JP2015211077A5 - - Google Patents

Description

本発明の一観点によれば、基板本体と、前記基板本体の上面と下面との間を貫通する貫通孔と、前記貫通孔内に形成された貫通電極と、を有し、前記貫通電極は、前記貫通孔の前記上面側の内側面に形成された第１金属層と、前記第１金属層の少なくとも一部を被覆して前記貫通孔の前記上面側の開口部を閉塞する第２金属層と、前記貫通孔の前記下面側の内側面に形成され、前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方と接続された第３金属層と、前記第１金属層及び前記第２金属層及び前記第３金属層を含む導電層から露出する前記貫通孔内の空間を充填する樹脂層と、を有し、前記第３金属層は、前記貫通孔の深さ方向の中途に位置する前記第１金属層の端部を被覆し、前記導電層は、前記第１金属層と前記第２金属層との間、及び前記第３金属層と前記樹脂層との間に形成され、前記第１金属層及び前記第３金属層を連続して被覆する第４金属層を有し、前記樹脂層は、前記第４金属層によって囲まれた空間を充填する。

Claims (6)

1. 基板本体と、
   前記基板本体の上面と下面との間を貫通する貫通孔と、
   前記貫通孔内に形成された貫通電極と、を有し、
   前記貫通電極は、
   前記貫通孔の前記上面側の内側面に形成された第１金属層と、
   前記第１金属層の少なくとも一部を被覆して前記貫通孔の前記上面側の開口部を閉塞する第２金属層と、
   前記貫通孔の前記下面側の内側面に形成され、前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方と接続された第３金属層と、
   前記第１金属層及び前記第２金属層及び前記第３金属層を含む導電層から露出する前記貫通孔内の空間を充填する樹脂層と、を有し、
   前記第３金属層は、前記貫通孔の深さ方向の中途に位置する前記第１金属層の端部を被覆し、
   前記導電層は、前記第１金属層と前記第２金属層との間、及び前記第３金属層と前記樹脂層との間に形成され、前記第１金属層及び前記第３金属層を連続して被覆する第４金属層を有し、
   前記樹脂層は、前記第４金属層によって囲まれた空間を充填することを特徴とする配線基板。
2. 基板本体と、
   前記基板本体の上面と下面との間を貫通する貫通孔と、
   前記貫通孔内に形成された貫通電極と、を有し、
   前記貫通電極は、
   前記貫通孔の前記上面側の内側面に形成された第１金属層と、
   前記第１金属層の少なくとも一部を被覆して前記貫通孔の前記上面側の開口部を閉塞する第２金属層と、
   前記貫通孔の前記下面側の内側面に形成され、前記第１金属層及び前記第２金属層の少なくとも一方と接続された第３金属層と、
   前記第１金属層及び前記第２金属層及び前記第３金属層を含む導電層から露出する前記貫通孔内の空間を充填する樹脂層と、を有し、
   前記第２金属層は、前記第１金属層を被覆して前記貫通孔の前記上面側の空間を埋めるように形成され、
   前記第３金属層は、前記貫通孔の前記下面側の内側面と前記第２金属層の下面とを連続して被覆し、
   前記導電層は、前記第３金属層と前記樹脂層との間に形成され、前記第３金属層を被覆する第５金属層を有し、
   前記樹脂層は、前記第５金属層によって囲まれた空間を充填することを特徴とする配線基板。
3. 前記基板本体の材料はシリコンであり、
   前記貫通孔の内側面は絶縁膜で被覆され、
   前記導電層は、
   前記絶縁膜と前記第１金属層との間に形成され、前記第１金属層よりも前記絶縁膜との密着性が高い第１密着層と、
   前記絶縁膜と前記第３金属層との間に形成され、前記第３金属層よりも前記絶縁膜との密着性が高い第２密着層と、を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 前記基板本体の上面に形成され、前記貫通電極と接続された第１配線層と、
   前記基板本体の下面に形成され、前記貫通電極と接続された第２配線層と、を有し、
   前記第１配線層は、前記貫通孔内から前記上面に延出された前記第１金属層及び前記第２金属層を有し、
   前記第２配線層は、前記貫通孔内から前記下面に延出された前記第３金属層を有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の配線基板。
5. 基板本体を準備する工程と、
   前記基板本体の上面と下面との間を貫通する貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、を有し、
   前記貫通電極を形成する工程は、
   前記貫通孔の前記上面側の内側面に第１金属層を形成する工程と、
   前記貫通孔の前記下面側の内側面と前記第１金属層の前記下面側の端部とを連続して被覆する第３金属層を形成する工程と、
   前記第１金属層及び前記第３金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第１金属層及び前記第３金属層を連続して被覆する第４金属層を形成する工程と、
   前記基板本体の下面に、前記貫通孔の前記下面側の開口部を閉塞する保護膜を形成する工程と、
   前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第４金属層の一部を被覆して前記貫通孔の前記上面側の開口部を閉塞する第２金属層を形成する工程と、
   前記保護膜を除去する工程と、
   前記第２金属層と前記第４金属層とによって囲まれた空間を充填する樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
6. 基板本体を準備する工程と、
   前記基板本体の上面と下面との間を貫通する貫通孔を形成する工程と、
   前記貫通孔内に貫通電極を形成する工程と、を有し、
   前記貫通電極を形成する工程は、
   前記貫通孔の前記上面側の内側面に第１金属層を形成する工程と、
   前記第１金属層を給電層とする電解めっき法により、前記第１金属層を被覆して前記貫通孔の前記上面側の空間を埋める第２金属層を形成する工程と、
   前記貫通孔の前記下面側の内側面と前記第２金属層の下面とを連続して被覆する第３金属層を形成する工程と、
   前記第３金属層の表面全面を被覆する第５金属層を形成する工程と、
   前記第５金属層によって囲まれた前記貫通孔内の空間を充填する樹脂層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。