KR101071013B1 - 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 과제는 전극 패드가 미세화된 경우에도 전극 패드에 형성된 바늘자국을 이용하는 것에 의해 피검사체의 전극 패드와 프로브를 고정밀도로 반복 접촉시켜서 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 검사 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 검사 방법은 검사 장치(10)에 있어서 제어장치(15)의 제어 하에, 반도체 웨이퍼(W)의 전극 패드 P에 형성된 구바늘자국 F를 이용하여, 금회의 고온 검사로 복수의 프로브(12A)의 접촉 가능 영역 S를 구하고, 접촉 가능 영역 S내이고 또한 바늘자국이 없는 빈 영역에 프로브(12A)가 접촉하도록 구성되어 있다.
Description
본 발명은 프로브 카드를 이용해서 반도체 웨이퍼 등의 피검사체의 전기적 특성 검사를 실행하는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 검사의 신뢰성을 높일 수 있는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체에 관한 것이다.
검사 장치는 서로 인접하는 로더실과 프로버실을 구비하고 있다. 로더실은 피검사체(예를 들면, 반도체 웨이퍼)를 카세트 단위로 탑재하는 탑재부와, 카세트내로부터 반도체 웨이퍼를 1개씩 반송하는 반도체 웨이퍼 반송 기구와, 반도체 웨이퍼를 반송하는 도중에 반도체 웨이퍼의 프리 얼라이먼트를 실행하는 서브 척을 구비하고 있다. 프로버실은 로더실의 웨이퍼 반송 기구에 의해서 반송되어 온 반도체 웨이퍼를 탑재하는 온도 조절 가능하고 또한 이동 가능한 메인 척과, 메인 척의 위쪽에 배치된 프로브 카드와, 프로브 카드의 복수의 프로브와 메인 척상의 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 디바이스 각각의 복수의 전극 패드의 얼라인먼트를 실행하는 얼라인먼트 기구를 구비하고, 얼라인먼트 기구를 거쳐서 반도체 웨이퍼의 전극 패드와 프로브의 얼라인먼트를 실행한 후, 메인 척을 거쳐서 반도체 웨이퍼를 소정의 온도로 설정하고, 이 설정 온도에서 피검사체의 전기적 특성 검사를 실행하도록 구성되어 있다.
반도체 웨이퍼의 개개의 디바이스에 대해 전기적 특성 검사를 실행하는 경우에는 얼라인먼트 기구의 촬상 수단(예를 들면, CCD 카메라)을 이용하여, 반도체 웨이퍼에 형성된 복수의 전극 패드를 포함하는 디바이스를 촬상하는 동시에 프로브 카드의 복수의 프로브의 바늘 끝을 촬상하고, 이들 양자의 위치 정보에 의거하여 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 얼라인먼트를 실행한다. 그 후, 탑재대를 거쳐서 반도체 웨이퍼를 소정 치수만큼 상승시키고, 또한 오버 드라이브시켜 복수의 전극 패드와 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시키는 것에 의해 디바이스의 전기적 특성 검사를 실행한다. 그런데, 디바이스의 고집적화에 의해 전극 패드가 급격히 미세화되는 동시에 패드 수가 증가하고, 프로브 카드의 프로브의 개수도 급격히 증가하고 있다. 이 때문에, 얼라인먼트시에 CCD 카메라로 프로브의 검출이 곤란하게 되고 있다.
그런데, 검사를 반복하는 동안에, 복수의 프로브의 변형 등으로 바늘 끝 위치가 변동한다. 복수의 프로브가 변형되어 바늘 끝 위치가 서서히 높아지면, 반도체 웨이퍼를 오버 드라이브시켜도 복수의 프로브와 복수의 전극 패드의 도통이 취해지지 않는 경우가 있다. 그래서, 특허문헌 1에는 오버 드라이브량을, 실제의 패드상에 형성된 바늘자국을 카메라로 검출해서 비교하고, 바늘 선단 위치가 높아지 면, 비교 결과에 의거하여 메인 척을 상승시켜 항상 적정한 오버 드라이브량을 부여하여, 안정된 검사를 실행할 수 있는 프로버에 대해 기재되어 있다.
특허문헌 2에는 가상적인 패드(설계상의 패드)와 프로브의 접촉 상태에 의해 위치 어긋남 정보를 얻어, 실제의 패드와 프로브의 접촉 상태를 미리 가상적으로 모니터링할 뿐만 아니라, 그 접촉 상태에서 얻어진 결과에 따라, 최적의 접촉 상태로 보정할 수 있는 검사 장치에 대해 기재되어 있다.
특허문헌 3에는 바늘의 위치 및 전극의 위치를 각각 검출하고, 표시장치에 바늘자국의 화상 및 바늘자국의 위치를 나타내는 바늘자국 마크를 표시하고, 바늘자국 마크의 위치 어긋남을 산출하며, 오퍼레이터가 화상상에서 바늘자국 마크의 위치를 수정하고, 바늘자국 마크의 위치 어긋남을 산출하며, 산출된 어긋남에 의거하여 반도체 웨이퍼의 이동량 연산 보정값을 수정하는 프로버에 대해 기재되어 있다.
또, 특허문헌 4에는 전극 패드에 형성된 바늘 자국에 따라 다음에 접촉하는 프로브의 위치 어긋남량을 구하는 검사 장치에 대해 기재되어 있다. 또한, 이 검사 장치에서는 기존의 바늘 자국이 형성된 전극 패드에 프로브가 접촉한 후, 그 전극 패드를 포함하는 영역을 나타내는 접촉후 화상을 얻은 후, 그 화상과 접촉전의 화상과 비교하는 것에 의해, 최신의 바늘 자국을 취득하고, 최신의 바늘 자국을 이용하여 위치 어긋남량을 보정하며, 그 위치 어긋남량을 다음의 검사에 사용하는 기술이 기재되어 있다.
[특허문헌 1] 일본국 특허공개공보 평성5-036765호
[특허문헌 2] 일본국 특허공개공보 평성7-288270호
[특허문헌 3] 일본국 특허공개공보 제2006-339196호
[특허문헌 4] 일본국 특허공개공보 제2006-278381호
그러나, 종래의 기술은 모두 복수의 전극과 복수의 프로브의 위치 어긋남량을 구하는 것에 의해, 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 위치 어긋남을 보정할 수 있지만, 이 보정에 의해 복수의 프로브가 각각의 전극 패드내에서 확실하게 접촉한다고 하는 보증은 없고, 또한, 접촉한다고 해도 기존의 바늘자국에 새로운 바늘자국이 반복 중복해서 접촉하면 전극 패드가 손상되고, 더 나아가서는 디바이스가 손상될 우려가 있다.
본 발명은 상기 과제를 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 전극 패드가 미세화 및 박막화된 경우에도 전극 패드에 형성된 바늘자국을 이용하는 것에 의해 피검사체의 전극 패드와 프로브를 고정밀도로 반복 접촉시켜 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 본 발명은 전극 패드가 미세화 및 박막화된 경우에도 전극 패드에 형성된 바늘자국을 이용하는 것에 의해 피검사체의 전극 패드를 손상시키는 일 없이 프로브와 고정밀도로 반복 접촉시켜 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체를 아울러 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
본 발명의 청구항 1에 기재된 검사 방법은, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며, 상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은, 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과, 상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과, 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과, 상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과, 상기 제 2 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 각 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량과, 상기 복수의 전극 패드 각각의 크기 및 각각의 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 크기를 이용하여, 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 가능 영역을 상기 각 전극 패드내에서 구하는 제 6 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 2에 기재된 검사 방법은, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며, 상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은, 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과, 상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과, 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과, 상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과, 상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 전극 패드 각각의 새로운 바늘자국의 화상을 추출하고, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 새로운 바늘자국의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 구하고, 이들 접촉 예정 위치와 상기 제 2 화상의 바늘자국이 없는 빈 영역을 비교하여, 상기 접촉 예정 위치가 각각의 빈 영역에 포함될 때에는 상기 각 빈 영역내에 상기 접촉 예정 위치를 배치하고 각각의 중심(重心)을 구하는 제 6A 공정과, 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 위치를 상기 각 빈 영역내에 배치된 상기 접촉 예정 위치의 중심에 맞추는 보정을 하는 제 7 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 3에 기재된 검사 방법은, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며, 상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은, 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과, 상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과, 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과, 상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과, 상기 제 2 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 각 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량과, 상기 복수의 전극 패드 각각의 크기 및 각각의 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 크기를 이용하여, 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 가능 영역을 상기 각 전극 패드내에서 구하는 제 6 공정과, 상기 복수의 접촉 가능 영역 각각이 상기 제 2 화상의 상기 복수의 전극 패드내에 각각 포함되는지 아닌지를 판단하는 제 7A 공정과, 상기 복수의 접촉 가능 영역 각각이 상기 복수의 전극 패드에 포함될 때에는 상기 제 1 화상과 제 2 화상에 의거하여 상기 복수의 전극 패드내의 새로운 바늘자국의 화상을 추출하는 제 8 공정과, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 새로운 바늘자국의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 구하고, 상기 접촉 예정 위치와 상기 복수의 전극 패드 각각의 접촉 가능 영역내의 바늘자국이 없는 빈 영역을 각각 비교하고, 상기 접촉 예정 위치가 상기 각 빈 영역에 포함될 때에는 상기 각 빈 영역내에 상기 접촉 예정 위치를 배치하고 각각의 중심(重心)을 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 위치로서 구하는 제 9 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 4에 기재된 검사 방법은, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며, 상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은, 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과, 상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과, 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과, 상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과, 상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 새로운 바늘자국의 화상을 각각 추출하고, 이들 추출 화상을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 각각 구하는 제 6B 공정과, 상기 복수의 접촉 예정 위치에 각각 배치된 상기 복수의 추출 화상이 기존의 바늘자국과 서로 중첩될 때에는 그 중첩이 최소가 되는 위치에 상기 각 접촉 예정 위치를 최단 거리로 이동시켜, 상기 접촉 예정 위치의 보정을 하는 제 7B 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 5에 기재된 검사 방법은, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며, 상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은, 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과, 상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과, 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과, 상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과, 상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과, 상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 새로운 바늘자국의 화상을 각각 추출하고, 이들 추출 화상을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 각각 구하는 제 6B 공정과, 상기 제 2 화상의 상기 복수의 전극 패드내 각각에서 상기 기존의 복수의 바늘자국에 의거하여 보로노이도(VORONOI DIAGRAM)를 작성하고, 상기 복수의 접촉 예정 위치에 배치된 상기 각 추출 화상의 중심을 가장 가까운 보로노이 경계선상까지 최단 거리로 이동시켜 상기 각 접촉 예정 위치를 각각 보정하는 제 7C 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 6에 기재된 검사 방법은, 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 새로운 바늘자국은 미리 소정 온도로 설정된 피검사체를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 7에 기재된 검사 방법은, 청구항 1 내지 청구항 5 중의 어느 한 항에 기재된 발명에 있어서, 상기 제 2 공정에서 구하는 위치 어긋남량은 상기 복수의 전극 패드의 중심과, 상기 복수의 전극 각각에 형성된 상기 바늘자국의 중심을 이용하여 최소 제곱법에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 1 또는 청구항 3에 기재된 발명에 있어서, 상기 제 6 공정에서 구하는 접촉 가능 영역의 x좌표값의 범위는 상기 복수의 전극 패드의 중심을 원점으로 해서, 상기 전극 패드의 마이너스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 가산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최대의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 큰 쪽을 최소의 x좌표로서 구하는 동시에, 상기 전극 패드의 플러스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 감산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최소의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 작은 쪽을 최대의 x좌표로서 구하고, 또한 상기 접촉 가능 영역의 y좌표의 범위는 상기 x좌표값의 범위와 마찬가지로 해서 구하는 것을 특징으로 하는 것이다.
