JP5501174B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
半導体装置の一例を示す。
実施の形態1では、回路側の導電層とアンテナ側の導電層とが電気的に接続された構成を示した。
実施の形態1では第1の絶縁体201及び第2の絶縁体202の外側に導電層を設けているが、第1の絶縁体201及び第2の絶縁体202の内側に導電層を設けても静電破壊の防止が可能である。
半導体装置の回路のブロック図の一例を示す。
レギュレータ回路の一例を示す。
チップとしてピール回路を用いる方法を例示する。
実施の形態6ではチップとしてピール回路を用いる方法を例示したが、絶縁性基板上に形成したトランジスタを用いたチップ、SOI基板を用いて形成したトランジスタを用いたチップ、半導体基板を用いて形成したトランジスタを用いたチップ等を使用しても良い。
実施の形態6では導電層を第1及び第2の絶縁体の外側に設けたが、導電層は第1及び第2の絶縁体の内側に設けても良い。
他の実施形態では回路側とアンテナ側の両面に導電層を設ける構成を例示したが、アンテナ側又は回路側の一方に導電層を設ける構成としても静電気破壊の防止効果がある。
比較構造として、第1の絶縁体11と、第1の絶縁体11上に設けられた薄膜トランジスタを有する回路12と、薄膜トランジスタを有する回路12の上に設けられ且つ薄膜トランジスタを有する回路12と電気的に接続されたアンテナ13と、アンテナ13上に設けられた保護膜14(窒化珪素膜)と、保護膜14上に設けられた第2の絶縁体15とを有する構造を作製した(図25(A)参照)。
構造1として、比較構造の表側(アンテナ側)のみに静電気破壊対策用の導電層16を設けた構造を作製した(図25(B)参照)。
構造2として、比較構造の裏側(薄膜トランジスタ側)のみに静電気破壊対策用の導電層17を設けた構造を作製した(図25(C)参照)。
構造3として、比較構造の表側(アンテナ側)及び裏側(薄膜トランジスタ側)に静電気破壊対策用の導電層18、導電層19を設けた構造を作製した(図25(D)参照)。
構造4として、比較構造の表側(アンテナ側)及び裏側(薄膜トランジスタ側)に静電気破壊対策用の導電層を設け且つ双方の導電層を電気的に接続させることにより、第1の絶縁体11、薄膜トランジスタを有する回路12、アンテナ13、保護膜14、及び第2の絶縁体15を導電層20で囲んだ構造を作製した(図25(E)参照)。
構造5として、比較構造の絶縁体の内側に静電気破壊対策用の導電層21、22を設けた構造を作製した。具体的には、第1の絶縁体と薄膜トランジスタを有する回路の間に導電層21を設け、第2の絶縁体と保護膜の間に導電層22を設けた構造とした(図25(F)参照)。
構造6として、比較構造の絶縁体の内側に静電気破壊対策用の導電層23を設けた構造を作製した。具体的には、第2の絶縁体と保護膜の間に導電層23を設けた構造とした(図25(G)参照)。
比較構造、並びに構造1〜6の測定結果を図26に示す。
比較サンプルは、図1のように第1及び第2の絶縁体の周辺全面に導電層が設けられたサンプルである。
比較サンプルと同一の構造を有する試料を用意した。
比較サンプルと同一の構造を有する試料を用意した。
比較サンプルと同一の構造を有する試料を用意した。
比較サンプルには中抜け不良が確認されたが、サンプル1〜3では中抜け不良が確認されなかった。
比較サンプルは、実施例3と同一構造のサンプルである(図1及び図10)。
まず比較サンプルと同一構造のサンプルを用意した(図1及び図10)。
まず比較サンプルと同一構造のサンプルを用意した(図1及び図10)。
まず比較サンプルと同一構造のサンプルを用意した(図1及び図10)。
まず比較サンプルと同一構造のサンプルを用意した(図1及び図10)。
制御部2002と重なる位置の導電層を除去したサンプル4、サンプル6、サンプル7は中抜け不良が解消していた。
12 薄膜トランジスタを有する回路
13 アンテナ
14 保護膜
15 第2の絶縁体
16 導電層
17 導電層
18 導電層
19 導電層
20 導電層
21 導電層
22 導電層
23 導電層
100 チップ
101 アンテナ
102 アナログ回路
103 デジタル回路
110 基準電圧生成回路
120 差動回路
130 分圧回路
140 制御部
201 第1の絶縁体
202 第2の絶縁体
300 導電層
301 導電層
302 導電層
1001 アンテナ
1002 共振容量
1003 リミッタ回路
1004 スイッチ
1005 復調回路
1006 変調回路
1007 整流回路
1008 電圧検出回路
1009 レギュレータ回路
1010 論理回路
2001 容量素子が配置された領域
2002 制御部
2003 抵抗体が配置された領域
2004 制御部以外の回路が配置された領域
5000 基板
5001 剥離層
5002 下地絶縁膜
5003 保護膜
Claims (9)
- 一対の導電層と、
前記一対の導電層の間に設けられた一対の絶縁体と、
前記一対の絶縁体の間に設けられた、アンテナとアナログ回路とデジタル回路とを有するチップと、を有し、
少なくとも前記一対の導電層の一方には開口部が設けられており、
前記開口部は少なくとも前記アナログ回路と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 一対の絶縁体と、
前記一対の絶縁体の間に設けられた一対の導電層と、
前記一対の導電層の間に設けられた、アンテナとアナログ回路とデジタル回路とを有するチップと、を有し、
少なくとも前記一対の導電層の一方には開口部が設けられており、
前記開口部は少なくとも前記アナログ回路と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記開口部は前記アナログ回路と重なる位置にのみ選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記開口部は前記アナログ回路及び前記デジタル回路と重なる位置にのみ選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1又は請求項2において、
前記開口部は前記アンテナ、前記アナログ回路、及び前記デジタル回路と重なる位置にのみ選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 一対の導電層と、
前記一対の導電層の間に設けられた一対の絶縁体と、
前記一対の絶縁体の間に設けられた、アンテナとアナログ回路とデジタル回路とを有するチップと、を有し、
前記アナログ回路は、少なくともレギュレータ回路を有し、
少なくとも前記一対の導電層の一方には開口部が設けられており、
前記開口部は少なくとも前記レギュレータ回路と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 一対の絶縁体と、
前記一対の導電層の間に設けられた一対の導電層と、
前記一対の導電層の間に設けられた、アンテナとアナログ回路とデジタル回路とを有するチップと、を有し、
前記アナログ回路は、少なくともレギュレータ回路を有し、
少なくとも前記一対の導電層の一方には開口部が設けられており、
前記開口部は少なくとも前記レギュレータ回路と重なる位置に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項6又は請求項7において、
前記開口部は前記レギュレータ回路と重なる位置にのみ選択的に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記一対の導電層の一方と、前記一対の導電層の他方と、は電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
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