JP5965687B2 - パワー半導体モジュール - Google Patents

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克明 齊藤
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Description

本発明は、パワー半導体モジュールに関する。
パワー半導体モジュールは、電力変換装置等に用いられる半導体装置である。図20に従来の一般的なパワー半導体モジュールの構成を示す。ここで、半導体チップ1はIGBTチップを例に取って説明する。図20において、両面に金属箔を付けた絶縁基板3の一方の側の金属箔は、配線パターン4、5、6を形成しており、半導体チップ1の下側の面にあるコレクタ電極(図示せず)が第1のはんだ2によって配線パターン4に電気的に接続される。半導体チップ1の反対側の面にあるエミッタ電極(図示せず)からは、アルミワイヤ21で、絶縁基板3上の配線パターン5に電気的に接続される。また、半導体チップ1のエミッタ電極とおなじ側の面にあるゲートパッド(図示せず)は、アルミワイヤ10によって絶縁基板3上の配線パターン6に電気的に接続される。
絶縁基板3の裏面の金属箔7は、第2のはんだ8によって金属製の放熱ベース板9に固定されている。半導体チップ1が動作することによって発生する熱は、第1のはんだ2、絶縁基板3、第2のはんだ8、放熱ベース板9を介して、ヒートシンク等(図示せず)により放熱される。
また、従来技術として、特許文献1に見られるように、チップを絶縁基板上の配線パターンにはんだ付けして、反対側の電極にヒートスプレッダをはんだ付けし、ヒートスプレッダに銅板を超音波接合することにより、銅板を通じて絶縁基板に放熱する構造が知られている。
特開2007−109880号公報
電力変換装置の小型化、高出力化の要求に伴い、パワー半導体モジュールの小型化が求められている。パワー半導体モジュールを小型化すると、半導体チップから空気等の冷却媒体までの熱抵抗が増加するとともに発熱密度が高くなるため、半導体チップのジャンクション温度が上昇する傾向がある。そのため、半導体チップから冷却媒体までの熱抵抗を低減する必要がある。図20の従来構造では、半導体チップのアルミワイヤが接続されている側からはほとんど放熱されないため、熱抵抗の低減には限界があった。また、特許文献1の構造の場合、チップの両側から放熱されるが、片側は薄い銅板を介して放熱されるため、十分な放熱量を確保できないという問題があった。
本発明は、上記の問題点を考慮してなされたものであり、その目的は、小型で、かつ、熱抵抗が小さなパワー半導体モジュールを提供することにある。
前記目的を達成するために、本発明によるパワー半導体モジュールにおいては、両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップの一方の電極を接合し、絶縁基板上の他方の金属箔を放熱ベースに接合するとともに、半導体チップの他方の電極に導電リードの一端を電気的に接続し、導電リードの他端を絶縁基板上の金属箔に接合し、半導体チップ上における導電リードの接合部、並びに導電リードと絶縁基板上の金属箔との接合部を他の部分よりも薄くする。これにより、導電リードによる熱伝導を確保しつつ、導電リードの接合部における熱抵抗を小さく抑えることができる。
なお、好ましくは、半導体チップの他方の電極に金属板を接合し、導電リードの一端を金属板に接合することにより、半導体チップの他方の電極に導電リードの一端を電気的に接続する。また、導電リードに中空部を設け、ヒートパイプを構成しても良い。
本発明によれば、半導体チップが発生した熱は、半導体チップの基板側から放熱されるだけでなく、導電リードを通じて効率的に放熱されるため、パワー半導体モジュールを小型化した場合においても、熱抵抗の小さなパワー半導体モジュールが得られる。
本発明の一実施形態であるパワー半導体モジュールの構成を示す断面図である。 本発明の他の実施形態(第2の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第3の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第4の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第5の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第6の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第7の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の第7の実施形態におけるヒートパイプ部分の拡大図である。 本発明の他の実施形態(第8の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第9の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の第9の実施形態におけるヒートパイプ部分の拡大図である。 