JP4519571B2 - 半導体装置及びその検査方法と検査装置並びに半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、外部接続用電極パッド（以下、電極パッドと称する。）を備える半導体装置及びその検査方法、検査装置と製造方法に関し、特に電気特性検査に関してテストプローブを接触させる電極パッドを備える半導体装置及びその検査方法、検査装置と製造方法に関する。

半導体基板に形成されたチップ状の半導体装置では、半導体チップの実装前に半導体装置に設けられている電極パッドに対して電気特性検査装置のテストプローブを接触させ、当該テストプローブを介して半導体装置に通電し電気特性検査を行う、いわゆるプロービングを行っている。このような半導体装置では、プロービング時にテストプローブを電極パッドの表面に接触させたときに、電極パッド表面にプローブ痕と呼ばれる接触傷が発生してしまう。

最近、半導体装置の集積度を向上するために電極パッドの面積は大幅に小さくなってきている。このような小面積の電極パッドにプローブ痕が発生し、電極パッドと外部電極を接続するいわゆるボンディングを行うと、電極パッドの表面にはプローブ痕により凹凸が形成されているため外部電極と電極パッドとの接触面積がさらに低下してしまう。したがって、ボンディングの信頼性が低下してしまうという問題点があった。特に、アルミニューム製の電極パッドに金ワイヤを超音波ボンディングする場合、電極パッドの表面にアルミニウムと金の合金を形成して接合を行っているため、プローブ痕によって接合面が低下し、金ワイヤと電極パッドとの接合強度が低下するという問題が生じている。

このような問題点を解決するため、半導体装置が開示されている（特許文献１参照）。この、半導体装置では、テストプローブを当接させるテスト用パッドとボンディングを行うためのボンディング用パッドを形成している。

また、このような検査を行うための検査方法が開示されている（特許文献２参照）。この検査方法では、プローブ痕を光学的に検出してプローブ痕が許容範囲からはみ出ているか否かを検査する。そして、プローブ痕が許容範囲からはみ出ている場合、警報を出して、検査の進行をストップする。

特開２００２−３２９７４２号公報 特開平７−１４７３０４号公報

しかしながら、従来の検査では以下に示す問題があった。例えば、テスト用パッドとボンディング用パッドとを備える半導体装置では、半導体チップにおいて、電極パッドが占める面積が大きくなってしまう。この場合、半導体装置の高集積化を実現する上で電極パッドが障害となる。特に近年の半導体装置の多機能化に伴って、電極パッド数が増加する傾向にあるため、半導体装置の多機能化、高集積化を図ることが困難になる。

光学的にプローブ痕を検出して許容範囲からはみ出しているか否かを判別する検査方法では、プローブ痕を誤って検出してしまう場合があった。また、検査に用いるプローブカードは、通常、繰り返し検査を行っていると電極パッドに対するプローブ先端の接触位置が徐々にずれていってしまう。すなわち、プローブをウエハ表面に形成された電極パッドに接触させるときの位置精度がプローブの物理的強度の劣化により低下する。また、半導体の検査は半導体チップにスクライブする前の半導体ウエハの状態で実施されることが多い。この場合、プローブが劣化した状態で検査が実行され、ウエハ上の特定のチップで、電極パッドのプローブ痕が検出・判定不良となる。この後に、テストするためにプローブを接触したチップが不良となってしまう。したがって、歩留まりを改善することができず、生産性を向上することが困難であるという問題点があった。

このように従来の半導体装置の検査方法では正確に検査することができず、また生産性を向上することが困難であるという問題点があった。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の一つの目的は、正確に検査をすることができる半導体装置とその検査方法及び検査装置並びに半導体装置の製造方法を提供することである。
本発明の他の目的は、不良品の発生を低減することができ、生産性を向上することができる半導体装置とその検査方法及び検査装置並びに半導体装置の製造方法を提供することである。

本発明の第１の態様にかかる半導体装置は、電極パッドに対してテストプローブを当接させるプローブエリアを定義するためのプローブエリアマークを備え、前記プローブエリアマークが前記電極パッドと離間して配設されているものである。これにより、確実にプローブエリアマークを認識することができ、正確に検査を行うことが可能になる。

本発明の第２の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記電極パッドの外周を覆うよう設けられた絶縁膜をさらに備えるものである。これにより、電極パッドの外周近傍の絶縁膜が影になり、プローブエリアマークを電極パッドの外周近傍に配設した場合検出できなくなるのが、それを防ぐことができる。

本発明の第３の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記プローブエリアマークがスクライブライン上に設けられているものである。これにより、スペースの制約を受けることなく、プローブエリアマークを形成することができ、容易に高集積化を図ることができる。

本発明の第４の態様にかかる半導体装置は、プローブ検査を行うためのテストプローブが当接される電極パッドを備える半導体装置であって、前記電極パッドに対してワイヤボンディングを行うボンディングエリアを定義するためのボンディングエリアマークと、前記電極パッドに対して前記テストプローブを修理又は交換するためのプローブ修理エリアを定義するためのプローブエリアマークとを備えるものである。

本発明の第５の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記プローブエリアマークに基づいて前記テストプローブを当接させるためのプローブエリアが定義されるものである。これにより、テストプローブをプローブエリアに位置決めすることができるので、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第６の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記電極パッドの外周を覆うよう設けられた絶縁膜をさらに備え、前記プローブエリアマークと前記ボンディングエリアマークとが前記電極パッドと離間して設けられているものである。これにより、確実にプローブエリアマークを認識することができ、正確に検査を行うことが可能になる。

本発明の第７の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記プローブエリアマークからスクライブラインと平行な方向に延長された仮想線に基づいて前記電極パッドのプローブ修理エリアが定義され、前記ボンディングエリアマークからスクライブラインと平行な方向に延長された仮想線に基づいて前記電極パッドの前記ボンディングエリアが定義されるものである。これにより、容易に各エリアを定義することができ、検査効率を向上することができる。

本発明の第８の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記半導体装置に設けられた半導体チップの両端に前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークをそれぞれ形成し、前記両端に設けられたプローブエリアマークを結ぶ仮想線に基づいて前記プローブ修理エリアを定義し、前記両端に設けられたボンディングエリアマークを結ぶ仮想線に基づいて前記ボンディングエリアを定義しているものである。これにより、容易に各エリアを定義することができ、検査効率を向上することができる。

本発明の第９の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記電極パッドにおいて、前記仮想線から傾いた方向にテストプローブのプローブ痕が形成されているものである。これにより、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第１０の態様にかかる半導体装置は、上述の半導体装置において、前記電極パッドの前記半導体チップの内部回路側の端部から前記プローブエリアマークにおける仮想線までの領域が前記プローブ修理エリアと定義されるものである。

