JP2007080130A - Icカード用icモジュール - Google Patents
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Abstract
【課題】 カードの曲げ変形に対して、物理的故障を受け難く端子基板の耐曲げ荷重強度を大きくしたICカード用ICモジュールを提供する。
【解決手段】 本発明のICカード用ICモジュール1は、端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板2の中心層である絶縁層5の両面に金属箔4a,4bを積層し、当該両面の金属箔4a,4bをフォトエッチングして、1の面の金属箔4aを接触端子板、他の面の金属箔4bを裏面配線回路10としたICモジュールにおいて、当該端子基板2の絶縁層5を従来の端子基板付きICカード用ICモジュールの単層の絶縁層と同等の厚みであって、2層の同質材料5a,5bを積層し熱圧着した構成としたことを特徴とする。なお、金属箔4は絶縁層5の片面側にある構成であってもよい。
【選択図】 図2
【解決手段】 本発明のICカード用ICモジュール1は、端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板2の中心層である絶縁層5の両面に金属箔4a,4bを積層し、当該両面の金属箔4a,4bをフォトエッチングして、1の面の金属箔4aを接触端子板、他の面の金属箔4bを裏面配線回路10としたICモジュールにおいて、当該端子基板2の絶縁層5を従来の端子基板付きICカード用ICモジュールの単層の絶縁層と同等の厚みであって、2層の同質材料5a,5bを積層し熱圧着した構成としたことを特徴とする。なお、金属箔4は絶縁層5の片面側にある構成であってもよい。
【選択図】 図2
Description
この発明はICカード用ICモジュールに関する。詳しくは、ICモジュールの端子基板の絶縁層を2層構造とすることにより、基板の剛性を高め、ICモジュールに加わる曲げ応力に対して破壊強度を高くしたICモジュールに関する。従って、本発明の技術分野は、ICモジュールやICカードの製造および利用分野に関する。
ICカードは、一般にはCOB(Chip On Board)、またはリール形状のフレキシブル基板を用いたCOT(Chip On Tape)の形態をとったICモジュールを搭載しており、ICモジュールの各端子と、R/W(リーダライタ)のコンタクト部とを接触させて電気的に接続して、I/Oラインを形成し、I/Oラインを通じて情報の読み出し、書き込みが行われている。しかしながら、このICモジュールを搭載したICカードはICカード自体が薄く、多くのICカードはISO規格による厚さ0.76mm程度であり、ポリ塩化ビニル等のカード基材の凹部へCOBまたはCOTを装着して構成されている。
このため、ICカードは携帯中の外力などにより曲がりを生じ、この曲がりが原因でICカードのICモジュール部が物理的に故障することがあり問題となっていた。
これは、ICモジュール端子基板の剛性が低いため、カードに曲げ応力が加わった際に、モジュール端子基板も同調して変形する結果、ICモジュール配線の端子接続部が断線したり、封止樹脂にクラックが生じたり、ICチップが破壊(チップクラック)し機能を喪失することが原因となっている。この現象は、COT、COBを問わず共通に認められる現象である。
これは、ICモジュール端子基板の剛性が低いため、カードに曲げ応力が加わった際に、モジュール端子基板も同調して変形する結果、ICモジュール配線の端子接続部が断線したり、封止樹脂にクラックが生じたり、ICチップが破壊(チップクラック)し機能を喪失することが原因となっている。この現象は、COT、COBを問わず共通に認められる現象である。
そこで、本発明は端子基板の剛性を高くして、カードの変形に伴って生じるICモジュール配線の切断やICチップの破壊を防止することを課題とするものである。
本願に直接関連する先行特許文献は検出されないが、ICカード用ICモジュールに関しては、特許文献1、特許文献2等が検出される。特許文献1は、ICカード用ICモジュールの金属端子板の大きさをICカードと同じ大きさにすることを提案している。特許文献2は、カードに加えられる荷重に対して、カード基体よりも大きなたわみ量を示す柔軟な端子基板を有するICモジュールについて記載している。
本願に直接関連する先行特許文献は検出されないが、ICカード用ICモジュールに関しては、特許文献1、特許文献2等が検出される。特許文献1は、ICカード用ICモジュールの金属端子板の大きさをICカードと同じ大きさにすることを提案している。特許文献2は、カードに加えられる荷重に対して、カード基体よりも大きなたわみ量を示す柔軟な端子基板を有するICモジュールについて記載している。