本発明の第9の実施形態におけるヒートパイプ部分の別の構造を示す図である。 本発明の他の実施形態(第10の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の第10の実施形態におけるヒートパイプ部分の拡大図である。 本発明の第10の実施形態におけるヒートパイプ部分の別の構造を示す図である。 本発明の他の実施形態(第11の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第12の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第13の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 本発明の他の実施形態(第14の実施形態)であるパワー半導体モジュールの断面図である。 従来のパワー半導体モジュールの一般的な構成を示す断面図である。
本発明の実施の形態を以下、図面を用いて説明する。
図1に本発明の一実施形態(第1の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。図1において、絶縁基板3は窒化アルミニウム(AlN)、窒化珪素(Si34)、アルミナ(Al23)等のセラミックで造られ、絶縁基板3の表面には、アルミニウムや銅等の金属導体でできた配線パターン4〜6がろう付け等により接合されており、絶縁基板3の裏面にはアルミニウムや銅でできた金属箔7がろう付け等により接合されている。
半導体チップ1には、典型的にはIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)チップとダイオードチップが使われるが、ここでは、IGBTチップの接合部分を例に取って説明する。図1において半導体チップ(IGBTチップ)1の下側にあるコレクタ電極(図示せず)は、第1のはんだ2によって配線パターン4に接合されている。絶縁基板3の裏面の金属箔7は第2のはんだ8によって銅、AlSiC等で造られた放熱ベース板9に接合される。図には示していないが、放熱ベース板9の下側にはグリース等を介してヒートシンク等が取り付けられる。また、パワー半導体モジュールの放熱ベース板9より上側の部分は樹脂等で造られたケース11に収納され、シリコーンゲル等の封止材12によって封止される。
半導体チップ1の上側にあるゲートパッド(図示せず)は、アルミニウム等のアルミワイヤ10によって絶縁基板3上の配線パターン6と電気的に接続される。また、半導体チップの上側にあるエミッタ電極(図示せず)には、第3のはんだ13によって熱拡散金属板14が取り付けられる。熱拡散金属板14の材料としては、銅、アルミニウム等を用いる。線膨張係数がシリコンの半導体チップに比較的近いモリブデン、タングステン、銅−インバー−銅複合材等にすることにより、第1のはんだ2に加わるひずみを低減することも可能である。
熱拡散金属板14の上側には、銅やアルミニウム等の金属導体(導電リード、以下リードと称す)15の一端が超音波接合により接合される。なお、熱拡散金属板14にモリブデンやタングステンのような融点が高い金属を使う場合は、超音波接合を可能にするために、熱拡散金属板14のリード15側の表面にメッキ等によって銅、ニッケル、銀等の被膜を設ける。リード15の他端は、超音波接合により絶縁基板3上の配線パターン5に接合される。リード15は、半導体チップ1と絶縁基板3上の配線パターン5とを電気的に接続するとともに、熱を伝える役割を果たす。リード15における熱拡散金属板14との接合部分151および配線パターン5との接合部分152は、中央部分153よりも薄く造られる。
半導体チップ1が動作すると、その電力損失は熱となるため、半導体チップ1の温度が高くなる。そのため、半導体チップの熱を放熱する必要がある。半導体チップ1からの放熱の第1の経路は、第1のはんだ2、配線パターン4、絶縁基板3、金属箔7、第2のはんだ8を通って放熱ベース板9に至る経路である。放熱ベース板9はさらにグリース等(図示せず)を介してヒートシンク等(図示せず)によって冷却される。
本実施形態においては、図20に示した従来構造にはないもう一つの放熱経路として、第3のはんだ13、熱拡散金属板14、リード15、配線パターン5、絶縁基板3、金属箔7、第2のはんだ8、放熱ベース板9という経路がある。この放熱経路における放熱の効率を良くするためには、リード15の厚さが厚いほど良い。しかしながら、リードを厚くすると、超音波接合により接合するためには、熱拡散金属板14や配線パターン5に接合するときの超音波出力を大きくせねばならず、半導体チップ1や絶縁基板3にダメージを与えて損傷させる恐れがある。そこで、リード15の超音波接合部分151、152を薄くし、中央部分153をこれら超音波接合部分よりも厚くする構造とした。これにより、熱伝導による放熱性能を確保しつつ半導体チップ1や絶縁基板3への超音波接合時のダメージを回避することができるので超音波接合が可能となり、リードの接合部の熱抵抗も小さく保つことができる。したがって、半導体チップ1から冷却媒体までのトータルの熱抵抗を低減することができる。
