JP2004281937A

JP2004281937A - 配線基板及びその製造方法

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Publication number: JP2004281937A
Application number: JP2003074438A
Authority: JP
Inventors: Haruhiko Murata; 晴彦村田; Kazuhisa Sato; 和久佐藤; Yukihiro Aoyama; 幸裕青山
Original assignee: NGK Spark Plug Co Ltd
Current assignee: Niterra Co Ltd
Priority date: 2003-03-18
Filing date: 2003-03-18
Publication date: 2004-10-07

Abstract

【課題】基板の耐ノイズ性の悪化やパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合が生じにくく、金属端子パッドの間隔を縮小した構造の配線基板を提供する。
【解決手段】配線基板において、金属端子パッド１０，１７は、第一主表面ＣＰ側からＣｕメッキ層５２、Ｎｉメッキ層５３，５５及びＡｕメッキ層５４，５６を積層する。各メッキ層は、ＢＧＡ側が電解Ｎｉメッキ層５３及び電解Ａｕメッキ層５４、Ｃ４側が無電解Ｎｉメッキ層５５及び無電解Ａｕメッキ層５６である。パッド形成面をなす誘電体層６の第一主表面ＣＰには、金属端子パッド１０，１７に一端が結合される金属配線が配置されないか、又は、配置されていても、該金属配線の他端側が内層導体層７にビア３４を介して接続する。ソルダーレジスト層８，１８は開口８ａ，１８ａの内周縁部にて、金属端子パッド１０，１７のＣｕメッキ層５２の、面粗化処理を施した主表面外周縁部５２ｐと接する。
【選択図】図４

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、配線基板とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
【特許文献１】
特開２００２−４０９８号公報
【０００３】
ＩＣあるいはＬＳＩ等のチップ接続用として使用される多層配線基板のうち、オーガニックパッケージ基板と称されるものは、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部を有し、該配線積層部の誘電体層にて形成された第一主表面上に、フリップチップ接続用あるいはマザーボード接続用（例えばＢＧＡあるいはＰＧＡによる）の複数の金属端子パッドが配置される。これら金属端子パッドは、配線積層部内に位置する内層導体層にビアを介して導通する。内層導体層及びビアは導電率の良好なＣｕ系金属で構成されるのが一般的であり、金属端子パッドも、これらと接続する本体部分がＣｕメッキ層として形成される。しかし、金属端子パッドにはチップやマザーボードと接続するための半田が接触するので、半田との結合力及びぬれ性を向上させるため、Ａｕメッキが施される。
【０００４】
ところで、金属端子パッドの本体部分をなすＣｕメッキ層は、リフロー工程やその他の組立工程における加熱により、Ｃｕメッキ層からＡｕメッキ層表面にＣｕが拡散により湧き上がり、Ａｕメッキ層表面がＣｕの酸化層で覆われて半田ぬれ性や半田接合性が損なわれる可能性がある。そこで、Ｃｕメッキ層を形成した後、Ａｕメッキ層への拡散が少なくかつ半田接合性も良好なＮｉメッキ層を形成し、そのＮｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成するパッド構造が広く採用されている。このＮｉメッキ層の形成方法には電解Ｎｉメッキを用いる方法と、無電解Ｎｉメッキを用いる方法との２種類がある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】
無電解Ｎｉメッキを用いる方法によると、誘電体層上に互いに絶縁された複数のパッドに対しても、メッキ液への浸漬により簡単にＮｉメッキ層を形成できる。しかしながら、一般に使用されている無電解Ｎｉメッキ浴は、還元剤として次亜リン酸ソーダなどのリン酸化合物が使用されるため、得られるＮｉメッキ層に４〜８質量％もの比較的多量のリンが必然的に含有されたものしか得られない問題がある。Ａｕメッキ層上にＳｎ−Ｐｂ合金からなる半田を接触させると、Ａｕメッキ層を溶かし込んだ半田が、下地のＮｉメッキ層と接触することがある。このとき、Ｎｉメッキ層中にリンが多量に含まれていると、Ｎｉとともに共析出したリンが半田とのぬれ性を阻害し、接続不良を生ずる惧れがある。
【０００６】
また、無電解Ｎｉメッキ浴には、還元剤として水素化ホウ素化合物を用いる非リン酸系浴も知られている。該浴を用いると、Ｎｉメッキ層のリン濃度は大幅に低減できるが、Ｎｉ析出の還元反応時に多量の水素ガスが発生し、この水素ガスがＮｉメッキ層中に取り込まれて気泡や膨れといった不良を生じやすい問題がある。結局のところ、現状では無電解Ｎｉメッキ浴でを用いた場合、上記の理由により配線基板のパッド形成用として好適な性状のＮｉメッキ層が得られていないのが実情である。
【０００７】
他方、電解Ｎｉメッキを用いる場合は、浴がリンや水素混入源となる還元剤が使用されないので、半田に対するぬれ性や密着性の良好なＮｉメッキ層が得られる利点がある。しかし、従来の電解Ｎｉメッキを用いたパッド形成工程では、パッドが形成される誘電体層面（パッド形成面）上に、パッドに接続するメッキ用の導通路（タイバー）を複雑に入り組んだ形で形成する必要がある。この方式では、パッド間にメッキタイバー挿入用のスペースを確保しなければならないので、パッドの配列間隔を一定以上には縮小できなくなり、基板面積の増大を引き起こしやすくなるとともに、設計上の制約も非常に大きくなる問題がある。また、メッキタイバーは、末端が電気的に開放した不要な導通路として、最終的にはパッドに付随した形で基板上に残留する。すると、該部分がノイズ収拾源となって、基板の耐ノイズ性が悪化したり、あるいはパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合を招く原因となることも、大きな欠点の一つである。
【０００８】
