JP5872446B2

JP5872446B2 - 磁気ディスク装置および磁気ヘッドの制御方法

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Publication number: JP5872446B2
Application number: JP2012271658A
Authority: JP
Inventors: 山田　裕一; 裕一山田
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2012-12-12
Filing date: 2012-12-12
Publication date: 2016-03-01
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Description

本発明の実施形態は、磁気ディスク装置および磁気ヘッドの制御方法に関する。

複数のディスク面を有する磁気ディスク装置では、各ディスク面に対応して複数の磁気ヘッドを保持するヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）が搭載されている。磁気ヘッドには、リード素子、ライト素子、ヒータ素子、アシスト記録のための素子などの複数の素子が搭載される。ここで、各磁気ヘッドに搭載される素子の個数が増えると、それらの素子に接続される配線の接合部のスペースが増大し、ヘッドスタックアセンブリの複雑化および大型化を招いていた。

特開２０１２−１１９０３１号公報

本発明の一つの実施形態は、磁気ヘッドに搭載される素子に接続される配線の接合部のスペースを減らすことが可能な磁気ディスク装置および磁気ヘッドの制御方法を提供することを目的とする。

本発明の一つの実施形態によれば、磁気ディスクと、第１の磁気ヘッドと、第２の磁気ヘッドと、電流制御部とが設けられている。磁気ディスクは、第１のディスク面および第２のディスク面を有する。第１の磁気ヘッドは、前記第１のディスク面の記録または再生に用いられ、第１の正極性端子および第１の負極性端子を有する第１の２端子素子が搭載されている。第２の磁気ヘッドは、前記第２のディスク面の記録または再生に用いられ、第２の正極性端子および第２の負極性端子を有する第２の２端子素子が搭載されている。電流制御部は、前記第１の正極性端子および前記第２の負極性端子に共通に接続された第１の電流端子と、前記第１の負極性端子および前記第２の正極性端子に共通に接続された第２の電流端子を有し、前記第１の電流端子と前記第２の電流端子との間で電流極性を切り替え可能である。

図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。図２は、図１の磁気ヘッドＨＤ１の概略構成を示すブロック図である。図３（ａ）は、図１の磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２が搭載されたヘッドスタックアセンブリＨＳ１の概略構成を示す斜視図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のヘッドスタックアセンブリＨＳ１に実装される回路基板の概略構成を示す斜視図である。図４（ａ）は、図３（ａ）のフレキシャＦＬ１の端子部分の構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図３（ａ）のフレキシャＦＬ２の端子部分の構成を示す平面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）および図４（ｂ）のフレキシャＦＬ１、ＦＬ２の端子部分の実装方法を示す平面図である。図５（ａ）は、図１の磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２にそれぞれ搭載されるレーザダイオード２１、３１の接続方法を示す図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のレーザダイオード２１を選択する時のレーザ電流制御部６Ｂの極性設定方法を示す図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のレーザダイオード３１を選択する時のレーザ電流制御部６Ｂの極性設定方法を示す図である。図６は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。図７は、図６の磁気ヘッドＨＤ２１の概略構成を示すブロック図である。図８（ａ）は、図６のヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１に搭載されるフレキシャＦＬ２１の端子部分の構成を示す平面図、図８（ｂ）は、図６のヘッドジンバルアセンブリＨＧ２２に搭載されるフレキシャＦＬ２２の端子部分の構成を示す平面図、図８（ｃ）は、図８（ａ）および図８（ｂ）のフレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２の端子部分の実装方法を示す平面図である。図９（ａ）は、図６の磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２にそれぞれ搭載されるリード素子４４、５４の接続方法を示す図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のリード素子４４を選択する時のリード電流制御部２６Ａの極性設定方法を示す図、図９（ｃ）は、図９（ａ）のリード素子５４を選択する時のリード電流制御部２６Ａの極性設定方法を示す図である。図１０は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。図１１（ａ）は、図１０の磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２が搭載されたヘッドスタックアセンブリＨＳ２の概略構成を示す斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のヘッドスタックアセンブリＨＳ２に実装される回路基板の概略構成を示す斜視図である。図１２（ａ）は、図１１（ａ）のフレキシャＦＬ１１の端子部分の構成を示す平面図、図１２（ｂ）は、図１１（ａ）のフレキシャＦＬ１２の端子部分の構成を示す平面図、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）および図１２（ｂ）のフレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２の端子部分の実装方法を示す平面図である。図１３は、図１０の磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２にそれぞれ搭載されるレーザダイオード２１、３１、リード素子２４、３４、ライト素子２５、３５およびヒータ素子２６、３６の接続方法を示す図である。

以下に添付図面を参照して、実施形態に係る磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、磁気ディスク装置には、磁気ディスク２が設けられ、この磁気ディスク２には、磁気記録層が形成されたディスク面Ｍ１、Ｍ２が設けられている。磁気ディスク２はスピンドル１４を介して支持されている。また、磁気ディスク装置には、各ディスク面Ｍ１、Ｍ２の記録または再生に用いられる磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２が設けられている。各磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２は、ディスク面Ｍ１、Ｍ２にそれぞれ対向するようにヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２にて保持されている。

この磁気ディスク装置には、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２を駆動するボイスコイルモータ４が設けられるとともに、スピンドル１４を介して磁気ディスク２を回転させるスピンドルモータ１３が設けられている。磁気ディスク２、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２、ボイスコイルモータ４、スピンドルモータ１３およびスピンドル１４は、ケース１に収容されている。

図２は、図１の磁気ヘッドＨＤ１の概略構成を示すブロック図である。
図２において、磁気ヘッドＨＤ１には、レーザダイオード２１、光導波路２２、近接場光素子２３、リード素子２４、ライト素子２５およびヒータ素子２６が設けられ、スライダＳＬ１上に支持されている。近接場光素子２３、リード素子２４およびライト素子２５はディスク面Ｍ１に対向するように配置されている。レーザダイオード２１から出射されたレーザ光は光導波路２２を介して近接場光素子２３に導かれる。そして、近接場光素子２３にて近接場光が発生され、その近接場光がディスク面Ｍ１に照射されることでディスク面Ｍ１が局所的に加熱される。近接場光にて加熱された領域にライト素子２５から発生された磁場が与えられることで、その領域の磁化状態が変化され、いわゆる熱アシスト磁気記録が行われる。この時、ヒータ素子２６によってスライダＳＬ１が加熱され、スライダＳＬ１の膨張が制御されることで、スライダＳＬ１とディスク面Ｍ１との間の間隔が制御される。なお、磁気ヘッドＨＤ２も磁気ヘッドＨＤ１と同様に構成することができる。