本発明の第１１の態様にかかる半導体装置の検査方法は、半導体装置に設けられた電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行うに際し、前記電極パッドと離間して設けられたプローブエリアマークを認識し、前記プローブエリアマークで定義されるプローブエリアに前記テストプローブを位置決めするものである。これにより、正確に位置決めすることができ、正確に検査を行うことができる。

本発明の第１２の態様にかかる半導体装置の検査方法は、半導体装置に設けられた電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行い、前記電極パッドに設けられた前記テストプローブのプローブ痕がプローブ修理エリアにあるか否かを判定し、前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された場合に前記テストプローブの修理又は交換を行い、前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された前記電極パッドに対して、前記プローブ痕がボンディングエリアにあるか否かを判定し、前記プローブ痕が前記ボンディングエリアにあると判定された前記電極パッドを有する前記半導体装置を不良品であると判別するものである。これにより、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第１３の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記半導体装置に設けられたプローブエリアマークに基づいて前記プローブ修理エリアを定義し、前記半導体装置に設けられたボンディングエリアマークに基づいて前記ボンディングエリアを定義するものである。これにより、各エリアを確実に定義することができ、正確に検査を行うことができる。

本発明の第１４の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記ボンディングエリアが前記プローブ修理エリアに含まれるよう定義されるものである。これにより、不良品の発生を未然に防ぐことができるようになる。

本発明の第１５の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記プローブエリアマークに基づいて前記テストプローブを当接させるプローブエリアが定義され、前記プローブエリアに前記テストプローブを位置決めして前記半導体装置の電気検査を行うものである。これにより、テストプローブをプローブエリアに位置決めすることができるので、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第１６の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記プローブエリアマーク及び前記ボンディングエリアマークがスクライブライン上に設けられているものである。これにより、スペースの制約を受けることなく、プローブエリアマークを形成することができ、容易に高集積化を図ることができる。

本発明の第１７の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記プローブ修理エリアが前記プローブエリアマークからスクライブラインと平行な方向に延長された仮想線によって定義され、前記ボンディングエリアが前記ボンディングエリアマークからスクライブラインと平行な方向に延長された仮想線によって定義されているものである。これにより、容易に各エリアを定義することができ、検査効率を向上することができる。

本発明の第１８の態様にかかる半導体装置の検査方法は、上述の検査方法において、前記電極パッドの表面において前記テストプローブが前記仮想線から傾いた方向に移動するものである。これにより、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第１９の態様にかかる半導体装置の製造装置は、半導体装置に設けられた電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行うプローブ検査実行部と、前記電極パッドに形成された前記テストプローブのプローブ痕がプローブ修理エリアにあるか否かを判定するプローブ修理判定部と、前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された電極パッドに対して、前記プローブ痕がボンディングエリアにあるか否かに基づいて前記半導体装置が不良品か否かを判定する不良品判定部とを備えるものである。これにより、不良品の発生を低減することができる。

本発明の第２０の態様にかかる半導体装置の製造装置は、上述の製造装置において、前記半導体装置に設けられたプローブエリアマークに基づいて前記プローブ修理エリアを定義し、前記半導体装置に設けられたボンディングエリアマークに基づいて前記ボンディングエリアを定義するエリア設定部をさらに備えるものである。これにより、確実にプローブ痕が各エリアに存在するか否かを判定することができ、正確な検査が可能になる。

本発明の第２１の態様にかかる半導体装置の製造装置は、上述の製造装置において、前記プローブ痕を光学的に検出する検出部をさらに備えるものである。これにより、プローブ痕の位置を確実に特定することができ、正確に検査を行うことができる。

本発明の第２２の態様にかかる半導体装置の製造方法は、半導体装置に設けられた電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行い、前記電極パッドに設けられた前記テストプローブのプローブ痕がプローブ修理エリアにあるか否かにより、前記テストプローブの交換又は修理を行い、前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された電極パッドにおいて前記プローブ痕がボンディングエリアにあるか否かにより前記半導体装置が良品か不良品であるかを判別し、前記良品と判別された半導体装置に対して前記電極パッドの前記ボンディングエリアに外部電極をボンディングするものである。これにより、生産性を向上することができる。

本発明によれば、電極パッドとプローブエリアマークを離間して設けているため、確実に検査を行うことができる半導体装置とその検査方法、検査装置及び製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、不良品の発生を低減することができる半導体装置とその検査方法、検査装置及び製造方法を提供することができる。

以下に、本発明を適用可能な実施の形態が説明される。以下の説明は、本発明の実施形態を説明するものであり、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。説明の明確化のため、以下の記載は、適宜、省略及び簡略化がなされている。又、当業者であれば、以下の実施形態の各要素を、本発明の範囲において容易に変更、追加、変換することが可能であろう。尚、各図において同一の符号を付されたものは同様の要素を示しており、適宜、説明が省略される。

本発明にかかる半導体装置について図１及び図２を用いて説明する。図１は本発明にかかる半導体装置を備える半導体ウエハの構成を模式的に示す上面図である。図２は図１に示す半導体ウエハに設けられている半導体チップの構成を模式的に示す上面図である。

図１に示すように半導体ウエハ１００上には矩形状の半導体チップ１が複数形成されている。そして、それぞれの半導体チップ１の間には半導体チップ１をそれぞれ分離するためのスクライブライン１１が設けられている。すなわち、半導体ウエハ１００をスクライブライン上で切断すると、それぞれの半導体チップ１に分離される。この半導体チップ１の構成は図２に示すようになっている。

半導体チップ１は図２に示すように、メモリ回路やロジック回路等で構成される内部回路２が中央に配置される。この内部回路２を囲むように、半導体チップ１の周囲に沿って複数のＩ／Ｏ回路領域３が枠状に形成されている。すなわち、矩形状の半導体チップ１の外周近傍にはその４辺に沿ってＩ／Ｏ回路領域３がそれぞれ配置される。それぞれのＩ／Ｏ回路領域３には電極パッド４が配設されている。各Ｉ／Ｏ回路領域３と各電極パッド４とはそれぞれ電気的に接続されている。

次に、半導体チップ１をスクライブする前の半導体ウエハ上のスクライブライン周辺の構成について図３を用いて説明する。図３はスクライブラインの交差点周辺における半導体ウエハ１００の構成を拡大して示す上面図である。ここでは、スクライブライン１１が設けられている方向をＸ方向及びＹ方向とする。すなわち、半導体ウエハ１００はＸ方向及びＹ方向と平行な方向にスクライブされ、それぞれの半導体チップ１に分離される。

