JP2014116056A - 磁気ディスク装置および磁気ヘッドの制御方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フレキシャFL1の端子H1の配置領域はフレキシャFL2側にL字状に屈曲されて、フレキシャFL2の端子H2の配置領域はフレキシャFL1側にL字状に屈曲され、フレキシャFL1、FL2の後端部では、ヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2の側面上にくるように90°だけねじられることで、ヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2の側面上で端子A1〜G1、A2〜G2が互いに並列されるとともに、端子H2上に端子G1が重ねて配置され、端子G2上に端子H1が重ねて配置され、端子G1、H2は互いに接合されることで接合部J1が形成され、端子G2、H1は互いに接合されることで接合部J2が形成されている。
【選択図】図3
Description
図1は、第1実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図1において、磁気ディスク装置には、磁気ディスク2が設けられ、この磁気ディスク2には、磁気記録層が形成されたディスク面M1、M2が設けられている。磁気ディスク2はスピンドル14を介して支持されている。また、磁気ディスク装置には、各ディスク面M1、M2の記録または再生に用いられる磁気ヘッドHD1、HD2が設けられている。各磁気ヘッドHD1、HD2は、ディスク面M1、M2にそれぞれ対向するようにヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2にて保持されている。
図2において、磁気ヘッドHD1には、レーザダイオード21、光導波路22、近接場光素子23、リード素子24、ライト素子25およびヒータ素子26が設けられ、スライダSL1上に支持されている。近接場光素子23、リード素子24およびライト素子25はディスク面M1に対向するように配置されている。レーザダイオード21から出射されたレーザ光は光導波路22を介して近接場光素子23に導かれる。そして、近接場光素子23にて近接場光が発生され、その近接場光がディスク面M1に照射されることでディスク面M1が局所的に加熱される。近接場光にて加熱された領域にライト素子25から発生された磁場が与えられることで、その領域の磁化状態が変化され、いわゆる熱アシスト磁気記録が行われる。この時、ヒータ素子26によってスライダSL1が加熱され、スライダSL1の膨張が制御されることで、スライダSL1とディスク面M1との間の間隔が制御される。なお、磁気ヘッドHD2も磁気ヘッドHD1と同様に構成することができる。
図3(a)において、ヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2の先端には、サスペンションSP1、SP2がそれぞれ設けられ、サスペンションSP1、SP2の先端には磁気ヘッドHD1、HD2がそれぞれ配置されている。なお、サスペンションSP1、SP2それぞれは、ステンレスなどで構成され、各ディスク面M1、M2に対する弾性力を磁気ヘッドHD1、HD2にそれぞれ与える。サスペンションSP1、SP2はアームAM1、AM2にてそれぞれ支持され、アームAM1、AM2は磁気ディスク2のディスク面M1、M2それぞれに対する水平面内で回転できるように軸受ユニットJPにて支持されている。ここで、ヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2は積層配置されることでヘッドスタックアセンブリHS1が構成されている。
図5(a)において、磁気ヘッドHD1、HD2には、レーザダイオード21、31がそれぞれ設けられている。また、レーザ電流制御部6Bには、電流端子T1、T2が設けられている。そして、レーザダイオード21のアノード側(正極側)は端子G1に接続され、レーザダイオード21のカソード側(負極側)は端子H1に接続されている。レーザダイオード31のアノード側(正極側)は端子G2に接続され、レーザダイオード31のカソード側(負極側)は端子H2に接続されている。そして、端子G1、H2が互いに接合されることで接合部J1が形成され、端子G2、H1が互いに接合されることで接合部J2が形成されることで、レーザダイオード21、31が互いに逆極性になるように並列接続される。接合部J1は電流端子T1に接続され、接合部J2は電流端子T2に接続される。