なお、本実施の形態において、パワー半導体モジュールが図1の向きとして、上側、下側などの言葉によって位置関係を表したが、他の向きにパワー半導体モジュールを取り付けることもあることは言うまでもない。
図2に本発明の他の実施形態(第2の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態において第1の実施形態と異なる部分について以下、説明する。本実施形態においては、半導体チップ1の上側に設けられた熱拡散金属板14とリード15とは、第4のはんだ16によって接合される。また、リード15と絶縁基板3上の配線パターン5とは、第5のはんだ17により接合される。リード15のはんだ接続部分151および152は薄く、中央部分153はこれらはんだ接合部分よりも厚く造られる。特に熱拡散金属板14として、線膨張係数の値が比較的小さく、半導体チップ1の線膨張係数に近い金属、例えばモリブデン(Mo)やタングステン(W)などを使い、リード15として、熱拡散金属板14よりも線膨張係数が大きな金属、例えば銅(Cu)やアルミニウム(Al)などを使った場合には、はんだ接続部分のリードの厚さを薄くすることにより、第4のはんだ16のひずみが低減されるので、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、はんだ部分の高い信頼性を確保することができる。
図3に本発明の更に他の実施形態(第3の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態において第1の実施形態と異なる部分について以下、説明する。本実施形態においては、第1の実施形態(図1)における熱拡散金属板14とリード15とを一体化した熱拡散金属板付リード20を設けた。熱拡散金属板付リード20と半導体チップ1とは、はんだ21によって接合される。熱拡散金属板付リード20と、絶縁基板3上の配線パターン5とは、超音波接合により接合される。熱拡散金属板付リード20の超音波接合される部分201は、他の部分202よりも薄く造られる。熱拡散金属板付リード20の超音波接合される部分を薄くすることにより、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、絶縁基板3への超音波接合時のダメージを回避することができる。また、熱拡散金属板とリードとを一体化することにより、両者を接続することによって生じる熱抵抗成分をなくすことができるので、半導体チップ1から冷却媒体までのトータルの熱抵抗を低減することができる。
図4に本発明の更に他の実施形態(第4の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態は、第3の実施形態に近い構成であるが、熱拡散金属板リード20と絶縁基板3上の配線パターン5とをはんだ17によって接合している。熱拡散金属板付リード20のはんだ接続部分201の厚さは他の部分202よりも薄く造られる。熱拡散金属板付リード20のはんだ接続部分の厚さを薄くすることにより、はんだのひずみが低減されるので、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、はんだ部分の高い信頼性を得ることができる。
図5に本発明の更に他の実施形態(第5の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態において第1の実施形態と異なる部分について以下、説明する。本実施形態においては、半導体チップ1にリード15を、直接、超音波接合している。また、リード15と絶縁基板3上の配線パターン5との接合部も超音波接合をしている。リード15の超音波接合する部分151および152は薄く、中央部分153は厚く造られる。半導体チップや絶縁基板との接続部分のリードの厚さを中央部分153よりも薄くすることにより、超音波接合時における半導体チップや絶縁基板へのダメージを抑えることができ、信頼性を確保しつつ熱抵抗の小さいパワー半導体モジュールが実現される。
図6に本発明の更に他の実施形態(第6の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態において第1の実施形態と異なる部分について以下、説明する。本実施形態においては、半導体チップ1にリード15をはんだ18によって接合している。また、リード15と絶縁基板3上の配線パターン5とは、はんだ17によって接合している。リード15のはんだ接続部分151および152は薄く、中央部分153ははんだ接続部分151および152よりも厚く造られる。はんだ接続部分のリードの厚さを薄くすることにより、特に線膨張係数の差が大きい半導体チップとリードの間のはんだ18のひずみが低減されるので、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、はんだ部分の高い信頼性を得ることができる。