このＸ方向及びＹ方向のスクライブライン１１の両側にはそれぞれ半導体チップ１が配置される。図３では半導体チップ１の角周辺の構成を拡大して図示している。すなわち、図３では４つの半導体チップ１が示され、それぞれの半導体チップ１で右下、左下、右上、左上の角周辺の構成が図示されている。半導体チップ１には電極パッド４が形成されている。図３では、１つの半導体チップ１の角周辺に配置された２つの電極パッド４を示す領域が図示されている。したがって、図３では合計で８つの電極パッドが図示されている。なお、実際には電極パッド４は図２に示すように縦方向及び横方向に沿って、それぞれ、複数配列されている。そのため、図３で示した領域の外側において、電極パッド４ａはＸ方向に沿って複数配列され、電極パッド４ｂはＹ方向に沿って複数配列されている。また、図３に示されている電極パッド４は複数配列された電極パッドのうち、最も外側（スクライブライン側）のものである。

電極パッド４ａと電極パッド４ｂとは同じ大きさをしており、その向きが９０°ずれている。電極パッド４は、例えば、１０８μｍ×６０μｍで形成されている。したがって、電極パッド４ａはＹ方向に１０８μｍで、Ｘ方向に６０μｍの大きさで設けられ、電極パッド４ｂはＸ方向に１０８μｍで、Ｙ方向に６０μｍの大きさで設けられている。

そして、隣接する半導体チップ１の間にはスクライブライン１１が設けられている。スクライブライン１１は幅１００μｍ程度であり、Ｘ方向又はＹ方向に平行に形成されている。このスクライブライン１１上にはエリアマーク６が設けられている。エリアマーク６はスクライブラインの中心線１２に対して対称に設けられる。ここでは、電極パッド４ａの領域を定義するためのエリアマーク６ａと電極パッド４ｂの領域を定義するためのエリアマーク６ｂが設けられている。すなわち、エリアマーク６ａは電極パッド４ａに対応し、エリアマーク６ｂは電極パッド４ｂに対応し、それぞれの電極パッド４における領域を画定する。さらに、エリアマーク６ａはＸ方向に配列された図示しない複数の電極パッド４ａの領域を定義し、エリアマーク６ｂは図示しないＹ方向に配列された図示しない複数の電極パッド４ｂの領域を定義する。なお、上述の説明では、左下の角周辺の構成が示されている右上の半導体チップ１について説明したが、他の半導体チップ１についても同様である。

次に、エリアマーク６と電極パッド４との構成について図４を用いて説明する。図４はエリアマーク６によって定義される電極パッド４の領域を模式的に示す拡大図である。ここでは、Ｘ方向に配列された複数の電極パッド４ａの１つとエリアマーク６ａとに対応する部分について説明する。エリアマーク６ａは電極パッド４における３つの領域を定義するため、２つのマークを備えている。この２つのマークのうち、下側に設けられたものをボンディングエリアマーク７ａとし、上側に設けられたものをプローブエリアマーク７ｂとする。ボンディングエリアマーク７ａとプローブエリアマーク７ｂとはＹ方向において１０μｍの間隔を空けて配置されている。ボンディングエリアマーク７ａ及びプローブエリアマーク７ｂはそれぞれ矩形状であり、各辺がＸ方向又はＹ方向のいずれかと平行になるように設けられている。

電極パッド４はこのボンディングエリアマーク７ａとプローブエリアマーク７ｂとによって定義される３つの領域を備えている。１つ目はボンディングエリアマーク７ａからＸ方向に延長される仮想線８ａと電極パッド４の下端との間の領域であるボンディングエリア５ａである。このボンディングエリア５ａにおいて外部電極と接続するための金ボールが形成される。２つ目は、電極パッド４の上端とプローブエリアマーク７ｂからＸ方向に延長される仮想線８ｂとの間の領域であるプローブエリア５ｂである。このプローブエリア５ｂにおいて、通常、プローブ検査が行われる。３つ目は電極パッド４の下端とプローブエリアマーク７ｂからＸ方向に延長される仮想線８ｂとの間の領域であるプローブ修理エリア５ｃである。ボンディングエリア５ａは半導体チップ１の外周側すなわち、Ｘ方向と平行なスクライブライン側に配置される。すなわち、電極パッド４の下にはスクライブラインがＸ方向に配置される。電極パッド４において、ボンディングエリア５ａ及びプローブ修理エリア５ｃは半導体チップ１のスクライブライン側に配置され、プローブエリア５ｂが半導体チップ１の内部回路側に配置されている。さらに、ここでは、説明の明確化のため、プローブ修理エリア５ｃからボンディングエリア５ａを除いた領域すなわち、電極パッド４における仮想線８ａと仮想線８ｂとの間の領域を領域５ｄとする。

ここで、電極パッド４を１０８μｍ×６０μｍとすると、電極パッド４の下端から３４μｍがボンディングエリア５ａとなる。プローブ修理エリア５ｃはボンディングエリア５ａよりもＹ方向に１０μｍ広い領域となる。これはプローブエリアマーク７ｂとボンディングエリアマーク７ａとの間の間隔である領域５ｄの幅に対応している。また、電極パッド４の上端から６４μｍがプローブエリア５ｂとなる。したがって、電極パッド４はプローブエリア５ｂとプローブ修理エリア５ｃとに領域が分離され、そのうちのプローブ修理エリア５ｃにボンディングエリア５ａが含まれている構成となる。なお、それぞれのエリアにおいて、Ｘ方向の幅は電極パッド４の幅と等しい６０μｍとする。ボンディングエリア５ａの大きさは、ワイヤボンディング装置のボンディング精度に応じて決定することができる。すなわち、ボンディングエリア５ａはボンディングしたワイヤがボンディングエリア５ａからはみ出さないような大きさにする。

以上の構成の電極パッドに対する電気検査方法及び製造方法について説明する。まず、図５（ａ）に示すよう電気検査装置のテストプローブ２１を移動して、電極パッド４の表面に当接させる。そして、テストプローブ２１の先端を電極パッド表面に押し付けた状態で検査を行う。これにより、電極パッド４とテストプローブ２１は電気的に接続され、このテストプローブ２１及び電極パッド４を介して半導体チップ１の内部回路２に通電を行うことができる。なお、ここでは図１に示すよう半導体チップ１にスクライブする前の半導体ウエハ１００状態で検査を行っている。

