JP2009278103A5

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Publication number: JP2009278103A5
Application number: JP2009116937A
Authority: JP
Filing date: 2009-05-13
Publication date: 2012-06-28

Claims

パワーデバイスダイと熱的に接続されるように構成される第１の金属層と、
前記パワーデバイスダイの前記第１の金属層の配置された側の反対側に配置される第２の金属層と、からなる半導体装置用パッケージにおいて、
前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイの表面で、ハンダボール接点を介してパッドと電気的かつ熱的に接続されるように構成され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイ、前記ハンダボール接点および前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有する、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
前記第１の金属層は、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第１の金属層は、第２のハンダボール接点を介して、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第１の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ体から露出してヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第２の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ体から露出してヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
さらに、前記第２の金属層の一部と電気的に接続される第２のパワーデバイスダイを有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第２の金属層の同一部分は、第１のパワーデバイスダイおよび第２のパワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置用パッケージ。
前記パワーデバイスダイは、ＭＯＳＦＥＴダイを含み、
前記第２の金属層は、前記ＭＯＳＦＥＴダイの表面でゲートパッドと電気的に接続される第１の部分と前記ＭＯＳＦＥＴダイの表面でソースパッドと電気的に接続される第２の部分を有する、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
前記パワーデバイスダイは、集積回路（ＩＣ）ダイを含み、
前記第２の金属層は、前記ＩＣダイの表面で各パッドと電気的に接続される複数の部分を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用パッケージ。
第１のパワーデバイスダイの第１の側面と少なくとも熱的に接続される第１の金属層と、
前記第１のパワーデバイスダイの上方または下方に配置されるとともに、ハンダボール接点を介して、前記第１のパワーデバイスダイの第２の側面と電気的に接触する第２のパワーデバイスダイと、
前記第１のパワーデバイスダイから前記第２のパワーデバイスダイの対向する側に配置される第２の金属層と、から構成される半導体装置用パッケージであって、
前記第２の金属層は、前記第２のパワーデバイスダイと少なくとも熱的に接続され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイと、前記ハンダボール接点と、前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有し、
前記第１のパワーデバイスダイまたは前記第２のパワーデバイスダイは、前記第１の金属層または前記第２の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージ。
前記第１のパワーデバイスダイは、第２のハンダボール接点を介して、前記第１の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第１のパワーデバイスダイは、第２のハンダボール接点を介して、前記第１および第２の金属層の間に配置される第３の金属層と電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第１の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ本体から露出されてヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
前記第２の金属層の一部は、前記プラスチックパッケージ本体から露出されて第２のヒートシンクを形成する、
ことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置用パッケージ。
パワーデバイスダイの第１の表面と少なくとも熱的に接続される第１の金属層を備える工程と、
ハンダボール接点を介して、前記第１の表面に対向する前記パワーデバイスチップの第２の表面と熱的かつ電気的に接続される第２の金属層を備える工程と、
前記ダイ、前記ハンダボール接点、および前記第１および第２の金属層の少なくとも一部をプラスチック封止材の内部で封止して、パッケージ体を形成する工程と、を有する、
ことを特徴とする半導体装置のパッケージ方法。
前記第１の金属層は、前記パワーデバイスダイと電気的に接続される、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
さらに、前記第２の金属層の平面の外に前記第２の金属層の一部を曲げて、前記パッケージ体から露出させてリードを形成する工程を有する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
前記第２の金属層に、前記第２の金属層の平面の外に曲げられた部分を設けて、パッケージ体から露出させてリードを形成する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
前記第１の金属層は、第２のパワーデバイスダイの第１の表面と少なくとも熱的に接続する部分を備えるとともに、
前記第２の金属層は、ハンダボール接点を介して、前記第１の表面に対向する前記第２のパワーデバイスダイの第２の表面で、各パッドと電気的かつ熱的に接続される部分を有する、
ことを特徴とする請求項１５に記載の半導体装置のパッケージ方法。
第１のパワーデバイスダイの第１の側面と少なくとも熱的に接続されるように構成される第１の金属層を備える工程と、
前記第１のパワーデバイスダイの上方または下方に配置されるとともに、ハンダボール接点を介して、前記第１のパワーデバイスダイの第２の側面と電気的に接触する第２のパワーデバイスダイを備える工程と、
前記第１のパワーデバイスダイから前記第２のパワーデバイスダイの対向する側に配置される第２の金属層を備える工程と、を有する半導体装置用パッケージの形成方法において、
前記第２の金属層は、前記第２のパワーデバイスダイと少なくとも熱的に接続され、
前記第１の金属層または前記第２の金属層は、前記パワーデバイスダイと前記ハンダボール接点と前記第１および第２の金属層の少なくとも一部を封止するプラスチックパッケージ体から突出する一体型のリードを有し、
前記第１のパワーデバイスダイまたは前記第２のパワーデバイスダイを、前記第１の金属層または前記第２の金属層と電気的に接続する、
ことを特徴とする半導体装置用パッケージの形成方法。