JP5279180B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
WL−CSP技術が適用された半導体装置は、図11に示すように、表面全域がパッシベーション膜91で覆われた半導体チップ92と、パッシベーション膜91上に積層されたポリイミド層93と、ポリイミド層93上に形成された再配線94と、ポリイミド層93および再配線94上に積層された封止樹脂層95と、封止樹脂層95上に配置されたはんだボール96とを備えている。パッシベーション膜91には、内部配線の一部を電極パッド97として露出させるためのパッド開口98が形成されている。そして、再配線94は、ポリイミド層93に貫通して形成された貫通孔99を介して、その電極パッド97に接続されている。また、再配線94は、封止樹脂層95を貫通するポスト100を介して、はんだボール96と接続されている。この半導体装置は、はんだボール96が実装基板上のパッドに接続されることによって、実装基板への実装(実装基板に対する電気的および機械的な接続)が達成される。
また、前記ポストは、先端部分が前記封止樹脂層上に突出した柱状部と、この柱状部の前記先端部分に被着された被着部とを備える構成であってもよい。この場合、前記柱状部は、前記封止樹脂層に埋設された第1柱状部と、この第1柱状部に接続され、先端部分が前記封止樹脂層上に突出した第2柱状部とを有していればよい。さらに、前記被着部は、前記柱状部の前記先端部分を覆う第1被着部と、この第1被着部の表面を覆う第2被着部とを有していてもよい。
図1は、本発明の一実施形態に係る半導体装置の構成を示す図解的な断面図である。
この半導体装置は、WL−CSP(ウエハレベルチップスケールパッケージ:Wafer Level-Chip Scale Package)技術により作製される。この半導体装置は、半導体チップ1と、半導体チップ1上に積層された応力緩和層2と、応力緩和層2上に配設された複数の再配線3と、応力緩和層2および再配線3上に積層された封止樹脂層4と、封止樹脂層4を貫通して設けられた複数のポスト5と、封止樹脂層4上に設けられ、各ポスト5に接続された外部接続端子としての金属ボール6とを備えている。そして、この半導体装置は、各金属ボール6が実装基板7上のパッド8に接続されることによって、実装基板7への実装(実装基板7に対する電気的および機械的な接続)が達成される。
再配線3は、たとえば、銅などの金属材料を用いて形成されている。再配線3は、応力緩和層2の表面上を、各貫通孔12から各ポスト5が設けられる位置まで延びている。そして、各再配線3の一端部は、貫通孔12を介して、電極パッド10と電気的に接続されている。
ポスト5は、金属材料からなる。ポスト5は、貫通孔41内に配置され、封止樹脂層4を半導体チップ1と封止樹脂層4との積層方向(以下、単に「積層方向」という。)に貫通して設けられている。ポスト5の先端部は、封止樹脂層4上に突出し、その突出した部分の周縁部13が封止樹脂層4の表面と積層方向に対向して接触する形状に形成されている。
埋設部14は、たとえば、銅からなる。この埋設部14は、封止樹脂層4から突出しない厚さを有する扁平な柱状(円柱状または角柱状)に形成されている。
突出部15は、たとえば、ニッケルからなる。この突出部15は、金属ボール6よりも高い剛性を有している。この突出部15の封止樹脂層4に埋設されている基端部分は、埋設部14と同じ断面形状(積層方向と直交する切断面で切断したときの断面形状)を有する扁平な柱状(たとえば、厚さ3〜5μm)に形成されている。また、突出部15の封止樹脂層4から突出した先端部分(たとえば、厚さ3〜50μm)は、積層方向と直交する方向における幅(径)が基端部分の同方向における幅よりも大きく形成されており、その周縁部13が積層方向と直交する方向に張り出している。これにより、突出部15の先端部分の周縁部13は、封止樹脂層4の表面と積層方向に対向して接触している。そして、その突出部15の先端部分によって、封止樹脂層4の表面と貫通孔41の内面とにより形成される角部16が覆われている。
図10は、再配線3、金属ボール6および電極パッド10の配置例を図解的に示す平面図である。なお、再配線3および電極パッド10は、半導体装置が完成した状態で、封止樹脂層4に覆われることにより視認不可能であるが、図10では、それらを実線で示している。また、図面の煩雑化を防止するため、再配線3、金属ボール6および電極パッド10には、それぞれ一部にのみ符号を付している。
金属ボール6は、電極パッド10と同数設けられている。そして、金属ボール6は、平面視において、電極パッド10よりも内側の領域に、矩形環状に2列に並べて配置されている。
前述したように、ポスト5の封止樹脂層4から突出した部分の周縁部13が、封止樹脂層4の表面と積層方向に対向して接触している。そのため、封止樹脂層4の表面と貫通孔41の内面とにより形成される角部16は、ポスト5の封止樹脂層4に埋設された部分と封止樹脂層4から突出した部分との境界に当接し、ポスト5(突出部15)によって覆われた状態となる。したがって、その角部16が金属ボール6に当接することを防止することができる。その結果、半導体チップ1やこの半導体装置が実装される実装基板7に熱膨張/収縮が生じたときなどに、金属ボール6に対して局所的に応力が集中することを防止することができ、そのような応力集中による金属ボール6の損傷の発生を防止することができる。