プロービング時にテストプローブ２１を電極パッドの表面に接触させたとき、図５（ｂ）に示すよう電極パッド４表面にプローブ痕２３と呼ばれる接触傷が生じる。このプローブ痕２３が形成された領域に外部電極との電気的接続を行うためのボンディングを行うとボンディングの信頼性が低下してしまう。すなわち、プローブ痕２３によって電極パッド４の表面の平坦性が低下するため、電極パッド４上に形成された金ボールと電極パッドとの機械的接続強度が低下する。

このようなプローブ痕上において、金ボールが形成されるのを防ぐため、プローブエリアマーク７ｂを光学的に検出する。そして、プローブエリアマーク７ｂで定義されるプローブエリア５ｂに位置決めして、テストプローブ２１の先端を電極パッド４と接触させる。これにより、プローブ痕２３がプローブエリア５ｂに限定される。そして、検査完了後、図５（ｂ）に示すようボンディングエリア５ａに対してボンディングを行う。すなわち、ボンディングエリアマーク７ａで定義されるボンディングエリア５ａにおいて、金線をボンディングして金ボールを形成する。

しかしながら、量産ラインにおいて同じテストプローブ２１で繰り返し多数の半導体チップの電気的特性を検査していると、テストプローブ２１の位置精度が経時劣化してしまう。すなわち、プローブエリア５ｂに位置決めしてテストプローブ２１を移動したとしても、テストプローブ２１の移動距離として設定した設定距離とテストプローブ２１が実際に移動した実移動距離とがずれていってしまう。よって、電極パッド４に対するテストプローブ２１先端の接触位置が徐々にずれていってしまう。この場合、プローブ痕２３がプローブエリア５ｂからはみ出して形成されてしまうおそれがある。プローブ痕２３がボンディングエリア５ａに形成されてしまった場合、ボンディング工程後のボンディングワイヤと半導体チップとの接続強度に関する信頼性が低下してしまう。

このように、テストプローブ２１の位置精度が経時的に劣化していくと、プローブ痕２３がプローブエリア５ｂから領域５ｄまでずれ、最終的にはボンディングエリア５ａに形成されてしまう。ボンディングエリア５ａにプローブ痕が形成されると、その半導体チップ１ではボンディングの信頼性が低下してしまう。

本発明では、このプローブ痕２３がボンディングエリア５ａに形成されたか否かを判定する。そして、ボンディングエリア５ａにプローブ痕２３が存在しない場合、その半導体ウエハは良品として判断する。一方、ボンディングエリア５ａにプローブ痕２３が存在する場合、その半導体ウエハは不良品として判断する。これにより、不良品が後工程に進むことを防ぐことができ、生産性を向上することができる。

さらに本発明では、ボンディングエリア５ａにプローブ痕２３が存在する不良品が発生するのを未然に防ぐため、プローブ痕２３がプローブ修理エリア５ｃに存在するか否かを判定している。このプローブ修理エリア５ｃにプローブ痕２３が存在しない場合、すなわち電極パッド４の下端から仮想線８ｂまでの領域にプローブ痕２３が存在しない場合、そのまま検査を実行する。一方、プローブ修理エリア５ｃにプローブ痕２３が存在する場合、テストプローブ２１を含むプローブカードを修理又は交換して、劣化していない状態にする。すなわち、ある所定枚数の半導体ウエハまではプローブ痕がプローブエリア５ｂに形成されるが、テストプローブ２１の劣化が一定以上進行すると、この劣化したプローブ２１を用いて検査した半導体ウエハからはプローブ痕２３がプローブエリア５ｂからはみ出して形成される。このとき、プローブ痕２３はプローブエリア５ｂに近いプローブ修理エリア５ｃに形成される。すなわち、プローブ痕２３は領域５ｄに形成される。そして、そのまま同じプローブカードで検査を続行すると、テストプローブ２１の電極パッド４における接触位置が徐々にずれていき、プローブ痕２３がボンディングエリア５ａに形成されるようになる。

プローブ修理エリア５ｃはボンディングエリア５ａよりも大きく設定されているため、プローブ痕２３はボンディングエリア５ａに形成されるよりも前に、プローブ修理エリア５ｃに形成される。このプローブ修理エリア５ｃにプローブ痕２３が存在すると判定された場合、プローブカードの修理又は交換を行う。ここで、領域５ｄのみにプローブ痕２３が形成された段階でプローブカードの修理等を行うことにより、ボンディングエリア５ａにプローブ痕が形成されることを防ぐことができる。すなわち、ボンディングの信頼性が低下するのを未然に防ぐことができる。すなわち、領域５ｄには、ボンディング工程で金ボールが形成されることはない。したがって、プローブ修理エリア５ｃのうちボンディングエリア５ａを除いた領域５ｄにプローブ痕２３が存在した段階で、プローブカードを修理・交換することによって、ボンディングエリア５ａにプローブ痕が発生するのを未然に防ぐことができる。これにより、不良品となる半導体ウエハが発生するのを未然に防ぐことができ、生産性を向上することができる。

このように、プローブ修理エリア５ｃのうちボンディングエリア５ａを除く領域５ｄすなわち図４で示される仮想線８ａと仮想線８ｂの間の幅１０μｍの領域５ｄでプローブ痕が検出された場合、次の半導体ウエハの検査時において、ボンディングエリア５ａにプローブ痕が形成されるのを防ぐことができる。これにより、不良品の発生を未然に防ぐことができ、生産性を向上することができる。

ところで、電極パッド４表面上でテストプローブ２１が移動すると、プローブ痕２３が広がってしまい、図５（ｂ）に示すように線状のプローブ痕２３が発生してしまう。さらに、繰り返しプロービングを行うと、複数のプローブ痕２３が発生してしまう。この場合、図５（ｂ）に示すように、電極パッド４の表面に線状のプローブ痕２３が複数発生してしまう。

このとき、電極パッド表面上におけるテストプローブ２１のすべり方向は図５（ａ）の矢印の方向（＋Ｙ方向）とすることが好ましい。すなわち、電極パッドの表面近傍では、ボンディングエリア５ａから離れる方向にテストプローブ２１がすべるよう移動させることが好ましい。これにより、経時変化によりテストプローブ２１の移動精度が劣化して設定した移動距離より長い距離移動してしまった場合でも、プローブエリア５ｂにのみプローブ痕２３が限定される。