マザーボード接続用（例えばＢＧＡあるいはＰＧＡによる）の金属端子パッドには、マザーボードとの高い接合強度が要求されることから、半田とのぬれ性が良好な電解Ｎｉメッキ層を積層形成することが望ましい。しかし、上記したように、電解Ｎｉメッキの採用には、いくつかの別の障害が付随してくる。そのため、一種のジレンマに陥っているのが現状である。
【０００９】
本発明の課題は、電解Ｎｉメッキ層を有した金属端子パッドが設けられているにもかかわらず、基板の耐ノイズ性の悪化やパッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合が生じにくく、また、金属端子パッドの間隔を容易に縮小することができ、ひいてはコンパクト化に有利な構造を有した配線基板と、その製造方法とを提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段及び作用・効果】
上記課題を解決するために本発明の配線基板は、
第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、該配線積層部の誘電体層にて形成された第一主表面上に配置される複数の金属端子パッドとを有し、それら金属端子パッドの少なくとも一部のものが、配線積層部内に位置する内層導体層にビアを介して導通した構造を有する配線基板であって、
配線積層部として、板状コアの第一主表面に形成される第一配線積層部と、同じく第二主表面に形成される第二配線積層部とが設けられ、それぞれ金属端子パッドが設けられ、第一配線積層部の金属端子パッドと、第二配線積層部の金属端子パッドとが、板状コアに設けられたスルーホール導体にて接続されてなり、
金属端子パッドは、第一主表面側からＣｕメッキ層、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層がこの順序で積層されてなり、
第一配線積層部側のＮｉメッキ層が無電解Ｎｉメッキ層であり、第二配線積層部側のＮｉメッキ層が電解Ｎｉメッキ層とされ、かつ、誘電体層の第一主表面には、金属端子パッドに一端が結合され、他端が開放したメッキ用金属配線が形成されておらず、さらに、
第一配線積層部及び第二配線積層部において、Ｎｉメッキ層が、Ｃｕメッキ層の主表面に対し該主表面の外周縁内側に収まるように形成され、該Ｃｕメッキ層のＮｉメッキ層に覆われていない主表面外周縁部に面粗し処理が施され、該第一配線積層部及び第二配線積層部の第一主表面はソルダーレジスト層にて覆われてなり、該ソルダーレジスト層は金属端子パッドを個別に露出させるための開口を有するとともに、該開口の内周縁が金属端子パッドの主表面外周縁よりも内側に張り出して位置し、当該開口の内周縁部にて、Ｃｕメッキ層の面粗し処理が施された主表面外周縁部と接してなることを特徴とする。
【００１１】
たとえば、第一配線積層部側の金属端子パッドは、一方を集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッドとして利用でき、第二配線積層部側の金属端子パッドは、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するためのパッドとして利用できる。
【００１２】
上記本発明の配線基板によると、第一配線積層部及び第二配線積層部の金属端子パッドは、いずれも第一主表面側からＣｕメッキ層、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層がこの順序で積層されるとともに、Ｎｉメッキ層が電解／無電解Ｎｉメッキ層とされ、かつ、誘電体層の第一主表面には、金属端子パッドに一端が結合され他端が開放したメッキ用金属配線が形成されていない。つまり、誘電体層の第一主表面（パッド形成面）には、金属端子パッドに一端が結合される金属配線が配置されないか、又は、配置されていても、該金属配線の他端側が内層配線層にビアを介して接続される。また、金属端子パッドにビアを介して接続される内層配線層にも、末端が開放したメッキ用金属配線は含まれない構造となる。つまり、本発明の配線基板は、末端が電気的に開放した不要な導通路が排除された構造となっている。その結果、該不要な導通路による基板の耐ノイズ性の悪化や、パッドを含んだ伝送経路のインピーダンス不整合を効果的に防止できる。そして、不要な導通路が設けられない分、パッド間スペースも節約でき、基板のコンパクト化に寄与できる他、配線レイアウトの複雑化も生じにくいので、設計上の制約も少なくなる。そして、無電解Ｎｉメッキ層を用いた従来技術では両立できなかった課題解決、すなわち、第二配線積層部側の金属端子パッドを構成するＮｉメッキ層が、リンや水素の含有率を低くできる電解メッキ層として構成されているから、半田に対するぬれ性や密着性の向上も同時に達成できる。
【００１３】
また、本発明の配線基板においては、第二配線積層部側の金属端子パッドを電解Ｎｉメッキ層にて構成する一方、第一配線積層部側の金属端子パッドを無電解Ｎｉメッキ層にて構成している。しかしながら、前述したように、第一配線積層部側の金属端子パッドを、フリップチップ接続用とするならば、半導体素子と基板との間に樹脂を注入して接合部が保護されるため、ＢＧＡ用やＰＧＡ用とする場合に比べて、無電解Ｎｉメッキ層でも大きな問題には発展しない。
【００１４】
また、各Ｎｉメッキ層が、Ｃｕメッキ層の主表面に対し該主表面の外周縁内側に収まるように形成され、かつ、該Ｃｕメッキ層のＮｉメッキ層に覆われていない主表面外周縁部に面粗し処理が施される。そして、その面粗し処理が施されたＣｕめっき層の主表面外周縁部に、ソルダーレジスト層の開口内周縁部が接しているので、該ソルダーレジスト層の開口内周縁部とＣｕめっき層の主表面外周縁部との密着性が向上し、特に半田リフロー等の熱サイクルが加わった場合においても、開口内周縁部にてソルダーレジスト層のはがれ等が生じにくくなり、ひいては良好な半田接続状態を容易に得ることができる。
【００１５】
また、上記本発明の配線基板の構造は、以下の本発明の配線基板の製造方法を採用することによりはじめて実現可能となるものである。すなわち、本発明の配線基板の製造方法は、上記本発明の配線基板を製造するために、
第一配線積層部の第一主表面において、複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形でメッキ用下地導電層を形成するメッキ用下地導電層形成工程と、
第一配線積層部の第一主表面において、メッキ用下地導電層の形成後に、金属端子パッド形成予定領域にＣｕメッキ層を選択的に形成する第一Ｃｕメッキ工程と、
第二配線積層部の第一主表面の、複数の金属端子パッドの形成予定領域に、Ｃｕメッキ層を電気的に分離された形で形成する第二Ｃｕメッキ工程と、
