JP2010016362A5 - 半導体装置の作製方法及び半導体装置 - Google Patents

Claims (10)

1. 半導体集積回路及び前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナを形成し、
   前記半導体集積回路及び前記アンテナを、第１の絶縁体と第２の絶縁体とで挟持し、
   めっき法を用いて、前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 半導体集積回路及び前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナを形成し、
   前記半導体集積回路及び前記アンテナを、第１の絶縁体と第２の絶縁体とで挟持し、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体に貫通孔を形成し、
   めっき法を用いて、前記第１の絶縁体の表面、前記第２の絶縁体の表面、及び前記貫通孔に導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 請求項１又は２において、
   前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に触媒物質を吸着させ、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体をめっき液に浸漬させることにより、前記導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 請求項１又は２において、
   前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面に導電膜を形成し、
   前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体をめっき液に浸漬させることにより、前記導電性遮蔽体を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項３において、
   前記触媒物質としてパラジウムを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一項において、
   前記導電性遮蔽体としてニッケル合金膜、又は銅膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一項において、
   前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体の少なくとも一方は、繊維体及び有機樹脂を有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項７において、
   前記繊維体にコロナ放電処理、又はプラズマ放電処理を施すことを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 半導体集積回路と、
   前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
   前記半導体集積回路及び前記アンテナを挟持する、第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
   前記第１の絶縁体の表面及び前記第２の絶縁体の表面には、導電性遮蔽体が設けられていることを特徴とする半導体装置。
10. 半導体集積回路と、
    前記半導体集積回路と電気的に接続されたアンテナと、
    前記半導体集積回路及び前記アンテナを挟持する、第１の絶縁体及び第２の絶縁体と、を有し、
    前記第１の絶縁体及び前記第２の絶縁体には、貫通孔が設けられ、
    前記第１の絶縁体の表面、前記第２の絶縁体の表面、及び前記貫通孔には、導電性遮蔽体が設けられていることを特徴とする半導体装置。