図３（ａ）は、図１の磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２が搭載されたヘッドスタックアセンブリＨＳ１の概略構成を示す斜視図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のヘッドスタックアセンブリＨＳ１に実装される回路基板の概略構成を示す斜視図、図４（ａ）は、図３（ａ）のフレキシャＦＬ１の端子部分の構成を示す平面図、図４（ｂ）は、図３（ａ）のフレキシャＦＬ２の端子部分の構成を示す平面図、図４（ｃ）は、図４（ａ）および図４（ｂ）のフレキシャＦＬ１、ＦＬ２それぞれの端子部分の実装方法を示す平面図である。
図３（ａ）において、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２の先端には、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２がそれぞれ設けられ、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２の先端には磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２がそれぞれ配置されている。なお、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２それぞれは、ステンレスなどで構成され、各ディスク面Ｍ１、Ｍ２に対する弾性力を磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２にそれぞれ与える。サスペンションＳＰ１、ＳＰ２はアームＡＭ１、ＡＭ２にてそれぞれ支持され、アームＡＭ１、ＡＭ２は磁気ディスク２のディスク面Ｍ１、Ｍ２それぞれに対する水平面内で回転できるように軸受ユニットＪＰにて支持されている。ここで、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２は積層配置されることでヘッドスタックアセンブリＨＳ１が構成されている。

また、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２には、各磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２に接続される配線を引き出すフレキシャＦＬ１、ＦＬ２が設けられている。ここで、フレキシャＦＬ１、ＦＬ２の先端部は磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２にそれぞれ接続され、フレキシャＦＬ１、ＦＬ２の後端部には端子Ａ１〜Ｈ１、Ａ２〜Ｈ２がそれぞれ設けられている。

なお、端子Ａ１、Ｂ１は磁気ヘッドＨＤ１のライト素子２５の２端子分に割り当て、端子Ｃ１、Ｄ１は磁気ヘッドＨＤ１のヒータ素子２６の２端子分に割り当て、端子Ｅ１、Ｆ１は磁気ヘッドＨＤ１のリード素子２４の２端子分に割り当て、端子Ｇ１、Ｈ１は磁気ヘッドＨＤ１のレーザダイオード２１の２端子分に割り当てることができる。また、端子Ａ２、Ｂ２は磁気ヘッドＨＤ２のライト素子の２端子分に割り当て、端子Ｃ２、Ｄ２は磁気ヘッドＨＤ２のヒータ素子の２端子分に割り当て、端子Ｅ２、Ｆ２は磁気ヘッドＨＤ２のリード素子の２端子分に割り当て、端子Ｇ２、Ｈ２は磁気ヘッドＨＤ２のレーザダイオードの２端子分に割り当てることができる。

ここで、図４（ａ）に示すように、フレキシャＦＬ１の端子Ｈ１の配置領域はフレキシャＦＬ２側にＬ字状に屈曲されている。端子Ａ１〜Ｇ１はフレキシャＦＬ１上に一列に配置され、端子Ｈ１は端子Ｇ１に隣接するようにフレキシャＦＬ１の屈曲部に配置されている。また、図４（ｂ）に示すように、フレキシャＦＬ２の端子Ｈ２の配置領域はフレキシャＦＬ１側にＬ字状に屈曲されている。端子Ａ２〜Ｇ２はフレキシャＦＬ２上に一列に配置され、端子Ｈ２は端子Ｇ２に隣接するようにフレキシャＦＬ２の屈曲部に配置されている。

図３（ａ）に示すように、フレキシャＦＬ１、ＦＬ２は、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２の対抗面およびアームＡＭ１、ＡＭ２の対抗面に沿って配置されている。フレキシャＦＬ１、ＦＬ２の後端部は、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２の側面上に配置されるように９０°だけ折り曲げられる。この構造により、図４（ｃ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２の側面上で端子Ａ１〜Ｇ１、Ａ２〜Ｇ２が互いに並列されるとともに、端子Ｈ２上に端子Ｇ１が重ねて配置され、端子Ｇ２上に端子Ｈ１が重ねて配置されている。ここで、端子Ｇ１、Ｈ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１が形成され、端子Ｇ２、Ｈ１は互いに接合されることで接合部Ｊ２が形成されている。

一方、回路基板ＳＢ１には、端子Ａ３〜Ｇ３、Ａ４〜Ｇ４および配線ＨＡ１、ＨＡ２が形成されるとともに、ＩＣチップＣＰ１が実装されている。なお、ＩＣチップＣＰ１はベアチップ実装であってもよいし、チップサイズパッケージまたはＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などにパッケージ化されていてもよい。端子Ａ３〜Ｇ３は配線ＨＡ１を介してＩＣチップＣＰ１に接続され、端子Ａ４〜Ｇ４は配線ＨＡ２を介してＩＣチップＣＰ１に接続されている。

回路基板ＳＢ１がフレキシャＦＬ１、ＦＬ２の後端部上に実装されることで、端子Ａ３〜Ｆ３は端子Ａ１〜Ｆ１とそれぞれ接合され、端子Ａ４〜Ｆ４は端子Ａ２〜Ｆ２とそれぞれ接合される。また、端子Ｇ３は接合部Ｊ１と接合されることで端子Ｇ１、Ｈ２と電気的に接続され、端子Ｇ４は接合部Ｊ２と接合されることで端子Ｇ２、Ｈ１と電気的に接続される。

ここで、端子Ｈ２上に端子Ｇ１を重ねて配置するとともに、端子Ｇ２上に端子Ｈ１を重ねて配置することにより、端子Ｈ１、Ｈ２の分だけフレキシャＦＬ１、ＦＬ２および回路基板ＳＢ１のスペースを減らすことができる。また、端子Ｇ１、Ｈ２を互いに接合し、端子Ｇ２、Ｈ１を互いに接合することにより、ＩＣチップＣＰ１の端子数を減らすことができ、ＩＣチップＣＰ１を小型化することができる。

また、図１に示したとおり、磁気ディスク装置には磁気記録制御部５が設けられ、磁気記録制御部５には、ヘッド制御部６、パワー制御部７、リードライトチャネル８およびハードディスク制御部９が設けられている。