第二配線積層部のＣｕメッキ層の主表面を面粗し処理する第一面粗し工程と、
該第一面粗し工程の終了後に、第二配線積層部の第一主表面に、開口を有するソルダーレジスト層を、該開口の内周縁部にて、Ｃｕメッキ層の面粗し処理が施された主表面外周縁部が当該ソルダーレジスト層にて覆われるように形成する第一ソルダーレジスト形成工程と、
第一配線積層部の第一主表面側を保護膜で被覆しつつ、メッキ用下地導電層を電流供給路として、該メッキ用下地導電層にて連結される第一配線積層部側のＣｕメッキ層に、スルーホール導体を介して導通する、第二配線積層部側のＣｕメッキ層にメッキ電流を供給することにより、該Ｃｕメッキ層の主表面外周縁部を除いた領域に電解Ｎｉメッキ層を形成する電解Ｎｉメッキ工程と、
電解Ｎｉメッキ工程が終了した後、第一配線積層部の第一主表面の、金属端子パッド形成予定領域以外の領域に形成されたメッキ用下地導電層を除去するメッキ用下地導電層除去工程と、
第一配線積層部のＣｕメッキ層の主表面を面粗し処理する第二面粗し工程と、
該第二面粗し工程の終了後に、第一配線積層部の第一主表面に、開口を有するソルダーレジスト層を、該開口の内周縁部にて、Ｃｕメッキ層の面粗し処理が施された主表面外周縁部が当該ソルダーレジスト層にて覆われるように形成する第二ソルダーレジスト形成工程と、
第二配線積層部側をマスク材で被覆しつつ、第一配線積層部側におけるソルダーレジスト層の開口の内側に露出するＣｕメッキ層上に、無電解Ｎｉメッキ層を形成する無電解Ｎｉメッキ工程と、
各Ｎｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、
を含むことを特徴とする。
【００１６】
上記本発明の方法によると、第一配線積層部及び第二配線積層部の各第一主表面の、複数の金属端子パッドの形成予定領域にＣｕメッキ層を形成し、次いで、Ｃｕメッキ層の主表面を面粗し処理する。そして、面粗し工程の終了後に、第一配線積層部及び第二配線積層部の各第一主表面に、開口を有するソルダーレジスト層を、該開口の内周縁部にて、Ｃｕメッキ層の面粗し処理が施された主表面外周縁部が当該ソルダーレジスト層にて覆われるように形成する。これにより、面粗し処理されたＣｕメッキ層の主表面外周縁部とソルダーレジスト層の開口内周縁部とを直接接触させた構造を得ることができる。
【００１７】
また、各金属端子パッドは最終的には電気的に分離することが必要であるが、パッドのＮｉめっき層を電解Ｎｉメッキにより形成するには、配線積層部の第一主表面上に配列した金属端子パッド同士が電気的に互いに導通していなければならない。本発明の製造方法においては、第一配線積層部の第一主表面において、金属端子パッドのＣｕメッキ層同士を互いに連結するための、メッキ用下地導電層を形成する（このメッキ用下地導電層もＣｕメッキ層として形成できるが、これに限られるものではない）。これにより、第一配線積層部側では、各金属端子パッドのＣｕメッキ層同士を電気的に連結することができ、上記のメッキ用下地導電層をメッキ導通経路として使用することが可能となる。一方、第二配線積層部側のパッドについては、第一配線積層部側のパッドとスルーホール導体を介して接続されているもの同士が、第一配線積層部側のメッキ用下地導電層により電気的に導通しあう。したがって、電流導入端子部を露出させつつ第一配線積層部の第一主表面を保護膜で被覆すれば、第二配線積層部側にのみ、選択的に電解Ｎｉメッキ層を形成することができる。そして、該電解Ｎｉメッキが終了後に、第一配線積層部側の不要なメッキ用下地導電層をエッチング等により除去するとともに、Ｃｕメッキ層の主表面の面粗し工程と、ソルダーレジスト形成処理とを行う。さらに、第二配線積層部側を保護膜で被覆し、無電解Ｎｉメッキ処理を施せば、第一配線積層部側では無電解Ｎｉメッキ層、第二配線積層部側では電解Ｎｉメッキ層を有する金属端子パッドを容易に形成することができる。また、Ｎｉメッキ層、あるいはその上に形成するＡｕメッキ層を、メッキ用下地導電層を除去する際のエッチング液に曝さずに済むため、メッキ層の表面にダメージが及ぶことを回避できる。
【００１８】
特に、第二配線積層部においては、金属端子パッドの電解Ｎｉメッキ層の外周縁部が、Ｃｕメッキ層の面粗し処理が施された主表面外周縁部とともに、開口の内周縁部にてソルダーレジスト層により覆われた構造とすることができる。この場合、開口の内周縁部にてソルダーレジスト層は、面粗し処理が施されたＣｕメッキ層の主表面外周縁部と接すことで密着性が向上し、さらに、電解Ｎｉメッキ層の外周縁部とも接することで、電解Ｎｉメッキ層を押さえ込む効果が生じ、ひいては電解Ｎｉメッキ層とＣｕメッキ層との結合強度が向上する。該構造は、パッド毎の半田接合面積が大きく、リフロー時の熱応力も付加されやすいＢＧＡパッドやＰＧＡパッドに適用すると、より有利である。
【００１９】
また、第一Ｃｕメッキ工程において、メッキ用下地導電層の金属端子パッド形成予定領域にＣｕメッキ層を選択的に形成する方法としては、金属端子パッド形成予定領域が露出するようにメッキ用下地導電層をマスク材にて覆い、その状態でＣｕメッキを行なう方法が簡便であり、本発明に好適に採用できる。電解Ｃｕメッキを採用する場合は、Ｃｕメッキ工程に先立って、第一配線積層部の第一主表面において、複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形でメッキ用下地導電層を形成するメッキ用下地導電層形成工程を実施し、次いでＣｕメッキ工程において、配線積層部の第一主表面の、複数の金属端子パッドの形成予定領域に、Ｃｕメッキ層を電解Ｃｕメッキにより選択的に形成すればよい。
【００２０】
本発明の配線基板においては、第一配線積層部及び第二配線積層部において、金属端子パッドのＮｉメッキ層が、Ｃｕメッキ層の主表面の、ソルダーレジスト層の開口内部に位置する領域にのみ形成された構造とすることができる。これによると、ソルダーレジスト層の開口内部にのみＮｉメッキ層が形成され、ソルダーレジスト層の開口内周縁部と接するのが面粗し処理されたＣｕメッキ層面のみとなるので、ソルダーレジスト層と金属端子パッドの主表面外周縁部との密着性をより高めることができる。該構造は、第一配線積層部及び第二配線積層部の各第一主表面において、ソルダーレジスト層を形成した後、Ｃｕメッキ層のソルダーレジスト層の開口内側に露出する領域に電解又は無電解Ｎｉメッキを施すことにより簡単に得ることができる。
【００２１】
