体单元510LM的4个角515cM，共8处，能够增大接触的面积。因此，能够降低接触部的电阻。其结果，在大电流流动时，能够抑制接触部的发热导致的温度上升，长期可靠性提高。
而且，通过增加接触点个数，即使由外部的负荷而在压配合端子510的接收部511周边，左右施加负荷，压配合端子510的压接部515相对于通孔内壁31w的接触力也作用于更大的面积，因此，压配合端子510不会脱落，接触力也不会变弱。例如，在电力半导体装置采用本实施方式的压配合端子的情况下，通过使用过程中的注模树脂的热膨胀，在压配合端子和通孔内壁产生热应力，但由于接触点个数多，所以可靠性提高。
而且，通过增大接触面积，接触部分的每单位面积的接触力被分散，因此能够降低通孔内壁31w的电镀和基板30所产生的负荷，能够抑制镀层的碎裂或剥离，进而能够抑制基板30的开裂或泛白。其结果，基板30及连接部的可靠性提高。
此外，在本实施方式5的压配合端子中，与图12所示的分成三部分相比，更多的分割数量也成立。该情况下，随着从中央层趋向外侧层，压配合端子单体单元的压接部的宽度Wo变小即可。
以上，根据本发明的实施方式5的压配合端子510，多个压配合端子单体单元510L采用压接部515的宽度Wo不同的结构，因此能够自由调整接触力或接触面积。
尤其是，压配合端子单体单元510L的压接部515的宽度Wo随着该压配合端子单体单元510L的位置从重叠方向的中心AC远离(层叠位置从内侧趋向外侧)而变窄，因此，各层的压配合端子单体单元510L能够分别与通孔内壁31w压接，能够保持良好的接触。
实施方式6
本实施方式6的压配合端子与实施方式5相同，板厚方向的分割数量为3以上，并改变板厚方向上成为外侧的层的端子单体单元和成为内侧的层的端子单体单元的压配合形状，但在本实施方式6中，成为外侧层的端子单体单元的压接部的宽度比成为内侧层的端子单体单元的压接部的宽度宽。
图13示出了本发明的实施方式6的压配合端子610的结构，图13(a)是将压配合端子610压入通孔时的侧视图，图13(b)是沿图13(a)的B－B线的剖视图，即压配合端子610的通孔压入后的通孔厚度方向的中央的剖视图，图13(c)是用于说明通孔压入前的尺寸关系的图。在图中，压配合端子610沿板厚方向被分成三部分，成为最外层的压配合端子单体单元610L1、610L3(以下称为610LE)的压接部615的宽度WOE比成为中央层的压配合端子单体单元610L2(以下称为610LM)的压接部615的宽度WOM大。而且，成为最外层的压配合端子单体单元610LE的压接部的宽度WOE比成为厚度方向的外侧面FEE的位置处的通孔内壁31w的截面形状即圆弧A31W的弦的长度(与弦的距离DCE对应，即，从圆弧的中心PC＝轴中心AC开始，位于端子610的厚度的一半的距离处的弦的长度)LCE大。另一方面，成为内层的压配合端子单体单元610LM的压接部的宽度WOM变得比成为厚度方向的外侧面FEM的位置处的圆弧A31W的弦的长度LCM小。
此外，构成压配合端子的各层的端子单体单元之间优选被一体化，但也可以完全一体化。除上述以外，大致与各实施方式所示的结构相同，因此省略说明。
这样构成的理由如下所述。
在本实施方式的压配合端子610中，在板厚度方向(y方向)上成为最外层的压配合端子单体单元610L1在压入结束时沿通孔内壁31w朝向板厚度方向的内侧变形为扇形。因此，端子压接部615的外侧面EEE和压配合形状的横的面ESE与通孔内壁31w接触。因此，具有压配合端子610和通孔内壁31w的接触面积变大的效果。由此，接触电阻降低，能够抑制大电流流动时的接触部的发热所导致的温度上升。