ICカードに曲げ応力が加わった場合でも、ICモジュール自体の耐曲げ荷重強度を大きくすることにより、ICモジュールが変形し難くなり、結果として、ICモジュール背面配線の切断やICチップの破壊により、ICカードが機能喪失することがないようにすることを課題とする。
上記課題を解決する本発明の第1は、端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板の中心層である絶縁層の両面に金属箔を積層し、当該両面の金属箔をフォトエッチングして、1の面の金属箔を接触端子板、他の面の金属箔を裏面配線回路としたICモジュールにおいて、当該端子基板の絶縁層を、2層の同質材料を熱圧着した構成としたことを特徴とするICカード用ICモジュール、にある。
上記課題を解決する本発明の第2は、端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板の絶縁層の片面に金属箔を積層し、当該金属箔をフォトエッチングして接触端子板としたICモジュールにおいて、当該端子基板の絶縁層を、2層の同質材料を熱圧着した構成としたことを特徴とするICカード用ICモジュール、にある。
上記において、2層の絶縁層が同等の厚みであるようにし、絶縁層が繊維強化樹脂材料からなるようにし、金属箔を銅箔とする、ことで好適な端子基板が得られる。
ICモジュール端子基板の耐曲げ荷重強度が大きくなる結果、ICカードに曲げ応力が加わっても、ICモジュールが変形することなく、結果としてICカード化した際にも、ICチップの破壊やモジュール配線部の切断が生じることが減少する。
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明することとする。
図1は、本発明のICカード用ICモジュールの平面図、図2は、図1の断面図、図3は、本発明のICカード用ICモジュールの他の例の断面図、図4は、ICカード用ICモジュールを使用したICカードの断面図、図5は、ICモジュールの耐曲げ荷重強度の試験方法を説明する図、図6は、耐曲げ荷重強度試験のグラフを示す図、図7は、従来のICカード用ICモジュールの断面図、である。
図1は、本発明のICカード用ICモジュールの平面図、図2は、図1の断面図、図3は、本発明のICカード用ICモジュールの他の例の断面図、図4は、ICカード用ICモジュールを使用したICカードの断面図、図5は、ICモジュールの耐曲げ荷重強度の試験方法を説明する図、図6は、耐曲げ荷重強度試験のグラフを示す図、図7は、従来のICカード用ICモジュールの断面図、である。
図1は、本発明のICカード用ICモジュールの平面図であるが、図1(A)は表面側平面図、図1(B)は裏面側平面図、である。
接触型ICカード用ICモジュール1は、図1(A)のように、表面に接触端子板11を有し、背面にはICチップを装着している。接触端子板11には、図1のように、ISO7816の規格によりC1〜C8の8つの端子が規定されている。
C1はVcc(供給電圧)、C2はRST(リセット信号)、C3はCLK(クロック信号)、C5はGND(接地)、C6はVpp(可変供給電圧;プログラム供給電圧)、C7はI/O(データ入出力)である。C4とC8はRFU(予備端子)であって現在は使用していない。スルーホール6は表面側端子と裏面配線回路10を接続するもので各端子毎に形成されている。
接触型ICカード用ICモジュール1は、図1(A)のように、表面に接触端子板11を有し、背面にはICチップを装着している。接触端子板11には、図1のように、ISO7816の規格によりC1〜C8の8つの端子が規定されている。
C1はVcc(供給電圧)、C2はRST(リセット信号)、C3はCLK(クロック信号)、C5はGND(接地)、C6はVpp(可変供給電圧;プログラム供給電圧)、C7はI/O(データ入出力)である。C4とC8はRFU(予備端子)であって現在は使用していない。スルーホール6は表面側端子と裏面配線回路10を接続するもので各端子毎に形成されている。
ICモジュール1の裏面は、図1(B)のように、ICチップ3と各スルーホール6を接続する配線回路10が形成され、各配線回路10とICチップ3の各パッド間がワイヤ8により接続されている。C4とC8はRFUなので接続していない。C6のVppも使用しない場合が多い。ワイヤボンディング部を含むICチップ3の全体はモールド樹脂により封止され樹脂モールド部7を形成している。樹脂封止の方式としては、トランスファーモールド方式、ポッティング方式、印刷方式等があるが特には限定されない。
図2は、図1の断面図であるが、ICチップ3を通る部分を模式的に図示している。