この図3に示すポスト5は、封止樹脂層4に埋設された第1柱状部17と、第1柱状部17に接続され、先端部分が封止樹脂層上に突出した第2柱状部18と、第2柱状部18の先端部分に被着された被着部19とを備えている。
第2柱状部18は、たとえば、ニッケルからなり、第1柱状部17と同じ断面形状(積層方向と直交する切断面で切断したときの断面形状)を有する扁平な柱状(たとえば、厚さ3〜50μm)に形成されている。
この構成では、被着部19が、封止樹脂層4の表面と積層方向に対向して接触する。これにより、封止樹脂層4の表面と貫通孔41の内面とにより形成される角部16は、第2柱状部18の側面と被着部19の下端面との境界に当接して、金属ボール6に当接していない。そのため、図2に示す構成と同様な作用効果を奏することができる。
また、この柱状部20は、同じく参考例として図5に示すように、半導体チップ1の表面とほぼ平行な平坦状の先端面51と、先端側(金属ボール6側)ほど先細りとなるように傾斜する傾斜側面52と、先端面51と傾斜側面52とに連続する断面略円弧状の連続面53とを有する形状に形成されてもよい。そして、被着部19は、柱状部20の連続面53と貫通孔41の内面との間に形成される隙間に入り込んでいてもよい。
さらにまた、参考例として図6に示すように、被着部19は、柱状部20の先端部分を覆う第1被着部21と、この第1被着部21の表面を覆う第2被着部22とを有していてもよい。この場合、第1被着部21と第2被着部22とは、同じ金属材料を用いて形成されてもよいし、異なる金属材料を用いて形成されてもよい。たとえば、第1被着部をニッケルで形成し、第2被着部を金で形成してもよい。
この図7に示すポスト5の埋設部14は、半導体チップ1の表面とほぼ平行な平坦状の先端面71と、貫通孔41の内面に対して先端側(突出部15側)ほど大きな隙間を生じるように傾斜する傾斜側面72と、貫通孔41の貫通方向(半導体チップ1の表面と直交する方向)に沿った断面形状が略円弧状を有し、先端面71と傾斜側面72とを連続する連続面73とを有する形状に形成されている。これにより、埋設部14の連続面73と貫通孔41の内面との間には、埋設部14の先端に近づくにつれて徐々に間隔が拡がる隙間が形成されている。
この図7に示す構成においても、突出部15の先端部分によって、封止樹脂層4の表面と貫通孔41の内面とにより形成される角部16が覆われるので、図2に示す構成と同様の作用効果を奏することができる。
図2に示す構成では、1個の金属ボール6に対して、1本のポスト5が設けられているが、図8に示す構成では、1個の金属ボール6に対して、複数本のポスト5が設けられている。
また、1個の金属ボール6に対して複数本のポスト5が設けられているので、半導体チップ1やこの半導体装置が実装される実装基板7に熱膨張/収縮が生じたときなどに、複数本のポスト5に応力を分散させることができる。その結果、耐応力性の向上を図ることができ、半導体チップ1の実装基板7に対する実装の信頼性を増すことができる。
4 封止樹脂層
5 ポスト
6 金属ボール
13 周縁部
14 埋設部
15 突出部
16 角部
17 第1柱状部
18 第2柱状部
19 被着部
20 柱状部
21 第1被着部
22 第2被着部
41 貫通孔
Claims (3)
- 半導体チップと、
この半導体チップの表面上に積層された封止樹脂層と、
この封止樹脂層を前記半導体チップと前記封止樹脂層との積層方向に貫通して設けられ、前記封止樹脂層上に突出し、その突出した部分の周縁部が前記封止樹脂層の表面と前記積層方向に対向して接触するポストと、
前記封止樹脂層上に設けられ、前記ポストに接続された外部接続端子とを含み、
前記ポストは、前記封止樹脂層に形成された貫通孔内に埋設された埋設部と、この埋設部に接続され、先端部分が前記封止樹脂層上に突出した突出部とを備えており、
前記ポストの側面において、前記埋設部と前記突出部との接続部が、前記貫通孔の内面において前記封止樹脂層に接しており、
前記突出部の先端部分が、前記封止樹脂層の表面と前記積層方向に対向して接触する周縁部を有し、前記封止樹脂層の表面と前記貫通孔の内面とにより形成される角部を覆っている
ことを特徴とする、半導体装置。 - 半導体チップと、
この半導体チップの表面上に積層された封止樹脂層と、
この封止樹脂層を前記半導体チップと前記封止樹脂層との積層方向に貫通して設けられ、前記封止樹脂層上に突出し、その突出した部分の周縁部が前記封止樹脂層の表面と前記積層方向に対向して接触するポストと、
前記封止樹脂層上に設けられ、前記ポストに接続された外部接続端子とを含み、
前記ポストは、前記封止樹脂層に形成された貫通孔内に埋設された埋設部と、この埋設部に接続され、先端部分が前記封止樹脂層上に突出した突出部とを備えており、
前記ポストの側面において、前記埋設部と前記突出部との接続部が、前記貫通孔の内面において前記封止樹脂層に接しており、
前記埋設部は、前記封止樹脂層に形成された前記貫通孔内に、前記貫通孔の内面との間に隙間を空けて設けられており、
前記埋設部と前記貫通孔の内面との隙間に、前記突出部が入り込んでいる
ことを特徴とする、半導体装置。 - 前記突出部は、前記外部接続端子よりも高い剛性を有していることを特徴とする、請求項1または2に記載の半導体装置。
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