JPH03502396A - 電子装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 電　　子　　装　　置 従来技術 本発明はメインクレームの上位概念による電子装置に関する その種装置は既に公知である。それら装置の信号処理回路部分は信号の処理に用 いられる変換素子、例えば高速オペアンプ、コンパレータ、パルス成形回路とし て用いられる高速切換回路、高いクロック周波のデジタル動作回路部分である。

信号電圧の必然的に急峻の側縁により著しく高い周波数までの周波数スペクトラ ムが生ぜしめられる。それらの障害スペクトラムが接続線路例えば信号処理回路 部分へ作動電流を給電するための線路、信号入力線路ないし信号出力線路を介し 、ネ／トワークを介して直接的に又は電磁近接フィールドを介して他の電子装置 に侵入すると、その電子装置の機能は停止して完全な障害状態が起こり得る。

冒頭に述べた形式の公知装置に用いられているる波回路はプリント配線板技術に より個別（離散的）部品で、また、セラミックサブストリート上にハイブリッド 構成法で構成されている。屡々遮蔽ボックス中への組込のなされているのが見か けられる。その際接続線路は障害除去（ブッシング）コンデンサを介して外方へ ひき出されている。その種装置構成においては任意のコストで、障害電圧が任意 の程度に減衰され得る。

従って、その種装置構成は基本的には例えば自動車におけるように使用可能であ る。

発明の利点 本発明のメインクレームの特徴事項を成す構成要件を備えた電子装置により奏さ れる利点とするところは信号処理回路部分にて生じる障害電圧は有利なコストで 作製可能なわずかな寸法のモノリシックに集積可能なろ波回路により十分減衰さ れ得、また、外部要因に基く比較的に大きな振幅を有する障害電圧、例えば、強 力な送信機の付近で線路上にて影響を受けて生ぜしめられるような障害電圧が、 ＧＨｚ−領域のところまで減衰され得、それにより、接続された電子部分回路の 機能が、方向性障害影響電圧（送信機放射電圧）の抑圧により完全に保持される 。

請求範囲１の対象の有利な発展形態はサブクレーム２〜３３及び詳細な説明から 明らかである。

図　　面 図を用いて本発明の詳細な説明する。

第１図は第１の信号処理−電子装置と第２の信号受信−電子装置を示し、その際 両装置は差込コネクタ及び１つの線路を用いて相互に接続されている。

第２図は第１図と同じ装置構成であるが、ろ波回路によって補完されている。

第３図に示す装置構成の１例において設けられている信号処理−電子装置はケー ブル束を介して一方ではヒユーズ及びスイッチを介して車両電池と接続され、他 方では入力側にて２つの発信器と接続され出力側にて第２電子装置と接続され、 更に、第３の電子装置が設けられている。

第４図は２つの装置間の接続線路の振幅特性を、当該の複合線路系に対して周波 数との関係でよりよく理解するｔ；めに示す。

第５ａ図は本発明の詳細な説明のための１つの可能なバイポーラプロセスを示す 断面図、第５ｂ図は上記プロセスのレイアウトの配置図である。

第６　ａ　ｓ第６ｂ図、第７ａ、７ｂ図、第８ａ、ａｂ図は当該プロセスにおけ る容量の形成の手法の例を示す。

第９図は第２図の回路の作用に関してのモノリシック集積回路の第１％施例の等 価回路を示す。

第１Ｏ図は集積形所属回路を示す。

第１１図は異なったプロセスについての別の例の概念図である。

第１２図は当該回路構成体の断面図である。

発明の説明 先ず、第１図〜第４図を用いて少なくとも大体近似的に障害電圧の発生及び従来 の障害除去について説明する。第１図では１は第１の電子装置を示し、この第１ を子装置は信号処理回路部分４を有する。２は第２信号受信回路装置を示す。両 装置は２重線路６４，６５を用いて相互に接続されて１つの系が形成されている 。状況ないし関係を簡単化するため、上記装置２の入力側には電気的平面２１に て両溝体（線路）間に十分な大きさの障害除去コンデンサが設けられている。

同様に電気的平面６２にて２重線路６４．６５に接続された、第１電子装置ｌの 信号処理回路部分４の出力側が（ここでの信号電圧の急峻な過渡移行部４′をシ ンボリックに示す）２重線路６４．６５の特性インピーダンスに対して高抵抗で あるものとする。それの電気長は線路端点６１，６２の間隔によって与えられて いるものとする。

それらの条件の下で、線路６４．６５は個所６１にて短絡されており、個所６２ では実質的に開放されている。上記線路は例えばレソヒエル線系又はアンテナ系 のような共振性構成体を成す。信号電圧の過渡移行部４′が十分急峻である場合 、それのスペクトルは線路の固有周波数及びそれの図示してない高周波振動を含 む。線路のＱで増大される定在波が生じる。当該ダイヤグラムは基本波に対する 電気的長さ６１．６２に関する振幅特性を示す。上記振幅は６１にて短絡のため ０であり、６２にて過負荷のため最大値であり、この最大値は６２１で示す。上 記コンデンサ３が欠除している場合、基本波は半波長励振によって与えられる。

６１においても電圧腹部が生じ、零点通過部は区間６１．６２の半部のところに 位置する。

第２図には第１図におけると同じ装置構成、但し、ろ波回路７で補完されたもの が示してあり、上記ろ波回路は第１のオーム抵抗７１と、コンデンサ７２と、第 ２オーム抵抗７３とから成る。屡々、著しく一層複雑なる波回路が必要である（ 装置全体の機能を確保するためには）。