ヘッド制御部６には、リード電流制御部６Ａ、レーザ電流制御部６Ｂ、ライト電流制御部６Ｃおよびヒータ制御部６Ｄが設けられ、レーザ電流制御部６Ｂには極性切替部６Ｅが設けられている。パワー制御部７には、スピンドルモータ制御部７Ａおよびボイスコイルモータ制御部７Ｂが設けられている。

ヘッド制御部６は、記録再生時における信号を増幅したり検出したりすることができる。リード電流制御部６Ａは、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２のリード電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ１ではリード素子２４に流れる電流を制御する。レーザ電流制御部６Ｂは、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２のレーザ電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ１ではレーザダイオード２１に流れる電流を制御する。ライト電流制御部６Ｃは、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２のライト電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ１ではライト素子２５に流れる電流を制御する。ヒータ制御部６Ｄは、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２のヒータ電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ１ではヒータ素子２６に流れる電流を制御する。極性切替部６Ｅは、レーザ電流制御部６Ｂから出力される電流の極性を切り替えることができる。

パワー制御部７は、ボイスコイルモータ４およびスピンドルモータ１３を駆動することができる。スピンドルモータ制御部７Ａは、スピンドルモータ１３の回転を制御することができる。ボイスコイルモータ制御部７Ｂは、ボイスコイルモータ４の駆動を制御することができる。

リードライトチャネル８は、ヘッド制御部６とハードディスク制御部９との間でデータの受け渡しを行う。なお、データとしては、リードデータ、ライトデータおよびサーボデータを挙げることができる。例えば、リードライトチャネル８は、リード素子２４にて再生される信号をホスト１２で扱われるデータ形式に変換したり、ホスト１２から出力されるデータをライト素子２５にて記録される信号形式に変換したりする。このような形式変換としては、ＤＡ変換や符号化を挙げることができる。すなわち、リードライトチャネル８は、リード素子２４にて再生された信号のデコード処理を行ったり、ホスト１２から出力されるデータをコード変調したりすることができる。

ハードディスク制御部９は、磁気ディスク装置の外部からの指令に基づいて記録再生制御を行ったり、外部とリードライトチャネル８との間でデータの受け渡しを行ったりすることができる。

磁気ディスク２からの情報の読み出しでは、スピンドルモータ１４にて磁気ディスク２が回転されながら、リード素子２４を介して磁気ディスク２から信号が読み出され、ヘッド制御部６にてこの信号が検出される。ヘッド制御部６にて検出された信号は、リードライトチャネル８にてデータ変換された後、ハードディスク制御部９に送られる。そして、ハードディスク制御部９において、ヘッド制御部６にて検出された信号に含まれるサーボ信号に基づいて磁気ヘッドＨＤ１のトラッキング制御が行われる。

次に、図５（ａ）〜（ｃ）により、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２とヘッド制御部６との接続方法を説明する。図５（ａ）は、図１の磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２にそれぞれ搭載されるレーザダイオード２１、３１の接続方法を示す図、図５（ｂ）は、図５（ａ）のレーザダイオード２１を選択する時のレーザ電流制御部６Ｂの極性設定方法を示す図、図５（ｃ）は、図５（ａ）のレーザダイオード３１を選択する時のレーザ電流制御部６Ｂの極性設定方法を示す図である。
図５（ａ）において、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２には、レーザダイオード２１、３１がそれぞれ設けられている。また、レーザ電流制御部６Ｂには、電流端子Ｔ１、Ｔ２が設けられている。そして、レーザダイオード２１のアノード側（正極側）は端子Ｇ１に接続され、レーザダイオード２１のカソード側（負極側）は端子Ｈ１に接続されている。レーザダイオード３１のアノード側（正極側）は端子Ｇ２に接続され、レーザダイオード３１のカソード側（負極側）は端子Ｈ２に接続されている。そして、端子Ｇ１、Ｈ２が互いに接合されることで接合部Ｊ１が形成され、端子Ｇ２、Ｈ１が互いに接合されることで接合部Ｊ２が形成されることで、レーザダイオード２１、３１が互いに逆極性になるように並列接続される。接合部Ｊ１は電流端子Ｔ１に接続され、接合部Ｊ２は電流端子Ｔ２に接続される。

磁気ヘッドＨＤ１に対応するディスク面Ｍ１に熱アシスト磁気記録を行う場合、図５（ｂ）に示すように、極性切替部６Ｅが、電流端子Ｔ１から電流端子Ｔ２に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態を設定する。この時、磁気ヘッドＨＤ１に搭載されるレーザダイオード２１には電流が流れ、レーザダイオード２１からレーザ光が出射されることでディスク面Ｍ１が局所的に加熱される。

また、ライト電流制御部６Ｃにてライト素子２５の電流が制御されることで、ライト素子２５から発生される磁場が制御される。そして、ディスク面Ｍ１の局所的に加熱された領域にライト素子２５から発生された磁場が近づくことで、その加熱領域の磁化状態が変化され、ディスク面Ｍ１に対する熱アシスト磁気記録が行われる。

このように、電流端子Ｔ１から電流端子Ｔ２に対して電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定された場合、レーザダイオード３１には電流が流れず、レーザダイオード３１からレーザ光が出射されないのでディスク面Ｍ２が局所的に加熱されることはない。

一方、磁気ヘッドＨＤ２に対応するディスク面Ｍ２に熱アシスト磁気記録を行う場合、図５（ｃ）に示すように、電流端子Ｔ２から電流端子Ｔ１に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定される。この時、磁気ヘッドＨＤ２に搭載されるレーザダイオード３１には電流が流れ、レーザダイオード３１からレーザ光が出射されることでディスク面Ｍ２が局所的に加熱される。

このように、電流端子Ｔ２から電流端子Ｔ１に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定された場合、レーザダイオード２１には電流が流れず、レーザダイオード２１からレーザ光が出射されないのでディスク面Ｍ１が局所的に加熱されることはない。

すなわち、以上説明したように、レーザダイオード２１、３１が互いに逆極性になるように並列接続することにより、レーザダイオード２１、３１で電流端子Ｔ１、Ｔ２を共有した場合においても、レーザダイオード２１、３１のいずれか一方にのみ電流を流すことができる。本実施形態によれば、端子Ｈ２上に端子Ｇ１を重ねて配置するとともに、端子Ｇ２上に端子Ｈ１を重ねて配置する構成であるため、磁気ヘッドＨＤ１、ＨＤ２に搭載される素子に接続される配線の接合部のスペースを減らすことが可能となる。