図7に本発明の更に他の実施形態(第7の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態において第1の実施形態と異なる部分について以下、説明する。本実施形態では、第1の実施形態におけるリードにヒートパイプを組み込んだヒートパイプ付リード30を用いる。図8にヒートパイプ付リード30の詳細構造を示す。ヒートパイプ付リード30の中央部分303の内部に中空部31を設け、ここに純水等の作動流体を封入する。中空部31の周囲部分には、毛細管構造を有するメッシュ等(ウィック)32を設ける。ヒートパイプ付リード30の両端部301、302は平坦な薄い形状にして、この部分には作動流体を入れない。ヒートパイプ付リード30の端部301と半導体チップ1の上部に設けた熱拡散金属板14とは、超音波接合により接合される。また、ヒートパイプ付リード30の端部302と絶縁基板3上の配線パターン5も超音波接合により接合される。ヒートパイプ付リード30の両端部を平坦にすることにより、半導体チップ1や配線パターン5とヒートパイプ付リード30とを容易に超音波接合することが可能となる。
中空部31の半導体チップ1に近い部分に入った作動流体は半導体チップ1からの熱によって加熱され、蒸発して蒸気になる。蒸気になった作動流体は、中空部31の絶縁基板に近い部分において冷却されて凝縮する。凝縮した作動流体は、毛細管現象によりウィック32を伝わって半導体チップ1に近い部分に還流され、ここで再び蒸発する。このように、ヒートパイプにおいては作動流体の相変化を伴った循環によって熱が伝えられる。
上記第7の実施形態によれば、リードにヒートパイプを組み込んだヒートパイプ付リード30を用いているので、効率よく半導体チップ1の熱を伝えることができる。また、ヒートパイプ付リード30の両端部301、302は平坦な薄い形状にすることにより、熱拡散金属板14や絶縁基板3上の配線パターン5と超音波接合をすることが可能であり、製作性向上や熱抵抗の低減に有効である。
図9に本発明の更に他の実施形態(第8の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態は図7に示した第7の実施形態に近い構成であるが、半導体チップ1の上側に設けられた熱拡散金属板14とヒートパイプ付リード30とは、はんだ33によって接合される。また、ヒートパイプ付リード30と絶縁基板3上の配線パターン5とは、はんだ34により接合される。ヒートパイプ付リード30の両端部301、302のはんだ付けされる部分は平坦な薄い形状にして、この部分には作動流体を入れない。中央部分303は両端部301、302の厚さ寸法よりも太くして中空部分を設け、そこに作動流体を封入する。特に熱拡散金属板14として、線膨張係数の値が比較的小さく、半導体チップ1の線膨張係数の値に近い金属を使い、ヒートパイプ付リード30に線膨張係数が熱拡散金属板14よりも大きな金属を使った場合には、はんだ接続部分となるヒートパイプ付リード30の端部301(図8参照)の厚さを薄くすることにより、はんだ33のひずみが低減されるので、ヒートパイプの効果による高い放熱性能を確保しつつ、はんだ部分の高い信頼性を確保することができる。
図10に本発明の更に他の実施形態(第9の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態においては、第7の実施形態(図7)における熱拡散金属板14とヒートパイプ付リード30とを一体化した熱拡散板・ヒートパイプ付リード40を設けた。
図11に熱拡散板・ヒートパイプ付リード40の拡大図を示す。熱拡散板・ヒートパイプ付リード40と半導体チップ1とは、はんだ21によって接合される。熱拡散板・ヒートパイプ付リード40と、絶縁基板3上の配線パターン5とは、超音波接合により接合される。熱拡散板・ヒートパイプ付リード40の超音波接合される部分402は、他の部分403よりも薄く造られる。熱拡散板・ヒートパイプ付リード40の超音波接合される部分を薄くすることにより、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、絶縁基板3への超音波接合時のダメージを回避することができる。また、熱拡散金属板とヒートパイプ付リードを一体化することにより、両者を接続することによって生じる熱抵抗をなくすことができる。
図12に熱拡散板・ヒートパイプ付リードの別な構造の例を示す。この構造では、熱拡散板・ヒートパイプ付リード50の熱拡散板部分501の全体に中空部51が広がるように設ける。このような構造とすることにより、ヒートパイプが半導体チップ1からの熱を拡散するので、さらに半導体チップ1の温度分布を均一化することができ、熱抵抗が低減される。
図13に本発明の更に他の実施形態(第10の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。また、図14に本実施形態における熱拡散板・ヒートパイプ付リード60の構造の拡大図を示す。本実施形態は、第9の実施形態に近い構成であるが、熱拡散板・ヒートパイプ付リード60と絶縁基板3上の配線パターン5とをはんだ34によって接合している。この構造の熱拡散板・ヒートパイプ付リード60においては、冷媒封入部の空洞61を絶縁基板3上の配線パターン5との接続部分602にまで拡大している。また、図15のように、熱拡散板・ヒートパイプ付リード70の熱拡散板部分701の全体に中空部71が広がるように設けてもよい。本実施形態の構造では、ヒートパイプをリード部全体に設けることができるため、放熱性能を向上することができる。