此外，成为最外层的压配合端子单体单元610LE为了沿通孔内壁31w变形为扇形，需要使与最外层的端子单体单元610LE的内侧邻接的端子单体单元(如本实施方式那样为3层的情况下，为内层的端子单体单元610LM)的压接部的宽度WOM比成为最外层的压配合形状板610LE的厚度方向的外侧面FEM的位置处的圆弧A31W的弦的长度LCM小。由此，将压配合端子610压入通孔31时，从内壁31w施加到成为最外层的压配合端子单体单元610LE的宽度方向(x方向)两端部的外表面FEE侧的力，在两端部的内表面FIE侧被内层侧的端子单体单元610LM的角部615CM承受。也就是说，在压配合端子单体单元610LE的相对的面上，从宽度方向不同的位置受力，因此能够使压配合端子单体单元610LE在厚度方向上容易地变形。
另外，具有以下效果。
成为最外层的压配合端子单体单元610LE在压配合端子610的压入后，在厚度方向(xy平面内)上弯曲变形，因此，由弯曲产生的弹力作为相对于通孔内壁31w的抵抗力发挥功能。因此，能够相对于通孔内壁31w产生更大的接触力。由此，接触电阻降低，能够抑制大电流流动时的接触部的发热导致的温度上升。
为更大地发挥所述构造的效果，成为最外层的压配合端子单体单元610LE优选采用弹性率高的材质，内层侧优选采用电阻率低的材质。而且，与通孔内壁31w的接触面积大，而且，通过压配合端子610自身的压接力和最外侧的压配合端子单体单元610LE的弯曲产生的回弹力这两个力，向通孔内壁31w施加接触力，因此，在压入后，压配合端子610的左右的力、上下的力变强。因此，能够得到可靠性高的接触部。
以上，根据本发明的实施方式6的压配合端子610，当贯通孔的内壁31w的截面形状为圆弧A31W时，压配合端子单体单元610L中的在重叠方向上成为最外层的压配合端子单体单元610LE的压接部615的宽度WOE比从圆弧A31W上的圆的中心PC开始到该压配合端子610的厚度to的一半的距离的弦的长度LCE宽，与成为最外层的压配合端子单体单元610LE的内侧邻接的压配合端子单体单元610LM的压接部615的宽度WOM比弦的长度LCE窄，因此，最外层的压配合端子单体单元的外表面FEE能够沿内壁31w变形为扇形，并以宽的面积接触。
实施方式7
在本实施方式中，对使用了上述各实施方式1～6中说明的压配合端子的电力半导体装置进行说明。图14～图16用于说明本发明的实施方式7的电力半导体装置的结构，图14是用于说明电力半导体装置的内部构造的局部俯视图(图14(a))及局部剖视图(图14(b))，图15是用于说明电力半导体装置的外观的主视图(图15(a))及侧视图(图15(b))，图16是用于说明变形例的电力半导体装置的外观的主视图(图16(a))及侧视图(图16(b))。此外，在图中，标注了压配合端子710、710V，但也可以使用上述各实施方式中所示的压配合端子10、10V1～10V5、110、210、310、410、510、610中的任意一个。
在电力半导体装置100中，如图14所示，在由氮化铝、氮化硅、氧化铝等的陶瓷材料形成的绝缘基板21的电路面21f上配置有通过未图示的钎料等接合的电路图案22、电极板25。电路图案22、电极板25由铜、铝等导电性材料或以它们为主成分的合金材料形成。而且，考虑到防氧化、软钎焊材料的湿润性，电路图案22、电极板25的表面形成有镍等的镀膜。另外，虽然未图示，但在绝缘基板21的电路面1f的相反侧的面上形成有散热板。