上記構造を得る際に、第二Ｃｕメッキ工程において電解Ｃｕメッキを採用する場合は、次のような工程を採用すると便利である。まず、第二Ｃｕメッキ工程に先立って、第二配線積層部の第一主表面において、複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形でメッキ用下地導電層を形成するメッキ用下地導電層形成工程を実施する。次いで第二Ｃｕメッキ工程において、第二配線積層部の第一主表面の、複数の金属端子パッドの形成予定領域に、Ｃｕメッキ層を電解Ｃｕメッキにより選択的に形成する。Ｎｉメッキ層は、ソルダーレジスト層の形成後に形成されるが、第二配線積層部側では、電解Ｃｕメッキ形成用の上記メッキ用下地導電層をソルダーレジスト層形成前に除去しておかなければならない。そこで、第二配線積層部の第一主表面にＣｕメッキ層を形成後、少なくとも第一配線積層部の第一主表面に形成されたメッキ用下地導電層を覆うように第二エッチング保護層を形成する。そして、その状態で第二配線積層部の第一主表面に形成されたメッキ用下地導電層を選択的にエッチングする。これにより、電解Ｎｉメッキ工程に流用する第一配線積層部側のメッキ用下地導電層にダメージを加えることなく、第二配線積層部側のメッキ用下地導電層のみを選択的に除去することができる。なお、第二配線積層部の第一主表面にＣｕメッキ層を形成後、該第二配線積層部の第一主表面に、パッド用のＣｕメッキ層は覆い、それらパッド用のＣｕメッキ層間に形成されたメッキ用下地導電層は覆わないように第一エッチング保護層を形成してもよいが、メッキ用下地導電層の厚さがパッド用のＣｕメッキ層と比べて十分に小さく、メッキ用下地導電層をエッチング除去する際のＣｕメッキ層の目減りが問題にならない場合は、該第一エッチング保護層は省略することができる。
【００２２】
次に、本発明の配線基板の第一配線積層部においては、複数の金属端子パッドの一部のものが、内層導体層に導通しない、電気的に孤立したフローティングパッドとして構成され、該フローティングパッドは、無電解Ｎｉメッキ層が形成されている構成とすることができる。回路設計上は、内層導体層に導通する金属端子パッドのみが重要であるが、これらのパッドだけでは、フリップチップ接続やＢＧＡ（あるいはＰＧＡ）接続に適した格子状配列を完備するのに十分な個数や配列が実現できない場合があり、例えば基板の一部領域にパッドが偏って配置されることもありえる。この場合、集積回路チップをフリップチップ接続したり、基板自体をマザーボードにＢＧＡ（あるいはＰＧＡ）接続したりしたとき、荷重分布が不均一となって接続不良等の原因となる場合がある。そこで、非フローティングパッドだけでは完備できないパッドの格子状配列を、上記のごときフローティングパッドで補うことが、安定な接続状態を実現する上で望ましいといえる。本発明の方法によれば、第一配線積層部側では、無電解Ｎｉメッキにより、上記フローティングパッドにも一括してＮｉメッキ層を形成することが可能である。そのため、フローティングパッドと金属端子パッドとの高さに差が生じない。したがって、接続安定性を増大させるという、フローティングパッド本来の機能が十分に発揮されるようになる。他方、第二配線積層部側では、フローティングパッドも含めてすべてのパッドがメッキ用下地導電層にて接続された状態で電解Ｎｉメッキが施されるので、該フローティングパッドにも電解Ｎｉメッキ層を形成することが可能である。
【００２３】
次に、本発明の配線基板において、金属端子パッドをなす電解Ｎｉメッキ層のリンの含有率は、３質量％以下となっていることが望ましい。これにより、金属端子パッドに対する半田（特にＳｎ−Ｐｂ系半田）ぬれ性を良好に確保することができる。このためには、使用する電解Ｎｉメッキ浴にリン化合物を添加しないことが望ましい。なお、電解Ｎｉメッキ層のリンの含有率は、望ましくは１質量％以下となっているのがよく、さらに望ましくは検出限界以下となっているのがよい。
【００２４】
また、金属端子パッドをなす電解Ｎｉメッキ層は、コバルトの含有率が２質量％以下でとなっていることが、Ａｕメッキ層との密着性を向上させる観点において望ましい。電解Ｎｉメッキにおいては、得られるメッキ膜の硬度を高めるためにコバルトが添加されることがあるが、本発明においては金属端子パッド用のＮｉメッキ層としてそれほど硬度が要求されることがなく、また、Ａｕメッキ層との密着性を考慮すれば、メッキ浴にコバルトはなるべく含有させないことが望ましいといえる。
【００２５】
また、Ａｕメッキ工程は、電解Ｎｉメッキ工程に連続して行なう電解Ａｕメッキ工程と、無電解Ｎｉメッキ工程に連続して行なう無電解Ａｕメッキ工程とで構成できる。本発明の配線基板は、金属端子パッドに対し、ソルダーレジスト層の開口の内側に位置する領域のみＡｕメッキ層にて覆った構造とすることができる。該構造は、ソルダーレジスト層を形成した後、ソルダーレジスト層の開口の内側に位置する領域のみ電解／無電解Ｎｉメッキ層を形成し、その後、電解／無電解Ａｕメッキを施すことにより形成できる。各Ａｕメッキ層の形成後は、ソルダーレジスト層の露光現像工程が介在しないので、Ａｕメッキ層上への樹脂分のコンタミ付着を効果的に抑制できる。
【００２６】
【発明の実施の形態】
以下、添付の図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。
図３は本発明の一実施形態に係る配線基板１の断面構造を模式的に示すものである。該配線基板は、耐熱性樹脂板（例えばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（例えばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状コア２の両表面に、所定のパターンに配線金属層をなすコア導体層Ｍ１，Ｍ１１がそれぞれ形成される。これらコア導体層Ｍ１，Ｍ１１は板状コア２の表面の大部分を被覆する面導体パターンとして形成され、電源層又は接地層として用いられるものである。他方、板状コア２には、ドリル等により穿設されたスルーホール１２が形成され、その内壁面にはコア導体層Ｍ１，Ｍ１１を互いに導通させるスルーホール導体３０が形成されている。また、スルーホール１２は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材３１により充填されている。
【００２７】