端子基板2は中心層である絶縁層5の片面に、上記の各端子を有する金属箔4aを有し、他の片面には、ICチップ3と配線回路を有する金属箔4bを有している。金属箔4a,4bは銅箔とすることが多く、銅箔に下地ニッケルめっきを施し、その後、硬質金めっきが施されるのが通常である。
ICチップ3は端子基板2にダイボンディングされ、ICチップ3の各パッドと前記配線回路10とはワイヤ8によりボンディングされている。表面側の前記各端子と配線回路10とはスルーホール6により接続されている。
以上のようなICモジュールの構成は通常のICモジュールと同様のことである。
端子基板2は中心層である絶縁層5の片面に、上記の各端子を有する金属箔4aを有し、他の片面には、ICチップ3と配線回路を有する金属箔4bを有している。金属箔4a,4bは銅箔とすることが多く、銅箔に下地ニッケルめっきを施し、その後、硬質金めっきが施されるのが通常である。
ICチップ3は端子基板2にダイボンディングされ、ICチップ3の各パッドと前記配線回路10とはワイヤ8によりボンディングされている。表面側の前記各端子と配線回路10とはスルーホール6により接続されている。
以上のようなICモジュールの構成は通常のICモジュールと同様のことである。
本発明のICカード用ICモジュール1の特徴は、図7の従来のICカード用ICモジュール1jの断面と比較して明らかなように、従来のICモジュール1jが単層の絶縁層5jからなるのに対し、本発明の絶縁層5は絶縁層5aと絶縁層5bの積層からなっていることにある。絶縁層5は薄層にした同質の材料からなり、当該2層の絶縁層5a,5bを積層し熱圧着した構成からなっている。
図3は、本発明のICカード用ICモジュールの他の例の断面図である。この例では、ICモジュール1は、接触端子板11となる表面側の金属箔4aを有しているが、裏面側には金属箔を有していない。この例のICモジュールでは、ICチップ3のパッドに接続するワイヤ8は、表面側の端子背面の金属箔4aのワイヤボンディング基板側パッド12にスルーホールを介さずに直接接続される。そのため、絶縁層5には、金属箔4aとラミネートする前の工程において、基板側パッド12用の小孔9を形成しておくことが必要になる。このICモジュールの場合は、絶縁層5と金属箔4aのラミネート、および表面端子形状のエッチング後、小孔9を介してワイヤボンディング基板側パッド12にワイヤ接続するものである。
図3の例のICモジュールも、絶縁層5が同質材料からなる絶縁層5aと絶縁層5bの積層構造に構成されている。
図3の例のICモジュールも、絶縁層5が同質材料からなる絶縁層5aと絶縁層5bの積層構造に構成されている。
絶縁層5の材料には一般に、ガラスエポキシやガラスフェノール、ポリイミド、ポリエステル、紙フェノール、BT(ビスマレイド−トリアジン)レジン等が用いられるが、本発明ではガラスエポキシや他の繊維強化エポキシ、フェノール、ポリイミド、ポリエステル等の繊維強化樹脂材料(プリプレグ)を使用するのが好ましい。これらの材料の絶縁層は2層積層化により耐曲げ荷重強度が高くなるのが顕著に認められるからである。
ガラス以外の他の繊維としては、炭素繊維、炭化珪素、アルミナ、アラミドを挙げることができる。
ガラス以外の他の繊維としては、炭素繊維、炭化珪素、アルミナ、アラミドを挙げることができる。
繊維は織布を使用するもの、不織布を使用するもの、両者を併用するもの等がある。ガラスクロスの場合は、直径数ミクロンのガラス単繊維を200〜400本集束したガラス糸の織物で機械的強度は高いが、打ち抜き加工後にヒゲ状のガラス繊維が残りやすい問題がある。ガラス不織布は、長さ10mm前後にカットしたガラス糸を単繊維に分散させ、紙のように抄きあげたものである。不織布は、繊維の集束が少なく、打ち抜き性に優れる特徴がある。
本発明のICカード用ICモジュール1の製造は、まず、絶縁層となる材料と表面用金属箔4a,4bを準備し、端子基板2の積層を行う。生の絶縁材料は所定の厚みのものを2枚積層し、表裏面に金属箔をあてがう。絶縁層としての2枚の絶縁材料5a,5bは、同一厚みのものを使用するのが、材料の対称性からカール等が生じ難く好ましい。
金属箔4は両面貼りでも片面貼りでもよい。プリプレグである絶縁材料5a,5bと金属箔4a,4bを積層し、金属板間で熱圧プレスすると未硬化の樹脂が侵出して、積層した絶縁材料間と金属箔間を接着して硬化し、端子基板材料が完成する。
ただし、絶縁層と表裏の金属箔(銅箔)間には、接着テープを併用する場合もある。
金属箔4は両面貼りでも片面貼りでもよい。プリプレグである絶縁材料5a,5bと金属箔4a,4bを積層し、金属板間で熱圧プレスすると未硬化の樹脂が侵出して、積層した絶縁材料間と金属箔間を接着して硬化し、端子基板材料が完成する。
ただし、絶縁層と表裏の金属箔(銅箔)間には、接着テープを併用する場合もある。