또, 본 발명의 청구항 9에 기재된 프로그램 기록 매체는, 컴퓨터를 구동시켜, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하는 검사 방법을 실행하는 프로그램을 기록한 프로그램 기록 매체로서, 상기 바늘자국을 이용해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정할 때에, 상기 프로그램은 상기 컴퓨터를 구동시켜, 청구항 1 내지 청구항 5중의 어느 한 항에 기재된 검사 방법을 실행하는 것을 특징으로 하는 것이다.
본 발명에 따르면, 전극 패드가 미세화 및 박막화된 경우에도 전극 패드에 형성된 바늘자국을 이용하는 것에 의해 피검사체의 전극 패드와 프로브를 고정밀도로 반복 접촉시켜 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체를 제공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 본 발명에 따르면, 전극 패드가 미세화 및 박막화된 경우에도 전극 패드에 형성된 바늘자국을 이용하는 것에 의해 피검사체의 전극 패드를 손상시키는 일 없이 프로브와 고정밀도로 반복 접촉시켜 신뢰성이 높은 검사를 실행할 수 있는 검사 방법 및 이 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체를 아울러 제공하는 것을 목적으로 하고 있다.
이하, 본 발명의 검사 장치 및 검사 방법의 일 실시형태에 대해 도 1 ∼도 8을 참조하면서 설명한다. 각 도면 중, 도 1은 본 발명 방법의 일 실시형태를 실시하기 위해 이용되는 검사 장치의 구성을 나타내는 블록도, 도 2는 도 1에 나타내는 검사 장치를 이용하는 본 발명의 검사 방법의 일 실시형태를 나타내는 흐름도, 도 3은 도 1에 나타내는 흐름도의 일부를 더욱 상세하게 나타내는 흐름도, 도 4의 (a), (b)는 각각 디바이스의 전극 패드에 있어서의 프로브의 바늘자국에 의거하여 위치 어긋남량의 보정을 나타내는 평면도로서, (a)는 구바늘자국을 나타내는 도면이고, (b)는 이상적인 프로브의 바늘자국을 나타내는 도면, 도 5의 (a)∼(c)는 각각 제 2 화상의 전극 패드상의 바늘자국으로부터 제 1 화상의 전극 패드의 기존의 바늘자국을 이용하여 새로운 바늘자국을 추출하는 공정을 나타내는 평면도, 도 6의 (a), (b)는 각각 본 발명의 검사 방법의 다른 실시형태를 설명하는 설명도, 도 7의 (a), (b)는 각각 전극 패드에 있어서의 프로브의 접촉 가능 영역을 나타내는 평면도, 도 8의 (a), (b), (c)는 각각 전극 패드에 있어서의 프로브의 접촉 가능 영역과 다음의 검사에서 할당하는 프로브의 배치 영역의 관계를 나타내는 도면, 도 9의 (a)∼(c)은 각각 전극 패드내의 빈 영역내에 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 배치하는 방법을 설명하기 위한 평면도, 도 10의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치와 기존의 바늘자국의 중첩된 상태를 설명하기 위한 평면도, 도 11의 (a)∼(d)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치와 기존의 바늘자국이 중첩된 상태를 설명하기 위한 평면도, 도 12의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 방법을 설명하기 위한 평면도, 도 13은 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 방법을 구체적으로 설명하기 위한 평면도, 도 14는 프로브의 접촉 예정 위치가 패시베이션층에 걸렸을 때의 최적 위치로 이동시켜 접촉 예정 위치를 보정하는 방법을 설명하기 위한 평면도, 도 15의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 다른 방법을 설명하기 위한 평면도이다.
(제 1 실시형태)
우선, 본 발명의 검사 방법을 기록한 프로그램 기록 매체를 구비한 검사 장치에 대해 설명한다. 이 검사 장치(10)는 예를 들면 도 1에 나타내는 바와 같이, 피검사체인 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하고 또한 온도 조정 기구를 내장하는 이동 가능한 탑재대(11)와, 이 탑재대(11)의 위쪽에 배치된 프로브 카드(12)와, 이 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)와 탑재대(11)상의 반도체 웨이퍼(W)의 얼라인먼트를 실행하는 얼라인먼트 기구(13)와, 얼라인먼트 기구(13)를 구성하는 촬상 수단(예를 들면, CCD 카메라)(13A)과, CCD 카메라(13A)에 의해서 촬상된 화상을 표시하는 표시 화면(14)을 갖는 표시장치와, 이들 구성 기기를 제어하는 컴퓨터를 주체로 하는 제어장치(15)를 구비하고, 제어장치(15)의 제어 하에, 얼라인먼트 기구(13)에 의해서 탑재대(11)상의 반도체 웨이퍼(W)와 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)의 얼라인먼트를 실행한 후, 복수의 프로브(12A)와 반도체 웨이퍼(W)를 전기적으로 접촉시켜 반도체 웨이퍼(W)의 전기적 특성 검사를 실행하도록 구성되어 있다.
또, 검사 장치(10)는 도 1에 나타내는 바와 같이 표시 화면(14), 키보드 등 의 입력부(16)를 구비하고, 입력부(16)에 의해서 본 발명의 검사 방법을 실행하기 위해 각종 검사 조건을 입력할 수 있으며, 표시 화면(14)상에 표시된 메뉴나 아이콘을 조작해서 각종 프로그램 등을 실행할 수 있다.
탑재대(11)는 도 1에 나타내는 바와 같이 구동 기구(11A) 및 검출기(예를 들면, 인코더)(11B)를 구비하고, 구동 기구(11A)를 거쳐서 X, Y, Z 및 θ방향으로 이동함과 함께 인코더(11B)를 통해서 이동량을 검출하도록 구성되어 있다. 구동 기구(11A)는 탑재대(11)가 배치된 XY테이블을 구동하는 예를 들면 모터와 볼 나사를 주체로 하는 수평 구동 기구(도시하지 않음)와, 탑재대(11)에 내장된 승강 구동 기구와, 탑재대(11)를 θ방향으로 회전시키는 θ구동 기구를 구비하고 있다. 인코더(11B)는 모터의 회전수를 거쳐서 XY테이블의 X, Y방향으로의 이동 거리를 각각 검출하고, 각각의 검출 신호를 제어장치(15)로 송신한다. 제어장치(15)는 엔코더(11B)로부터의 신호에 의거하여 구동 기구(11A)를 제어하고, 이로써 탑재대(11)의 X, Y방향으로의 이동량을 제어한다.
얼라인먼트 기구(13)는 상술한 바와 같이 CCD 카메라(13A) 및 얼라인먼트 브리지(13B)를 구비하고 있다. 도 1에 나타내는 바와 같이, CCD 카메라(13A)는 얼라인먼트 브리지(13B)에 장착되어 있다. CCD 카메라(13A)는 줌 기능을 구비하고, 소정의 배율로 반도체 웨이퍼(W)를 촬상한다.
CCD 카메라(13A)는 얼라인먼트 브리지(13B)를 거쳐서 프로버실의 배면으로부터 프로브 센터까지 진출하여 프로브 카드(12)와 탑재대(11)의 사이에 위치하고, 여기서 탑재대(11)가 X, Y방향으로 이동하는 동안에, 반도체 웨이퍼(W)를 위쪽부터 소정의 배율로 촬상하고, 촬상 신호를 제어장치(15)로 송신하며, 제어장치(15)를 거쳐서 그 반도체 웨이퍼의 화상을 표시 화면(14)상에 표시한다.