（第２実施形態）
図６は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図６において、この磁気ディスク装置には、図１のヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２の代わりにヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１、ＨＧ２２が設けられ、各ヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１、ＨＧ２２には磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２が設けられている。

図７は、図６の磁気ヘッドＨＤ２１の概略構成を示すブロック図である。
図７において、磁気ヘッドＨＤ２１には、リード素子４４、ライト素子４５およびヒータ素子４６が設けられ、スライダＳＬ２１上に支持されている。リード素子４４およびライト素子４５はディスク面Ｍ１に対向するように配置されている。そして、ライト素子４５から発生された磁場がディスク面Ｍ１に与えられることで、ディスク面Ｍの磁化状態が変化され、磁気記録が行われる。この時、ヒータ素子４６によってスライダＳＬ２１が加熱され、スライダＳＬ２１の膨張が制御されることで、スライダＳＬ２１とディスク面Ｍ１との間の間隔が制御される。なお、磁気ヘッドＨＤ２２も磁気ヘッドＨＤ２１と同様に構成することができる。

図８（ａ）は、図６のヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１に搭載されるフレキシャＦＬ２１の端子部分の構成を示す平面図、図８（ｂ）は、図６のヘッドジンバルアセンブリＨＧ２２に搭載されるフレキシャＦＬ２２の端子部分の構成を示す平面図、図８（ｃ）は、図８（ａ）および図８（ｂ）のフレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２それぞれの端子部分の実装方法を示す平面図である。
図８（ａ）において、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１、ＨＧ２２には、各磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２に接続される配線を引き出すフレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２が設けられている。ここで、フレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２の先端部は磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２にそれぞれ接続され、フレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２の後端部には端子Ａ１〜Ｆ１、Ａ２〜Ｆ２がそれぞれ設けられている。

なお、端子Ａ１、Ｂ１は磁気ヘッドＨＤ２１のライト素子４５の２端子分に割り当て、端子Ｃ１、Ｄ１は磁気ヘッドＨＤ２１のヒータ素子４６の２端子分に割り当て、端子Ｅ１、Ｆ１は磁気ヘッドＨＤ２１のリード素子４４の２端子分に割り当てることができる。また、端子Ａ２、Ｂ２は磁気ヘッドＨＤ２２のライト素子の２端子分に割り当て、端子Ｃ２、Ｄ２は磁気ヘッドＨＤ２２のヒータ素子の２端子分に割り当て、端子Ｅ２、Ｆ２は磁気ヘッドＨＤ２２のリード素子の２端子分に割り当てることができる。

ここで、図８（ａ）に示すように、フレキシャＦＬ２１の端子Ｆ１の配置領域はフレキシャＦＬ２２側にＬ字状に屈曲されている。端子Ａ１〜Ｅ１はフレキシャＦＬ２１上に一列に配置され、端子Ｆ１は端子Ｅ１に隣接するようにフレキシャＦＬ２１の屈曲部に配置されている。また、図８（ｂ）に示すように、フレキシャＦＬ２２の端子Ｆ２の配置領域はフレキシャＦＬ２１側にＬ字状に屈曲されている。端子Ａ２〜Ｅ２はフレキシャＦＬ２２上に一列に配置され、端子Ｆ２は端子Ｅ２に隣接するようにフレキシャＦＬ２２の屈曲部に配置されている。

そして、フレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２の後端部は、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１、ＨＧ２２の側面上に配置されるように９０°だけ折り曲げられる。この構造により、図８（ｃ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ２１、ＨＧ２２の側面上で端子Ａ１〜Ｄ１、Ａ２〜Ｄ２が互いに並列されるとともに、端子Ｆ２上に端子Ｅ１が重ねて配置され、端子Ｅ２上に端子Ｆ１が重ねて配置されている。ここで、端子Ｅ１、Ｆ２は互いに接合されることで接合部Ｊ２１が形成され、端子Ｅ２、Ｆ１は互いに接合されることで接合部Ｊ２２が形成されている。

ここで、端子Ｆ２上に端子Ｅ１を重ねて配置するとともに、端子Ｅ２上に端子Ｆ１を重ねて配置することにより、端子Ｆ１、Ｆ２の分だけフレキシャＦＬ２１、ＦＬ２２のスペースを減らすことができる。

また、図６の磁気ディスク装置には、磁気記録制御部５の代わりに磁気記録制御部１２５が設けられ、磁気記録制御部１２５にはヘッド制御部６の代わりにヘッド制御部１２６が設けられている。ヘッド制御部１２６には、リード電流制御部２６Ａ、ライト電流制御部２６Ｃおよびヒータ制御部２６Ｄが設けられ、リード電流制御部２６Ａには極性切替部２６Ｅが設けられている。

ヘッド制御部１２６は、記録再生時における信号を増幅したり検出したりすることができる。リード電流制御部２６Ａは、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２のリード電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ２１ではリード素子４４に流れる電流を制御する。ライト電流制御部２６Ｃは、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２のライト電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ２１ではライト素子４５に流れる電流を制御する。ヒータ制御部２６Ｄは、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２のヒータ電流を制御することができる。例えば、磁気ヘッドＨＤ２１ではヒータ素子４６に流れる電流を制御する。極性切替部２６Ｅは、リード電流制御部２６Ａから出力される電流の極性を切り替えることができる。

次に、図９（ａ）〜（ｃ）により、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２とヘッド制御部１２６との接続方法を説明する。図９（ａ）は、図６の磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２にそれぞれ搭載されるリード素子４４、５４の接続方法を示す図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のリード素子４４を選択する時のリード電流制御部２６Ａの極性設定方法を示す図、図９（ｃ）は、図９（ａ）のリード素子５４を選択する時のリード電流制御部２６Ａの極性設定方法を示す図である。
図９（ａ）において、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２には、リード素子４４、５４がそれぞれ設けられている。リード素子４４、５４にはダイオード４７、５７がそれぞれ直列に接続されている。また、リード電流制御部２６Ａには、電流端子Ｔ２１、Ｔ２２が設けられている。そして、ダイオード４７のアノード側（正極側）は端子Ｅ１に接続され、ダイオード４７のカソード側（負極側）はリード素子４４を介して端子Ｆ１に接続されている。ダイオード５７のアノード側（正極側）はリード素子５４を介して端子Ｅ２に接続され、ダイオード５７のカソード側（負極側）は端子Ｆ２に接続されている。そして、端子Ｅ１、Ｆ２が互いに接合されることで接合部Ｊ２１が形成され、端子Ｅ２、Ｆ１が互いに接合されることで接合部Ｊ２２が形成されることで、リード素子４４にダイオード４７が直列接続された２端子素子と、リード素子５４にダイオード５７が直列接続された２端子素子が互いに逆極性になるように並列接続される。接合部Ｊ２１は電流端子Ｔ２１に接続され、接合部Ｊ２２は電流端子Ｔ２２に接続される。