金属箔としては、各種金属箔を使用できるが、銅箔を使用することが多いので、以下は、金属箔として、銅箔を使用する場合を例として説明する。次に、表面端子形状や裏面配線回路を形成するためのフォトエッチングを行う。フォトエッチングの後、銅箔4にニッケル(Ni)下地めっきと金めっきを行う。スルーホールの形成も同時に行う。なお、銅箔4の片面貼りの場合は、裏面配線回路10とスルーホールの形成は行わないが、スルーホールの代りに、ワイヤボンディング用基板側パッド12を形成する必要があるため、前記のように、積層前の絶縁材料に必要な小孔9を穿っておく必要がある。
端子基板2の裏面にICチップ3をエポキシダイ接着剤等により接着(ダイボンディング)し、ICチップ3の各パッドと配線回路10とのワイヤ接続を行う。
片面銅箔の場合は、各パッドと表面側端子背面の銅箔面(ワイヤボンディング用基板側パッド12)とを直接ワイヤ接続する。ICチップ3、およびワイヤ接続部の全体を封止して樹脂モールド部7とし、本発明のICカード用ICモジュールが完成する。
片面銅箔の場合は、各パッドと表面側端子背面の銅箔面(ワイヤボンディング用基板側パッド12)とを直接ワイヤ接続する。ICチップ3、およびワイヤ接続部の全体を封止して樹脂モールド部7とし、本発明のICカード用ICモジュールが完成する。
図4は、ICカード用ICモジュールを使用したICカードの断面図である。
ICカード20の製造は、ICカード基体21を準備し、これにICモジュール装着用凹部25を掘削し、本発明のICカード用ICモジュール1を装着することにより製造する。ICカード基体21の構成は特には限定されないが、通常、2枚の白色コアシート21a,21bを中心層とし、その両面に透明オーバーシート21c,21dを積層し、熱圧プレスし一体化したものを使用することが多い。
シートの材質としては、塩化ビニルやポリエチレンテレフタレート(PET)、PET−G、ポリカーボネート、ABS、等が使用される。
ICカード20の製造は、ICカード基体21を準備し、これにICモジュール装着用凹部25を掘削し、本発明のICカード用ICモジュール1を装着することにより製造する。ICカード基体21の構成は特には限定されないが、通常、2枚の白色コアシート21a,21bを中心層とし、その両面に透明オーバーシート21c,21dを積層し、熱圧プレスし一体化したものを使用することが多い。
シートの材質としては、塩化ビニルやポリエチレンテレフタレート(PET)、PET−G、ポリカーボネート、ABS、等が使用される。
ICモジュール装着用凹部25は、カード基体21表面からエンドミル等により掘削するもので、ICモジュール1の端子基板2を載置する第1凹部と、ICモジュール1の樹脂モールド部7を納める大きさの第2凹部とからなるように掘削する。
この第1凹部面と第2凹部内にICモジュール1を固定する接着剤を塗工するか接着シートを敷きつめした後、ICモジュール1を装填して熱圧を加えることにより、ICモジュール1がICモジュール装着用凹部25内に固定されてICカード20が完成する。
以上の工程は、通常のICカードの製造工程と異なるものではなく、本出願人が特開平9−30170号公報、特開平11−34554号公報などで開示している。
この第1凹部面と第2凹部内にICモジュール1を固定する接着剤を塗工するか接着シートを敷きつめした後、ICモジュール1を装填して熱圧を加えることにより、ICモジュール1がICモジュール装着用凹部25内に固定されてICカード20が完成する。
以上の工程は、通常のICカードの製造工程と異なるものではなく、本出願人が特開平9−30170号公報、特開平11−34554号公報などで開示している。
<ICモジュールの耐曲げ荷重強度の試験方法について>
ICモジュールの耐曲げ荷重強度は、以下のようにして試験することができる。プラスチックの曲げ特性の試験方法は、JISK7171にも規定されているが、以下は目安的な試験方法であって、JISの上記試験方法に準拠するものでもない。
ICモジュールの耐曲げ荷重強度は、以下のようにして試験することができる。プラスチックの曲げ特性の試験方法は、JISK7171にも規定されているが、以下は目安的な試験方法であって、JISの上記試験方法に準拠するものでもない。
図5は、ICモジュールの耐曲げ荷重強度の試験方法を説明する図である。図5(A)は測定状態の平面図、図5(B)は同断面図、である。
図5のように、厚み5mm、幅100mm×長さ70mm程度のICカードサイズよりは大きいシリコンゴム板(JISK6253が規定する、ゴム硬度50度)31上に、完成したICカード20を載置する。ICカード20のICモジュール1部分の上面からステンレス(SUS)板からなる圧子32を押圧して荷重を徐々にかけていく。圧子32は、板厚が2.0mmで、高さ30mm×幅60mmとする。圧子32のICカード20に接触する部分Qは、断面が曲率半径1.0mmの半円形になるように形成する。