また、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１の上層には、感光性樹脂組成物６にて構成された第一ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ１，Ｖ１１がそれぞれ形成されている。さらに、その表面にはそれぞれ金属配線７を有する第一導体層Ｍ２，Ｍ１２がＣｕメッキにより形成されている。なお、コア導体層Ｍ１，Ｍ１１と第一導体層Ｍ２，Ｍ１２とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。同様に、第一導体層Ｍ２，Ｍ１２の上層には、感光性樹脂組成物６を用いた第二ビア層（ビルドアップ層：誘電体層）Ｖ２，Ｖ１２がそれぞれ形成されている。その表面には、金属端子パッド８，１８を有する第二導体層Ｍ３，Ｍ１３が形成されている。これら第一導体層Ｍ２，Ｍ１２と第二導体層Ｍ３，Ｍ１３とは、それぞれビア３４により層間接続がなされている。ビア３４は、ビアホール３４ｈとその内周面に設けられたビア導体３４ｓと、底面側にてビア導体３４ｓと導通するように設けられたビアパッド３４ｐと、ビアパッド３４ｐと反対側にてビア導体３４ｈの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３４ｌとを有している。
【００２８】
板状コア２の第一主表面ＭＰ１においては、コア導体層Ｍ１、第一ビア層Ｖ１、第一導体層Ｍ２及び第二ビア層Ｖ２が第一の配線積層部Ｌ１を形成している。また、板状コア２の第二主表面ＭＰ２においては、コア導体層Ｍ１１、第一ビア層Ｖ１１、第一導体層Ｍ１２及び第二ビア層Ｖ１２が第二の配線積層部Ｌ２を形成している。いずれも、第一主表面ＣＰが誘電体層６にて形成されるように、誘電体層と導体層とが交互に積層されたものであり、該第一主表面ＣＰ上には、複数の金属端子パッド１０，１１０ないし１７がそれぞれ形成されている。第一配線積層部Ｌ１側の金属端子パッド１０，１１０は、集積回路チップなどをフリップチップ接続するためのパッドである半田ランドを構成する。また、第二配線積層部Ｌ２側の金属端子パッド１７は、配線基板自体をマザーボード等にピングリッドアレイ（ＰＧＡ）あるいはボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）により接続するための裏面ランド（パッド）として利用されるものである。
【００２９】
図１に示すように、半田ランド１０は配線基板１の第一主表面の略中央部分に格子状に配列し、各々その上に形成された半田バンプ１１（図３）とともにチップ搭載部４０を形成している。また、図２に示すように、第二導体層Ｍ１３内の裏面ランド１７も、格子状に配列形成されている。そして、各第二導体層Ｍ３，Ｍ１３上には、それぞれ、感光性樹脂組成物よりなるソルダーレジスト層８，１８（ＳＲ１，ＳＲ１１）が形成されている。いずれも半田ランド１０，１１０あるいは裏面ランド１７を露出させるために、各ランドに一対一に対応する形で開口部８ａ，１８ａが形成されている。
【００３０】
ビア層Ｖ１，Ｖ１１，Ｖ２，Ｖ１２、及びソルダーレジスト層８，１８は例えば以下のようにして製造されたものである。すなわち、感光性樹脂組成物ワニスをフィルム化した感光性接着フィルムをラミネート（貼り合わせ）し、ビアホール３４ｈに対応したパターンを有する透明マスク（例えばガラスマスクである）を重ねて露光する。ビアホール３４ｈ以外のフィルム部分は、この露光により硬化する一方、ビアホール３４ｈ部分は未硬化のまま残留するので、これを溶剤に溶かして除去すれば、所期のパターンにてビアホール３４ｈを簡単に形成することができる（いわゆるフォトビアプロセス）。
【００３１】
図４に示すように、金属端子パッド１０，１１０は、第一配線積層部Ｌ１の第一主表面ＣＰ側から、Ｃｕメッキ層５２、無電解Ｎｉメッキ層５５及び無電解Ａｕメッキ層５６がこの順序で積層された構造を有する。一方、金属端子パッド１７は、第二配線積層部Ｌ２の第一主表面ＣＰ側から、Ｃｕメッキ層５２、電解Ｎｉメッキ層５３及び電解Ａｕメッキ層５４がこの順序で積層された構造を有する。第二配線積層部Ｌ２においては、誘電体層６の第一主表面ＣＰに、金属端子パッド１７に一端が結合される金属配線が全く配置されていない。他方、図３に示すように、第一配線積層部Ｌ１の第一主表面ＣＰには、金属端子パッド１０に一端が結合される金属配線７７が設けられているが、その他端側は内層導体層７にビア３４を介して接続されている。
【００３２】
つまり、いずれの配線積層部Ｌ１，Ｌ２においても、金属端子パッド１０，１１０，１７の形成面をなす誘電体層６の第一主表面ＣＰ（及び内層された金属層）から、メッキタイバー（メッキ用金属配線）などの末端が電気的に開放した不要な導通路が排除された構造となっている。
【００３３】
電解Ｎｉメッキ層５３のリンの含有率は３質量％以下であり、コバルトの含有率が２質量％以下である。本実施形態では、金属端子パッド１７において、Ｃｕメッキ層５２の側面が電解Ｎｉメッキ層５３にて覆われていない。同様に、金属端子パッド１０，１１０において、Ｃｕメッキ層５２の側面が無電解Ｎｉメッキ層５５にて覆われていない。
【００３４】
前述の通り、各配線積層部Ｌ１，Ｌ２の第一主表面ＣＰはソルダーレジスト層８，１８にて覆われてなり、それらソルダーレジスト層８，１８の開口８ａ，１８ａの内周縁が、金属端子パッド１０，１１０，１７の主表面外周縁よりも内側に張り出して位置している。そして、図４に示すように、金属端子パッド１０，１１０，１７は、Ｎｉメッキ層５３，５５が、Ｃｕメッキ層５２の主表面に対し該主表面の外周縁内側に収まるように形成され、該Ｃｕメッキ層５２のＮｉメッキ層５３，５５に覆われていない主表面外周縁部５２ｐに面粗し処理が施されている。ソルダーレジスト層８，１８は、開口８ａ，１８ａの内周縁部にて、Ｃｕメッキ層５２の面粗し処理が施された主表面外周縁部５２ｐと接してなる。また、金属端子パッド１０，１１０，１７のＮｉメッキ層５３，５５は、ソルダーレジスト層８，１８の開口８ａ，１８ａの内側に位置する領域においてＡｕメッキ層５４，５６に覆われている。
【００３５】
本実施形態においては、第一配線積層部Ｌ１においては、金属端子パッド１０，１１０の無電解Ｎｉメッキ層５５が、Ｃｕメッキ層５２の主表面の、ソルダーレジスト層８の開口８ａ内部に位置する領域にのみ形成されてなる。同様に、第二配線積層部Ｌ２においては、金属端子パッド１７の電解Ｎｉメッキ層５３が、Ｃｕメッキ層５２の主表面の、ソルダーレジスト層１８の開口１８ａ内部に位置する領域にのみ形成されてなる。
【００３６】