제어장치(15)는 중앙 연산 처리부(15A)와, 본 발명의 검사 방법을 실행하기 위한 프로그램을 포함하는 각종 프로그램이 기억된 프로그램 기억부(15B)와, 각종 데이터를 기억하는 기억부(15C)와, CCD 카메라(13A)로부터의 촬상 신호를 화상 처리하는 화상 처리부(15D)와, 이 화상 처리부(15D)로부터의 화상신호를 화상 데이터로서 기억하는 화상 기억부(15E)와, 이 화상신호에 의거해서 표시 화면(14)에 촬상 화상 등을 표시하기 위한 표시 제어부(15F)를 구비하고, 중앙 연산 처리부(15A)와 프로그램 기억부(15B), 기억부(15C)와의 사이에서 신호를 송수신하여 검사 장치(10)의 각종 구성 기기를 제어한다.
중앙 연산 처리부(15A)에는 입력부(16)가 접속되고, 입력부(16)로부터 입력된 각종 데이터 신호를 중앙 연산 처리부(15A)에서 처리하고, 기억부(15C)에 저장한다. 본 실시형태에서는 프로그램 기억부(15B)에 본 발명의 검사 방법을 실행하기 위한 프로그램이 저장되고, 표시 화면(14)에는 촬상 화상 및 조작 패널 등이 표시된다. 조작 패널은 후술하는 바와 같이 얼라인먼트에 앞서 CCD 카메라(13A)를 이동 조작하거나, 혹은 프로브 카드(12)의 위치 데이터 등의 화상정보를 등록하는 기능을 갖고 있다. 즉, CCD 카메라(13A)는 조작 패널의 수평 이동 조작 키를 누름으로써 X, Y방향으로 이동하는 동시에, 조작 패널의 상하 이동 조작 키를 누름으로써 Z방향으로 이동하도록 구성되어 있다.
또, 중앙 연산 처리부(15A)에는 화상 기억부(15E) 및 표시 제어부(15F)가 접 속되고, CCD 카메라(13A)에 의한 촬상 화상을 중앙 연산 처리부(15A) 및 표시 제어부(15F)를 거쳐서 표시 화면(14)상에 각각 표시한다. 화상 기억부(15E)에는 CCD 카메라(13A)에 의한 현재의 촬상 화상 이외에, 과거의 촬상 화상이나 가공 화상 등을 저장할 수 있다.
본 발명의 검사 방법 등의 프로그램은 각종 기록 매체를 거쳐서 프로그램 기억부(15B)에 저장되어 있다. 또한, 이들 프로그램은 통신 매체에 의해서 각종 검사 장치에 다운로드할 수도 있다. 본 실시형태에서는 프로그램 기억부(15B)에 저장된 검사 방법의 프로그램을 실행하도록 하고 있다.
다음에, 본 발명의 검사 방법의 일 실시형태에 대해 도 2∼도 6도 참조하면서 설명한다. 본 실시형태의 검사 방법은 검사 장치(10)에 부대하는 바늘자국의 정밀검사 기능을 이용하여, 전회의 검사에서 전극 패드에 형성된 기존의 바늘자국(이하,「구바늘자국」이라 함)을 이용하여, 금회의 검사전에 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정한 후, 복수의 전극 패드에 복수의 프로브를 접촉시켜 새로운 바늘자국(이하, 「신바늘자국」이라 함)을 형성하고, 신바늘자국을 이용하여 다음회의 최적의 접촉 위치를 구하는 점에 특징이 있다. 따라서, 본 실시형태의 검사 방법에서 이용되는 반도체 웨이퍼(W)는 이미 적어도 1회의 전기적 특성 검사가 실시되어, 복수의 디바이스의 전극 패드에는 각각 프로브 바늘자국이 적어도 하나씩 형성되어 있다. 그리고, 금회의 검사에서는 전회의 검사에서 사용된 프로브 카드와 동일한 것이 이용된다.
본 실시형태의 검사 방법은 예를 들면 도 2에 나타내는 흐름도에 따라 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치가 보정된다. 이하에서는 반도체 웨이퍼(W)의 고온 검사를 실행하는 경우에 대해 설명한다.
즉, 도 2에 나타내는 바와 같이 금회의 접촉전에 구바늘자국 F가 있는 전극 패드 P(도 4 참조)를 갖는 디바이스 D를 CCD 카메라(13A)에 의해서 촬상한다(스텝 S1). 상세하게는, 검사 장치(10)에 있어서, 제어장치(15)의 제어 하에 웨이퍼 반송 기구에 의해서 로더실로부터 프로버실 내의 탑재대(11)상에 반도체 웨이퍼(W)를 탑재하는 동시에 온도 조정 기구를 이용해서 반도체 웨이퍼(W)를 소정의 온도(예를 들면, 150℃)까지 가열한다. 그 동안, 얼라인먼트 브리지(13B)가 프로버실의 배면으로부터 프로브 센터까지 진출하고 정지한다.
그 후, 탑재대(11)가 X, Y 방향으로 이동하는 동안에, 얼라인먼트 브리지(13B)의 CCD 카메라(13A)가 저배율로 반도체 웨이퍼(W) 중의 소정의 디바이스 D를 찾아내고, 그 디바이스 D가 CCD 카메라(13A)의 바로 아래에 도달하면, CCD 카메라(13A)가 고배율이 되어 소정의 디바이스 D를 촬상한다(스텝 S1). CCD 카메라(13A)는 촬상 신호를 화상 처리부(15D)에 송신하고, 여기서 예를 들면 소정의 임계값을 기준으로 해서 촬상 신호에 의거하여 촬상 화상의 이진화 처리를 실행한 후, 화상 기억부(15E)에서 그 화상을 제 1 화상으로서 기억한다. 또한, 제어장치(15)의 표시 제어부(15F)가 작동하여, 화상 기억부(15E)의 제 1 화상을 표시 화면(14)에 도 1에 나타내는 바와 같이 표시한다.
도 1에 나타내는 제 1 화상을 확대한 것이 도 4의 (a)에 나타내는 화상이다. 도 4의 (a)에 있어서, 디바이스 D의 화상은 이진화 화상으로서 표시되고, 전극 패 드 P가 희고, 구바늘자국 F를 포함하는 다른 부분이 검게 표시되어 있다. 각 전극 패드 P내에서 직교하는 파선은 각 전극 패드 P의 각 변의 중간점을 통과하고, 각 파선의 전극 패드 P내에서의 교점이 전극 패드 P의 xy좌표의 원점 O가 된다. 또한, 구바늘자국 F의 크로스 마크는 그 중심(重心)을 나타내고 있다.
또, 도 4의 (b)는 설계대로 제작된 이상적인 프로브 카드의 바늘자국 Fi를 나타내고 있다. 이상적인 프로브 카드이면, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 복수의 프로브가 전극 패드 P에 접촉하면 바늘자국 Fi의 중심이 대응하는 전극 패드 P의 원점 O와 일치한다. 그런데, 현실의 프로브 카드(12)는 제작상의 오차 등이 포함되어 있고, 상술한 바와 같이 각 프로브(12A)의 바늘 끝 위치가 전극 패드 P의 원점으로부터 x, y방향으로 다소 벗어나 있다.
그래서, 금회의 검사에서는 제 1 화상의 전극 패드 P의 구바늘자국 F와 이상적인 프로브 카드 바늘자국 Fi를 이용하여 접촉 위치를 보정한다(스텝 S2). 이 보정을 실행하기 위해서는 복수의 프로브(12A)의 구바늘자국 F와 각각의 이상적인 바늘자국 Fi의 위치 어긋남량을 구할 필요가 있다. 그래서, 도 4의 (a)에 나타내는 바와 같이 구바늘자국 F의 중심위치의 xy좌표를 (xi, yi)로 정의하고, 도 4의 (b)에 나타내는 바와 같이 이상적인 바늘자국 Fi의 중심의 xy좌표를 (ui, vi)로 정의하고 있다. 그리고, 반도체 웨이퍼(W)의 x방향 및 y방향으로 각각 오차분(x, y)만큼 이동시켜 프로브 카드(12)의 접촉 위치를 보정하는 것으로 한다. 오차 Lt는 다음의 식 1에 의해서 구할 수 있다. 단, 전극 패드 P는 n개 있는 것으로 한다. 또한, 도 4의 (a), (b)에서는 각 전극 패드 P에 붙은 바늘자국 Fi, F의 중심의 xy좌표값은 각 전극 패드 P에 인접해서 기입되어 있다.