当該圧子32をその中心位置(圧子32の板厚中心および幅中心位置)が、ICカード20のICモジュール1の中心位置になるように置き、圧子32全体が均一の力で押圧され、かつほぼ一定の速度で沈むように荷重を加えていく。
図5のように、厚み5mm、幅100mm×長さ70mm程度のICカードサイズよりは大きいシリコンゴム板(JISK6253が規定する、ゴム硬度50度)31上に、完成したICカード20を載置する。ICカード20のICモジュール1部分の上面からステンレス(SUS)板からなる圧子32を押圧して荷重を徐々にかけていく。圧子32は、板厚が2.0mmで、高さ30mm×幅60mmとする。圧子32のICカード20に接触する部分Qは、断面が曲率半径1.0mmの半円形になるように形成する。
当該圧子32をその中心位置(圧子32の板厚中心および幅中心位置)が、ICカード20のICモジュール1の中心位置になるように置き、圧子32全体が均一の力で押圧され、かつほぼ一定の速度で沈むように荷重を加えていく。
加えた荷重を縦軸にとり、圧子32の初期位置からの沈下量(たわみ量)を横軸にとってグラフを描くと、図6のグラフのように、ある負荷荷重で沈下量が急に大きくなる屈曲点Pが生じる。この屈曲点Pでは、ICモジュールの端子基板2内に僅かな亀裂や変形が生じるためと考えられ、ICモジュールの耐曲げ荷重限界強度と考えることができる。
試験は、ICカード20の短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との双方について行い、かつICカード20の表裏について行うことが好ましい。
図5(A)は、ICカード20のICモジュール1を上面にして、ICカード20の短辺に平行な方向に圧子32を押圧する試験の実施状態を示し、図5(B)は、その断面図である。なお、この試験は一種の破壊試験であるから、一度荷重をかけた試料は、再測定はできないので、毎回新しい試料について試験を行う必要がある。
試験は、ICカード20の短辺に平行な方向と長辺に平行な方向との双方について行い、かつICカード20の表裏について行うことが好ましい。
図5(A)は、ICカード20のICモジュール1を上面にして、ICカード20の短辺に平行な方向に圧子32を押圧する試験の実施状態を示し、図5(B)は、その断面図である。なお、この試験は一種の破壊試験であるから、一度荷重をかけた試料は、再測定はできないので、毎回新しい試料について試験を行う必要がある。
<ICモジュールの製造>
端子基板2の絶縁層5として、厚み55μmの2枚のガラスエポキシ基材(利昌工業株式会社製「ガラス積層板」(ES−3753KP))を使用し、銅箔として厚み35μmの電解銅箔を使用した。なお、「ガラス積層板」(ES−3753KP)は、表面層に薄手ガラスクロス、中間層にガラス不織布を配置したエポキシコンポジット材である。
上記の2枚の絶縁層5a,5bを中心層として対称構造になるように配置し、その両面に前記2枚の銅箔4a,4bを積層して、熱圧プレスして一体の端子基板材料とした。
なお、プレス条件は、加熱温度170°C、圧力40kg/cm2 とし、加熱時間60分の後、60分間冷却した。熱圧プレス、冷却後に取り出した端子基板材料の全体厚みは、170μmであった。
端子基板2の絶縁層5として、厚み55μmの2枚のガラスエポキシ基材(利昌工業株式会社製「ガラス積層板」(ES−3753KP))を使用し、銅箔として厚み35μmの電解銅箔を使用した。なお、「ガラス積層板」(ES−3753KP)は、表面層に薄手ガラスクロス、中間層にガラス不織布を配置したエポキシコンポジット材である。
上記の2枚の絶縁層5a,5bを中心層として対称構造になるように配置し、その両面に前記2枚の銅箔4a,4bを積層して、熱圧プレスして一体の端子基板材料とした。
なお、プレス条件は、加熱温度170°C、圧力40kg/cm2 とし、加熱時間60分の後、60分間冷却した。熱圧プレス、冷却後に取り出した端子基板材料の全体厚みは、170μmであった。
上記端子基板材料を使用して、図1のように、表面側接触端子板11の表面側端子パターンと裏面配線回路10の形状をフォトエッチングして形成した。その後、表面側各端子から裏面配線回路10に通じるスルーホール6用の小孔を穿設して導体化し、表裏の銅箔4a,4bに下地ニッケル(Ni)めっき2μm、金めっき0.2μmを施して、スルーホール6形成済み端子基板2を完成した。
ICチップ3をエポキシダイ接着剤により端子基板2の裏面にダイボンディングしてから、ICチップ3の各端子(パッド)と各配線回路10間をワイヤ(田中電子工業社製のFA−25)8で接続した。最後に、ICチップ3、ワイヤ接続部をエポキシ系封止樹脂(九州松下電気株式会社製「CCN200DH−MC」)を使用して樹脂封止し、本発明のICカード用ICモジュール(COB)を完成した。
