JP2010097601A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2010097601A5
JP2010097601A5 JP2009211223A JP2009211223A JP2010097601A5 JP 2010097601 A5 JP2010097601 A5 JP 2010097601A5 JP 2009211223 A JP2009211223 A JP 2009211223A JP 2009211223 A JP2009211223 A JP 2009211223A JP 2010097601 A5 JP2010097601 A5 JP 2010097601A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive layer
insulator
semiconductor device
transistor
shape
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009211223A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5303409B2 (ja
JP2010097601A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2009211223A priority Critical patent/JP5303409B2/ja
Priority claimed from JP2009211223A external-priority patent/JP5303409B2/ja
Publication of JP2010097601A publication Critical patent/JP2010097601A/ja
Publication of JP2010097601A5 publication Critical patent/JP2010097601A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5303409B2 publication Critical patent/JP5303409B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (7)

  1. 第1の絶縁体を有し、
    前記第1の絶縁体よりも上方にトランジスタを有し、
    前記トランジスタよりも上方に第1の導電層を有し、
    前記第1の導電層よりも上方にアンテナとして機能することができる第2の導電層を有し、
    前記第2の導電層よりも上方に第2の絶縁体を有することを特徴とする半導体装置。
  2. 第1の絶縁体を有し、
    前記第1の絶縁体よりも上方にトランジスタを有し、
    前記トランジスタよりも上方に第1の導電層を有し、
    前記第1の導電層よりも上方に所定形状を有する第2の導電層を有し、
    前記第2の導電層よりも上方に第2の絶縁体を有し、
    前記所定形状は、直線形状、曲線形状、蛇行形状、コイル形状、又はリボン形状のうちいずれか一の形状を少なくとも有することを特徴とする半導体装置。
  3. 請求項1又は請求項2において、
    前記トランジスタと前記第1の絶縁体との間に第3の導電層を有することを特徴とする半導体装置。
  4. 請求項3において、
    前記第1の導電層と前記第3の導電層とが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
  5. 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
    前記トランジスタはピール回路の有するトランジスタであることを特徴とする半導体装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれか一項において、
    前記第1の絶縁体は、第1の有機樹脂と第1の繊維体とを有し、
    前記第2の絶縁体は、第2の有機樹脂と第2の繊維体とを有することを特徴とする半導体装置。
  7. 請求項6において、
    前記第1の有機樹脂中に複数の第1の導電性粒子を有し、
    前記第2の有機樹脂中に複数の第2の導電性粒子を有することを特徴とする半導体装置。
JP2009211223A 2008-09-18 2009-09-14 半導体装置 Active JP5303409B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009211223A JP5303409B2 (ja) 2008-09-18 2009-09-14 半導体装置

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008239078 2008-09-18
JP2008239075 2008-09-18
JP2008239075 2008-09-18
JP2008239078 2008-09-18
JP2009211223A JP5303409B2 (ja) 2008-09-18 2009-09-14 半導体装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013130150A Division JP5461733B2 (ja) 2008-09-18 2013-06-21 半導体装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2010097601A JP2010097601A (ja) 2010-04-30
JP2010097601A5 true JP2010097601A5 (ja) 2012-08-09
JP5303409B2 JP5303409B2 (ja) 2013-10-02

Family

ID=42006465

Family Applications (7)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009211223A Active JP5303409B2 (ja) 2008-09-18 2009-09-14 半導体装置
JP2013130150A Expired - Fee Related JP5461733B2 (ja) 2008-09-18 2013-06-21 半導体装置
JP2014004772A Active JP5706549B2 (ja) 2008-09-18 2014-01-15 半導体装置
JP2015036152A Expired - Fee Related JP5985678B2 (ja) 2008-09-18 2015-02-26 半導体装置
JP2016152491A Expired - Fee Related JP6246283B2 (ja) 2008-09-18 2016-08-03 半導体装置
JP2017218869A Withdrawn JP2018037099A (ja) 2008-09-18 2017-11-14 半導体装置
JP2019087001A Withdrawn JP2019175473A (ja) 2008-09-18 2019-04-29 半導体装置

Family Applications After (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013130150A Expired - Fee Related JP5461733B2 (ja) 2008-09-18 2013-06-21 半導体装置
JP2014004772A Active JP5706549B2 (ja) 2008-09-18 2014-01-15 半導体装置
JP2015036152A Expired - Fee Related JP5985678B2 (ja) 2008-09-18 2015-02-26 半導体装置
JP2016152491A Expired - Fee Related JP6246283B2 (ja) 2008-09-18 2016-08-03 半導体装置
JP2017218869A Withdrawn JP2018037099A (ja) 2008-09-18 2017-11-14 半導体装置
JP2019087001A Withdrawn JP2019175473A (ja) 2008-09-18 2019-04-29 半導体装置