なお、複数の金属端子パッド１０，１１０，１７は、一部のものが、内層導体層７に導通しない、電気的に孤立したフローティングパッド１１０として構成されている。本実施形態では、第一配線積層部Ｌ１側にフローティングパッド１１０が形成されているが、第二配線積層部Ｌ２側にもフローティングパッドを形成可能である。また、本実施形態においては、該フローティングパッド１１０にもＮｉメッキ層５５が形成されている。回路設計上は、内層導体層７に導通する金属端子パッド１０，１７（以下、非フローティングパッドという）のみが重要であるが、これらのパッドだけでは、フリップチップ接続やＢＧＡ（あるいはＰＧＡ）接続に適した格子状配列を完備するのに十分な個数や配列が実現できない場合があり、例えば基板の一部領域にパッドが偏って配置されることもありえる。この場合、集積回路チップをフリップチップ接続したり、基板１自体をマザーボードにＢＧＡ（あるいはＰＧＡ）接続したりしたとき、荷重分布が不均一となって接続不良等の原因となる場合がある。そこで、非フローティングパッドだけでは完備できないパッドの格子状配列を、上記のごときフローティングパッド１１０で補うことが、安定な接続状態を実現する上で望ましいといえる。また、後述するプロセスにより、フローティングパッド１１０には、非フローティングパッドと同様の厚さのメッキ層が形成されているので、より安定な接続状態を実現できる。
【００３７】
本実施形態では、後述の通り、第二配線積層部Ｌ２のパッドには、第一配線積層部Ｌ１側のパッド１からスルーホール導体３０を介して通電することにより電解Ｎｉメッキ層５３が形成され、第一配線積層部Ｌ１のパッドには、無電解メッキ層５５が形成される。したがって、フローティングパッド１１０にメッキ層を形成するための特別な工程も不必要となっている。
【００３８】
以下、配線基板１の製造工程について説明する。
まず、既に説明した周知のビルドアップ法等により、板状コア２の両主表面に、配線積層部Ｌ１，Ｌ２をそれぞれ形成する。その後、各配線積層部Ｌ１，Ｌ２についてパッド形成工程を実施する。まず、図６の工程１に示すように、第一配線積層部Ｌ１及び第二配線積層部Ｌ２の各第一主表面ＣＰに、複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形で、メッキ導通路をなすメッキ用下地導電層５１をそれぞれ形成する。本実施形態では、メッキ用下地導電層５１を無電解Ｃｕメッキ（厚さ：例えば０．４μｍ以上２μｍ以下）により、第一主表面ＣＰの全面に形成している。
【００３９】
次に、第一配線積層部Ｌ１及び第二配線積層部Ｌ２のそれぞれについて、メッキ用下地導電層５１の金属端子パッドの形成予定領域にＣｕメッキ層５２（厚さ：例えば１０μｍ以上３０μｍ以下）を選択的に形成する（第一Ｃｕメッキ工程及び第二Ｃｕメッキ工程）。具体的には、メッキ用下地導電層５１を、フォトレジスト等からなるマスク材６１にて、周知のフォトリソグラフィー工程により、金属端子パッド１０，１１０，１７の形成予定領域が露出するように覆い、その後Ｃｕメッキを行なう。このＣｕメッキも、本実施形態では電解Ｃｕメッキにより行なっている。
【００４０】
図５に示すように、配線基板１は、中間製品１’の段階では複数個のものが縦横に一体化された大判の状態で製造され、各メッキ層の形成も全ての中間製品１’について一括して行われる。また、後述の電解Ｎｉメッキ用の給電部６０を、中間製品１’の大判の集合体の外周縁に沿って同様のＣｕメッキ層により形成してある。図５からも明らかなように、第一配線積層部Ｌ１の第一主表面ＣＰに形成されるメッキ用の導通路が、メッキタイバーではなくベタのメッキ用下地導電層５１で形成される点が重要である。
【００４１】
次に、工程２に示すように、第二配線積層部Ｌ２側の少なくともメッキ用下地導電層５１を露出させつつ、第一配線積層部Ｌ１側のＣｕメッキ層５２及びメッキ用下地導電層５１を、ドライフィルム等からなる保護膜８０（エッチング保護層）で被覆する。次に、工程３に示すように、第二配線積層部Ｌ２の、金属端子パッド１７の形成予定領域以外の領域に形成された不要なメッキ用下地導電層５１を、過硫酸ナトリウム溶液や過酸化水素と硫酸の混合溶液等のエッチング液を用いて、化学エッチングにより除去する。すなわち、第二配線積層部側のＣｕメッキ層５２を形成する第二Ｃｕメッキ工程は、先に無電解Ｃｕメッキにより形成されたメッキ用下地導電層５１をエッチングにより除去する、無電解Ｃｕメッキ除去工程を含む。第二配線積層部側のメッキ用下地導電層５１の除去が終了したら、保護膜８０を剥離ないし薬液で除去する。なお、メッキ用下地導電層５１の厚さがＣｕメッキ層５２よりも十分に小さく、エッチングによるＣｕメッキ層５２の目減りがほとんど問題にならない場合は、第二配線積層部Ｌ２側のＣｕメッキ層５２を被覆する保護膜８０は省略できる。
【００４２】
次に、図７に移って工程４に示すように、上記のメッキ用下地導電層５１の除去に続いて、第二配線積層部Ｌ２のＣｕメッキ層５２の表面に面粗し処理を行なう（第一面粗し処理）。該面粗し処理は、例えばクロム酸系の処理液を用いて行なうことができる。第一配線積層部Ｌ１側のメッキ用下地導電層５１への面粗し処理によるアタックが懸念される場合は、必要に応じて該メッキ用下地導電層５１を図示しないマスク材で覆うこともできる。なお、面粗し処理を、メッキ用下地導電層５１の除去に先立って（つまり、保護膜８０の形成前に）行なうことも可能である。
【００４３】
上記第一面粗し工程の終了後、工程５に示すように、第二配線積層部Ｌ２の第一主表面をソルダーレジスト層１８にて覆う（第一ソルダーレジスト形成工程）。具体的には、感光性樹脂からなるソルダーレジストフィルムを用いたフォトリソグラフィー工程により、金属端子パッド１７を個別に露出させるための開口１８ａを有し、かつ該開口１８ａの内周縁が金属端子パッド１７の主表面外周縁よりも内側に張り出して位置するように、ソルダーレジスト層１８のパターニングを行なう。これにより、該開口１８ａの内周縁部にて、Ｃｕメッキ層５２の面粗し処理が施された主表面外周縁部５２ｐは、当該ソルダーレジスト層１８と直接接触した形で覆われることとなる。
【００４４】
次に、工程６に示すように、第一配線積層部Ｌ１側のＣｕメッキ層５２及びメッキ用下地導電層５１を、ドライフィルム等の保護膜８２で被覆する。そして、図８に移って工程７に示すように、第二配線積層部Ｌ２側の複数の金属端子パッド１７の形成予定領域に形成された各Ｃｕメッキ層５２上に電解Ｎｉメッキ層５３を形成する。具体的には、第一配線積層部Ｌ１側のメッキ用下地導電層５１を電流供給路として、それら第一配線積層部Ｌ１側のＣｕメッキ層５２にそれぞれスルーホール導体３０を介して導通する第二配線積層部Ｌ２側のＣｕメッキ層５２にメッキ電流を供給することにより、第二配線積層部Ｌ２側のＣｕメッキ層５２の（面粗し処理された）主表面外周縁部５２ｐを除いた領域（＝ソルダーレジスト層１８の開口１８ａ内に露出する領域）に、電解Ｎｉメッキ層５３を形成する。