図16に本発明の更に他の実施形態(第11の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態では、半導体チップ1とヒートパイプ付リード30とを、直接、超音波接合している。また、絶縁基板3上の配線パターン5とヒートパイプ付リード30との間も超音波接合している。ヒートパイプ付リード30の両端部301、302の超音波接合される部分は平坦な薄い形状にして、この部分には作動流体を入れない。ヒートパイプ付リード30の両端部を平坦にすることにより、半導体チップ1や配線パターン5とヒートパイプ付リード30とを超音波接合したときに、半導体チップ1や絶縁基板3に大きなダメージを与えることなく接合することが可能である。
図17に本発明の更に他の実施形態(第12の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態では、半導体チップ1および絶縁基板3上の配線パターン5と、ヒートパイプ付リード30とをそれぞれはんだ35、はんだ34によって接合している。ヒートパイプ付リード30の両端部301、302のはんだ付けされる部分は平坦な薄い形状にして、この部分には作動流体を入れない。ヒートパイプ付リード30のはんだ接続部分の厚さを薄くすることにより、特に線膨張係数差が大きい半導体チップ1とヒートパイプ付リード30の間のはんだ35のひずみが低減されるので、熱伝導による放熱性能を確保しつつ、はんだ部分の高い信頼性を得ることができる。
図18に本発明の更に他の実施形態(第13の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態では、半導体チップ1の上部に熱拡散金属板14を第1のはんだ2によって接続し、熱拡散金属板14と絶縁基板3上の配線パターン5とは、厚さ100〜200μm程度の薄い金属(リボン)22によって接続する。熱拡散金属板14の材質は銅でもよいが、線膨張係数がシリコンの半導体チップに比較的近いモリブデン、タングステン、銅−インバー−銅複合材などにすることにより、第1のはんだ2のひずみを小さく抑えて信頼性を向上することができる。リボン22の材質は、アルミニウムまたは銅などである。アルミニウムのリボンを用いる場合は、熱拡散金属板14のリボン接続面にメッキ等によってニッケルや銀の被膜を設けると良い。銅のリボンを用いる場合は、熱拡散金属板14が銅以外の材質の場合には、リボン接続面に銀または銅の被膜を設けるようにする。本実施形態によれば、熱拡散金属板14によって、半導体チップ1の温度分布が均一化されるので、半導体チップから冷却媒体までの熱抵抗を低減することができる。
図19に本発明の更に他の実施形態(第14の実施形態)であるパワー半導体モジュールの構成を表す断面図を示す。本実施形態では、半導体チップ1の上部に熱拡散金属板14を第1のはんだ2によって接続する。熱拡散金属板14と絶縁基板3上の配線パターン5とは、ワイヤ21によって電気的に接続する。熱拡散金属板14の材質は銅でもよいが、線膨張係数がシリコンの半導体チップに比較的近いモリブデン、タングステン、銅−インバー−銅複合材などにすることにより、第1のはんだ2のひずみを小さく抑えて信頼性を向上することができる。ワイヤ21の材質は、アルミニウムまたは銅である。アルミニウムのワイヤを用いる場合は、熱拡散金属板14のワイヤ接続面にメッキ等によってニッケルや銀の被膜を設けると良い。銅のワイヤを用いる場合は、熱拡散金属板14が銅以外の材質の場合には、ワイヤ接続面に銀または銅の被膜を設けるようにする。本実施形態によれば、熱拡散金属板14によって、半導体チップ1の温度分布が均一化されるので、半導体チップから冷却媒体までの熱抵抗を低減することができる。
1 半導体チップ
2 第1のはんだ
3 絶縁基板
4〜6 配線パターン
7 金属箔
8 第2のはんだ
9 放熱ベース板
10 アルミワイヤ
11 ケース
12 封止材
13 第3のはんだ
14 熱拡散金属板
15 リード

Claims (13)

  1. 両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップの一方の電極を接合し、前記絶縁基板上の他方の金属箔を放熱ベースに接合したパワー半導体モジュールにおいて、
    前記半導体チップの他方の電極に金属板を接合し、前記金属板に導電リードの一端を接合し、前記導電リードの他端を絶縁基板上の金属箔に接合し、前記導電リードの前記金属板との接合部および前記導電リードの前記絶縁基板上の金属箔との接合部を他の部分よりも薄くした
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  2. 請求項1記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記金属板と前記導電リードとの接合、並びに前記絶縁基板上の前記金属箔と前記導電リードとの接合が、超音波接合により行われる
