JP2015026722A5

JP2015026722A5 -

Info

Publication number: JP2015026722A5
Application number: JP2013155615A
Authority: JP
Filing date: 2013-07-26
Publication date: 2016-07-21
Anticipated expiration: 2033-07-26

Description

実施形態の一観点によれば、電極パッド上に設けられるバンプ構造であって、はんだ材と、前記はんだ材の側面を覆う筒状部を有し、前記はんだ材よりも融点の高い金属により形成された金属層とを有し、前記金属層の前記筒状部は、上部が拡がっており、前記金属層の前記筒状部の上端は、前記筒状部の中心軸に対して垂直な方向に更に拡がっており、前記金属層は、前記はんだ材の底面を覆う底部を更に有し、前記金属層の前記底部は、前記電極パッドに電気的に接続されており、前記金属層の下端側は、前記電極パッド上に形成された絶縁樹脂層に埋設され、前記金属層の上端側は、前記絶縁樹脂層から突出しており、前記金属層の前記筒状部の上端の中心軸に垂直な方向に拡がった部分は、前記絶縁樹脂層とは接触していないことを特徴とするバンプ構造が提供される。

Claims

電極パッド上に設けられるバンプ構造であって、
はんだ材と、
前記はんだ材の側面を覆う筒状部を有し、前記はんだ材よりも融点の高い金属により形成された金属層とを有し、
前記金属層の前記筒状部は、上部が拡がっており、前記金属層の前記筒状部の上端は、前記筒状部の中心軸に対して垂直な方向に更に拡がっており、
前記金属層は、前記はんだ材の底面を覆う底部を更に有し、前記金属層の前記底部は、前記電極パッドに電気的に接続されており、
前記金属層の下端側は、前記電極パッド上に形成された絶縁樹脂層に埋設され、前記金属層の上端側は、前記絶縁樹脂層から突出しており、
前記金属層の前記筒状部の上端の中心軸に垂直な方向に拡がった部分は、前記絶縁樹脂層とは接触していない
ことを特徴とするバンプ構造。
請求項１記載のバンプ構造において、
前記はんだ材は、上部が拡がっている逆円錐台形状である
ことを特徴とするバンプ構造。
請求項１又は２に記載のバンプ構造において、
前記はんだ材は、Ｓｎ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ系はんだ、又は、Ｓｎ−Ｉｎ系はんだであり、
前記金属層は、Ｎｉである
ことを特徴とするバンプ構造。
はんだ材と、前記はんだ材の側面を覆う筒状部を有し、前記はんだ材よりも融点の高い金属により形成された金属層とを有し、前記金属層の前記筒状部は、上部が拡がっており、前記金属層の前記筒状部の上端は、前記筒状部の中心軸に対して垂直な方向に更に拡がっており、前記金属層は、前記はんだ材の底面を覆う底部を更に有し、前記金属層の前記底部は、前記電極パッドに電気的に接続されており、前記金属層の下端側は、前記電極パッド上に形成された絶縁樹脂層に埋設され、前記金属層の上端側は、前記絶縁樹脂層から突出しており、前記金属層の前記筒状部の上端の中心軸に垂直な方向に拡がった部分は、前記絶縁樹脂層とは接触していないバンプ構造が、電極パッド上に設けられていることを特徴とする配線基板。
はんだ材と、前記はんだ材の側面を覆う筒状部を有し、前記はんだ材よりも融点の高い金属により形成された金属層とを有し、前記金属層の前記筒状部は、上部が拡がっており、前記金属層の前記筒状部の上端は、前記筒状部の中心軸に対して垂直な方向に更に拡がっており、前記金属層は、前記はんだ材の底面を覆う底部を更に有し、前記金属層の前記底部は、前記電極パッドに電気的に接続されており、前記金属層の下端側は、前記電極パッド上に形成された絶縁樹脂層に埋設され、前記金属層の上端側は、前記絶縁樹脂層から突出しており、前記金属層の前記筒状部の上端の中心軸に垂直な方向に拡がった部分は、前記絶縁樹脂層とは接触していないバンプ構造が、電極パッド上に設けられている配線基板と、
前記配線基板に搭載され、前記バンプ構造を電極に接続された半導体チップと
を有することを特徴とする半導体装置。
電極パッド上に設けられるバンプ構造の製造方法であって、
前記電極パッド上に第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層上に、前記第１の樹脂層とは剥離特性が異なる第２の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層に、上部が拡がった第１の開口を形成する工程と、
前記第１の開口の内壁に、はんだ材よりも融点の高い金属の金属層を形成する工程と、
前記金属層内に、前記はんだ材を充填する工程と、
前記第２の樹脂層を除去する工程と
を有することを特徴とするバンプ構造の製造方法。
請求項６記載のバンプ構造の製造方法において、
前記はんだ材を充填する工程の後、前記第２の樹脂層を除去する工程の前に、全面を平坦化する工程を更に有する
ことを特徴とするバンプ構造の製造方法。
請求項６又は７記載のバンプ構造の製造方法において、
前記第１の開口を形成する工程の後、前記金属層を形成する工程の前に、前記第１の開口を含む第２の開口が形成されたレジスト層を形成する工程を更に有し、
前記金属層を形成する工程では、前記レジスト層をマスクとして、前記金属層を形成し、
前記はんだ材を充填する工程では、前記レジスト層をマスクとして、前記はんだ材を充填し、
前記はんだ材を充填する工程の後、前記第２の樹脂層を除去する工程の前に、前記レジスト層を剥離する工程を更に有する
ことを特徴とするバンプ構造の製造方法。