そして、この電極パッド４の表面における移動方向と垂直な方向に各エリアを分けて定義する。具体的には、ボンディングエリアマーク７ａからＸ方向に延長される仮想線８ａによって、ボンディングエリア５ａとプローブ修理エリア５ｃとを分割し、プローブエリアマーク７ｂからＸ方向に延長される仮想線８ｂによって、プローブ修理エリア５ｃ内におけるプローブエリア５ｂの位置を決定する。そして、仮想線８ａ及び仮想線８ｂを電極パッド表面におけるテストプローブ２１の移動方向に対して垂直にする。すなわち、仮想線８ａ及び仮想線８ｂがＸ方向の場合、電極パッド４表面におけるテストプローブ２１のすべり方向は概ねＹ方向とする。なお、これらの方向は垂直方向に限らず、傾いた方向であってもよい。そして、電極パッド表面におけるテストプローブ２１のすべり方向をボンディングエリア５ａから離れる方向とする。

このエリアマーク６を形成するために好適な箇所について図６を用いて説明する。図６（ａ）は電極パッドの構成を示す平面図であり、図６（ｂ）は電極パッド４の構成を示す断面図である。通常、電極パッド４はアルミニュームなどの金属層により形成され、その外周を覆うように絶縁膜９が形成される。すなわち、アルミニューム層の上に設けられた絶縁膜９に開口部を設け、電極パッド４を露出させる。ここで、絶縁膜９は電極パッド４が設けられていない箇所から電極パッド４上まで形成されている。そのため、電極パッド４の外周上の絶縁膜９には段差部１０が形成される。電極パッド４の外周近傍にエリアマーク６を形成すると、この段差部１０によってエリアマーク６の検出することができない場合がある。すなわち、エリアマーク６を光学的に検出しようとしても、エリアマーク６が段差部１０の影になってしまいエリアマーク６が認識されないことがある。特に絶縁膜９をポリイミドなどの樹脂により形成した場合、エリアマーク６が認識されない可能性が高くなる。すなわち、樹脂膜は通常、ＳｉＮなどの無機膜と比べて厚く形成されるため、段差が高くなり、光学的に検出することが困難になる。よって、電極パッド４と離間してエリアマークを形成することが好ましく、ポリイミド等の樹脂膜が電極パッドの上層に形成されている半導体装置には対しては特に好ましい。

このエリアマーク６は電極パッド４と同じ最上位層の金属層をパターニングして設けてもよく、これ以外の金属層をパターニングして設けてもよい。例えば、半導体チップの内部回路２における配線層などと同じ層の金属層を用いることができる。このような金属層をパターニングしてエリアマーク６を形成することにより、製造工程の増加を防ぐことができる。さらに、エリアマーク６は光学的に判別することができるマークであれば、どのようなマークであってもよい。エリアマーク６を保護するため、エリアマーク全体をポリイミド等の透明な絶縁膜で覆うようにしてもよい。この場合、光学的にエリアマーク６が検出できなくなるのを防ぐため、金属パターンが絶縁膜の段差の影にならないように配置する。

エリアマーク６の形状は特に限定されるものではない。矩形状の金属パターンを形成して、そのパターンエッジから延長した仮想線８により電極パッド４の各エリアを定義してもよい。もちろん、各エリアを定義することができるマークであれば、三角形、台形などであってもよい。これらのパターンはフォトリソグラフィ工程により精度よく形成することができる。エリアマーク６はスクライブライン上に配置することが好ましい。スクライブライン上には、エリアマーク６を形成するための余剰スペースがあることが多いからである。また、他の配線層や絶縁膜層などが形成されていないため、光学的な検出を容易に行うことができる。さらに、スクライブラインはどのようなタイプの半導体ウエハに対しても設けられているため、半導体ウエハに形成されている配線構造に関わらずエリアマーク６の判別を容易に行うことができる。

次に、このような半導体ウエハの検査工程について図７を用いて説明する。図７は半導体ウエハの検査工程を示すフローチャートである。まず、最初にプローブカードをセットする（ステップＳ１０１）。ここでは、正常なプローブカードをセットする。次に、ウエハカセットに収納された複数枚の半導体ウェハの中から、検査を行うため１枚の半導体ウエハを取り出して、検査装置のステージの上にセットする（ステップＳ１０２）。そして、半導体ウエハのアライメントを行う（ステップＳ１０３）。具体的には、半導体ウエハのオリエンテーションフラットに基づいて、図３に示すように直交する２つのスクライブラインをＸＹ方向に一致させる。このとき、例えば、検査装置のステージを駆動して、アライメントを行う。

そして、この半導体ウエハに設けられた半導体チップ１のそれぞれに対してプローブ検査を実施する（ステップＳ１０４）。具体的には半導体チップ１のそれぞれの電極パッド４にテストプローブ２１の先端を当接させ、テスタ（図示せず）から電気信号を出力する。この電気信号に基づく半導体チップからの出力信号を検出して、半導体チップ１の電気的特性を測定検査する。このプローブ検査によって半導体チップの良否判定が行われる。この検査をウェハ内の検査すべき全ての半導体チップに対して実行する。なお、検査を実行する際、プローブエリアマーク７ｂを認識して、プローブエリア５ｂにテストプローブ２１を当接させてもよい。具体的には、プローブエリアマーク７ｂによって定義されるプローブエリア５ｂを認識し、このプローブエリア５ｂにテストプローブ２１を位置決めする。この位置で、テストプローブ２１を電極パッド４表面に接触させ、プロービングを行う。これにより、ボンディングの信頼性を向上することができる。

次に、プローブ検査が実行された半導体ウエハのプローブ痕が存在するエリアに基づいてプローブ修理判定を行う（ステップＳ１０５）。具体的には光学的に、それぞれの電極パッド４に設けられたプローブ痕２３を検出する。そして、プローブエリアマーク７ｂに基づいてプローブ痕２３がプローブ修理エリア５ｃに存在するか否かを判定し、プローブの修理・交換が必要であるか否かを判断する。ここでプローブ修理エリア５ｃは上述の通り、電極パッド４の下端から仮想線８ａまでの領域である。プローブ痕２３がプローブ修理エリア５ｃに存在しない場合、その半導体チップは組み立て工程に進む（Ｓ１０９）。プローブ痕２３がプローブ修理エリア５ｃに存在する場合、プローブカードの交換又は修理を行う（ステップＳ１０６）。これにより、次の半導体ウエハからは正常なプローブカードで検査が行われる。

プローブ痕２３がプローブ修理エリア５ｃに存在した電極パッド４に対して、続いて不良品判定が行われる（ステップＳ１０７）。具体的には、ボンディングエリアマーク７ａに基づいて、ステップＳ１０５で検出したプローブ痕２３がボンディングエリア５ａにあるか否かを判定する。プローブ痕２３がボンディングエリア５ａに存在しない場合、その半導体チップは組み立て工程に進む（ステップＳ１０９）。すなわち、プローブ痕２３がボンディングエリア５ａに存在しない半導体チップはワイヤボンディングに影響がないため、その半導体チップは良品と判断される。一方、プローブ痕２３がボンディングエリア５ａに存在する場合、その半導体チップは不良品として判断される（ステップＳ１０８）。