(比較例)
ICチップ3をエポキシダイ接着剤により端子基板2の裏面にダイボンディングしてから、ICチップ3の各端子(パッド)と各配線回路10間をワイヤ(田中電子工業社製のFA−25)8で接続した。最後に、ICチップ3、ワイヤ接続部をエポキシ系封止樹脂(九州松下電気株式会社製「CCN200DH−MC」)を使用して樹脂封止し、本発明のICカード用ICモジュール(COB)を完成した。
(比較例)
端子基板2の絶縁層5jとして、厚み110μmの1枚のガラスエポキシ基材(利昌工業株式会社製「ガラス積層板」(ES−3753KP))を使用した以外は、実施例と同一条件にして端子基板2jを完成し、同一のICチップ3を同一条件で装着して、比較例(従来方式)のICカード用ICモジュール1jを完成した。
なお、銅箔4a,4bも実施例1と同一にし、厚み35μmの電解銅箔を絶縁層5jの両面に使用した。
なお、銅箔4a,4bも実施例1と同一にし、厚み35μmの電解銅箔を絶縁層5jの両面に使用した。
<ICカードの製造>
基材のコアシート21a,21bとして、厚み360μmの白色硬質塩化ビニルシートを使用し、その両面にオーバーシート21c,21dとして、厚み50μmの透明塩化ビニルシートを積層し、温度150°C、圧力25kg/cm2 、時間15分で熱圧プレスしてICカード用カード基体21を準備した。このカード基体21にICモジュール装着用凹部25をエンドミルにより掘削した後、接着剤としてシアノアクリレート(ヘンケル社製「シコメット77」)を使用して、実施例と比較例のICモジュールを装着した。
耐曲げ荷重強度試験を、ICカード20の表裏および縦横方向について各5回測定するため、試料ICカードは各20枚作製した。
基材のコアシート21a,21bとして、厚み360μmの白色硬質塩化ビニルシートを使用し、その両面にオーバーシート21c,21dとして、厚み50μmの透明塩化ビニルシートを積層し、温度150°C、圧力25kg/cm2 、時間15分で熱圧プレスしてICカード用カード基体21を準備した。このカード基体21にICモジュール装着用凹部25をエンドミルにより掘削した後、接着剤としてシアノアクリレート(ヘンケル社製「シコメット77」)を使用して、実施例と比較例のICモジュールを装着した。
耐曲げ荷重強度試験を、ICカード20の表裏および縦横方向について各5回測定するため、試料ICカードは各20枚作製した。
完成した実施例と比較例の試料ICカード20について、前記したICモジュールの耐曲げ荷重強度の試験方法により、耐曲げ荷重強度を測定したところ、実施例については、表1の測定値、比較例については表2の測定値が得られた。
なお、表1、表2中において、「表面縦方向」とは、ICカード20をICモジュール1が表面側(目に見える側)になるようにしてシリコンゴム板31上に載置し、ICカードの短辺に平行な方向に圧子32を押圧する試験(図5)を行ったことを意味する。
また、「表面横方向」とは、圧子32が上記と直交する方向にして試験を行ったことを意味し、「裏面」とは、ICカード20をICモジュール1が裏面側(目に見えない側)になるようにしてシリコンゴム板31上に載置して試験を行ったことを意味している。
なお、表1、表2中において、「表面縦方向」とは、ICカード20をICモジュール1が表面側(目に見える側)になるようにしてシリコンゴム板31上に載置し、ICカードの短辺に平行な方向に圧子32を押圧する試験(図5)を行ったことを意味する。
また、「表面横方向」とは、圧子32が上記と直交する方向にして試験を行ったことを意味し、「裏面」とは、ICカード20をICモジュール1が裏面側(目に見えない側)になるようにしてシリコンゴム板31上に載置して試験を行ったことを意味している。
以上の結果から、表1の本発明の実施例の場合が、いずれの測定方法においても、その平均値が比較例よりも大きく、本発明のICカード用ICモジュール1は、耐曲げ荷重強度が大きく、カードの変形に対して、チップクラック等の物理的故障が生じ難いことが認められた。なお、実施例としては、両面銅箔貼りのICモジュールのみを例として記載しているが、片面銅箔貼りICモジュールも同様にして製造できることは、当業者には自明のことである。
1 ICカード用ICモジュール
2 端子基板
3 ICチップ
4,4a,4b 金属箔、銅箔
5,5a,5b 絶縁層、絶縁材料
6 スルーホール
7 樹脂モールド部
8 ワイヤ
9 小孔
10 配線回路
11 接触端子板
12 ワイヤボンディング基板側パッド
20 ICカード
21 カード基体
25 ICモジュール装着用凹部