磁気ヘッドＨＤ２１に対応するディスク面Ｍ１から情報の読み出しを行う場合、図９（ｂ）に示すように、電流端子Ｔ２１から電流端子Ｔ２２に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定される。この時、磁気ヘッドＨＤ２１に搭載されるリード素子４４には電流が流れる。そして、スピンドルモータ１４にて磁気ディスク２が回転されながら、リード素子４４を介して磁気ディスク２から信号が読み出され、ヘッド制御部１２６にてこの信号が検出される。ヘッド制御部１２６にて検出された信号は、リードライトチャネル８にてデータ変換された後、ハードディスク制御部９に送られる。

このように、電流端子Ｔ２１から電流端子Ｔ２２に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定された場合、リード素子５４には電流が流れず、リード素子５４を介して磁気ディスク２から信号が読み出されることはない。

一方、磁気ヘッドＨＤ２２に対応するディスク面Ｍ２から読み出しを行う場合、図９（ｃ）に示すように、電流端子Ｔ２２から電流端子Ｔ２１に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定される。この時、磁気ヘッドＨＤ２２に搭載されるリード素子５４には電流が流れ、リード素子５４を介して磁気ディスク２から信号が読み出される。

このように、電流端子Ｔ２２から電流端子Ｔ２１に電流が流れるように電流端子Ｔ１、Ｔ２の端子状態が設定された場合、リード素子４４には電流が流れず、リード素子４４を介して磁気ディスク２から信号が読み出されることはない。

すなわち、以上説明したように、リード素子４４、５４にダイオード４７、５７をそれぞれ直列に接続し、リード素子４４にダイオード４７が直列接続された２端子素子と、リード素子５４にダイオード５７が直列接続された２端子素子が互いに逆極性になるように並列接続することにより、リード素子４４、５４で電流端子Ｔ２１、Ｔ２２を共有した場合においても、リード素子４４、５４のいずれか一方にのみ電流を流すことができる。本実施形態によれば、端子Ｆ２上に端子Ｅ１を重ねて配置するとともに、端子Ｅ２上に端子Ｆ１を重ねて配置する構成であるため、磁気ヘッドＨＤ２１、ＨＤ２２に搭載される素子に接続される配線の接合部のスペースを減らすことが可能となる。

（第３実施形態）
図１０は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図１０において、この磁気ディスク装置には、図１のヘッドジンバルアセンブリＨＧ１、ＨＧ２の代わりにヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２が設けられ、各ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２には磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２が設けられている。

図１１（ａ）は、図１０の磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２が搭載されたヘッドスタックアセンブリＨＳ２の概略構成を示す斜視図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のヘッドスタックアセンブリＨＳ２に実装される回路基板の概略構成を示す斜視図、図１２（ａ）は、図１１（ａ）のフレキシャＦＬ１１の端子部分の構成を示す平面図、図１２（ｂ）は、図１１（ａ）のフレキシャＦＬ１２の端子部分の構成を示す平面図、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）および図１２（ｂ）のフレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２それぞれの端子部分の実装方法を示す平面図である。
図１１（ａ）において、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２の先端には、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２がそれぞれ設けられ、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２の先端には磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２がそれぞれ配置されている。サスペンションＳＰ１、ＳＰ２はアームＡＭ１、ＡＭ２にてそれぞれ支持され、アームＡＭ１、ＡＭ２は磁気ディスク２のディスク面Ｍ１、Ｍ２それぞれに対する水平面内で回転できるように軸受ユニットＪＰにて支持されている。ここで、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２は積層配置されることでヘッドスタックアセンブリＨＳ２が構成されている。

また、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２には、各磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２に接続される配線を引き出すフレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２が設けられている。ここで、フレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２の先端部は磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２にそれぞれ接続され、フレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２の後端部には端子Ａ１〜Ｈ１、Ａ２〜Ｈ２がそれぞれ設けられている。

ここで、図１２（ａ）に示すように、フレキシャＦＬ１１の端子Ｃ１〜Ｈ１の配置領域は端子Ａ１、Ｂ１の配置領域よりも幅が拡大されている。端子Ａ１〜Ｃ１、Ｅ１、Ｇ１はフレキシャＦＬ１上に一列に配置され、端子Ｄ１、Ｆ１、Ｈ１は端子Ｃ１、Ｅ１、Ｇ１に並列に配置されている。また、図１２（ｂ）に示すように、フレキシャＦＬ１２の端子Ｃ２〜Ｈ２の配置領域は端子Ａ２、Ｂ２の配置領域よりも幅が拡大されている。端子Ａ２〜Ｃ２、Ｅ２、Ｇ２はフレキシャＦＬ１２上に一列に配置され、端子Ｄ２、Ｆ２、Ｈ２は端子Ｃ２、Ｅ２、Ｇ２に並列に配置されている。

図１１（ａ）に示すように、フレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２は、サスペンションＳＰ１、ＳＰ２の対抗面およびアームＡＭ１、ＡＭ２の対抗面に沿って配置されている。フレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２の後端部は、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２の側面上に配置されるように９０°だけ折り曲げられる。この構造により、図１２（ｃ）に示すように、ヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２の側面上で端子Ａ１〜Ｃ１、Ｅ１、Ｇ１と端子Ａ２〜Ｃ２、Ｅ２、Ｇ２が互いに並列されるとともに、端子Ｃ２上に端子Ｄ１が重ねて配置され、端子Ｄ２上に端子Ｃ１が重ねて配置され、端子Ｅ２上に端子Ｆ１が重ねて配置され、端子Ｆ２上に端子Ｅ１が重ねて配置され、端子Ｇ２上に端子Ｈ１が重ねて配置され、端子Ｈ２上に端子Ｇ１が重ねて配置されている。ここで、端子Ｃ１、Ｄ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１５が形成され、端子Ｄ１、Ｃ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１６が形成され、端子Ｅ１、Ｆ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１３が形成され、端子Ｆ１、Ｅ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１４が形成され、端子Ｇ１、Ｈ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１１が形成され、端子Ｈ１、Ｇ２は互いに接合されることで接合部Ｊ１２が形成されている。