在图中，半导体元件23经由软钎料26被连接在电路图案22上。半导体元件23是使用了与硅相比禁带宽的所谓宽禁带半导体材料中的碳化硅的半导体元件，例如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)或钻石，按种类分为IGBT(绝缘栅双极晶体管；Insulated Gate BipolarTransistor)、MOSFET(金属－氧化物－半导体场效应晶体管；MetalOxide Semiconductor Field Effect Transistor)这样的开关元件或二极管这样的整流元件。在半导体元件23的电路图案22侧的面上形成有漏极电极。而且，在漏极电极的相反侧(图中的上侧)的面上，实际分区域地形成有栅极电极、源极电极，但为容易理解本发明的实施方式的特征，在上侧的面上仅形成有大电流流动的源极电极来进行说明。此外，在漏极电极的表面上形成有合金层，用于良好地与软钎料26接合。在源极电极的表面上还形成有未图示的厚度数μm的薄铝的基底。
而且，半导体元件23通过引线部件24与电路面1f上的电极板25连接。在电极板25内固定有压配合端子710的接收部711(未图示)，压配合部713侧从基部712部分被导出。由此，形成从半导体元件23(源极电极)向外部电路的供电路径。
用树脂覆盖上述内部构造部分，进行封装后，得到图15所示的传输型的电力半导体装置100。压配合端子710成为从封装框体100p的两侧面露出的构造。以往不是压配合端子710露出，而是针端子露出，与未图示的布线基板的通孔之间的连接通过软钎焊进行。供大电流流动的针端子的截面积变大，热容量变大，因此，在以往的针端子中，存在难以通过波峰焊接等方法进行软钎料连接的课题。因此，熟练作业者进行手工软钎焊接时，存在成本变高的课题。尤其是，由于高性能化的电力半导体装置被实施多针化，所以存在通过手工软钎焊连接它们会导致大幅的成本升高的课题。
另一方面，使用了本发明的压配合端子710的电力半导体装置100不需要使软钎料加热熔融，只要有手动压力机和夹具，在常温下就能够简单地与布线基板连接，与使用以往的软钎焊用针端子的半导体装置相比，能够得到生产率提高的效果。
实施方式7的变形例
图15示出了实施方式7的变形例的电力半导体装置，是盒型电力半导体装置100V。压配合端子710V成为从盒100pV的上表面露出的构造。在本构造中，由于压配合端子710V从盒100pV的上方伸出，所以不需要如传输型那样地使压配合端子(基部712)弯曲，因此，具有压入布线基板的通孔时的定位性提高的优点。而且，由于不需要弯曲压配合端子，所以能够简单地立起压配合端子，而且还不需要软钎焊，所以能够使针间的距离变窄，能够实现电力半导体装置的小型化。
另外，在上述结构中，示出了通过电极板连接引线框和压配合端子的例子，但也可以直接连接压配合端子和引线框。该情况下，压配合端子采用不同材质的层叠构造，与铜的单一材料的引线框组合，例如能够通过引线接合、超声波接合进行连接。于是，能够仅使压配合端子成为层叠构造，能够在模块内使发热最大的半导体元件的热量高效地向引线框内逃逸。其结果，能够抑制半导体元件发热时的温度上升，实现高可靠性。
另外，还能够使压配合端子和引线框一体化，使引线框也成为层叠构造。这样，由于引线框的被分割的各板厚也变小，所以通过冲压进行的引线框形状的制作也变得容易。由此，不需要制作高精度且繁琐的冲压模具，具有成本变低的效果。
而且，板厚为1mm的情况下，引线框的宽度也必须为1mm以上，但是在层叠板厚为0.5mm的板而成为1mm的情况下，能够使引线框的宽度变窄到0.5mm，能够减小引线框整体的尺寸，因此能够实现模块的小型化。
而且，被层叠的引线框的芯片安装侧采用铜，相反侧的材质采用线膨胀系数比铜低的科瓦铁镍钴合金或殷钢这样的材质，由此，能够抑制温度循环时的铜的收缩。由此，能够提高温度循环可靠性。
在本实施方式中，示出了作为开关元件(晶体管)、整流元件(二极管)发挥功能的半导体元件23由碳化硅形成的例子，但不限于此，也可以采用通常使用的由硅(Si)形成的元件。但是，在使用了能够形成禁带比硅大的所谓宽禁带半导体的碳化硅、氮化镓系材料或钻石时，能够如下所述地进一步发挥本发明的效果。