2 端子基板
3 ICチップ
4,4a,4b 金属箔、銅箔
5,5a,5b 絶縁層、絶縁材料
6 スルーホール
7 樹脂モールド部
8 ワイヤ
9 小孔
10 配線回路
11 接触端子板
12 ワイヤボンディング基板側パッド
20 ICカード
21 カード基体
25 ICモジュール装着用凹部
Claims (5)
- 端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板の中心層である絶縁層の両面に金属箔を積層し、当該両面の金属箔をフォトエッチングして、1の面の金属箔を接触端子板、他の面の金属箔を裏面配線回路としたICモジュールにおいて、当該端子基板の絶縁層を、2層の同質材料を熱圧着した構成としたことを特徴とするICカード用ICモジュール。
- 端子基板付きICカード用ICモジュールであって、端子基板の絶縁層の片面に金属箔を積層し、当該金属箔をフォトエッチングして接触端子板としたICモジュールにおいて、当該端子基板の絶縁層を、2層の同質材料を熱圧着した構成としたことを特徴とするICカード用ICモジュール。
- 2層の絶縁層が同等の厚みであることを特徴とする請求項1または請求項2記載のICカード用ICモジュール。
- 絶縁層が繊維強化樹脂材料からなることを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれか1の請求項記載のICカード用ICモジュール。
- 金属箔が銅箔からなることを特徴とする請求項1または請求項2記載のICカード用ICモジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269553A JP2007080130A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Icカード用icモジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269553A JP2007080130A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Icカード用icモジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007080130A true JP2007080130A (ja) | 2007-03-29 |
Family
ID=37940351
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005269553A Withdrawn JP2007080130A (ja) | 2005-09-16 | 2005-09-16 | Icカード用icモジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007080130A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010097601A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP2015082185A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 凸版印刷株式会社 | Icモジュール及びicカード |
-
2005
- 2005-09-16 JP JP2005269553A patent/JP2007080130A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010097601A (ja) * | 2008-09-18 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
US9177978B2 (en) | 2008-09-18 | 2015-11-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US10020296B2 (en) | 2008-09-18 | 2018-07-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
US11127732B2 (en) | 2008-09-18 | 2021-09-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
JP2015082185A (ja) * | 2013-10-22 | 2015-04-27 | 凸版印刷株式会社 | Icモジュール及びicカード |
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