なお、ステップＳ１０４やステップＳ１０８で良品、不良品の判定がなされた半導体チップはそれぞれに異なるマークを付けて選別する。そして、半導体ウエハ１をスクライブライン上で切断した後、不良品である半導体チップは廃棄される。良品である半導体チップ１は組み立て工程（ステップＳ１０９）に進み、ダイボンディングやワイヤボンディング等の工程が実施される。また、ステップＳ１０８で不良品であると判定された半導体チップはさらにプローブ痕を詳細に検査してもよい。そして、詳細な検査によりプローブ痕がボンディングに影響がないと判断された場合、その半導体チップ１を組み立て工程（ステップＳ１０９）に回してもよい。

このようにして１枚の半導体ウエハ１を検査した後、ウエハカセット内の次の半導体ウエハを取り出す（ステップＳ１１０）。そして、上述と同様の工程により検査を行う。すなわち、Ｎ枚目の半導体ウエハ１００を検査した後、さらに（Ｎ＋１）枚目の半導体ウエハ１００を検査する。Ｎ枚目の半導体ウエハの検査後、経時的に劣化したテストプローブを交換又は修理することにより、（Ｎ＋１）枚目の半導体ウエハで不良品となる半導体チップ１が発生するのを防ぐことができる。これにより、生産性を向上することができる。

次に、上述の工程によりプローブ検査を行う検査装置の構成について図８を用いて説明する。図８は検査装置の構成を示すブロック図である。検査装置３０はプローブ検査ユニット４０とプローブ痕検出ユニットと５０を備えている。プローブ検査ユニット４０はプローブカード４１、ウエハセット部４２、アライメント部４３及びプローブ検査実行部４４を備えている。プローブ痕検出ユニット５０は表示部５１、検出部５２、プローブ修理判定部５３、不良品判定部５４及びエリア設定部５５とを備えている。

プローブ検査ユニット４０に設けられたプローブカード４１はプローブ針を複数備えている。複数のプローブ針は被検査対象である半導体チップ１の電極パッド４の配置と対応してプローブカード４１に取り付けられている。ウエハセット部４２は、半導体ウエハ１００を載置するためのステージと、ウエハカセットから１枚ずつ半導体ウエハを取り出してステージ上に載置するローダとを備えている。そして、ウエハセット部４２は例えば、２５枚の半導体ウエハが収納されたウエハカセットから１枚ずつ半導体ウエハを取り出して、ステージの上に載置する。このステージはＸＹ方向に移動可能及びθ方向に回転可能に設けられている。

アライメント部４３は半導体ウエハのオリエンテーションフラットに基づいてアライメントする。例えば、半導体ウエハのオリエンテーションフラットの端部を所定の位置に配置されたＣＣＤカメラによって撮像する。そして、そのＣＣＤカメラの画素において、オリエンテーションフラットの方向が所定の方向（Ｘ方向又はＹ方向）となるようにステージを回転し、さらにオリエンテーションフラット端部の位置が所定の位置となるようにＸＹ方向にステージを移動する。これにより、ステージ上の半導体ウエハをアライメントすることができる。

プローブ検査実行部４４はアライメントされた半導体ウエハに対してプローブ検査を実行する。例えば、テストプローブの先端が半導体ウエハに設けられた電極パッドと当接するように、プローブ針が設けられたプローブカード４１を移動させる。すなわち、半導体ウエハに設けられた半導体チップ上の電極パッドに対応してプローブ針が設けられているプローブカード４１を用意して、検査装置にセットしておく。このプローブ針の先端が電極パッドと当接するようにプローブカード４１を移動する。そして、電極パッド４に対して検査用の電気信号をテスタから出力するとともに、半導体チップ１からの出力信号をプローブカード４１を介してテスタに出力する。そして、テスタはこの出力信号に基づいて半導体チップ１の電気的特性を検査する。このとき、電極パッド表面におけるテストプローブのすべり方向はＸ方向又はＹ方向であり、仮想線８と垂直方向かつボンディングエリアから離れる方向とする。

プローブ検査が実行された半導体ウエハはプローブ痕検出ユニット５０によってプローブ痕が検出される。プローブ痕検出ユニット５０に設けられた検出部５２は、例えば、落射照明するための光源と、半導体ウエハで反射した光源からの光を検出するＣＣＤカメラなどの光検出器と、光源から半導体ウエハまで及び半導体ウエハから該光検出器まで光を伝播させる光学系を備えている。そして、例えば、半導体ウエハを載置したステージを走査することにより半導体ウエハ全面の画像を撮像する。半導体ウエハ全面を撮像したデータを画像データとしてメモリに記憶させる。このとき、走査方向をスクライブラインの方向と一致させることが好ましい。すなわち、半導体ウエハの走査方向をＸ方向又はＹ方向とする。

検出部５２はスクライブライン上に配設されたエリアマーク６を検出する。具体的には、エリアマーク６となるマークの形状を予め記憶させておき、半導体ウエハの画像のうち、このマークと一致したマークをエリアマーク６として認識する。なお、エリアマーク６のうち、プローブエリアマーク７ｂとボンディングエリアマーク７ａとを異なる形状のマークとするようにしてもよい。これにより、プローブエリアマーク７ｂとボンディングエリアマーク７ａとをそれぞれ確実に認識することができる。

エリア設定部５５はエリアマーク６に基づいて、電極パッド４におけるボンディングエリア５ａ、プローブエリア５ｂ及びプローブ修理エリア５ｃを設定する。例えば、プローブエリアマーク７ｂのパターンエッジをスクライブライン１１と平行な方向に延長した仮想線８ｂにより、プローブエリア５ｂとプローブ修理エリア５ｃとを設定する。また、ボンディングエリアマーク７ａのパターンエッジをスクライブラインと平行な方向に延長した仮想線８ａによりボンディングエリア５ａを設定する。

具体的には、検出部５２の光検出器を例えば、２次元アレイＣＣＤカメラとした場合、ＣＣＤカメラの画素の配列をＸ方向及びＹ方向と一致させる。すなわち、ＣＣＤカメラの画素がＸ方向及びＹ方向に配列するようにＣＣＤカメラを配置する。そして、ステージをＸ方向とＹ方向に走査して半導体ウエハ全面を撮像する。そして半導体ウエハの画像に基づいてエリアマーク６のパターンエッジを検出する。このエリアマーク６のパターンエッジからＸ方向又はＹ方向に延長した線が仮想線８になる。画像データにおけるパターンエッジの画素に基づいて各エリアを設定する。すなわち、撮像した画像データからパターンエッジを検出し、そのパターンエッジとなる画素を特定する。その画素からＸ方向又はＹ方向に伸びた延長線が仮想線８になるため、その画素を含むＸ方向の１画素列又はＹ方向の１画素列によって各エリアが定義される。