Lt= Σ((xi-(x+ui))2+(yi-(y+vi))2)…식 1
여기서, 오차 Lt가 최소값이 되는 (x, y)를 구하면 된다. 오차 Lt는 x, y의 이차함수이기 때문에 반드시 극소값이 존재한다. 그래서, 이 극소값은 Lt를 x, y로 편미분하는 것에 의해서 구할 수 있다. Lt를 x 및 y로 편미분하면 다음의 식 2A 및 식 2B가 된다.
dLt/dx=2nx+2(Σ(ui-xi))=0…식 2A
dLt/dy=2ny+2(Σ(vi-yi))=0…식 2B
식 2A 및 식 2B로부터 다음에 나타내는 식 3A 및 식 3B가 얻어진다. 이들 식으로부터 명확한 바와 같이, (ui-xi) 및 (vi-yi)는 각각 구바늘자국 F와 이상적인 바늘자국 Fi의 어긋남량이기 때문에, 보정량은 실제의 복수의 프로브(12A)의 구바늘자국 F의 중심의 각각의 전극 패드의 중심(中心)으로부터의 어긋남량의 평균값이 된다. 금회의 검사에서 복수의 프로브(12A)를 각각의 전극 패드 P의 중심에 접촉시키기 위해서는 구바늘자국 F의 중심을 어긋남량의 평균값만큼 반도체 웨이퍼(W)를 x방향, y방향으로 보정하면 된다. 그래서, 이 평균값을 위치 어긋남의 보정량으로서 이용함으로써, 금회의 검사에서는 구바늘자국 F의 중심을 보정할 수 있다. 단, 위치 어긋남을 보정하기 위해서는 반도체 웨이퍼(W)를 역방향으로 이동시키기 때문에 보정량은 (-x, -y)로 된다.
x=(Σ(ui-xi))/n…·식 3A
y=(Σ(vi-yi))/n…·식 3B
스텝 S2에서는 프로브 카드(12)의 접촉 위치의 보정량을 구한 후, 탑재대(11)가 x방향 및 y방향으로 각각 보정량만큼 이동하고, 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치를 보정한다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼(W)와 프로브 카드(12)의 얼라인먼트가 종료한다. 이 얼라인먼트에서는 복수의 프로브(12A)의 전부에 대해 실행하기 때문에, 정밀도가 높은 얼라인먼트를 실행할 수 있다. 얼라인먼트 종료 후, 탑재대(11)를 상승시켜 이미 150℃까지 가열된 반도체 웨이퍼(W)와 프리히트된 프로브 카드(12)를 접촉시키고, 또한 탑재대(11)를 오버 드라이브시켜 디바이스 D의 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)를 전기적으로 접촉시켜 새로운 바늘자국을 형성한다(스텝 S3). 예를 들면, 제 1 화상의 임의의 전극 패드 P에는 도 5의 (a)에 나타내는 바와 같이 구바늘자국 F가 형성되어 있고, 프리히트된 프로브 카드(12)의 해당하는 프로브(12A)는 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 새로운 바늘자국, 즉 신바늘자국 Fn을 형성한다.
계속해서, 제어장치(15)의 제어 하에, 탑재대(11)가 소정 위치까지 하강하여 반도체 웨이퍼(W)가 프로브 카드(12)로부터 멀어진 후, 얼라인먼트 브리지(13B)가 프로브 센터까지 진출하고, CCD 카메라(13A)로 전극 패드 P를 촬상한다(스텝 S4). CCD 카메라(13A)가 촬상 신호를 화상 처리부(15D)에 송신하고, 여기서 화상 처리하여 이진 화상을 얻은 후, 이 이진 화상을 화상 기억부(15E)에서 제 2 화상으로서 기억한다.
그 후, 제어장치(15)의 제어 하에, 표시 화면(14)에는 신바늘자국 Fn이 형성 된 복수의 전극 패드 P를 갖는 디바이스 D가 제 2 화상으로서 표시된다. 이 디바이스 D의 복수의 전극 패드 P에 형성된 신바늘자국 Fn을 이용하여 다음의 고온 검사에 대비해서 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치를 보정한다. 거기에는 스텝 2와 마찬가지로, 신바늘자국 Fn의 중심의 xy좌표값과 전극 패드 P의 중심의 xy좌표값을 식 3A 및 식 3B에 적용시켜 다음의 고온 검사에서 필요로 되는 보정량을 구한다(스텝 S5).
본 실시형태에서는 다음의 고온 검사에서 필요하게 되는 보정량을 구할 뿐만 아니라, 도 3에 나타내는 흐름도에 따라 전극 패드 P에 있어서의 프로브(12A)의 접촉 가능 영역 S를 구하고, 또한 이 접촉 가능 영역 S에 프로브(12A)가 기존의 바늘자국 F와 극력 중첩되는 일 없이 접촉할 수 있는 빈 영역이 있는지 없는지를 판단하고, 그러한 빈 영역이 있으면, 그 빈 영역에 바늘자국을 형성하는 프로브(12A)의 보정량을 구한다.
프로브(12A)의 접촉 가능 영역 S를 구하는 방법에 대해 도 6을 참조하면서 설명한다. 도 6의 (a)는 프로브로서 수직 프로브를 사용하고, 수직 프로브의 바늘 끝이 x방향으로만 위치 어긋남이 있고, y방향으로는 위치 어긋남이 없는 상태를 나타내고 있다. y방향으로 위치 어긋남이 있는 경우에는 x방향의 경우와 마찬가지로 취급할 수 있다. 여기서는 접촉 가능 영역 S를 구하는 방법을 단순화하기 위해 수직바늘을 이용해서 전극 패드에 원형의 바늘자국이 형성되는 경우에 대해 설명하겠지만, 캔틸레버 타입의 프로브(12A)에서는 도 4 등에 나타내는 바와 같이 대략 타원형의 바늘자국을 형성하지만, 이 경우에도 원리는 전혀 변하지 않는다.
각 전극 패드 P의 바늘자국 F가 △x1, △x2, …△xn만큼 전극 패드 P의 중심(이상적인 바늘자국)으로부터 위치 어긋난 편차가 있는 것으로 가정한다. 이 설명에서는 △를 생략해서 설명한다. 복수의 전극 패드 P 중으로부터 x방향의 위치 어긋남이 가장 작은 바늘자국 F의 중심을 Xmin=min(x1, x2, …xn)과, x방향의 위치 어긋남이 가장 큰 바늘자국 F의 중심을 Xmax=max(x1, x2, …xn)으로 정의한다.
수직 프로브의 접촉 가능 영역 S의 x방향의 최소값 Cmin 및 x방향의 최대값 Cmax는 하기의 식 4A 및 식 4B에 의해 구할 수 있다. 단, 이들 식에 있어서, w1은 전극 패드 P의 폭 치수이고, w2는 수직 프로브의 직경을 의미하고 있다. 또한, 하기의 식 4A, 4B는 전극 패드 P의 폭 w1 및 수직 프로브의 직경 w2가 각각 모두 일정한 값으로 가정한 경우의 식이다. 식 4A, 4B에서 구한 수직 프로브의 접촉 가능 영역 S는 도 6의 (b)에 빗금으로 나타낸 직사각형영역이 된다. 식 4A 및 식 4B에 있어서 w2/2를 가산하고, 감산하고 있는 것은 수직 프로브의 반경을 고려하고, 수직 프로브가 전극 패드 P를 둘러싸는 패시베이션 에지로부터 비어져 나오지 않도록 하고 있다.
Cmin=max(-w1/2+w2/2, -w1/2+w2/2+xmax)…식 4A
Cmax=min(w1/2-w2/2, w1/2-w2/2+xmin)…식 4B
상기의 식 4A 및 4B는 전극 패드 P의 크기 및 프로브(12A)의 바늘자국 F의 크기가 각각 동일한 것을 전제로 하고 있다. 전극 패드 P의 크기 및 프로브(12A)의 바늘자국 F의 크기가 각각 다른 경우에는 상기의 식 4A, 4B에 대응하는 식으로서 다음의 식 4Ci, 4Di가 성립된다. 하기의 식 4Ci, 4Di에서는 i번째의 전극 패드 P의 폭 치수를 wli, i번째의 프로브(12A)의 직경을 w2i로 정의하고, 전극 패드 P 및 프로브(12A)의 바늘자국 F가 각각 고유한 크기를 갖고 있으며, 모두 다른 크기를 갖는 경우도 있고, 몇 개는 동일한 크기를 갖는 것도 있다. 전극 패드 P의 크기 및 프로브(12A)의 바늘자국 F의 크기가 각각 반드시 동일하지 않는 경우에는 다음의 식 4Ci, 4Di를 이용하여 i번째의 전극 패드 P에 있어서의 접촉 가능 영역 S를 구한 후, 다음의 식 4Ci, 4Di를 이용해서 모든 전극 패드 P를 대상으로 한 접촉 가능 영역 S를 다음의 식 4C, 4D로부터 구한다. 다음에, 상기 식 4A, 4B에서 접촉 가능 영역 S를 구하는 경우와 마찬가지의 처리를 실행하여 도 3에 나타내는 흐름도를 실행한다.
Cmin(i)=max(-w1i/2+w2i/2, -w1i/2+w2i/2+xi) …식 4Ci
Cmax(i)=min(w1i/2-w2i/2, w1i/2-w2i/2+xi)…식 4Di
Cmin=max(Cmin(1), Cmin(2), Cmin(3), …Cmin(n))…식 4C
Cmax=min(Cmax(1), Cmax(2), Cmax(3), …Cmax(n))…·식 4D
즉, 식 4A 및 식 4B에 신바늘자국 Fn의 중심의 xy좌표값을 대입하는 것에 의해서, 도 3에 나타내는 바와 같이 스텝 S11을 실행하여 고온 검사에 있어서의 프리히트 후의 복수의 프로브(12A)의 접촉 가능 영역 S를 산출할 수 있다. 접촉 가능 영역 S를 구한 후, 이 접촉 가능 영역 S가 전극 패드 P내에 있는지 없는지를 중앙 연산 처리부(15A)에 있어서 판단한다(스텝 S12). 접촉 가능 영역 S가 전극 패드 P내에 있으면, 복수의 프로브(12A)는 모든 전극 패드 P내에서 확실하게 접촉하고, 디바이스 D의 검사를 실행할 수 있다. 그러나, 접촉 가능 영역 S가 전극 패드 P로부터 일부라도 비어져 나오면 복수의 프로브(12A)중에 전극 패드 P로부터 비어져 나오는 프로브(12A)가 존재하게 되고, 고온 검사를 실행할 수 없게 되기 때문에, 그러한 경우에는 제어장치(15)의 기능으로 경고를 발하는 등 해서 주의를 환기한다(스텝 S12A).