Country Status (4)

Country Link
US (3) US9177978B2 (ja)
JP (7) JP5303409B2 (ja)
TW (3) TWI450381B (ja)
WO (1) WO2010032602A1 (ja)

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010032602A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
WO2010035627A1 (en) * 2008-09-25 2010-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5501174B2 (ja) * 2009-09-17 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
WO2011145633A1 (en) * 2010-05-21 2011-11-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP2012015436A (ja) * 2010-07-05 2012-01-19 Sony Corp 薄膜トランジスタおよび表示装置
WO2012070483A1 (ja) * 2010-11-25 2012-05-31 シャープ株式会社 フレキシブルデバイス、その製造方法、および表示装置
JP6005401B2 (ja) * 2011-06-10 2016-10-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5906923B2 (ja) * 2012-04-26 2016-04-20 株式会社デンソー 誘電膜の製造方法
US9742378B2 (en) * 2012-06-29 2017-08-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Pulse output circuit and semiconductor device
JP6431278B2 (ja) * 2014-04-18 2018-11-28 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置用基板
CN207124800U (zh) * 2015-06-25 2018-03-20 株式会社村田制作所 树脂基板以及电子设备
US9935165B2 (en) 2015-08-31 2018-04-03 Joled, Inc. Semiconductor device, display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus
WO2018003844A1 (ja) * 2016-07-01 2018-01-04 日産化学工業株式会社 沿面放電の発生を抑制する方法
KR102573853B1 (ko) 2016-09-20 2023-09-01 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
WO2019066790A1 (en) * 2017-09-27 2019-04-04 Intel Corporation THIN FILM TRANSISTOR COMPRISING A LOAD TRAPPING LAYER

