JP2015070007A5 - - Google Patents

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本配線基板は、基板本体と、前記基板本体の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に形成された貫通配線と、を有し、前記貫通配線は、前記貫通孔の内側面の前記一方の面側に形成された第1金属層と、前記第1金属層を被覆して前記貫通孔の前記一方の面側を埋める第1配線層と、前記貫通孔の内側面の前記他方の面側及び前記第1配線層の前記他方の面側の端部に連続的に形成された第2金属層と、前記第2金属層を被覆して前記貫通孔の前記他方の面側を埋める第2配線層と、を備え、前記貫通孔内の前記第1配線層の前記他方の面側の端部には前記他方の面側に開口する凹部が形成され、前記貫通孔内の前記第2配線層の前記一方の面側の端部には前記一方の面側に突起する凸部が形成され、前記凸部は前記凹部内に配され、前記第1配線層と前記第2配線層とが、前記貫通孔内で前記第2金属層を介して導通していることを要件とする。

Claims (8)

  1. 基板本体と、
    前記基板本体の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔と、
    前記貫通孔内に形成された貫通配線と、を有し、
    前記貫通配線は、
    前記貫通孔の内側面の前記一方の面側に形成された第1金属層と、
    前記第1金属層を被覆して前記貫通孔の前記一方の面側を埋める第1配線層と、
    前記貫通孔の内側面の前記他方の面側及び前記第1配線層の前記他方の面側の端部に連続的に形成された第2金属層と、
    前記第2金属層を被覆して前記貫通孔の前記他方の面側を埋める第2配線層と、を備え、
    前記貫通孔内の前記第1配線層の前記他方の面側の端部には前記他方の面側に開口する凹部が形成され、
    前記貫通孔内の前記第2配線層の前記一方の面側の端部には前記一方の面側に突起する凸部が形成され、
    前記凸部は前記凹部内に配され、
    前記第1配線層と前記第2配線層とが、前記貫通孔内で前記第2金属層を介して導通している配線基板。
  2. 前記基板本体と前記第1金属層との間に第1密着層が形成され、
    前記基板本体と前記第2金属層との間、及び、前記第1配線層の前記他方の面側の端部と前記第2金属層との間に第2密着層が形成され、
    前記第1配線層と前記第2配線層とは、前記貫通孔内で前記第2密着層及び前記第2金属層を介して導通している請求項記載の配線基板。
  3. 前記基板本体の材料はシリコンであり、
    前記貫通孔の内側面はシリコン酸化膜で被覆され、
    前記第1密着層は、前記第1金属層よりも前記シリコン酸化膜との密着性が良好な材料から構成され、
    前記第2密着層は、前記第2金属層よりも前記シリコン酸化膜との密着性が良好な材料から構成されている請求項記載の配線基板。
  4. 前記第1配線層は、前記第2配線層の前記一方の面側の端部上に、複数の導電層が積層された構造を有する請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  5. 前記貫通孔の内側面に形成された前記第1金属層の厚さは、前記一方の面側から前記貫通孔の深い部分にいくにつれて薄くなり、
    前記貫通孔の内側面に形成された前記第2金属層の厚さは、前記他方の面側から前記貫通孔の深い部分にいくにつれて薄くなる請求項1乃至の何れか一項記載の配線基板。
  6. 基板本体の一方の面から他方の面に貫通する貫通孔を形成する工程と、
    前記貫通孔内に貫通配線を形成する工程と、を有し、
    前記貫通配線を形成する工程は、
    前記貫通孔の内側面の前記一方の面側に第1金属層を形成する工程と、
    前記第1金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第1金属層を被覆して前記貫通孔の前記一方の面側を埋める第1配線層を形成する工程と、
    前記貫通孔の内側面の前記他方の面側及び前記第1配線層の前記他方の面側の端部に連続的に第2金属層を形成する工程と、
    前記第2金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第2金属層を被覆して前記貫通孔の前記他方の面側を埋める第2配線層を形成する工程と、を備え、
    前記第1配線層を形成する工程では、コンフォーマルめっきにより、前記貫通孔内の前記第1配線層の他部となる導電層の前記他方の面側の端部に前記他方の面側に開口する凹部を形成し、
    前記第2配線層を形成する工程では、前記貫通孔内の前記第2配線層の前記一方の面側の端部に前記一方の面側に突起する凸部を形成し、前記凸部を前記凹部内に配し、
    前記第1配線層と前記第2配線層とを、前記貫通孔内で前記第2金属層を介して導通させる配線基板の製造方法。
  7. 前記第1配線層を形成する工程は、
    前記基板本体の一方の面側に、前記貫通孔の前記一方の面側の端部を塞ぐ保護膜を形成する工程と、
    前記貫通孔の内側面の前記他方の面側、前記第1金属層、及び前記保護膜の前記貫通孔内に露出する部分を連続的に被覆するレジスト層を形成する工程と、
    前記保護膜を除去し、前記レジスト層の一部を前記貫通孔の前記一方の面側の端部から露出させる工程と、
    前記レジスト層の前記貫通孔の前記一方の面側の端部から露出する部分上に、前記第1金属層を給電層とする電解めっき法により前記第1配線層の一部となる導電層を形成する工程と、
    前記レジスト層を除去した後、前記第1金属層を給電層とする電解めっき法により、前記貫通孔の前記一方の面側を埋めるように、前記第1配線層の一部となる導電層の前記他方の面側に、前記第1配線層の他部となる導電層を形成する工程と、を含む請求項記載の配線基板の製造方法。
  8. 前記第1金属層及び前記第2金属層は、スパッタ法により形成される請求項6又は7記載の配線基板の製造方法。
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Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016073658A1 (en) 2014-11-05 2016-05-12 Corning Incorporated Bottom-up electrolytic via plating method
JP6184613B2 (ja) * 2014-12-17 2017-08-23 三井化学株式会社 基板中間体、貫通ビア電極基板および貫通ビア電極形成方法
CN108738249B (zh) * 2015-05-31 2022-04-26 清川镀金工业株式会社 配线用基板的制造方法
JP6563317B2 (ja) * 2015-11-25 2019-08-21 新光電気工業株式会社 プローブガイド板及びその製造方法とプローブ装置
US10312194B2 (en) 2016-11-04 2019-06-04 General Electric Company Stacked electronics package and method of manufacturing thereof
US10700035B2 (en) * 2016-11-04 2020-06-30 General Electric Company Stacked electronics package and method of manufacturing thereof