一方、回路基板ＳＢ２には、端子Ａ５〜Ｅ５、Ａ６〜Ｅ６および配線ＨＡ１１、ＨＡ１２が形成されるとともに、ＩＣチップＣＰ２が実装されている。端子Ａ５〜Ｅ５は配線ＨＡ１１を介してＩＣチップＣＰ２に接続され、端子Ａ６〜Ｅ６は配線ＨＡ１２を介してＩＣチップＣＰ２に接続されている。

そして、回路基板ＳＢ２がフレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２の後端部上に実装されることで、端子Ａ５、Ｂ５は端子Ａ１、Ｂ１とそれぞれ接合され、端子Ａ６、Ｂ６は端子Ａ２、Ｂ２とそれぞれ接合される。また、端子Ｃ５は接合部Ｊ１５と接合されることで端子Ｃ１、Ｄ２と電気的に接続され、端子Ｄ５は接合部Ｊ１３と接合されることで端子Ｅ１、Ｆ２と電気的に接続され、端子Ｅ５は接合部Ｊ１１と接合されることで端子Ｇ１、Ｈ２と電気的に接続され、端子Ｃ６は接合部Ｊ１６と接合されることで端子Ｄ１、Ｃ２と電気的に接続され、端子Ｄ６は接合部Ｊ１４と接合されることで端子Ｆ１、Ｅ２と電気的に接続され、端子Ｅ６は接合部Ｊ１２と接合されることで端子Ｈ１、Ｇ２と電気的に接続される。

ここで、端子Ｃ２上に端子Ｄ１を重ねて配置し、端子Ｄ２上に端子Ｃ１を重ねて配置し、端子Ｅ２上に端子Ｆ１を重ねて配置し、端子Ｆ２上に端子Ｅ１を重ねて配置し、端子Ｇ２上に端子Ｈ１を重ねて配置し、端子Ｈ２上に端子Ｇ１を重ねて配置することにより、端子Ｃ１〜Ｈ１の分だけフレキシャＦＬ１１、ＦＬ１２および回路基板ＳＢ２のスペースを減らすことができる。また、端子Ｃ１、Ｄ２を互いに接合し、端子Ｄ１、Ｃ２を互いに接合し、端子Ｅ１、Ｆ２を互いに接合し、端子Ｆ１、Ｅ２を互いに接合し、端子Ｇ１、Ｈ２を互いに接合し、端子Ｈ１、Ｇ２を互いに接合することにより、ＩＣチップＣＰ２の端子数を減らすことができ、ＩＣチップＣＰ２を小型化することができる。

また、図１０の磁気ディスク装置には、磁気記録制御部５の代わりに磁気記録制御部１５が設けられ、磁気記録制御部１５にはヘッド制御部６の代わりにヘッド制御部１６が設けられている。ヘッド制御部１６には、リード電流制御部１６Ａ、レーザ電流制御部１６Ｂ、ライト電流制御部１６Ｃおよびヒータ制御部１６Ｄが設けられ、レーザ電流制御部１６Ｂには極性切替部１６Ｅが設けられ、リード電流制御部１６Ａには極性切替部１６Ｆが設けられ、ヒータ制御部１６Ｄには極性切替部１６Ｇが設けられている。

ヘッド制御部１６は、記録再生時における信号を増幅したり検出したりすることができる。リード電流制御部１６Ａは、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２のリード電流を制御することができる。レーザ電流制御部１６Ｂは、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２のレーザ電流を制御することができる。ライト電流制御部１６Ｃは、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２のライト電流を制御することができる。ヒータ制御部１６Ｄは、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２のヒータ電流を制御することができる。極性切替部１６Ｅは、レーザ電流制御部１６Ｂから出力される電流の極性を切り替えることができる。極性切替部１６Ｆは、リード電流制御部１６Ａから出力される電流の極性を切り替えることができる。極性切替部１６Ｇは、ヒータ制御部１６Ｄから出力される電流の極性を切り替えることができる。

次に、図１３により、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２とヘッド制御部１６との接続方法を説明する。図１３は、図１０の磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２にそれぞれ搭載されるレーザダイオード２１、３１、リード素子２４、３４、ライト素子２５、３５およびヒータ素子２６、３６の接続方法を示す図である。
図１３において、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２には、レーザダイオード２１、３１、リード素子２４、３４、ライト素子２５、３５およびヒータ素子２６、３６がそれぞれ設けられている。リード素子２４、３４にはダイオード２７、３７がそれぞれ直列に接続されている。ヒータ素子２６、３６にはダイオード２８、３８がそれぞれ直列に接続されている。

また、リード電流制御部１６Ａには、電流端子Ｔ１３、Ｔ１４が設けられ、レーザ電流制御部１６Ｂには、電流端子Ｔ１１、Ｔ１２が設けられ、ライト電流制御部１６Ｃには、電流端子Ｔ１５〜Ｔ１８が設けられ、ヒータ制御部１６Ｄには、電流端子Ｔ１９、Ｔ２０が設けられている。

そして、レーザダイオード２１のアノード側（正極側）は端子Ｇ１に接続され、レーザダイオード２１のカソード側（負極側）は端子Ｈ１に接続されている。レーザダイオード３１のアノード側（正極側）は端子Ｇ２に接続され、レーザダイオード３１のカソード側（負極側）は端子Ｈ２に接続されている。ダイオード２７のアノード側（正極側）は端子Ｅ１に接続され、ダイオード２７のカソード側（負極側）はリード素子２４を介して端子Ｆ１に接続されている。ダイオード３７のアノード側（正極側）はリード素子３４を介して端子Ｅ２に接続され、ダイオード３７のカソード側（負極側）は端子Ｆ２に接続されている。ダイオード２８のアノード側（正極側）は端子Ｃ１に接続され、ダイオード２８のカソード側（負極側）はヒータ素子２６を介して端子Ｄ１に接続されている。ダイオード３８のアノード側（正極側）はヒータ素子３６を介して端子Ｃ２に接続され、ダイオード３８のカソード側（負極側）は端子Ｄ２に接続されている。ライト素子２５の一端は、端子Ａ１に接続され、ライト素子２５の他端は、端子Ｂ１に接続されている。ライト素子３５の一端は、端子Ａ２に接続され、ライト素子３５の他端は、端子Ｂ２に接続されている。