【００４５】
電解Ｎｉメッキは、第一配線積層部Ｌ１側の給電部６０を介して通電用端子６４から電流供給することにより行なう。使用する電解Ｎｉメッキ浴としては、周知のスルファミン酸浴やワット浴を使用できるが、Ｎｉ金属源となる原料（スルファミン酸浴ではスルファミン酸Ｎｉ、ワット浴では硫酸Ｎｉ）として、コバルトをなるべく含有しないもの（例えば３質量％未満：望ましくは検出限界以下）を用い、リン化合物系の添加物は使用しないようにする。
【００４６】
第二配線積層部Ｌ２側のＣｕメッキ層５２上に、所期の厚さの電解Ｎｉメッキ層５３を形成した後、メッキ浴を電解Ａｕメッキ用のものに切り換えるとともに、給電部６０より電解Ｎｉメッキ層５３にメッキ電流を供給する。これにより、該電解Ｎｉメッキ層５３上に、電解Ａｕメッキ層５４が形成される。その後、第一配線積層部Ｌ１側の保護膜８２を除去する（工程８）。
【００４７】
次に、第一配線積層部Ｌ１の第一主表面ＣＰの、金属端子パッド形成予定領域以外の領域に形成されたメッキ用下地導電層５１を除去する。具体的には、まず工程９に示すように、第二配線積層部Ｌ２側に形成されたソルダーレジスト層１８の開口１８ａを塞ぐようにして、マスク材８４を配置する。これにより、金属端子パッド１７がエッチング液に接触不可となる。そして、図９の工程１０に示すように、第一配線積層部Ｌ１の、金属端子パッド１０，１１０の形成予定領域以外の領域に形成された不要なメッキ用下地導電層５１を、化学エッチングにより除去する。
【００４８】
次に、工程１１に示すように、マスク材８４を除去する。続いて、第一配線積層部Ｌ１側のＣｕメッキ層５２の主表面に、第二配線積層部Ｌ２側と同様の面粗し処理を行なう。ただし、マスク材８４の除去工程と、上記面粗し工程とは、順不同で行なうことができる。
【００４９】
次に、工程１２に示すように、第一配線積層部Ｌ１の第一主表面をソルダーレジスト層８にて覆う（第二ソルダーレジスト形成工程）。ソルダーレジスト層８の形成は、第二配線積層部Ｌ２側と同様の手順で行うことができる。ソルダーレジスト層８が形成されることにより、該ソルダーレジスト層８の開口８ａの内周縁部にて、Ｃｕメッキ層５２の面粗し処理が施された主表面外周縁部５２ｐは、当該ソルダーレジスト層８と直接接触した形で覆われることとなる。
【００５０】
次に、図１０に移って工程１３及び工程１４に示すように、第二配線積層部Ｌ２側をマスク材８６で被覆しつつ（工程９と同様の手順で行なえる）、第一配線積層部Ｌ１側におけるソルダーレジスト層８の開口８ａの内側に露出するＣｕメッキ層５２上に、無電解Ｎｉメッキ層５５及び無電解Ａｕメッキ層５６をこの順番で形成する。
【００５１】
最後に、工程１５に示すように、マスク材８６を除去する。その後、図５のように大判状態で一体化された中間製品１’を、カッターを用いてストリッピングし、余分な給電部６０等を除去すれば、完成状態の配線基板１が得られる。
【００５２】
従来、電解Ｎｉメッキを用いたパッド形成工程では、図１１に示すように、パッド形成面上に、各パッド１０に接続するメッキタイバー２０２を複雑に入り組んだ形で形成する必要があった。この方式では、パッド１０間にメッキタイバー２０２を挿入するためのスペースを確保しなければならないので、パッド１０の配列間隔を一定以上には縮小できなくなり、基板面積の増大を引き起こしやすくなるとともに、設計上の制約も非常に大きくなる問題があった。また、メッキタイバー２０２は、末端が電気的に開放した不要な導通路として、最終的にはパッド１０に付随した形で基板上に残留し、基板の耐ノイズ性が悪化したり、パッド１０を含んだ伝送経路のインピーダンス不整合を将来するもととなっていた。しかし、上記の工程によると、第二配線積層部側のパッド１７が電解Ｎｉメッキ層を含んでいるにも拘らず、配線積層部Ｌ１，Ｌ２の第一主表面ＣＰからは、メッキタイバーなどの、末端が電気的に開放した不要な導通路が完全に排除できる。その結果、該不要な導通路による基板の耐ノイズ性の悪化や、伝送経路のインピーダンス不整合を効果的に防止できる。そして、不要な導通路が設けられない分、パッド間のスペースも節約でき、基板のコンパクト化に寄与できる。また、図１１のように、配線レイアウトの複雑化も生じにくいので、設計上の制約も少なくなる。そして、ＢＧＡあるいはＰＧＡ側の金属端子パッド１７を構成するＮｉメッキ層が、リンや水素の含有率を低くできる電解メッキ層として構成されているから、半田に対するぬれ性や密着性の向上も同時に達成できる。
【００５３】
そして、配線基板１においては、各配線積層部Ｌ１，Ｌ２において、該Ｃｕメッキ層５２のＮｉメッキ層５３，５５に覆われていない主表面外周縁部５２ｐに面粗し処理が施され、その面粗し処理が施されたＣｕめっき層５２の主表面外周縁部５２ｐに、ソルダーレジスト層８，１８の開口８ａ，１８ａの内周縁部が接した構造となる。これにより、ソルダーレジスト層８，１８の開口内周縁部とＣｕめっき層５２の主表面外周縁部５２ｐとの密着性が向上し、特に半田リフロー等の熱サイクルが加わった場合においても、開口内周縁部にてソルダーレジスト層８，１８のはがれ等が生じにくくなり、ひいては良好な半田接続状態を容易に得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の配線基板の一実施形態を示す平面図。
【図２】同じく裏面図。
【図３】本発明の配線基板の断面構造の一例を示す図。
【図４】その要部を示す断面模式図。
【図５】メッキ用下地導電層の形成形態を示す平面模式図。
【図６】本発明の配線基板の製造方法の一例を示す工程説明図。
【図７】図６に続く工程説明図。
【図８】図７に続く工程説明図。
【図９】図８に続く工程説明図。
【図１０】図９に続く工程説明図。
【図１１】従来の配線基板の製造方法の問題点を示す図。
【符号の説明】
１配線基板
６誘電体層
７内層導体層
８，１８ソルダーレジスト層
８ａ，１８ａ開口
Ｌ１，Ｌ２配線積層部
ＣＰ第一主表面
１０，１１０，１７金属端子パッド
３０スルーホール導体
３４ビア
５１メッキ用下地導電層
５２Ｃｕメッキ層
５２ｐ主表面外周縁部
５３電解Ｎｉメッキ層
５４電解Ａｕメッキ層
５５無電解Ｎｉメッキ層
５６無電解Ａｕメッキ層
６１，８４，８６マスク材