驱动电力半导体装置100时，电流从半导体元件23开始向电力半导体装置100内的各个元件流动，此时，电阻的电力损失转换成热量，电力半导体装置100内的温度发生变动。此时，由宽禁带半导体形成的开关元件、整流元件(各实施方式中的半导体元件23)与由硅形成的元件相比，电力损失低，因此能够实现开关元件、整流元件的高效率化，进而能够实现电力半导体装置的高效率化。另外，由于耐电压性高，允许电流密度也高，所以能够实现开关元件、整流元件的小型化，通过使用这些小型化了的开关元件、整流元件，电力半导体装置也能够小型化。另外，由于耐热性高，所以能够高温工作，还能够实现散热器的散热翅片的小型化、水冷部的空冷化，所以，能够实现电力半导体装置的进一步小型化。
另一方面，在如上所述地高温工作的情况下，停止、驱动时的温度差变大，而且，通过高效率、小型化，每单位体积处理的电流量变大。因此，经时的温度变化、空间的温度梯度变大，存在最高达到温度、温度变化量变大的可能性。
在这样的电力半导体装置中，电力半导体装置和布线基板的电极连接部也成为高温，但在以往的软钎焊连接中，电极连接部的温度比软钎料的熔点高的大电流工作被限制，不能够充分地发挥半导体元件的能力。但是，通过使用本发明的各实施方式的压配合端子，不受软钎料的熔点的制约，能够在高的温度下使半导体工作。而且，本发明的压配合端子与软钎焊相比，电极的连接面积小，因此，压配合端子和通孔内壁的热电阻变大，能够抑制从半导体向基板的热传递，其结果，半导体装置的热量难以向布线基板侧传递。因此，即使半导体装置的温度成为高温，布线基板的温度也难以上升，布线基板的可靠性提高。
另外，若使用本发明的各实施方式的压配合端子，由于压配合端子被牢固地保持在布线基板的通孔内，所以即使因温度变化导致位移，连接部也不变形地，能够维持连接可靠性。也就是说，活用宽禁带半导体的特性，发展小型化、高效率化，也能够容易地得到可靠性高的电力半导体装置。也就是说，通过发挥本发明的效果，能够活用宽禁带半导体的特性。
另外，引线框和压配合端子为一体型，层叠了的引线框的芯片侧材质采用铜，相反侧的材质采用线膨胀系数比铜低的科瓦铁镍钴合金或殷钢这样的材质，由此，能够抑制温度循环时的铜的收缩。由此，能够提高温度循环可靠性。另外，通过例如引线接合、超声波接合将层叠了不同材质的压配合端子和单一材料(铜)的引线框，能够仅使压配合端子成为层叠构造，在电力半导体装置内，能够高效地使发热最大的半导体元件的热量向引线框内逃逸。其结果，能够抑制半导体元件发热时的温度上升，实现高可靠性。
此外，在本实施方式的电力半导体装置中，以使用了在由陶瓷材料形成的绝缘基板21上形成有电路图案22的电路基板为例进行了说明，但不限于此。例如在使用了所谓的金属基底基板的电力半导体装置和使用了粘贴有绝缘片的结构的电路基板的电力半导体装置中，也能够得到同样的效果，所述金属基底基板将绝缘层设置在电路图案下方，所述绝缘层向环氧树脂等树脂材料填充用于赋予热传导性的氧化铝或称为BN的无机氧化物、氮化物的填料，所述绝缘片由与绝缘层相同的材料构成。
附图标记的说明
10压配合端子，11接收部，12基部，13压配合部，14前端部，15压接部(15a分支部，15p突起部，15pB带突起的根部，15s开口部(间隔))，16端子基部侧锥形部，17前端部(端子前端侧锥形部)，30布线基板，31通孔(贯通孔，31w通孔内壁)，33布线图案，100电力半导体装置(100p盒)，21绝缘基板(21f电路面)，22电路图案，23半导体元件，24引线部件，25电极板，AC压配合端子的中心轴，DI压配合端子压入方向，A31W通孔内壁的圆弧形状，DC弦的距离，FE外侧面，LC弦的长度，PC通孔内壁的圆弧中心，t厚度，Wa分支部的宽度，WO压接部的宽度，Ws开口部的宽度。
索引：L压配合端子单体单元，O端子整体，V变形例。
百位数字的不同表示按每个实施方式的不同。