US9966361B1 (en) 2016-11-04 2018-05-08 General Electric Company Electronics package having a multi-thickness conductor layer and method of manufacturing thereof
US9966371B1 (en) 2016-11-04 2018-05-08 General Electric Company Electronics package having a multi-thickness conductor layer and method of manufacturing thereof
US10917966B2 (en) * 2018-01-29 2021-02-09 Corning Incorporated Articles including metallized vias
US11152294B2 (en) * 2018-04-09 2021-10-19 Corning Incorporated Hermetic metallized via with improved reliability
CN111511102B (zh) * 2019-01-31 2023-12-15 奥特斯奥地利科技与系统技术有限公司 在通孔中具有符合最小距离设计原则的桥结构的部件承载件
WO2020171940A1 (en) 2019-02-21 2020-08-27 Corning Incorporated Glass or glass ceramic articles with copper-metallized through holes and processes for making the same
IT201900006736A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di fabbricazione di package
IT201900006740A1 (it) 2019-05-10 2020-11-10 Applied Materials Inc Procedimenti di strutturazione di substrati
US11851321B2 (en) * 2021-03-01 2023-12-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Micro-electro mechanical system and manufacturing method thereof
US11454884B2 (en) 2020-04-15 2022-09-27 Applied Materials, Inc. Fluoropolymer stamp fabrication method
CN114899197B (zh) * 2022-06-20 2023-07-18 业成科技(成都)有限公司 显示面板、显示面板制造方法以及显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6016012A (en) * 1996-11-05 2000-01-18 Cypress Semiconductor Corporation Thin liner layer providing reduced via resistance
US6498381B2 (en) * 2001-02-22 2002-12-24 Tru-Si Technologies, Inc. Semiconductor structures having multiple conductive layers in an opening, and methods for fabricating same
US6954984B2 (en) * 2002-07-25 2005-10-18 International Business Machines Corporation Land grid array structure
US6716737B2 (en) * 2002-07-29 2004-04-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Method of forming a through-substrate interconnect
JP4098673B2 (ja) 2003-06-19 2008-06-11 新光電気工業株式会社 半導体パッケージの製造方法
JP4634735B2 (ja) * 2004-04-20 2011-02-16 大日本印刷株式会社 多層配線基板の製造方法
JP4298601B2 (ja) * 2004-07-06 2009-07-22 東京エレクトロン株式会社 インターポーザおよびインターポーザの製造方法
KR100632552B1 (ko) * 2004-12-30 2006-10-11 삼성전기주식회사 내부 비아홀의 필 도금 구조 및 그 제조 방법
JP2007005404A (ja) * 2005-06-21 2007-01-11 Matsushita Electric Works Ltd 半導体基板への貫通配線の形成方法
US7795134B2 (en) * 2005-06-28 2010-09-14 Micron Technology, Inc. Conductive interconnect structures and formation methods using supercritical fluids
US7429529B2 (en) * 2005-08-05 2008-09-30 Farnworth Warren M Methods of forming through-wafer interconnects and structures resulting therefrom
KR100960284B1 (ko) * 2005-09-01 2010-06-07 후지쯔 세미컨덕터 가부시키가이샤 반도체 장치와 그 제조 방법
TWI272886B (en) * 2006-02-27 2007-02-01 Advanced Semiconductor Eng Substrate with multi-layer PTH and method for forming the multi-layer PTH
US7749899B2 (en) * 2006-06-01 2010-07-06 Micron Technology, Inc. Microelectronic workpieces and methods and systems for forming interconnects in microelectronic workpieces
WO2011062037A1 (ja) * 2009-11-20 2011-05-26 イビデン株式会社 プリント配線板及びプリント配線板の製造方法
JP5360494B2 (ja) * 2009-12-24 2013-12-04 新光電気工業株式会社 多層配線基板、多層配線基板の製造方法、及びヴィアフィル方法
KR101167466B1 (ko) * 2010-12-30 2012-07-26 삼성전기주식회사 다층 인쇄회로기판 그 제조방법
JP5613620B2 (ja) * 2011-05-27 2014-10-29 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
JP2013077807A (ja) * 2011-09-13 2013-04-25 Hoya Corp 基板製造方法および配線基板の製造方法

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