그런데, 접촉 가능 영역 S가 도 7의 (a)에 나타내는 바와 같이 전극 패드 P의 원점 O를 포함하는 경우에는 제어장치(15)의 제어 하에서, 구바늘자국 F의 중심에 의거하여 구해진 보정량을 그대로 사용하여 반도체 웨이퍼(W)를 접촉 위치로 이동시키는 것에 의해, 금회의 복수의 프로브(12A)를 각각에 대응하는 복수의 전극 패드 P의 중심에 접촉시킬 수 있다. 그러나, 도 7의 (b)에 나타내는 바와 같이 접촉 가능 영역 S가 전극 패드 P의 중심으로부터 벗어나 있는 경우에 상술한 보정량을 그대로 사용하면, 프로브(12A)를 접촉 가능 영역 S로부터 벗어난 전극 패드 P의 중심에 보정하게 되고, 복수의 프로브(12A)의 어느 하나가 접촉 가능 영역 S로부터 벗어나 고온 검사를 실행할 수 없다. 그래서, 이와 같은 경우에는 전극 패드 P의 중심에 가장 가까운 접촉 가능 영역 S의 xy좌표값을 오프셋량으로서 상기 보정량에 가산하여 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키는 것에 의해, 금회의 복수의 프로브(12A)를 각각에 대응하는 복수의 전극 패드 P의 중심에 접촉시킬 수 있다. 또한, 접촉 가능 영역 S가 형성되지 않는 경우, 혹은 미리 지정한 사이즈보다도 전극 패드가 작은 경우에는 보정량으로서 적절하지 않기 때문에, 경고를 발하여 주의를 환기한다. 이 접촉 가능 영역 S는 금회의 고온 검사에 있어서도 사용할 수 있다.
접촉 가능 영역 S가 전극 패드 P내에 형성되는 경우에는 금회의 고온 검사를 실행할 수 있고, 또한, 다음의 고온 검사에 사용되는 보정량도 구할 수 있다. 여기서는 이 보정량을 제 2 보정량으로 정의한다. 다음의 고온 검사에 대비해서 제 2 보정량을 구하는 경우에는 금회의 고온 검사에 있어서 형성된 신바늘자국 Fn을 이용하여, 구바늘자국 F에 의거하는 보정량과 동일 요령으로 제 2 보정량을 구할 수 있다. 즉, 우선, 복수의 프로브(12A)의 신바늘자국 Fn의 중심을 구한 후, 이들 신바늘자국 Fn의 중심좌표를 식 3A 및 식 3B에 적용하여 제 2 보정량을 산출한다.
신바늘자국 Fn은 도 5의 (b)에 나타내는 바와 같이 구바늘자국 F의 근방에 형성되어 있다. 이 도면에 나타내는 신바늘자국 Fn은 구바늘자국 F와 중첩되어 있지 않기 때문에, 구바늘자국 F와 마찬가지로 신바늘자국 Fn의 중심을 구할 수 있다. 그러나, 구바늘자국 F에 신바늘자국 Fn이 부분적으로 중첩되면, 신바늘자국 Fn의 중심을 알 수 없게 된다. 이 경우에는 예를 들면 본 출원인이 제안하고 있는 일본국 특허공개공보 제2006-278381호에 기재된 기술을 적용할 수 있다. 여기서는 신바늘자국 Fn이 구바늘자국 F에 중첩되어 있지 않은 경우에 대해 설명한다.
그러나, 도 5의 (b)에 나타내는 경우에도 구바늘자국 F와 신바늘자국 Fn을 구별할 수 없다. 그래서, 본 실시형태에서는 스텝 S2에서 촬상한 구바늘자국 F를 포함하는 이진화된 제 1 화상과, 구바늘자국 F 및 신바늘자국 Fn의 쌍방을 포함하는 이진화된 제 2 화상을 이용하여 신바늘자국 Fn만을 추출한다(스텝 S13). 즉, 제어장치(15)의 제어 하에, 화상 기억부(15E)로부터 제 1, 제 2의 제 2 화상을 중앙 연산 처리부(15A)에 읽어 내고, 여기서 제 2 화상으로부터 제 1 화상의 차를 구하면, 도 5의 (c)에 파선으로 나타내는 바와 같이 구바늘자국 F가 소실되고, 신바늘자국 Fn만이 추출된다. 이와 같이 해서 추출된 화상(이하, 「추출 화상」이라 함)에 의거하여 신바늘자국 Fn의 중심을 구할 수 있다. 신바늘자국 Fn은 복수의 프로브(12A)의 모두에 대해 구한다.
그 후, 도 8의 (a)에 나타내는 바와 같이 제 2 화상에 접촉 가능 영역 S 및, 스텝 5에서 구한 보정량에 근거하여 복수의 프로브(12A)의 복수의 전극 패드 P에 대한 접촉위치를 복수의 전극 패드 P의 중심에 각각 맞추는 보정을 행하였을 경우에 예상되는 접촉 예정 위치 Fs를 적용하고, 접촉 예정 위치 Fs의 중심(重心)이 전극 패드 P의 접촉 가능 영역 S내이고 또한 구바늘자국 F 및 신바늘자국 Fn이 없는 빈 영역내에 들어가는지 아닌지에 대해 판단한다(스텝 S14). 추출 화상을 접촉 가능 영역 S내에서 빈 영역내에 배치할 수 있는 경우에는 그곳에 접촉 예정 위치 Fs를 배치한 후(스텝 S15), 그 위치에 있어서의 접촉 예정 위치 Fs의 중심을 구한다(스텝 S16). 접촉 예정 위치 Fs의 중심이 상기의 조건을 만족시키지 않고, 도 8의 (b)에 나타내는 바와 같이 전극 패드 P의 빈 영역에 있어도, 접촉 예정 위치 Fs의 중심이 접촉 가능 영역 S로부터 비어져 나오는 경우에는 접촉 불량을 일으키는 프로브(12A)가 포함되어 있게 되고, 고온 검사를 실행할 수 없기 때문에, 경고를 발하여 주의를 환기한다(스텝 S14A). 또한, 도 8의 (c)에 나타내는 바와 같이 접촉 예정 위치 Fs의 중심이 접촉 가능 영역 S내에 있지만, 접촉 예정 위치 Fs를 빈 영역에 배치할 수 없는 경우에는 기존의 구바늘자국 F 및 신바늘자국 Fn의 중첩이 극력 작아지도록 접촉 예정 위치 Fs를 배치한다. 이 때에는 접촉 예정 위치 Fs를 빈 영역에 배치할 수 없는 취지의 주의를 환기하도록 설정하고, 그 주의의 환기에 의거하여 중첩을 극력 작아지도록 접촉 예정 위치 Fs를 배치하면 좋다.
이상과 같이 해서 접촉 예정 위치 Fs의 중심을 구하면, 이들 데이터를 화상 기억부(15E)에 저장하여, 화상 기억부(15E)내에서 기억한다. 이들 데이터는 다음의 고온 검사를 실행하는 경우에 이용된다. 또한, 다음의 고온 검사를 다른 검사 장치에서 실행하는 경우에는 이들 데이터를 통신 매체 혹은 자기 기록 매체 등을 이용하여 다른 검사 장치에 이식한다.
이상의 조작이 종료하면, 검사 장치(10)에서는 제어장치(15)의 제어 하에 탑재대(11)에 의해서 반도체 웨이퍼(W)의 인덱스 이송을 실행하여 금회의 고온 검사를 실행한다. 1개의 반도체 웨이퍼(W)의 고온 검사가 종료하면, 후속의 반도체 웨이퍼(W)를 탑재대(11)상에 탑재한다. 이 반도체 웨이퍼(W)는 전회의 반도체 웨이퍼(W)와 동일하기 때문에, 얼라인먼트를 생략하고, 반도체 웨이퍼(W)의 인덱스 이송을 실행함으로써 고온 검사를 실행한다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 금회의 고온 검사에 있어서, 탑재대(11)상에 탑재된 반도체 웨이퍼(W)의 복수의 전극 패드 P와 탑재대(11)의 위쪽에 배치된 프로브 카드(12)의 복수의 프로브(12A)를 전기적으로 접촉시켜, 반도체 웨이퍼(W)내의 복수의 디바이스 D의 전기적 특성의 검사를 실행하여 복수의 전극 패드 P 각각에 형성된 복수의 프로브(12A)의 구바늘자국 F를 이용하여, 검사에 대비해서 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하고, 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치를 보정하는 공정은 복수의 전극 패드 P 각각에 형성된 구바늘자국 F를 검출하기 위해 복수의 전극 패드 P를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 공정과, 제 1 화상을 이용하여, 복수의 전극 패드 P 각각의 중심과 이들 전극 패드 P에 있어서의 각 구바늘자국 F 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하는 공정과, 금회의 검사에 사용되는 복수의 프로브 P의 복수의 전극 패드 P에 대한 접촉 위치를, 복수의 구바늘자국 F의 중심과 각각의 위치 어긋남량을 이용해서 복수의 전극 패드 P의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 공정과, 이 공정에서의 보정 후에 금회의 검사에 사용되는 복수의 프로브(12A)와 복수의 전극 패드 P를 접촉시켜 신바늘자국 Fn을 각각 형성하는 공정과, 신바늘자국 Fn이 각각 형성된 복수의 전극 패드 P를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 공정과, 복수의 전극 패드 P의 크기와 각각의 전극 패드 P에 있어서의 새로운 바늘자국 Fn의 중심에 의거하여 복수의 프로브(12A) 각각의 접촉 가능 영역 S를 각 전극 패드 P내에 구하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 전극 패드 P가 미세화된 경우에도 CCD 카메라(13A)에 의해서 구바늘자국 F를 확실하게 검출하여 금회의 검사에 있어서의 복수의 프로브(12)의 얼라인먼트를 실행하여 신바늘자국 Fn을 형성하고, 또한, 신바늘자국 Fn을 이용하여 복수의 프로브(12A)의 접촉 가능 영역 S를 구하고, 복수의 전극 패드 P와 이들의 대응하는 복수의 프로브(12A)를 전기적으로 확실하게 접촉시켜 신뢰성이 높은 고온 검사를 확실하게 실행할 수 있다.