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  3. 請求項1記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記金属板と前記導電リードとの接合、並びに前記絶縁基板上の前記金属箔と前記導電リードとの接合が、はんだ接合により行われる
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  4. 両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップの一方の電極を接合し、前記絶縁基板上の他方の金属箔を放熱ベースに接合したパワー半導体モジュールにおいて、
    前記半導体チップの他方の電極に金属板と導電リードが一体化したリード付金属板を接合し、前記リード付金属板の他端を絶縁基板上の金属箔に接合し、前記リード付金属板と前記絶縁基板上の金属箔との接合部を前記リード付金属板の他の部分よりも薄くした
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  5. 請求項4記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記リード付金属板は、前記半導体チップの前記他方の電極とはんだ接合され、前記絶縁基板上の前記金属箔と超音波接合される
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  6. 請求項4記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記リード付金属板は、前記半導体チップの前記他方の電極および前記絶縁基板上の前記金属箔と、それぞれはんだ接合される
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  7. 両側に金属箔を固着させた絶縁基板の一方の金属箔に半導体チップの一方の電極を接合し、前記絶縁基板上の他方の金属箔を放熱ベースに接合したパワー半導体モジュールにおいて、
    前記半導体チップの他方の電極に導電リードの一端を接合し、前記導電リードの他端を絶縁基板上の金属箔に接合し、前記導電リードの前記半導体チップとの接合部および前記導電リードの絶縁基板上の金属箔との接合部を他の部分よりも薄くした
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  8. 請求項7記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記半導体チップの前記他方の電極に前記導電リードの前記一端が超音波接合され、前記導電リードの前記他端が前記絶縁基板上の前記金属箔に超音波接合される
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  9. 請求項7記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記半導体チップの前記他方の電極に前記導電リードの前記一端がはんだ接合され、前記導電リードの前記他端が前記絶縁基板上の前記金属箔にはんだ接合される
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  10. 請求項1乃至3記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記導電リードの中央部分の他よりも厚い部分の内部に中空部を設け、前記中空部に作動流体を封入してヒートパイプを構成した
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  11. 請求項4乃至6記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記リード付金属板の内部に中空部を設け、前記中空部に作動流体を封入してヒートパイプを構成した
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  12. 請求項6記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記リード付金属板の金属板部分、リードの中央部分および基板との取付部分に跨ってリード付金属板の内部に中空部を設け、前記中空部に作動流体を封入してヒートパイプを構成した
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
  13. 請求項7乃至9記載のパワー半導体モジュールにおいて、
    前記導体リードの中央部分の他よりも厚い部分の内部に中空部を設け、前記中空部に作動流体を封入してヒートパイプを構成した
    ことを特徴とするパワー半導体モジュール。
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