図6は、第2実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図6において、この磁気ディスク装置には、図1のヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2の代わりにヘッドジンバルアセンブリHG21、HG22が設けられ、各ヘッドジンバルアセンブリHG21、HG22には磁気ヘッドHD21、HD22が設けられている。
図7において、磁気ヘッドHD21には、リード素子44、ライト素子45およびヒータ素子46が設けられ、スライダSL21上に支持されている。リード素子44およびライト素子45はディスク面M1に対向するように配置されている。そして、ライト素子45から発生された磁場がディスク面M1に与えられることで、ディスク面Mの磁化状態が変化され、磁気記録が行われる。この時、ヒータ素子46によってスライダSL21が加熱され、スライダSL21の膨張が制御されることで、スライダSL21とディスク面M1との間の間隔が制御される。なお、磁気ヘッドHD22も磁気ヘッドHD21と同様に構成することができる。
図8(a)において、ヘッドジンバルアセンブリHG21、HG22には、各磁気ヘッドHD21、HD22に接続される配線を引き出すフレキシャFL21、FL22が設けられている。ここで、フレキシャFL21、FL22の先端部は磁気ヘッドHD21、HD22にそれぞれ接続され、フレキシャFL21、FL22の後端部には端子A1〜F1、A2〜F2がそれぞれ設けられている。
図9(a)において、磁気ヘッドHD21、HD22には、リード素子44、54がそれぞれ設けられている。リード素子44、54にはダイオード47、57がそれぞれ直列に接続されている。また、リード電流制御部26Aには、電流端子T21、T22が設けられている。そして、ダイオード47のアノード側(正極側)は端子E1に接続され、ダイオード47のカソード側(負極側)はリード素子44を介して端子F1に接続されている。ダイオード57のアノード側(正極側)はリード素子54を介して端子E2に接続され、ダイオード57のカソード側(負極側)は端子F2に接続されている。そして、端子E1、F2が互いに接合されることで接合部J21が形成され、端子E2、F1が互いに接合されることで接合部J22が形成されることで、リード素子44にダイオード47が直列接続された2端子素子と、リード素子54にダイオード57が直列接続された2端子素子が互いに逆極性になるように並列接続される。接合部J21は電流端子T21に接続され、接合部J22は電流端子T22に接続される。
図10は、第3実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図10において、この磁気ディスク装置には、図1のヘッドジンバルアセンブリHG1、HG2の代わりにヘッドジンバルアセンブリHG11、HG12が設けられ、各ヘッドジンバルアセンブリHG11、HG12には磁気ヘッドHD11、HD12が設けられている。
図11(a)において、ヘッドジンバルアセンブリHG11、HG12の先端には、サスペンションSP1、SP2がそれぞれ設けられ、サスペンションSP1、SP2の先端には磁気ヘッドHD11、HD12がそれぞれ配置されている。サスペンションSP1、SP2はアームAM1、AM2にてそれぞれ支持され、アームAM1、AM2は磁気ディスク2のディスク面M1、M2それぞれに対する水平面内で回転できるように軸受ユニットJPにて支持されている。ここで、ヘッドジンバルアセンブリHG11、HG12は積層配置されることでヘッドスタックアセンブリHS2が構成されている。
図13において、磁気ヘッドHD11、HD12には、レーザダイオード21、31、リード素子24、34、ライト素子25、35およびヒータ素子26、36がそれぞれ設けられている。リード素子24、34にはダイオード27、37がそれぞれ直列に接続されている。ヒータ素子26、36にはダイオード28、38がそれぞれ直列に接続されている。
Claims (8)
- 第1のディスク面および第2のディスク面を有する磁気ディスクと、
前記第1のディスク面の記録または再生に用いられる第1の磁気ヘッドに搭載された第1のレーザダイオードと、
前記第2のディスク面の記録または再生に用いられる第2の磁気ヘッドに搭載された第2のレーザダイオードと、
前記第1の磁気ヘッドに搭載された第1のリード素子と、
前記第1のリード素子に直列に接続された第1のダイオードと、
前記第2の磁気ヘッドに搭載された第2のリード素子と、
前記第2のリード素子に直列に接続された第2のダイオードと、
前記第1の磁気ヘッドのスライダを加熱する第1のヒータ素子と、
前記第1のヒータ素子に直列に接続された第3のダイオードと、
前記第2の磁気ヘッドのスライダを加熱する第2のヒータ素子と、
前記第2のヒータ素子に直列に接続された第4のダイオードと、