또, 본 실시형태에 의하면, 복수의 전극 패드 P와 복수의 프로브(12A)의 접촉 위치를 검사에 대비해서 보정하는 공정은 복수의 전극 패드 P 각각에 형성된 구바늘자국 F를 검출하기 위해 복수의 전극 패드 P를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 공정과, 제 1 화상을 이용하여, 복수의 전극 패드 P 각각의 중심과 이들 전극 패드 P에 있어서의 각 구바늘자국 F 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하는 공정과, 금회의 검사에 사용되는 복수의 프로브 P의 복수의 전극 패드 P에 대한 접촉 위치를, 복수의 구바늘자국 F의 중심과 각각의 위치 어긋남량을 이용해서 복수의 전극 패드 P의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 공정과, 이 공정에서의 보정 후에 금회의 검사에 사용되는 복수의 프로브(12A)와 복수의 전극 패드 P를 접촉시켜 신바늘자국 Fn을 각각 형성하는 공정과, 신바늘자국 Fn이 각각 형성된 복수의 전극 패드 P를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 공정과, 제 1 화상과 제 2 화상을 비교해서 복수의 전극 패드 P 각각의 신바늘자국 Fn의 화상을 추출하고, 복수의 전극 패드 P 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 신바늘자국 Fn의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 이용하여 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치 Fs를 구하고, 이들 복수의 접촉 예정 위치 Fs와 제 2 화상의 바늘자국이 없는 빈 영역을 비교하고, 복수의 접촉 예정 위치 Fs가 각각의 빈 영역에 포함될 때에는 각 빈 영역내에 복수의 접촉 예정 위치 Fs를 배치하고 각각의 중심을 구하는 공정과, 복수의 프로브(12A) 각각의 접촉 위치를 각 빈 영역내에 배치된 복수의 접촉 예정 위치 Fs의 중심에 맞추는 보정을 하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 전극 패드 P가 미세화된 경우에도 전극 패드 P에 형성된 구바늘자국 F를 이용하는 것에 의해, 다음의 고온 검사에서 복수의 프로브(12A)를 각각의 전극 패드 P의 빈 영역에 접촉시켜, 각각의 전극 패드 P의 손상을 방지하고, 신뢰성이 높은 고온 검사를 실행할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 의하면, 복수의 접촉 가능 영역 S 각각이 복수의 전극 패드 P에 포함될 때에는 제 1 화상과 제 2 화상으로부터 추출되는 복수의 전극 패드 P내의 새로운 바늘자국의 추출 화상 Fn를 구하는 공정과, 복수의 전극 패드 P 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 신바늘자국 Fn의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 이용하여 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치 Fs를 구하고, 복수의 접촉 예정 위치 Fs와 복수의 전극 패드 P 각각의 접촉 가능 영역 S내이고 또한 바늘자국이 없는 빈 영역을 각각 비교하고, 복수의 접촉 예정 위치 Fs가 각 빈 영역에 포함될 때에는 각 빈 영역내의 복수의 접촉 예정 위치 Fs를 배치하고 각각의 중심을 구하는 공정과, 복수의 프로브(12A) 각각의 접촉 위치와 빈 영역내에 배치된 복수의 추출 화상의 중심에 맞추도록 보정하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 다음의 고온 검사에서 복수의 프로브(12A)를 각각의 전극 패드 P의 빈 영역에 의해 확실하게 접촉시켜, 각각의 전극 패드 P의 손상을 방지하고, 신뢰성이 높은 고온 검사를 실행할 수 있다.
제 2 실시형태
본 실시형태에서는 전극 패드 P에서의 복수의 바늘자국의 사이에 형성된 빈 영역내에서 프로브(12A)를 효율적으로 접촉시키는 검사 방법에 대해서 도 9∼도 13을 참조하면서 설명한다. 빈 영역이란 전극 패드 P내에서 기존의 바늘자국과 중첩되는 일 없이 프로브(12A)를 접촉할 수 있는 영역을 말한다. 기존의 바늘자국이 복수 있어 기존의 바늘자국과 중첩되는 일 없이 프로브(12A)를 접촉할 수 없을 때에는 기존의 바늘자국과의 중첩이 최소한으로 되는 접촉 예정 위치의 최적위치를 찾아낸다. 기존의 바늘자국과의 중첩을 최소한으로 억제함으로써, 전극 패드의 손상, 더 나아가서는 디바이스의 손상을 방지할 수 있다. 접촉 예정 위치는 제 1 실시형태와 동일한 수순으로 구할 수 있다. 한편, 도 9∼도 14에서는 바늘자국 대신에 바늘자국의 외접 사각형이 나타나 있다.
빈 영역을 찾아내는 방법에는 2가지가 있다. 제 1 방법은 전극 패드내의 기존의 바늘자국과의 중첩이 최소로 되는 위치인, 접촉 예정 위치에 가장 가까운 위치로 프로브(12A)를 이동시키는 방법이다. 제 2 방법은 접촉 예정 위치 주변의 기존의 바늘자국과의 위치 관계를 유지한 후에, 전극 패드 P내의 기존의 바늘자국과의 중첩이 최소로 되는 위치인, 접촉 예정 위치에 가장 가까운 위치로 프로브(12A)를 이동시키는 방법이다.
예를 들면, 도 9의 (a)에 나타내는 바와 같이, 전극 패드 P내에 2개의 기존의 구바늘자국(바늘자국의 외접 사각형으로 나타내고 있음) F1, F2와, 한쪽의 구바늘자국 F2를 이용해서 금회의 프로브(12A)의 접촉 위치를 보정하여 얻어진 신바늘자국(바늘자국의 외접 사각형으로 나타내고 있음) Fn을 형성하고, 이 신바늘자국 Fn의 중심과 전극 패드 P의 중심의 위치 어긋남량을 이용하여 제 1 실시형태와 동일 요령으로 신바늘자국 Fn의 위치를 보정하여 다음의 검사에 있어서의 프로브(12A)의 접촉 예정 위치(바늘자국의 외접 사각형으로 나타내고 있음) Fs를 구한 것이다. 이 접촉 예정 위치 Fs는 동일 도면의 (a)에 나타내는 바와 같이 구바늘자 국 F2와 신바늘자국 Fn과 부분적으로 중첩되어 있다. 그래서, 본 실시형태에서는 접촉 예정 위치 Fs의 구바늘자국 F2와 신바늘자국 Fn의 중첩이 최소가 되는 위치를 접촉 예정 위치 Fs의 최적위치 Fc로서 보정한다.
제 1 방법에서는 전극 패드 P 전체 중에서 최적위치(기존의 바늘자국 F1, F2, Fn과 중첩되지 않는 위치) Fc를 도 9의 (b)에 나타내는 바와 같이 어느 바늘자국과도 중첩되지 않는 위치를 찾고, 그 위치를 다음의 검사의 접촉 예정 위치 Fa로서 구한다. 이 경우, 중첩 부분은 0이 된다. 그러나, 이 방법은 다음의 검사를 실행할 때에는 빈 영역이 한번에 감소하는 문제가 있다.
제 2 방법에서는 기존의 구바늘자국 F2와 신바늘자국 Fn의 위치 관계를 유지하면서, 빈 영역을 구하여 접촉 예정 위치 Fs를 최적위치 Fc로 보정한다. 접촉 예정 위치 Fs와 기존 바늘자국 F2, Fn의 중첩을 극력 적게 하여 전극 패드 P의 손상을 방지한다. 빈 영역을 구하는 경우에도 최적위치 Fc는 가능한 한 접촉 예정 위치 Fs에 가까운 쪽이 바람직하다. 왜냐하면, 프로브(12A)가 최적위치 Fc에 접촉한 후, 접촉 위치를 접촉 예정 위치 Fs로 되돌려서, 다른 위치에 접촉하는 경우도 있고, 빈 영역이라면 자유롭게 접촉할 수 있는 것은 아니기 때문이다. 그래서, 이하에서는 제 2 방법에 대해 도 10∼도 13을 참조하면서 또한 설명한다.
접촉 예정 위치 Fs로부터 빈 영역내에서 최적위치 Fc를 구하기 위해서는 기존의 신바늘자국 Fn의 중심과 전극 패드 P의 중심의 위치 어긋남량에 의거하여 보정한 접촉 예정 위치 Fs가 예를 들면 도 10의 (a), (b)에 나타내는 바와 같이 기존의 신바늘자국 Fn과의 사이에 부분적으로 중첩되어 있다고 한다.
이 방법에서는 도 10의 (a), (b)에 있어서 접촉 예정 위치 Fs와 신바늘자국 Fn의 중첩을 조사하고, 예를 들면 접촉 예정 위치 Fs의 어느 변이 신바늘자국 Fn과 중첩되어 있는지를 특정한다. 접촉 예정 위치 Fs가 중첩되어 있는 변 중, 중첩이 큰 변을 대상 절편(切片)으로 정의한다. 도 10의 (a)에서는 접촉 예정 위치 Fs의 굵은 선으로 나타내는 우변의 절편이 윗변의 절편보다 크기 때문에, 굵은 선으로 나타내는 우변의 절편이 대상 절편으로 된다. 동일 도면의 (b)에서는 접촉 예정 위치 Fs의 굵은 선으로 나타내는 윗변의 절편이 우변의 절편보다 크기 때문에, 굵은 선으로 나타내는 윗변의 절편이 대상 절편으로 된다. 대상 절편은 도 10의 (a), (b)에 나타내는 것 이외에, 예를 들면 도 11의 (a)∼(d)에 나타내는 유형이 있다.