さらに、この検出部５２は反射率に違いに基づいて電極パッドや電極パッドに設けられたプローブ痕を検出することができる。すなわち、電極パッド４では表面に金属が露出しているため、絶縁膜やＳｉ基板等のその他の部分よりも反射率が高くなる。さらに、プローブ痕では、表面に凹凸が設けられているため、プローブ痕がない電極パッド表面と比べて反射率が低くなる。従って、半導体ウエハ表面での反射光を検出することにより、反射率の差に基づいて電極パッドやプローブ痕の位置を特定することができる。これにより、電極パッド、プローブ痕やエリアマークとなる画素が検出される。

例えば、図４に示す構成では、ボンディングエリアマーク７ａの上側のパターンエッジとなる画素を検出する。電極パッドに対応する画素のうち、その画素を含むＸ方向の画素列より下の画素がボンディングエリア５ａとなる。またプローブエリアマーク７ｂの下側のパターンエッジとなる画素を検出する。電極パッドに対応する画素のうち、この画素を含むＸ方向の画素列より上側の画素がプローブエリア５ｂとなり、その画素列より下側の画素がプローブ修理エリア５ｃとなる。このような処理を行うことにより各エリアとなる画素を容易に設定することできる。このように画素の配列とスクライブラインの方向とを一致させることにより、容易に各エリアを定義することができる。

表示部５１はＬＣＤやＣＲＴなどの表示装置を備えており、撮像した半導体ウエハの画像を表示することができるようになっている。通常、半導体ウエハの画像は拡大して表示される。このとき、Ｘ方向又はＹ方向に沿って配置された仮想線８を画面上に表示させてもよい。

プローブ修理判定部５３は上述のように定義されたプローブ修理エリア５ｃに基づいて、プローブカードを修理又は交換するか否かを判定する。具体的には、各電極パッドに設けられたプローブ痕を検出する。すなわち、電極パッド４のうち、プローブ痕である画素を特定する。そして、プローブ痕となる画素がプローブ修理エリア５ｃに含まれるか否かにより、プローブカードの修理又は交換を行うを判定する。すなわち、プローブ痕となる画素がプローブ修理エリア５ｃとなる画素に含まれている場合、プローブカード４１の修理又は交換を行うと判断する。これにより、次の半導体ウエハから正常なプローブカードで検査を行うことができる。また、プローブ痕となる画素がプローブ修理エリア５ｃとなる画素に含まれていない場合、すなわち、プローブエリア５ｂにのみプローブ痕が存在する場合、プローブカードの修理・交換を行わないと判断する。

不良品判定部５４は、上述のように定義されたボンディングエリア５ａに基づいて不良品判定を行う。具体的には、上述のようにプローブ痕として検出された画素が、ボンディングエリアに含まれるか否かにより、不良品判定を行う。プローブ痕として検出された画素がボンディングエリア５ａとなる画素に含まれる場合、不良品として判断し、ボンディングエリア５ａとなる画素に含まれない場合、良品として判断する。このようにして、不良品か否かを判断する。

なお、不良品判定又はプローブ修理判定は手動により行うこともできる。この場合、各エリアを定義するための仮想線８を表示部５１に表示させ、プローブ痕がどのエリアに存在するかを目視により確認する。これにより、容易に判定を行うことができる。

なお、図９に示すように半導体チップの両端にエリアマークを設け、このエリアマークを結ぶ仮想線８ａ、８ｂによりプローブエリア、ボンディングエリア及びプローブ修理エリアをそれぞれ定義しても良い。ここで図９は半導体チップ１の下端の構成を示している。すなわち、半導体チップ１の両端のスクライブライン１１上にボンディングエリアマーク７ａ及びプローブエリアマーク７ｂをそれぞれ設ける。そして、この両端のボンディングエリアマーク７ａを結ぶ線を仮想線８ａとし、プローブエリアマーク７ｂを結ぶ線を仮想線８ｂとする。

プローブエリアマーク７ｂとボンディングエリアマーク７ａとは物理的に同じマークであってもよい。この場合、例えば、エリアマーク６のパターンエッジから延長した仮想線によりボンディングエリア５ａを定義し、反対側のエッジから延長した仮想線により、プローブエリア５ｂを定義してもよい。すなわち、図４に示す構成において、エリアマークの上端を８ｂと一致させ、下端を８ａと一致させる。あるいは、エリアマークのエッジに基づいてプローブエリア５ｂ又はボンディングエリア５ａのいずれか一方を定義し、そのエッジから所定の画素数ずれた画素により他方のエリアを定義しても良い。すなわち、画像データから１画素に相当する距離を求め、プローブエリア５ｂとプローブ修理エリア５ｃとの差に対応する距離だけずれた画素を含む画素列を仮想線８としてもよい。

本発明にかかる半導体装置を備える半導体ウエハの構成を模式的に示す上面図である。 図１の半導体ウエハに設けられた半導体チップの構成を模式的に示す上面図である。 本発明にかかる半導体チップのスクライブ前の構成を示す図である。 本発明にかかる半導体ウエハにおける電極パッドとエリアマークの構成を示す図である。 検査時及びボンディング時における電極パッドの構成を示す上面図である。 電極パッドの構成を模式的に示す図である。 本発明にかかる半導体の検査方法を示すフローチャートである。 本発明にかかる半導体の検査装置の構成を示すブロック図である。 本発明にかかる半導体ウエハにおける電極パッドとエリアマークの別の構成を示す図である。

符号の説明

１ 半導体チップ、２ 内部回路、３ Ｉ／Ｏ回路領域、４ 電極パッド、
５ａ ボンディングエリア、５ｂ プローブエリア、５ｃ プローブ修理エリア
６ エリアマーク、７ａ ボンディングエリアマーク、７ｂ プローブエリアマーク、
８ 仮想線、１１ スクライブライン、１２ スクライブラインの中心線、
２１ テストプローブ、２２ ボンディングワイヤ、２３ プローブ痕、
３０ プローブ検査装置、４０ 検査ユニット、４１ プローブカード、
４２ ウエハセット部 ４３ アライメント部、４４ プローブ検査実行部、
５０ プローブ痕判定ユニット、５１ 表示部、５２ 検出部、
５３ プローブ修理判定部、５４ 不良品判定部、５５ エリア設定部、
１００ 半導体ウエハ

