JP2015159197A5 - - Google Patents

Description

本配線基板は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上の一部に形成された第１金属層と、前記配線層及び前記第１金属層を覆い、前記第１金属層の上面の一部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、前記開口部内に露出する前記第１金属層の上面に形成された第２金属層と、前記第２金属層上に形成された第３金属層と、を有し、前記ソルダーレジスト層は、前記第１金属層の上面の外周部を被覆し、前記開口部内に前記第１金属層の上面の一部を露出し、前記第２金属層の上面は、前記ソルダーレジスト層の上面と面一であるか、又は、前記ソルダーレジスト層の上面から突出していることを要件とする。

Claims (10)

1. 絶縁層と、
   前記絶縁層上に形成された配線層と、
   前記配線層上の一部に形成された第１金属層と、
   前記配線層及び前記第１金属層を覆い、前記第１金属層の上面の一部を露出する開口部を備えたソルダーレジスト層と、
   前記開口部内に露出する前記第１金属層の上面に形成された第２金属層と、
   前記第２金属層上に形成された第３金属層と、を有し、
   前記ソルダーレジスト層は、前記第１金属層の上面の外周部を被覆し、前記開口部内に前記第１金属層の上面の一部を露出し、
   前記第２金属層の上面は、前記ソルダーレジスト層の上面と面一であるか、又は、前記ソルダーレジスト層の上面から突出している配線基板。
2. 前記第２金属層の上面は、前記ソルダーレジスト層の上面から突出し、
   前記第２金属層の突出部の外周側は、前記開口部の周囲の前記ソルダーレジスト層の上面に環状に延在している請求項１記載の配線基板。
3. 前記第３金属層は、前記第２金属層の突出部の上面及び側面を覆っている請求項２記載の配線基板。
4. 前記第１金属層は銅から形成され、前記第２金属層はニッケルから形成されている請求項１乃至３の何れか一項記載の配線基板。
5. 前記第３金属層は、単一層又は複数層から構成され、前記単一層又は前記複数層中の最外層は金から形成されている請求項１乃至４の何れか一項記載の配線基板。
6. 前記第１金属層は、半導体チップと電気的に接続されるパッドとなる請求項１乃至５の何れか一項記載の配線基板。
7. 絶縁層上に配線層を形成する工程と、
   前記配線層上の一部に第１金属層を積層形成する工程と、
   前記絶縁層上に、前記配線層及び前記第１金属層を覆うようにソルダーレジスト層を形成する工程と、
   前記ソルダーレジスト層に、前記第１金属層の上面の一部を露出する開口部を形成する工程と、
   前記開口部内に露出する前記第１金属層の上面に第２金属層を形成する工程と、
   前記第２金属層上に第３金属層を形成する工程と、を有し、
   前記開口部を形成する工程では、前記ソルダーレジスト層が、前記第１金属層の上面の外周部を被覆し、前記開口部内に前記第１金属層の上面の一部を露出し、
   前記第２金属層を形成する工程では、前記第２金属層の上面が、前記ソルダーレジスト層の上面と面一であるか、又は、前記ソルダーレジスト層の上面から突出する配線基板の製造方法。
8. 前記積層形成する工程は、
   前記絶縁層上にシード層を形成する工程と、
   前記シード層を給電層とする電解めっき法により前記シード層上に前記配線層の一部となる電解めっき層を選択的に形成する工程と、
   前記シード層を給電層とする電解めっき法により前記電解めっき層上に前記第１金属層を選択的に形成する工程と、
   前記電解めっき層に覆われていない部分の前記シード層を除去する工程と、を含む請求項７記載の配線基板の製造方法。
9. 前記第１金属層を選択的に形成する工程は、
   前記シード層上及び前記電解めっき層上に、前記第１金属層に対応する開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
   前記シード層を給電層に利用した電解めっき法により、前記レジスト層の開口部内に露出する前記電解めっき層上に前記第１金属層を形成する工程と、
   前記レジスト層を除去する工程と、を含む請求項８記載の配線基板の製造方法。
10. 前記第２金属層を形成する工程では、等方的に成長するめっきにより、前記第２金属層の上面を前記ソルダーレジスト層の上面から突出させ、前記第２金属層の突出部の外周側を前記開口部の周囲の前記ソルダーレジスト層の上面に環状に延在させる請求項７乃至９の何れか一項記載の配線基板の製造方法。