Family Cites Families (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2633141B1 (fr) 1988-06-17 1992-02-14 Sgs Thomson Microelectronics Carte a puce avec ecran de protection
CA2026113C (en) * 1989-01-25 1998-12-01 Tsunoe Igarashi Prepreg, composite molded body, and method of manufacture of the composite molded body
DE3907757A1 (de) * 1989-03-10 1990-09-13 Mtu Muenchen Gmbh Schutzfolie
JP3141389B2 (ja) 1990-08-31 2001-03-05 ソニー株式会社 非接触型icカード
JPH05201183A (ja) 1992-01-29 1993-08-10 Sumitomo Bakelite Co Ltd Icメモリカード
JP3364081B2 (ja) * 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US5757456A (en) * 1995-03-10 1998-05-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method of fabricating involving peeling circuits from one substrate and mounting on other
JP3647542B2 (ja) * 1996-02-20 2005-05-11 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH09286188A (ja) * 1996-04-23 1997-11-04 Matsushita Electric Works Ltd 非接触型icカード
JPH10198778A (ja) * 1997-01-14 1998-07-31 Rohm Co Ltd Icカード
JP2998690B2 (ja) 1997-04-30 2000-01-11 日本電気株式会社 半導体集積回路装置及びクロック信号供給方法
JPH11317475A (ja) * 1998-02-27 1999-11-16 Canon Inc 半導体用封止材樹脂および半導体素子
TW484101B (en) * 1998-12-17 2002-04-21 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
JP3894688B2 (ja) 1999-10-13 2007-03-22 ローム株式会社 通信装置
JP4683770B2 (ja) 2001-05-31 2011-05-18 京セラ株式会社 電気素子内蔵配線基板およびその製法
JP4802398B2 (ja) * 2001-06-08 2011-10-26 凸版印刷株式会社 非接触icカード
TW564471B (en) * 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP2003124474A (ja) 2001-10-19 2003-04-25 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体デバイス
JP2004015160A (ja) * 2002-06-04 2004-01-15 Tdk Corp アンテナ付モジュール
US7132311B2 (en) * 2002-07-26 2006-11-07 Intel Corporation Encapsulation of a stack of semiconductor dice
US7633145B2 (en) 2004-01-16 2009-12-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with antenna and separating layer
EP1709688A4 (en) * 2004-01-30 2014-12-31 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
JP2005284352A (ja) * 2004-03-26 2005-10-13 Toshiba Corp 携帯可能電子装置
EP1774595A4 (en) * 2004-06-02 2011-05-18 Semiconductor Energy Lab STRATIFICATION SYSTEM
US7591863B2 (en) * 2004-07-16 2009-09-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip
KR101191094B1 (ko) * 2004-08-23 2012-10-15 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 무선 칩 및 그 제조 방법
JP4914002B2 (ja) * 2004-11-29 2012-04-11 富士フイルム株式会社 液晶表示装置
JP5171003B2 (ja) * 2005-01-28 2013-03-27 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
TWI481024B (zh) 2005-01-28 2015-04-11 Semiconductor Energy Lab 半導體裝置,電子裝置,和半導體裝置的製造方法
US7768014B2 (en) * 2005-01-31 2010-08-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory device and manufacturing method thereof
US7758956B2 (en) * 2005-02-16 2010-07-20 Fujifilm Corporation Antireflection film and polarizing plate and image display device using same
US7982953B2 (en) * 2005-03-07 2011-07-19 Fujifilm Corporation Antireflection film, and polarizing plate and image display device using the same
WO2006103997A1 (en) 2005-03-25 2006-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP4755003B2 (ja) 2005-03-25 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US7923796B2 (en) * 2005-05-27 2011-04-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device including resonance circuit
JP2007005778A (ja) 2005-05-27 2007-01-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7727859B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd Semiconductor device and manufacturing method thereof
US7776656B2 (en) * 2005-07-29 2010-08-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2007059821A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板の製造方法
JP2007080130A (ja) 2005-09-16 2007-03-29 Dainippon Printing Co Ltd Icカード用icモジュール
JP5078246B2 (ja) 2005-09-29 2012-11-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、及び半導体装置の作製方法
CN101278398B (zh) * 2005-09-30 2010-09-29 株式会社半导体能源研究所 半导体器件的制造方法
JP5063066B2 (ja) * 2005-09-30 2012-10-31 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4796469B2 (ja) * 2005-09-30 2011-10-19 ニッタ株式会社 シート体、アンテナ装置および電子情報伝達装置
JP4907292B2 (ja) 2005-10-14 2012-03-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置及び前記半導体装置を用いた通信システム
WO2007043602A1 (en) 2005-10-14 2007-04-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and communication system using the semiconductor device
JP5089033B2 (ja) * 2005-11-04 2012-12-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2007193396A (ja) 2006-01-17 2007-08-02 Dainippon Printing Co Ltd 非接触icタグ用アンテナシートの製法
EP1818860B1 (en) * 2006-02-08 2011-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. RFID device
JP2007241999A (ja) * 2006-02-08 2007-09-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
US7605410B2 (en) 2006-02-23 2009-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
CN101395617B (zh) 2006-03-10 2012-05-30 株式会社半导体能源研究所 半导体器件及其操作方法
WO2007108371A1 (en) 2006-03-15 2007-09-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
JP5469799B2 (ja) 2006-03-15 2014-04-16 株式会社半導体エネルギー研究所 無線通信によりデータの交信を行う半導体装置
TWI431726B (zh) * 2006-06-01 2014-03-21 Semiconductor Energy Lab 非揮發性半導體記憶體裝置
JP5204959B2 (ja) * 2006-06-26 2013-06-05 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
WO2008001703A1 (en) * 2006-06-26 2008-01-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Paper including semiconductor device and manufacturing method thereof
US20080018473A1 (en) 2006-07-18 2008-01-24 3M Innovative Properties Company Electrostatic discharge protection for components of an rfid tag
US7714535B2 (en) * 2006-07-28 2010-05-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Power storage device
JP5377839B2 (ja) * 2006-07-28 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US8232621B2 (en) 2006-07-28 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
EP1883109B1 (en) 2006-07-28 2013-05-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory element and method of manufacturing thereof
JP2008076963A (ja) 2006-09-25 2008-04-03 Seiko Epson Corp 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2008091631A (ja) 2006-10-02 2008-04-17 Fujikura Ltd 半導体装置
CN102646681B (zh) * 2006-10-04 2015-08-05 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
EP2372756A1 (en) 2007-03-13 2011-10-05 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP1970951A3 (en) 2007-03-13 2009-05-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
EP2001047A1 (en) * 2007-06-07 2008-12-10 Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. Semiconductor device
CN102037556B (zh) * 2008-05-23 2016-02-10 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
WO2010032602A1 (en) * 2008-09-18 2010-03-25 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010097601A5 (ja)
JP2010003295A5 (ja)
JP2010102698A5 (ja)
JP2010135777A5 (ja) 半導体装置
JP2009278078A5 (ja)
JP2008217776A5 (ja)
JP2012084865A5 (ja) 半導体装置の作製方法
JP2012160742A5 (ja)
JP2013527434A5 (ja)
JP2010153813A5 (ja) 発光装置
JP2016509375A5 (ja)
JP2010098304A5 (ja)
JP2009231824A5 (ja) 半導体装置
JP2015127951A5 (ja) 表示装置
JP2010205849A5 (ja)
JP2013235598A5 (ja)
JP2012256838A5 (ja)
JP2010016362A5 (ja) 半導体装置の作製方法及び半導体装置
JP2010245032A5 (ja)
JP2010193434A5 (ja) 半導体装置
JP2010245030A5 (ja)
JP2011097033A5 (ja)
JP2013258393A5 (ja)
JP2013102134A5 (ja) 半導体装置
JP2010135778A5 (ja) 半導体装置