Claims (16)

1.一种压配合端子，该压配合端子被压入电触点用的贯通孔，用于进行电连接，其特征在于，
该压配合端子在按照所述压配合端子的各层对压配合端子单体单元进行加工之后，将分体形成的所述压配合端子单体单元在厚度方向上重叠多个而构成，所述压配合端子单体单元由板材构成，具有：前端部，该前端部形成为尖头状；压接部，该压接部从所述前端部分支，以分支的部分的各自的侧面隔开规定间隔地相对的方式形成，并被插入压接于所述贯通孔，
所述重叠的压配合端子单体单元彼此至少在一部分区域一体化，
所述多个压配合端子单体单元的各自的板厚比所述规定间隔或从所述前端部分支的部分的各自的宽度薄。
2.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，该压配合端子的板厚比从所述前端部分支的部分的各自的宽度厚。
3.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述重叠的压配合端子单体单元彼此在所述前端部、基部或所述前端部和所述基部双方的区域一体化。
4.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述重叠的压配合端子单体单元彼此至少在所述压接部的区域分离。
5.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述多个压配合端子单体单元采用材质不同的板材。
6.如权利要求5所述的压配合端子，其特征在于，所述多个压配合端子单体单元中的与重叠方向的中心的距离相同的位置处的压配合端子单体单元采用相同材质的板材。
7.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述多个压配合端子单体单元采用厚度不同的板材。
8.如权利要求7所述的压配合端子，其特征在于，所述多个压配合端子单体单元中的与重叠方向的中心的距离相同的位置处的压配合端子单体单元采用厚度相同的板材。
9.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，所述多个压配合端子单体单元采用压接部的宽度不同的结构。
10.如权利要求9所述的压配合端子，其特征在于，所述压配合端子单体单元的压接部的宽度随着该压配合端子单体单元的位置远离重叠方向的中心而变窄。
11.如权利要求9所述的压配合端子，其特征在于，
所述贯通孔的内壁的截面形状为圆弧，
所述压配合端子单体单元中的在重叠方向上成为最外层的压配合端子单体单元的压接部的宽度比所述圆弧的从圆的中心到该压配合端子的厚度的一半的距离的弦的长度宽，
与所述成为最外层的压配合端子单体单元的内侧邻接的压配合端子单体单元的压接部的宽度比所述弦的长度窄。
12.如权利要求1所述的压配合端子，其特征在于，在从所述前端部分支的部分的各自的侧面上形成有朝向相对的侧面突出的突起部。
13.如权利要求12所述的压配合端子，其特征在于，所述突起部的来自各个所述侧面的根部形成为锥状。
14.一种半导体装置，其特征在于，具有：
半导体元件，该半导体元件安装在形成于电路基板的电路图案上；
权利要求1～13中任一项所述的压配合端子，该压配合端子的所述前端部的一端侧被电连接于所述半导体元件的电极。
15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体元件由宽禁带半导体材料形成。
16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于，所述宽禁带半导体材料是碳化硅、氮化镓或钻石中的任意一个。
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