JP6272213B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
図1はこの発明の実施の形態1であるパワーモジュール(半導体装置)の上面構造を示す平面図である。図2は図1のA−A断面における断面構造を示す断面図である。図3は図1のB−B断面における断面構造を示す断面図である。なお、これらの図1〜図3それぞれにXYZ直交座標系を示している。以下、図1〜図3を参照して実施の形態1のパワーモジュールについて説明する。
図4はこの発明の実施の形態2であるパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。図4にXYZ直交座標系を示している。同図は、実施の形態1で用いた図1のB−B断面に相当する。なお、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図5はこの発明の実施の形態3であるパワーモジュールの裏面側構造を示す平面図である。図5にXYZ直交座標系を示している。実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図6は実施の形態4のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。図6にXYZ直交座標系を示している。なお、図6は図1のA−A断面の断面構造に相当する。実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図7は実施の形態5のパワーモジュールの上面構造を示す平面図である。図8及び図9は共に図7のC−C断面における断面構造を示す断面図である。なお、これらの図7〜図9にXYZ直交座標系を示している。また、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図10は実施の形態6のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。図10にXYZ直交座標系を示している。なお、図10は実施の形態1の図1のA−A断面に相当し、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図11は実施の形態7のパワーモジュールの上面構造を示す平面図である。図12は図11のD−D断面における断面構造を示す断面図である。図11及び図12それぞれにXYZ直交座標系を示している。なお、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図13は実施の形態8のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。図13にXYZ直交座標系を示している。図13は図1のA−A断面に相当し、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図14は実施の形態9のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。図14にXYZ直交座標系を示している。なお、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図15は実施の形態10のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。なお、図15にXYZ直交座標系を示している。なお、図15は図1のA−A断面に相当し、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図16は実施の形態11のパワーモジュールの上面構造を示す平面図である。なお、図16にXYZ直交座標系を示している。なお、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図17は実施の形態12のパワーモジュールの上面構造を示す平面図である。図17にXYZ直交座標系を示している。なお、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図18は実施の形態13のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。なお、図18にXYZ直交座標系を示している。なお、図18は図1のA−A断面に相当し、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
図19は実施の形態14のパワーモジュールの断面構造を示す断面図である。なお、図19にXYZ直交座標系を示している。なお、図19は図1のA−A断面に相当し、実施の形態1と同様な構成部は同一符号を付して説明を適宜省略する。
Claims (17)
- 水平方向に沿って形成される一方主面及び他方主面を有し、一方主面側に配線パターンを有する絶縁基板と、
前記絶縁基板の一方主面側に形成される半導体素子と、
前記配線パターンあるいは前記半導体素子と電気的に接続して、前記絶縁基板の一方主面上に設けられる外部電極と、
前記絶縁基板及び前記半導体素子を収容する収容ケースとを備え、前記収容ケースは前記絶縁基板の一方主面側において、前記絶縁基板の一方主面と平面視して完全重複する態様で設けられ、前記外部電極を構成する電極挿入部の少なくとも一部を内部に有する電極挿入領域を有し、
前記外部電極は前記水平方向に沿って形成される水平方向電極領域を有し、前記水平方向電極領域の上面が前記電極挿入領域に接する態様で設けられることを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記水平方向電極領域は前記電極挿入部の一部として前記電極挿入領域内に挿入される、
半導体装置。 - 請求項1記載の半導体装置であって、
前記水平方向電極領域の上面は前記電極挿入領域の底面に接して設けられる、
半導体装置。 - 請求項1から請求項3のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記絶縁基板の一方主面は前記収容ケースと接着するケース接着領域を有し、
前記絶縁基板は他方主面側に内部電極をさらに有し、
前記内部電極は前記ケース接着領域と平面視して重複する領域を有することを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項4記載の半導体装置であって、
前記内部電極は他方主面側の外周領域において、各々が他の領域より一方主面側に凹んだ領域を少なくとも含む複数の凹み部を有することを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は
前記収容ケースの外部に設けられる外部接続部と、
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される基板接続部とを含み、
前記電極挿入部は、前記外部接続部と前記基板接続部との間に設けられ、
前記電極挿入部は前記水平方向を規定する第1及び第2の方向のうち少なくとも一方向の幅は、前記外部接続部及び前記基板接続部より広く設定される、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は第1及び第2の外部電極を含み、
前記第1及び第2の外部電極は、それぞれ
前記収容ケースの外部に設けられる外部接続部と、
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される基板接続部とを含み、
前記電極挿入部は、前記外部接続部と前記基板接続部との間に設けられ、
前記第1及び第2の外部電極それぞれの前記電極挿入部の少なくとも一部は前記電極挿入領域に挿入される、
半導体装置。 - 請求項7記載の半導体装置であって、
前記第1及び第2の外部電極の前記電極挿入部は、前記電極挿入領域において平面視または側面視して少なくとも一部が重複する態様で設けられることを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は
前記収容ケースの外部に設けられる外部接続部と、
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される複数の基板接続部とを含み、
前記電極挿入部は、前記外部接続部と前記複数の基板接続部との間に設けられる、
半導体装置。 - 請求項1から請求項9のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記絶縁基板における前記配線パターンに電気的に接続される信号端子をさらに備え、前記信号端子は前記外部電極に比べ電流伝搬能力が低く、
前記信号端子は少なくとも一部が前記収容ケース内に挿入される、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は、
前記収容ケースの外部に設けられる外部接続部と、
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される基板接続部とを含み、
前記電極挿入部は、前記外部接続部と前記基板接続部との間に設けられ、
前記基板接続部は一部にその形成幅が他の領域より狭く形成された幅狭領域を有することを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項11記載の半導体装置であって、
前記外部電極は各々が前記外部接続部、前記基板接続部及び前記電極挿入部を有する、第1及び第2の外部電極を含み、前記第2の外部電極は、前記第1の外部電極に比べ前記絶縁基板の中央部側に配置され、
前記第1の外部電極の前記基板接続部は前記幅狭領域を有し、前記第2の外部電極の前記基板接続部は前記幅狭領域を有さないことを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1から請求項12のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記収容ケースは上方から下方に延びて形成され、前記絶縁基板の一方主面と接して設けられる基板押え部を有する、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は
前記収容ケースの外部に設けられる外部接続部と、
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される基板接続部とを含み、
前記電極挿入部は、前記外部接続部と前記基板接続部との間に設けられ、
前記基板接続部は前記絶縁基板の周縁部より中心部に近い領域に設けられることを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1から請求項5のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記外部電極は複数の外部電極を含み、
前記複数の外部電極は、それぞれ
前記絶縁基板の一方主面と直接接続される基板接続部を有し、
前記複数の外部電極は平面視直線状の電極形成線に沿って設けられ、
前記半導体素子は第1及び第2の半導体素子を含み、前記第1及び第2の半導体素子は互いに異なるレベルの電圧で駆動し、前記電極形成線を挟んで配置されることを特徴とする、
半導体装置。 - 請求項1から請求項15のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記半導体素子は構成材料を炭化珪素とした半導体素子を含む、
半導体装置。 - 請求項1から請求項16のうち、いずれか1項に記載の半導体装置であって、
前記絶縁基板の他方主面側に常温で固体の放熱材をさらに備える、
半導体装置。
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