８０，８２保護膜

Claims

第一主表面が誘電体層にて形成されるように、高分子材料からなる誘電体層と導体層とが交互に積層された配線積層部と、該配線積層部の前記誘電体層にて形成された第一主表面上に配置される複数の金属端子パッドとを有し、それら金属端子パッドの少なくとも一部のものが、前記配線積層部内に位置する内層導体層にビアを介して導通した構造を有する配線基板であって、
前記配線積層部として、板状コアの第一主表面に形成される第一配線積層部と、同じく第二主表面に形成される第二配線積層部とが設けられ、それぞれ前記金属端子パッドが設けられ、前記第一配線積層部の前記金属端子パッドと、前記第二配線積層部の前記金属端子パッドとが、前記板状コアに設けられたスルーホール導体にて接続されてなり、
前記金属端子パッドは、第一主表面側からＣｕメッキ層、Ｎｉメッキ層及びＡｕメッキ層がこの順序で積層されてなり、
前記第一配線積層部側の前記Ｎｉメッキ層が無電解Ｎｉメッキ層であり、前記第二配線積層部側の前記Ｎｉメッキ層が電解Ｎｉメッキ層とされ、かつ、前記誘電体層の第一主表面には、前記金属端子パッドに一端が結合され、他端が開放したメッキ用金属配線が形成されておらず、さらに、
前記第一配線積層部及び前記第二配線積層部において、前記Ｎｉメッキ層が、前記Ｃｕメッキ層の主表面に対し該主表面の外周縁内側に収まるように形成され、該Ｃｕメッキ層の前記Ｎｉメッキ層に覆われていない主表面外周縁部に面粗し処理が施され、該第一配線積層部及び第二配線積層部の第一主表面はソルダーレジスト層にて覆われてなり、該ソルダーレジスト層は前記金属端子パッドを個別に露出させるための開口を有するとともに、該開口の内周縁が前記金属端子パッドの主表面外周縁よりも内側に張り出して位置し、当該開口の内周縁部にて、前記Ｃｕメッキ層の前記面粗し処理が施された主表面外周縁部と接してなることを特徴とする配線基板。
前記第一配線積層部及び第二配線積層部において、前記金属端子パッドの前記Ｎｉメッキ層が、前記Ｃｕメッキ層の主表面の、前記ソルダーレジスト層の前記開口内部に位置する領域にのみ形成されてなる請求項１記載の配線基板。
前記金属端子パッドをなす前記電解Ｎｉメッキ層のリンの含有率が３質量％以下である請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
前記金属端子パッドをなす前記電解Ｎｉメッキ層のコバルトの含有率が２質量％以下である請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の配線基板。
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記第一配線積層部の第一主表面において、前記複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形でメッキ用下地導電層を形成するメッキ用下地導電層形成工程と、
前記第一配線積層部の第一主表面において、前記メッキ用下地導電層の形成後に、前記金属端子パッド形成予定領域にＣｕメッキ層を選択的に形成する第一Ｃｕメッキ工程と、
前記第二配線積層部の第一主表面の、前記複数の金属端子パッドの形成予定領域に、Ｃｕメッキ層を電気的に分離された形で形成する第二Ｃｕメッキ工程と、前記第二配線積層部の前記Ｃｕメッキ層の主表面を面粗し処理する第一面粗し工程と、
該第一面粗し工程の終了後に、前記第二配線積層部の第一主表面に、開口を有するソルダーレジスト層を、該開口の内周縁部にて、前記Ｃｕメッキ層の前記面粗し処理が施された主表面外周縁部が当該ソルダーレジスト層にて覆われるように形成する第一ソルダーレジスト形成工程と、
前記第一配線積層部の第一主表面側を保護膜で被覆しつつ、前記メッキ用下地導電層を電流供給路として、該メッキ用下地導電層にて連結される前記第一配線積層部側のＣｕメッキ層に、前記スルーホール導体を介して導通する、前記第二配線積層部側のＣｕメッキ層にメッキ電流を供給することにより、該Ｃｕメッキ層の主表面外周縁部を除いた領域に電解Ｎｉメッキ層を形成する電解Ｎｉメッキ工程と、
前記電解Ｎｉメッキ工程が終了した後、前記第一配線積層部の第一主表面の、前記金属端子パッド形成予定領域以外の領域に形成されたメッキ用下地導電層を除去するメッキ用下地導電層除去工程と、
前記第一配線積層部の前記Ｃｕメッキ層の主表面を面粗し処理する第二面粗し工程と、
該第二面粗し工程の終了後に、前記第一配線積層部の第一主表面に、開口を有するソルダーレジスト層を、該開口の内周縁部にて、前記Ｃｕメッキ層の前記面粗し処理が施された主表面外周縁部が当該ソルダーレジスト層にて覆われるように形成する第二ソルダーレジスト形成工程と、
前記第二配線積層部側をマスク材で被覆しつつ、前記第一配線積層部側における前記ソルダーレジスト層の開口の内側に露出する前記Ｃｕメッキ層上に、無電解Ｎｉメッキ層を形成する無電解Ｎｉメッキ工程と、
各Ｎｉメッキ層上にＡｕメッキ層を形成するＡｕメッキ工程と、
を含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
前記第一Ｃｕメッキ工程において、前記金属端子パッド形成予定領域が露出するように前記メッキ用下地導電層をマスク材にて覆い、その状態で前記Ｃｕメッキを行なう請求項５に記載の配線基板の製造方法。
前記第二Ｃｕメッキ工程に先立って、前記第二配線積層部の第一主表面において、前記複数の金属端子パッドの形成予定領域を互いに連結する形でメッキ用下地導電層を形成するメッキ用下地導電層形成工程を実施し、
次いで前記第二Ｃｕメッキ工程において、前記第二配線積層部の第一主表面の、前記複数の金属端子パッドの形成予定領域に、Ｃｕメッキ層を電解Ｃｕメッキにより選択的に形成し、
その後、前記第二配線積層部の第一主表面に、パッド用の前記Ｃｕメッキ層は覆い、それらパッド用のＣｕメッキ層間に形成された前記メッキ用下地導電層は覆わないように第一エッチング保護層を形成し、また、前記第一配線積層部の第一主表面に形成された前記メッキ用下地導電層を覆うように第二エッチング保護層を形成し、その状態で前記第二配線積層部の第一主表面に形成された前記メッキ用下地導電層を選択的にエッチングする請求項６記載の配線基板の製造方法。
前記Ａｕメッキ工程は、前記電解Ｎｉメッキ工程に連続して行なう電解Ａｕメッキ工程と、前記無電解Ｎｉメッキ工程に連続して行なう無電解Ａｕメッキ工程とを含む請求項５ないし請求項７のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。