接合部Ｊ１１は電流端子Ｔ１１に接続され、接合部Ｊ１２は電流端子Ｔ１２に接続されている。接合部Ｊ１３は電流端子Ｔ１３に接続され、接合部Ｊ１４は電流端子Ｔ１４に接続されている。接合部Ｊ１５は電流端子Ｔ１９に接続され、接合部Ｊ１６は電流端子Ｔ２０に接続されている。端子Ａ１は電流端子Ｔ１５に接続され、端子Ｂ１は電流端子Ｔ１６に接続され、端子Ａ２は電流端子Ｔ１７に接続され、端子Ｂ２は電流端子Ｔ１８に接続されている。

磁気ヘッドＨＤ１１に対応するディスク面Ｍ１に熱アシスト磁気記録を行う場合、電流端子Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１９から電流端子Ｔ１２、Ｔ１４、Ｔ２０にそれぞれ電流が流れるように電流端子Ｔ１１〜Ｔ１４、Ｔ１９、Ｔ２０の端子状態が設定される。この時、磁気ヘッドＨＤ１１に搭載されるレーザダイオード２１には電流が流れ、レーザダイオード２１からレーザ光が出射されることでディスク面Ｍ１が局所的に加熱される。また、磁気ヘッドＨＤ１１に搭載されるリード素子２４にも電流が流れ、リード素子２４を介して信号が読み取られる。さらに、磁気ヘッドＨＤ１１に搭載されるヒータ素子２６にも電流が流れ、磁気ヘッドＨＤ１１のスライダが加熱されることで、磁気ヘッドＨＤ１１とディスク面Ｍ１との間隔が調整される。

磁気ディスク２からの情報の読み出しでは、スピンドルモータ１４にて磁気ディスク２が回転されながら、リード素子２４を介して磁気ディスク２から信号が読み出され、ヘッド制御部１６にてこの信号が検出される。ヘッド制御部１６にて検出された信号は、リードライトチャネル８にてデータ変換された後、ハードディスク制御部９に送られる。そして、ハードディスク制御部９において、ヘッド制御部１６にて検出された信号に含まれるサーボ信号に基づいて磁気ヘッドＨＤ１１のトラッキング制御が行われる。

また、ライト電流制御部１６Ｃにてライト素子２５の電流が制御されることで、ライト素子２５から発生される磁場が制御される。そして、ディスク面Ｍ１の加熱された領域にライト素子２５から発生された磁場が与えられることで、その加熱領域の磁化状態が変化され、ディスク面Ｍ１に対する熱アシスト磁気記録が行われる。

このように、電流端子Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１９から電流端子Ｔ１２、Ｔ１４、Ｔ２０にそれぞれ電流が流れるように電流端子Ｔ１１〜Ｔ１４、Ｔ１９、Ｔ２０の端子状態が設定された場合、レーザダイオード３１には電流が流れず、レーザダイオード３１からレーザ光が出射されないのでディスク面Ｍ２が局所的に加熱されることはない。また、リード素子３４にも電流が流れないので、リード素子３４を介して信号が読み取られることはない。さらに、ヒータ素子３６にも電流が流れないので、磁気ヘッドＨＤ１２のスライダが加熱されることはない。

一方、磁気ヘッドＨＤ１２に対応するディスク面Ｍ２に熱アシスト磁気記録を行う場合、電流端子Ｔ１２、Ｔ１４、Ｔ２０から電流端子Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１９にそれぞれ電流が流れるように電流端子Ｔ１１〜Ｔ１４、Ｔ１９、Ｔ２０の端子状態が設定される。この時、磁気ヘッドＨＤ１２に搭載されるレーザダイオード３１には電流が流れ、レーザダイオード３１からレーザ光が出射されることでディスク面Ｍ２が局所的に加熱される。また、磁気ヘッドＨＤ１２に搭載されるリード素子３４にも電流が流れ、リード素子３４を介して信号が読み取られる。さらに、磁気ヘッドＨＤ１２に搭載されるヒータ素子３６にも電流が流れ、磁気ヘッドＨＤ１２のスライダが加熱されることで、磁気ヘッドＨＤ１２とディスク面Ｍ２との間隔が調整される。

このように、電流端子Ｔ１２、Ｔ１４、Ｔ２０から電流端子Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１９にそれぞれ電流が流れるように電流端子Ｔ１１〜Ｔ１４、Ｔ１９、Ｔ２０の端子状態が設定された場合、レーザダイオード２１には電流が流れず、レーザダイオード２１からレーザ光が出射されないのでディスク面Ｍ１が局所的に加熱されることはない。また、リード素子２４にも電流が流れないので、リード素子２４を介して信号が読み取られることはない。さらに、ヒータ素子２６にも電流が流れないので、磁気ヘッドＨＤ１１のスライダが加熱されることはない。本実施形態によれば、端子Ｃ２上に端子Ｄ１を重ねて配置し、端子Ｄ２上に端子Ｃ１を重ねて配置し、端子Ｅ２上に端子Ｆ１を重ねて配置し、端子Ｆ２上に端子Ｅ１を重ねて配置し、端子Ｇ２上に端子Ｈ１を重ねて配置し、端子Ｈ２上に端子Ｇ１を重ねて配置する構成であるため、磁気ヘッドＨＤ１１、ＨＤ１２に搭載される素子に接続される配線の接合部のスペースを減らすことが可能となる。

