JP2017505999A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 基板と、
   ダイ側再配線層と、
   前記ダイ側再配線層上のシード層と、
   前記シード層を通じて前記ダイ側再配線層に電気的に結合するように構成された、複数のダイ相互接続と、
   前記シード層を通じて前記ダイ側再配線層に電気的に結合するように構成された、複数の金属ポストと、
   前記基板の中を延在する複数の基板貫通ビアと、
   前記基板のボード対向面に隣接するボード対向再配線層と
   を備え、前記基板貫通ビアのうちの少なくともサブセットが、前記ダイ側再配線層を前記ボード対向再配線層に電気的に結合させる、パッケージ。
2. 前記複数のダイ相互接続のうちの少なくともサブセットに電気的に結合された、少なくとも１つのダイをさらに備える、請求項１に記載のパッケージ。
3. 前記基板が、ガラスインターポーザを備え、前記少なくとも１つのダイが、複数のダイを備え、各ダイが、前記ダイ相互接続のうちの対応するサブセットに電気的に結合される、請求項２に記載のパッケージ。
4. 前記複数のダイを少なくとも部分的に封止するモールドコンパウンドをさらに備え、前記ダイ相互接続と前記金属ポストの両方が、銅およびニッケルからなる群から選択された金属を含む、請求項３に記載のパッケージ。
5. 前記複数の金属ポストに電気的に結合された上部パッケージをさらに備える、請求項２に記載のパッケージ。
6. 前記ダイ相互接続が、複数のはんだバンプを備え、および／または、前記ダイ相互接続が、複数のはんだピラーを備える、請求項１に記載のパッケージ。
7. 前記基板の前記ボード対向面に隣接する複数のはんだボールをさらに備え、前記複数のはんだボールが、前記ボード対向再配線層に電気的に結合され、および／または、前記ダイ側再配線層および前記ボード対向再配線層がそれぞれ、パターン形成された銅金属層を備える、請求項１に記載のパッケージ。
8. ダイ側再配線層を基板のダイ対向面に隣接して形成するステップと、
   ボード対向再配線層を前記基板のボード対向面に隣接して形成するステップと、
   前記基板の中を延在する複数の基板貫通ビアを、前記基板貫通ビアが前記ダイ側再配線層と前記ボード対向再配線層との間を電気的に結合するように形成するステップと、
   前記ダイ側再配線層に隣接する誘電体層の中に、複数のダイ相互接続開口を形成するステップと、
   前記誘電体層の中に、複数の金属ポスト開口を形成するステップと、
   前記ダイ相互接続開口内に、ダイ相互接続を形成するステップと、
   前記金属ポスト開口内に、金属ポストを形成するステップであって、前記金属ポストがインサイチュで前記基板上にある、形成するステップと
   を含む、方法。
9. 前記再配線層上にシード層を堆積させるステップをさらに含み、前記ダイ相互接続を形成するステップが、前記シード層の、前記ダイ相互接続開口内に露出した部分の上に、前記ダイ相互接続をめっきするステップを含み、前記金属ポストを形成するステップが、前記シード層の、前記金属ポスト開口内に露出した部分の上に、前記金属ポストをめっきするステップを含み、前記ダイ相互接続をめっきするステップ、および前記金属ポストをめっきするステップが、好ましくは、銅およびニッケルからなる群から選択された金属をめっきするステップを含む、請求項８に記載の方法。
10. 少なくとも１つのダイを、前記ダイ相互接続のうちの少なくともサブセットに取り付けるステップ、より好ましくは、複数のダイを前記複数のダイ相互接続に取り付けるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。
11. ダイをモールドコンパウンドで少なくとも部分的に封止するステップをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
12. 前記ダイ相互接続をめっきするステップが、前記誘電体層上に第１のマスク層を堆積させるステップと、前記第１のマスク層を、前記ダイ相互接続開口を露出させるようにパターン形成するステップと、前記露出したダイ相互接続開口内に、前記ダイ相互接続をめっきするステップとを含み、前記金属ポストをめっきするステップが、好ましくは、前記誘電体層上に第２のマスク層を堆積させるステップと、前記第２のマスク層を、前記金属ポスト開口を露出させるようにパターン形成するステップと、前記露出した金属ポスト開口内に、前記金属ポストをめっきするステップとを含む、請求項９に記載の方法。
13. インターポーザが、ガラスインターポーザまたは半導体インターポーザを備える、請求項１に記載のパッケージ。
14. 前記パッケージが、セル電話、ラップトップ、タブレット、音楽プレーヤ、通信デバイス、コンピュータ、およびビデオプレーヤのうちの少なくとも１つに組み込まれる、請求項１に記載のパッケージ。
15. シード層を原子層堆積を通じて堆積させるステップをさらに含む、請求項８に記載の方法。