접촉 예정 위치 Fs와 신바늘자국 Fn의 위치 관계를 유지하면서, 중첩을 최소 또는 0으로 하기 위해서는 대상 절편의 수직방향으로 다른쪽의 변의 중첩부분을 기준으로 접촉 예정 위치 Fs를 이동시키는 것에 의해서, 접촉 예정 위치 Fs의 중첩을 최소 또는 0으로 할 수 있다. 도 10의 (a)에 나타내는 경우이면 도 12의 (a)로부터 동일 도면의 (b)에 나타내는 바와 같이 접촉 예정 위치 Fs를 좌측방향으로 다른쪽의 변의 중첩분만큼 이동시키면 중첩이 0이 된다. 도 10의 (b)에 나타내는 경우이면 접촉 예정 위치 Fs를 아래방향으로 다른쪽의 변의 중첩분만큼 이동시키면 중첩이 0이 된다. 도 11의 (a)의 유형은 도 10의 유형을 포함하고, 대상 절편에 의거하여 최적 위치로 보정할 수 있다. 또한, 도 11의 (b), (c)에 나타내는 유형의 경우에도 하나의 대상 절편을 포함하기 때문에, 접촉 예정 위치 Fs를 최적 위치로 보정할 수 있다. 그러나, 도 11의 (d)에 나타내는 유형의 경우에는 대상 절편이 복수이 기 때문에, 최적 위치를 설정할 수 없다. 따라서, 도 11의 (d)의 유형의 경우에는 최적 위치로의 보정을 실행하지 않는다.
또, 도 9의 (a) 및 도 13에 나타내는 바와 같이 접촉 예정 위치 Fs가 구바늘자국 F2 및 신바늘자국 Fn의 쌍방과 중첩되어 있는 경우에는 중첩이 0이 되도록 접촉 예정 위치 Fs를 이동시킬 수 없다. 이 경우에는 좌우의 중첩이 균등하게 되도록 대상 절편이 그 수직방향으로 이동하도록 접촉 예정 위치 Fs를 이동시킨다. 이와 같이 중첩 부분을 좌우로 균등하게 나누는 것에 의해 쌍방의 바늘자국에 있어서의 손상을 경감할 수 있다. 도 13에 있어서, 접촉 예정 위치 Fs와 신바늘자국 Fn의 대상 절편의 길이를 ay, 다른 중첩 변의 길이를 ax로 하고, 접촉 예정 위치 Fs와 구바늘자국 F2의 대상 절편의 길이를 by, 다른 중첩 변의 길이를 bx로 하면, 그 x방향으로의 이동량 x는 다음 식에 의해서 구할 수 있다.
SL(이동 후의 구바늘자국과의 중첩 면적)=(bx-x)×by
SR(이동 후의 신바늘자국과의 중첩 면적)=(ax+x)×ay
여기서 SL=SR의 관계로부터 x를 구한다.
(bx-x)×by=(ax+x)×ay
따라서, 이동량 x=(bx·by-ax·ay)/(ay+by)로 된다.
이와 같이 해서 x방향의 이동량을 구한 후, y방향의 이동량을 x방향의 이동량과 동일 요령으로 구하여, 접촉 예정 위치 Fs를 최적화한다.
중첩량이 좌우에서 균등하게 되는 이동량이 아니라, 좌우의 중첩 면적의 합계가 최소가 되는 이동량이나 중첩 폭(도 13에서는 ax, bx)이 균등하게 되는 바와 같은 이동량을 구해도 좋다.
상술한 바와 같이 해서 x방향으로 최적화 이동시키기 위해서는 미리 기존값의 인접 관계를 나타내는 기존의 바늘자국과 접촉 예정 위치를 노드로 하는 유향(有向) 그래프(이하, 「인접 관계 그래프」라 함)를 작성해 두고, 인접 관계 그래프로부터 접촉 예정 위치 Fs와 관계하는 기존의 바늘자국을 특정하고, 기존의 바늘자국과의 중첩 폭 등의 평가량을 구하면 좋다.
접촉 예정 위치 Fs가 도 14에 나타내는 바와 같이 신바늘자국 Fn과 패시베이션 에지의 쌍방과 중첩되는 경우에는 패시베이션 에지로부터 일정 거리만큼 내측의 변을 기존의 바늘자국 외접 사각형의 변과 마찬가지로 고려하면, 상술한 방법으로 신바늘자국 Fn과 패시베이션의 사이의 최적 위치로 접촉 예정 위치 Fs를 이동시킬 수 있다. 또한, 패시베이션 에지로부터 일정 거리 이상 떼어놓는 조건을 만족시키지 않으면 안 되는 경우에는 그 조건을 만족시킨 후에, 기존의 신바늘자국 Fn과의 중첩이 가능한 한 작아지는 이동량을 구한다. 또한, 도 14에 있어서, 파선의 외측이 패시베이션층이다.
또한, 본 실시형태에서는 접촉 예정 위치 Fs를 최적위치 Fc로 이동시키는 경우에, 바늘자국의 외접 사각형을 이용하여 이동량을 구하는 방법에 대해 설명했지만, 실제의 바늘자국영역을 나타내는 이진화 화상을 이용하여 비트맵 연산에 의해 중첩 부분을 계산해도 좋다.
이상 설명한 바와 같이 본 실시형태에 의하면, 제 1 실시형태와 동일한 수순으로 복수의 프로브(12A)가 다음의 검사에서 접촉하는 접촉 예정 위치 Fs를 각각 구한 후의 공정으로서, 복수의 접촉 예정 위치 Fs에 각각 배치된 복수의 바늘자국의 추출 화상(외접 사각형) Fn이 기존의 바늘자국(외접 사각형) F1과 서로 중첩될 때에는 그 중첩이 최소가 되는 위치, 즉 접촉 예정 위치 Fs의 대상 절편을 그 수직방향으로 각 접촉 예정 위치 Fs를 최단 거리로 이동시켜, 접촉 예정 위치 Fs의 보정을 하는 공정을 구비하고 있기 때문에, 접촉 예정 위치 Fs를 빈 영역에 효율적으로 배치하여, 기존의 바늘자국 F1, Fn의 손상을 억제할 수 있고, 더 나아가서는 디바이스의 손상을 억제할 수 있는 것 이외에, 제 1 실시형태와 마찬가지로 작용 효과를 기대할 수 있다.
제 3 실시형태
본 실시형태에서는 도 15에 나타내는 바와 같이 기존의 바늘자국의 중심에 대해 보로노이도를 작성한다. 한편, 본 실시형태에서도 바늘자국은 제 2 실시형태와 마찬가지로 바늘자국의 외접 사각형으로 나타내고 있다. 보로노이도는 임의의 거리공간상의 임의의 위치에 배치된 복수개의 점(모점(母点))에 대해, 동일 거리공간의 점이 어느 모점에 가까운지에 의해서 영역 분류된 도면을 말한다. 영역의 경계선은 각각의 영역의 모점의 이등분선의 일부가 된다. 도 15의 (a)에 나타내는 바와 같이, 보로노이 경계선 L은 기존의 바늘자국 F1, F2, Fn의 중심에서 가장 먼 위치이게 된다. 도 15의 (b)와 같이 신바늘자국 Fn에 의거하여 구해진 접촉 예정 위치 Fs의 중심에서 보로노이 경계선 L에 가장 가까운 위치가 최적화 후의 최적위치 Fc가 된다.
본 실시형태에 의하면, 제 2 실시형태에 있어서 바늘자국 F1, Fs의 외접 사각형을 이용하여 빈 영역에 프로브(12)의 접촉 예정 위치 Fs를 효율적으로 배치하는 대신에, 기존의 바늘자국 F1, F2, Fn의 보로노이도를 이용해서 접촉 예정 위치 Fs를 효율적으로 배치할 수 있고, 제 2 실시형태와 마찬가지의 작용 효과를 기대할 수 있다.
또한, 상기 실시형태에서는 피검사체의 고온 검사에 대해 설명했지만, 고온 검사에 한정되지 않고 그 밖의 각종 검사에도 마찬가지로 적용할 수 있다. 본 발명은 상기 실시형태에 하등 제한되는 것은 아니고, 필요에 따라서 각 구성 요소를 적절히 변경할 수 있다.
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 피검사체의 전기적 특성 검사를 실행하는 검사 장치에 바람직하게 이용할 수 있다.
도 1은 본 발명 방법의 일 실시형태를 실시하기 위해 이용되는 검사 장치의 구성을 나타내는 블럭도.
도 2는 도 1에 나타내는 검사 장치를 이용하는 본 발명의 검사 방법의 일 실시형태를 나타내는 흐름도.
도 3은 도 1에 나타내는 흐름도의 일부를 더욱 상세하게 나타내는 흐름도.
도 4의 (a), (b)는 각각 디바이스의 전극 패드에 있어서의 프로브의 바늘자국에 의거하여 위치 어긋남량의 보정을 나타내는 평면도로서, (a)는 구바늘자국을 도면이고, (b)는 이상적인 프로브의 바늘자국을 나타내는 도면.