前記第1のレーザダイオードの正極側および前記第2のレーザダイオードの負極側に共通に接続された第1の電流端子と、前記第1のレーザダイオードの負極側および前記第2のレーザダイオードの正極側に共通に接続された第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子と前記第2の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なレーザ電流制御部と、
前記第1のダイオードの正極側および前記第2のダイオードの負極側に共通に接続された第3の電流端子と、前記第1のダイオードの負極側および前記第2のダイオードの正極側に共通に接続された第4の電流端子を有し、前記第3の電流端子と前記第4の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なリード電流制御部と、
前記第3のダイオードの正極側および前記第4のダイオードの負極側に共通に接続された第5の電流端子と、前記第3のダイオードの負極側および前記第4のダイオードの正極側に共通に接続された第6の電流端子を有し、前記第5の電流端子と前記第6の電流端子との間で電流極性を切り替え可能なヒータ制御部とを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 第1のディスク面および第2のディスク面を有する磁気ディスクと、
前記第1のディスク面の記録または再生に用いられ、第1の正極性端子および第1の負極性端子を有する第1の2端子素子が搭載された第1の磁気ヘッドと、
前記第2のディスク面の記録または再生に用いられ、第2の正極性端子および第2の負極性端子を有する第2の2端子素子が搭載された第2の磁気ヘッドと、
前記第1の正極性端子および前記第2の負極性端子に共通に接続された第1の電流端子と、前記第1の負極性端子および前記第2の正極性端子に共通に接続された第2の電流端子を有し、前記第1の電流端子と前記第2の電流端子との間で電流極性を切り替え可能な電流制御部とを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。 - 前記第1の正極性端子に接続された第1の端子と、前記第1の負極性端子に接続された第2の端子とを有する第1のフレキシャと、
前記第2の正極性端子に接続された第3の端子と、前記第2の負極性端子に接続された第4の端子とを有する第2のフレキシャとを備え、
前記第1の端子と前記第4の端子は互いに重なった状態で接合され、前記第2の端子と前記第3の端子は互いに重なった状態で接合されていることを特徴とする請求項2に記載の磁気ディスク装置。 - 前記第1の端子と前記第4の端子との接合部に接合される第5の端子と、前記第2の端子と前記第3の端子との接合部に接合される第6の端子とが設けられた回路基板と、
前記回路基板に実装され、前記第5の端子および前記第6の端子に接続されたICチップとを備えることを特徴とする請求項3に記載の磁気ディスク装置。 - 前記第1の2端子素子は第1のレーザダイオードを備え、前記第2の2端子素子は第2のレーザダイオードを備えることを特徴とする請求項2から4のいずれか1項に記載の磁気ディスク装置。
- 前記第1の2端子素子は、第1のリード素子と前記第1のリード素子に直列に接続された第1のダイオードとを備え、
前記第2の2端子素子は、第2のリード素子と前記第2のリード素子に直列に接続された第2のダイオードとを備えることを特徴とする請求項2から5のいずれか1項に記載の磁気ディスク装置。 - 前記第1の2端子素子は、第1のヒータ素子と前記第1のヒータ素子に直列に接続された第3のダイオードとを備え、
前記第2の2端子素子は、第2のリード素子と前記第2のヒータ素子に直列に接続された第4のダイオードとを備えることを特徴とする請求項2から6のいずれか1項に記載の磁気ディスク装置。 - 第1のディスク面の記録または再生に用いられ、第1の正極性端子および第1の負極性端子を有する第1の2端子素子が搭載された第1の磁気ヘッドと、前記第2のディスク面の記録または再生に用いられ、第2の正極性端子および第2の負極性端子を有する第2の2端子素子が搭載された第2の磁気ヘッドとを備える磁気ヘッドの制御方法であって、
前記第1の正極性端子および前記第2の負極性端子は互いに接続され、前記第1の負極性端子および前記第2の正極性端子は互いに接続され、
前記第1の2端子素子を選択する時は前記第1の正極性端子が正極かつ前記第1の負極性端子が負極になるように電流極性が設定され、前記第2の2端子素子を選択する時は前記第1の正極性端子が負極かつ前記第1の負極性端子が正極になるように電流極性が設定されることを特徴とする磁気ヘッドの制御方法。
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