Claims (19)

1. 一のエッジを有するプローブエリアマークと、
   前記プローブエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有するボンディングエリアマークと、
   前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークのそれぞれとは離間して設けられ、一端および他端の間の領域内に、前記プローブエリアマークの前記一のエッジを延長してなる第１の仮想線と前記一端とに挟まれており接触傷が形成されているプローブエリアと、前記ボンディングエリアマークの前記一のエッジを延長した第２の仮想線と前記他端とに挟まれておりボンディングワイヤが形成されているボンディングエリアを含む電極パッドと、
   を有する半導体装置。
2. 前記電極パッドの外周を覆うよう設けられた絶縁膜をさらに備える請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークがスクライブライン上に設けられている請求項１又は２に記載の半導体装置。
4. 前記第１の仮想線及び第２の仮想線は前記スクライブラインと平行であることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
5. 前記電極パッドは、前記第１の仮想線と前記他端とに挟まれるプローブ修理エリアをさらに含み、前記プローブ修理エリアには接触傷が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
6. 前記プローブエリアマーク及び前記ボンディングエリアマークはそれぞれ第１のプローブエリアマーク及び第１のボンディングエリアマークであり、
   前記電極パッドと離間しており前記第１のプローブエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有する第２のプローブエリアマークと、
   前記電極パッドを離間しており前記第１のボンディングエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有する第２のボンディングエリアマークと、をさらに有し、
   前記電極パッドの前記プローブエリアは前記第１のプローブエリアマークの前記一のエッジと前記第２のプローブエリアマークの前記一のエッジを結ぶ第３の仮想線と前記一端とに挟まれる領域であり、
   前記電極パッドの前記ボンディングエリアは前記第１のボンディングエリアマークの前記一のエッジと前記第２のボンディングエリアマークの前記一のエッジを結ぶ第４の仮想線と前記他端とに挟まれる領域である、ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
7. 前記第１の仮想線から傾いた方向に前記接触傷が形成されている請求項１に記載の半導体装置。
8. 前記接触傷は、テストプローブを前記電極パッドに接触させることで生じるプローブ痕であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
9. 前記プローブエリアマークの形状は矩形、三角形、台形のいずれかであり、
   前記ボンディングエリアマークの形状は矩形、三角形、台形のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
10. 前記プローブエリアマークまたは前記ボンディングエリアマークは、所定の金属層をパターニングすることで形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
11. 前記所定の金属層は、前記電極パッドと同じ金属層であることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置。
12. 一のエッジを有するプローブエリアマークと、前記プローブエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有するボンディングエリアマークと、前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークのそれぞれとは離間して設けられ、一端および他端の間の領域内に、前記プローブエリアマークの前記一のエッジを延長してなる第１の仮想線と前記一端とに挟まれるプローブエリアと、前記ボンディングエリアマークの前記一のエッジを延長した第２の仮想線と前記他端とに挟まれるボンディングエリアと、前記第１の仮想線と前記他端とに挟まれるプローブ修理エリアを含む電極パッドと、を有する半導体装置の前記電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行い、
    前記テストプローブのプローブ痕が前記プローブ修理エリアにあるか否かを判定し、
    前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された場合に前記テストプローブの修理又は交換を行い、
    前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された場合には前記電極パッドに対して、前記プローブ痕が前記ボンディングエリアにあるか否かを判定し、
    前記プローブ痕が前記ボンディングエリアにあると判定された場合には前記電極パッドを有する前記半導体装置を不良品であると判別する半導体装置の検査方法。
13. 前記プローブエリアマーク及び前記ボンディングエリアマークがスクライブライン上に設けられている請求項１２に記載の半導体装置の検査方法。
14. 前記第１の仮想線及び前記第２の仮想線は前記スクライブラインと平行であることを特徴とする請求項１３に記載の半導体装置の検査方法。
15. 前記電極パッドの表面において前記テストプローブが前記第１の仮想線から傾いた方向に移動させる請求項１２に記載の半導体方法。
16. 一のエッジを有するプローブエリアマークと、前記プローブエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有するボンディングエリアマークと、前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークのそれぞれとは離間して設けられ、一端および他端の間の領域内に、前記プローブエリアマークの前記一のエッジを延長してなる第１の仮想線と前記一端とに挟まれるプローブエリアと、前記ボンディングエリアマークの前記一のエッジを延長した第２の仮想線と前記他端とに挟まれるボンディングエリアと、前記第１の仮想線と前記他端とに挟まれるプローブ修理エリアを含む電極パッドと、を有する半導体装置の前記電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行うプローブ検査実行部と、
    前記電極パッドに形成された前記テストプローブのプローブ痕が前記プローブ修理エリアにあるか否かを判定するプローブ修理判定部と、
    前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された場合には前記電極パッドに対して、前記プローブ痕が前記ボンディングエリアにあるか否かに基づいて前記半導体装置が不良品か否かを判定する不良品判定部とを備える半導体装置の検査装置。
17. 前記プローブ修理エリアを定義し、前記ボンディングエリアを定義するエリア設定部をさらに備える請求項１６に記載の半導体装置の検査装置。
18. 前記プローブ痕を光学的に検出する検出部をさらに備える請求項１６に記載の半導体装置の検査装置。
19. 一のエッジを有するプローブエリアマークと、前記プローブエリアマークとは別に設けられ、一のエッジを有するボンディングエリアマークと、前記プローブエリアマーク及びボンディングエリアマークのそれぞれとは離間して設けられ、一端および他端の間の領域内に、前記プローブエリアマークの前記一のエッジを延長してなる第１の仮想線と前記一端とに挟まれるプローブエリアと、前記ボンディングエリアマークの前記一のエッジを延長した第２の仮想線と前記他端とに挟まれるボンディングエリアと、前記第１の仮想線と前記他端とに挟まれるプローブ修理エリアを含む電極パッドと、を有する半導体装置の前記電極パッドにテストプローブを当接して当該半導体装置の電気検査を行い、
    前記テストプローブのプローブ痕が前記プローブ修理エリアにあるか否かにより、
    前記テストプローブの交換又は修理を行い、前記プローブ痕が前記プローブ修理エリアにあると判定された場合には前記電極パッドにおいて前記プローブ痕が前記ボンディングエリアにあるか否かにより前記半導体装置が良品か不良品であるかを判別し、
    前記半導体装置が良品であると判別された場合に、前記電極パッドの前記ボンディングエリアに外部電極をボンディングする半導体装置の製造方法。

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