도 5의 (a)∼(c)는 각각 제 2 화상의 전극 패드상의 바늘자국으로부터 제 1 화상의 전극 패드의 기존의 바늘자국을 이용해서 새로운 바늘자국을 추출하는 공정을 나타내는 평면도.
도 6의 (a), (b)는 각각 본 발명의 검사 방법의 다른 실시형태를 설명하는 설명도.
도 7의 (a), (b)는 각각 전극 패드에 있어서의 프로브의 접촉 가능 영역을 나타내는 평면도.
도 8의 (a), (b), (c)는 각각 전극 패드에 있어서의 프로브의 접촉 가능 영역과 다음의 검사에서 할당하는 프로브의 배치 영역의 관계를 나타내는 도면.
도 9의 (a)∼(c)는 각각 전극 패드내의 빈 영역내에 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 배치하는 방법을 설명하기 위한 평면도.
도 10의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치와 기존의 바늘자국의 중첩된 상태를 설명하기 위한 평면도.
도 11의 (a)∼(d)은 각각 프로브의 접촉 예정 위치와 기존의 바늘자국의 중첩된 상태를 설명하기 위한 평면도.
도 12의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 방법을 설명하기 위한 평면도.
도 13은 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 방법을 구체적으로 설명하기 위한 평면도.
도 14는 프로브의 접촉 예정 위치가 패시베이션층에 걸렸을 때의 최적 위치로 이동시켜 접촉 예정 위치를 보정하는 방법을 설명하기 위한 평면도.
도 15의 (a), (b)는 각각 프로브의 접촉 예정 위치를 최적 위치로 이동시켜 보정하는 다른 방법을 설명하기 위한 평면도.
(도면의 주요부분에 대한 부호의 설명)
10 검사 장치 11 탑재대
12 프로브 카드 12A 프로브
13A CCD 카메라 15 제어장치(컴퓨터)
15A 중앙 연산 처리부 D 디바이스
F 구바늘자국(바늘자국) Fn 신바늘자국
Fs 접촉 예정 위치 P 전극 패드
W 반도체 웨이퍼(피검사체)
Claims (9)
- 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법에 있어서,이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며,상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은,상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과,상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과,상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과,상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과,상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과,상기 제 2 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 각 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량과, 상기 복수의 전극 패드 각각의 크기 및 각각의 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 크기를 이용하여, 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 가능 영역을 상기 각 전극 패드내에서 구하는 제 6 공정을 구비하며,상기 제 6 공정에서 구하는 접촉 가능 영역의 x좌표값의 범위는, 상기 복수의 전극 패드의 중심을 원점으로 해서, 상기 전극 패드의 마이너스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 가산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최대의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 큰 쪽을 최소의 x좌표로서 구하는 동시에, 상기 전극 패드의 플러스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 감산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최소의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 작은 쪽을 최대의 x좌표로서 구하고, 또한 상기 접촉 가능 영역의 y좌표의 범위는 상기 x좌표값의 범위와 마찬가지로 해서 구하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법에 있어서,이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며,상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은,상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과,상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과,상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과,상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과,상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과,상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 전극 패드 각각의 새로운 바늘자국의 화상을 추출하고, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 새로운 바늘자국의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 구하고, 이들 접촉 예정 위치와 상기 제 2 화상의 바늘자국이 없는 빈 영역을 비교하여, 상기 접촉 예정 위치가 각각의 빈 영역에 포함될 때에는 상기 각 빈 영역내에 상기 접촉 예정 위치를 배치하고 각각의 중심(重心)을 구하는 제 6A 공정과,상기 복수의 프로브 각각의 접촉 위치를 상기 각 빈 영역내에 배치된 상기 접촉 예정 위치의 중심에 맞추는 보정을 하는 제 7 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법에 있어서,이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며,상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은,상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과,상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과,상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과,상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과,상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과,상기 제 2 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 각 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량과, 상기 복수의 전극 패드 각각의 크기 및 각각의 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 크기를 이용하여, 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 가능 영역을 상기 각 전극 패드내에서 구하는 제 6 공정과,상기 복수의 접촉 가능 영역 각각이 상기 제 2 화상의 상기 복수의 전극 패드내에 각각 포함되는지 아닌지를 판단하는 제 7A 공정과,상기 복수의 접촉 가능 영역 각각이 상기 복수의 전극 패드에 포함될 때에는 상기 제 1 화상과 제 2 화상에 의거하여 상기 복수의 전극 패드내의 새로운 바늘자국의 화상을 추출하는 제 8 공정과,상기 복수의 전극 패드 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 새로운 바늘자국의 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 구하고, 상기 접촉 예정 위치와 상기 복수의 전극 패드 각각의 접촉 가능 영역내의 바늘자국이 없는 빈 영역을 각각 비교하고, 상기 접촉 예정 위치가 상기 각 빈 영역에 포함될 때에는 상기 각 빈 영역내에 상기 접촉 예정 위치를 배치하고 각각의 중심(重心)을 상기 복수의 프로브 각각의 접촉 위치로서 구하는 제 9 공정을 구비하며,상기 제 6 공정에서 구하는 접촉 가능 영역의 x좌표값의 범위는, 상기 복수의 전극 패드의 중심을 원점으로 해서, 상기 전극 패드의 마이너스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 가산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최대의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 큰 쪽을 최소의 x좌표로서 구하는 동시에, 상기 전극 패드의 플러스측의 에지의 x좌표값에 상기 새로운 바늘자국의 x방향의 폭의 절반을 감산한 보정 x좌표값 및 이 보정 x좌표값에 최소의 x좌표값을 갖는 상기 새로운 바늘자국의 중심위치의 x좌표값을 가산한 것 중의 작은 쪽을 최대의 x좌표로서 구하고, 또한 상기 접촉 가능 영역의 y좌표의 범위는 상기 x좌표값의 범위와 마찬가지로 해서 구하는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법에 있어서,이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며,상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은,상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과,상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과,상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과,상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과,상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과,상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 새로운 바늘자국의 화상을 각각 추출하고, 이들 추출 화상을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 각각 구하는 제 6B 공정과,상기 복수의 접촉 예정 위치에 각각 배치된 상기 복수의 추출 화상이 기존의 바늘자국과 서로 중첩될 때에는 그 중첩이 최소가 되는 위치에 상기 각 접촉 예정 위치를 최단 거리로 이동시켜, 상기 접촉 예정 위치의 보정을 하는 제 7B 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법에 있어서,이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하며,상기 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정은,상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 바늘자국을 검출하기 위해 상기 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 1 화상을 얻는 제 1 공정과,상기 제 1 화상을 이용하여, 상기 복수의 전극 패드 각각의 중심(中心)과 이들 전극 패드에 있어서의 상기 각 바늘자국 각각의 중심(重心)의 위치 어긋남량을 구하는 제 2 공정과,상기 검사에 사용되는 복수의 프로브의 상기 복수의 전극에 대한 접촉 위치를, 상기 복수의 바늘자국의 위치와 각각의 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 중심에 각각 맞추는 보정을 하는 제 3 공정과,상기 제 3 공정에서의 보정 후에 상기 검사에 사용되는 복수의 프로브와 상기 복수의 전극 패드를 접촉시켜 새로운 바늘자국을 상기 복수의 전극 패드에 각각 형성하는 제 4 공정과,상기 새로운 바늘자국이 각각 형성된 복수의 전극 패드를 촬상하여 제 2 화상을 얻는 제 5 공정과,상기 제 1 화상과 상기 제 2 화상을 비교하여 상기 복수의 새로운 바늘자국의 화상을 각각 추출하고, 이들 추출 화상을 이용하여 상기 복수의 전극 패드의 각각의 중심과 이들 전극 패드에 있어서의 새로운 바늘자국 각각의 중심의 위치 어긋남량을 구하고, 이 위치 어긋남량을 이용하여 상기 복수의 프로브가 다음의 검사에서 접촉할 접촉 예정 위치를 각각 구하는 제 6B 공정과,상기 제 2 화상의 상기 복수의 전극 패드내 각각에서 상기 기존의 복수의 바늘자국에 의거하여 보로노이도(VORONOI DIAGRAM)를 작성하고, 상기 복수의 접촉 예정 위치에 배치된 상기 각 추출 화상의 중심을 가장 가까운 보로노이 경계선상까지 최단 거리로 이동시켜 상기 각 접촉 예정 위치를 각각 보정하는 제 7C 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 새로운 바늘자국은 미리 소정 온도로 설정된 피검사체를 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 2 공정에서 구하는 위치 어긋남량은 상기 복수의 전극 패드의 중심과, 상기 복수의 전극 각각에 형성된 상기 바늘자국의 중심을 이용하여 최소 제곱법에 의해 구해지는 것을 특징으로 하는 검사 방법.
- 삭제
- 컴퓨터를 구동시켜, 탑재대상에 탑재된 피검사체의 복수의 전극 패드와 상기 탑재대의 위쪽에 배치된 프로브 카드의 복수의 프로브를 전기적으로 접촉시켜, 상기 피검사체의 전기적 특성의 검사를 실행하는 검사방법으로서, 이전의 검사에서 상기 복수의 전극 패드 각각에 형성된 상기 복수의 프로브의 바늘자국을 이용하여, 금회의 검사에 대비해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정하는 공정을 포함하는 검사 방법을 실행하는 프로그램을 기록한 프로그램 기록 매체에 있어서,상기 바늘자국을 이용해서 상기 복수의 전극 패드와 복수의 프로브의 접촉 위치를 보정할 때에, 상기 프로그램은 상기 컴퓨터를 구동시켜, 제 1 항 내지 제 5 항중 어느 한 항에 기재된 검사 방법을 실행하는 것을 특징으로 하는 프로그램 기록 매체.
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