なお、図１３の実施形態では、レーザダイオード２１、３１の端子、リード素子２４、３４の端子およびヒータ素子２６、３６の端子をヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２間でそれぞれ共有する構成について説明したが、レーザダイオード２１、３１の端子、リード素子２４、３４の端子およびヒータ素子２６、３６のうちのいずれか１対の２端子素子の端子をヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２間で共有するようにしてもよいし、レーザダイオード２１、３１の端子、リード素子２４、３４の端子およびヒータ素子２６、３６のうちのいずれか２対の２端子素子の端子をヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２間で共有するようにしてもよい。また、上述した実施形態では、レーザダイオード２１、３１の端子、リード素子２４、３４の端子およびヒータ素子２６、３６の端子についてヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２間で共有する構成について説明したが、接触センサなどの２端子素子が磁気ヘッドに搭載されている場合、それらの２端子素子についてヘッドジンバルアセンブリＨＧ１１、ＨＧ１２間で共有するようにしてもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１ケース、２磁気ディスク、Ｍ１、Ｍ２ディスク面、ＨＤ１、ＨＤ２、ＨＤ１１、ＨＤ１２、ＨＤ２１、ＨＤ２２磁気ヘッド、ＨＧ１、ＨＧ２、ＨＧ１１、ＨＧ１２、ＨＧ２１、ＨＧ２２ヘッドジンバルアセンブリ、４ボイスコイルモータ、５磁気記録制御部、６ヘッド制御部、６Ａリード電流制御部、６Ｂレーザ電流制御部、６Ｃライト電流制御部、６Ｄヒータ制御部、６Ｅ極性切替部、７パワー制御部、７Ａスピンドルモータ制御部、７Ｂボイスコイルモータ制御部、８リードライトチャネル、９ハードディスク制御部、１３スピンドルモータ、１４スピンドル、１２ホスト、ＳＬ１スライダ、２１、３１レーザダイオード、２２光導波路、２３近接場光素子、２４リード素子、２５ライト素子、２６ヒータ素子、ＨＳ１、ＨＳ２ヘッドスタックアセンブリ、ＳＰ１、ＳＰ２サスペンション、ＦＬ１、ＦＬ２フレキシャ、ＡＭ１、ＡＭ２アーム、ＪＰ軸受ユニット、ＳＢ１回路基板、ＣＰ１ＩＣチップ、ＨＡ１、ＨＡ２配線、Ａ１〜Ｈ１、Ａ２〜Ｈ２、Ａ３〜Ｇ３、Ａ４〜Ｇ４端子、Ｔ１、Ｔ２電流端子、Ｊ１、Ｊ２接合部

Claims

第１のディスク面および第２のディスク面を有する磁気ディスクと、
前記第１のディスク面の記録または再生に用いられる第１の磁気ヘッドに搭載された第１のレーザダイオードと、
前記第２のディスク面の記録または再生に用いられる第２の磁気ヘッドに搭載された第２のレーザダイオードと、
前記第１の磁気ヘッドに搭載された第１のリード素子と、
前記第１のリード素子に直列に接続された第１のダイオードと、
前記第２の磁気ヘッドに搭載された第２のリード素子と、
前記第２のリード素子に直列に接続された第２のダイオードと、
前記第１の磁気ヘッドのスライダを加熱する第１のヒータ素子と、
前記第１のヒータ素子に直列に接続された第３のダイオードと、
前記第２の磁気ヘッドのスライダを加熱する第２のヒータ素子と、
前記第２のヒータ素子に直列に接続された第４のダイオードと、
前記第１のレーザダイオードの正極側および前記第２のレーザダイオードの負極側に共通に接続された第１の電流端子と、前記第１のレーザダイオードの負極側および前記第２のレーザダイオードの正極側に共通に接続された第２の電流端子を有し、前記第１の電流端子と前記第２の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なレーザ電流制御部と、
前記第１のダイオードの正極側および前記第２のダイオードの負極側に共通に接続された第３の電流端子と、前記第１のダイオードの負極側および前記第２のダイオードの正極側に共通に接続された第４の電流端子を有し、前記第３の電流端子と前記第４の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なリード電流制御部と、
前記第３のダイオードの正極側および前記第４のダイオードの負極側に共通に接続された第５の電流端子と、前記第３のダイオードの負極側および前記第４のダイオードの正極側に共通に接続された第６の電流端子を有し、前記第５の電流端子と前記第６の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なヒータ制御部とを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
第１のディスク面および第２のディスク面を有する磁気ディスクと、
前記第１のディスク面の記録または再生に用いられ、第１の正極性端子および第１の負極性端子を有する第１の２端子素子が搭載された第１の磁気ヘッドと、
前記第２のディスク面の記録または再生に用いられ、第２の正極性端子および第２の負極性端子を有する第２の２端子素子が搭載された第２の磁気ヘッドと、
前記第１の正極性端子および前記第２の負極性端子に共通に接続された第１の電流端子と、前記第１の負極性端子および前記第２の正極性端子に共通に接続された第２の電流端子を有し、前記第１の電流端子と前記第２の電流端子との間で電流極性を切り替え可能な電流制御部とを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
前記第１の正極性端子に接続された第１の端子と、前記第１の負極性端子に接続された第２の端子とを有する第１のフレキシャと、
前記第２の正極性端子に接続された第３の端子と、前記第２の負極性端子に接続された第４の端子とを有する第２のフレキシャとを備え、
前記第１の端子と前記第４の端子は互いに重なった状態で接合され、前記第２の端子と前記第３の端子は互いに重なった状態で接合されていることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスク装置。
前記第１の端子と前記第４の端子との接合部に接合される第５の端子と、前記第２の端子と前記第３の端子との接合部に接合される第６の端子とが設けられた回路基板と、
前記回路基板に実装され、前記第５の端子および前記第６の端子に接続されたＩＣチップとを備えることを特徴とする請求項３に記載の磁気ディスク装置。
前記第１の２端子素子は第１のレーザダイオードを備え、前記第２の２端子素子は第２のレーザダイオードを備えることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
前記第１の２端子素子は、第１のリード素子と前記第１のリード素子に直列に接続された第１のダイオードとを備え、
前記第２の２端子素子は、第２のリード素子と前記第２のリード素子に直列に接続された第２のダイオードとを備えることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
前記第１の２端子素子は、第１のヒータ素子と前記第１のヒータ素子に直列に接続された第３のダイオードとを備え、
前記第２の２端子素子は、第２のヒータ素子と前記第２のヒータ素子に直列に接続された第４のダイオードとを備えることを特徴とする請求項２から６のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
第１のディスク面および第２のディスク面を有する磁気ディスクと、前記第１のディスク面の記録または再生に用いられ、第１の正極性端子および第１の負極性端子を有する第１の２端子素子が搭載された第１の磁気ヘッドと、前記第２のディスク面の記録または再生に用いられ、第２の正極性端子および第２の負極性端子を有する第２の２端子素子が搭載された第２の磁気ヘッドとを備える磁気ヘッドの制御方法であって、
前記第１の正極性端子および前記第２の負極性端子は互いに接続され、前記第１の負極性端子および前記第２の正極性端子は互いに接続され、
前記第１の２端子素子を選択する時は前記第１の正極性端子が正極かつ前記第１の負極性端子が負極になるように電流極性が設定され、前記第２の２端子素子を選択する時は前記第１の正極性端子が負極かつ前記第１の負極性端子が正極になるように電流極性が設定されることを特徴とする磁気ヘッドの制御方法。