自動車における接続線路の特性インピーダンスはほぼ３０〜３００Ωのオーダ、 典型的にはほぼ１００Ωである。

抵抗７３が上記領域内にありコンデンサ７２の容量が十分な大きさでありインダ クタンスが小さい場合、線路はほぼ非周期的に減衰され、共振のＱが消失し、一 層低い振幅６２２に到達するのみに過ぎない。ろ波回路７は著しく広帯域でなけ ればならないので、コンデンサ７２の容量は大となる。当該フィルタの空間的寸 法及びそれに伴なう寄生的線路インダクタンスに基づきそのようなフィルタは制 御し難い。これに対してモリリンツク集積の場合は複雑なフィルタ回路も、１平 方ｍｍの面積より小さい面積に収容され得、それにより、線路インダクタンスは 一層より小さくなり、もって一層容易に制御可能になる。ここで問題性は次のよ うにして生じる、すなわち、小さな容量のコンデンサのみが経済的に集積され得 、要するにフィルタが高抵抗になることにより問題性が生じる。更に注意すべき はフィルタのコンポーネント（部品）の不可避のｐｎ接合部にて方向性障害影響 電圧が生じないようにすることである。

第３Ｉ３！Ｏは装置１，２を有する自動車固有の装置構成を示しており、その際 装置ｌはやはり信号処理回路部分４を有し、装置２は信号受信装置であり、更に 、上記装置構成に設けられているのは所属のケーブル束６０、アース端子６４１ ０及び正端子６８１０を有する軍両電池１１、アンテナ１８を介して信号受信す る電子装置１７（例えば無線受信機）、ヒユーズ１３、スイッチ１４．２０の発 信器１５．１６（これらは装置ｌに対する入力情報を送出する）である。

信号線路に対するケーブル束６０は高周波技術的に見て、異なった固有周波数及 び減衰度の相当複雑な系を成す。信号処理回路部分４を有する装置ｌがケーブル 束から切離されている場合、周波数特性が測定され得る。

第４図には平面６６における振幅が、一定の電流流入のもとで対数尺度にて、直 線的尺度での周波数の関数として示しである。フォスタのりアクタンス定理によ り、“最大値”、“最小値”、ないし、“中間最大値”、“中間最小値”が相互 に交番する。第１の並列共振点はほぼ１５　Ｍ　Ｈｚのところに位置し、最もわ ずかな減衰度を有する並列共振点はほぼ１００ＭＨｚ及び１５０ＭＨｚ（これは ０．０３の減衰係数を有する）のところに位置し、このことはほぼ３０倍の共振 のＱに相応する。２００　Ｍ　Ｈｚを上回ると、最大値及び最小値は上記振幅領 域内で高いレベルに位置している。

装置ｌの信号処理回路部分４により生ぜしめられる障害電圧は直接線路６５を介 して装置２内に入り込み、ケーブル束６０の近接フィールドを介して無線受信機 １７のアンテナ内１８に達する。

ケーブル束の各線路の相互間の結合のため、信号線路をその端部６６にて減衰す るのみならず、他の線路をも、即ち、作動電圧用の線路６８／Ｌ両発信器１５． １６への線路、つまり、できるだけ“ケーブル束“系全体を減衰すると有利であ る。

第５ａ、５ｂ図には本発明を説明するためのプロセスの１つの可能な事例を示し 、その際、サブ（下方）エツチング及びサブ（下方）拡散によるオフセット、ず れのない状態で、電力トランジスタの２つに満たないハーフセルの断面図及びレ イアウト配置図を用いて示しである。

図中符号は下記事項を示す。

０００　サブストレート ００１　　“埋込層“ ００２　下方絶縁拡散部 １００　エピタキシー（エピタキシアル）００３　上方絶縁拡散部 ００４　コレクタ端子拡散部 ００５・　ベース拡散部 ００６　エミッタ拡散部 ００７　カバー酸化物 ００８　金属化物 ００９　保護層 ０７０．０９０　　平面００７，００９におけるコンタクト（接触）窓 上記両紙縁−拡散部００２，００３は広い間隔で、また、コレクタ端子拡散部０ ０４は狭い間隔で左下方から右上方へ向ってのハツチングの線により示されてお り、これに反して、構造化金属００８は左上方から右下方に向っての広い間隔で のハツチングにより示されている。保護層００９はシラン−又はプラズマ−酸化 物、又はプラズマ窒化物から成り得る。それは当該装置構成の理解にとって必要 ではない。

第５ａ図は第５ｂ図の線Ｇ−Ｈによる断面図であり、第５ｂ図は同上の所属のレ イアウトを示す図である。最も濃い線は接点窓の輪郭を示し、２つの最も濃い線 はエミッタと埋込層の輪郭を示し、ベースは接点窓よりごくわずか薄く描かれて いる。第５ａ図の断面図によって相応の領域が、一義的に対応してつきとめられ 得る。

すなわち、０１０は電力トランジスタの１つのセルの埋込層、０４０はコレクタ 端子拡散部を有するコレクタ端子、０７０は所属のコンタクト（接触）窓、０８ ０はコレクタ接続（端子）線路、０５０はベース接続（端子）線路０５１を有す るベース拡散領域、０６０はエミッタを形成するエミッタ拡散領域、０６１はエ ミッタ抵抗への接続線路、０６２はエミッタ拡散部で形成されたエミッタ抵抗、 ０６４はエミッター及びアース線路、００２，００３は絶縁拡散部、０４−１は 拡散されｔ；信号線路であり、更に、隣接せるハーフセルのコンポーネント（成 分）としては次のようなものがある。Ｏｌｌは埋込層、０２０はその上に載って いる絶縁拡散領域、０３０は上方の絶縁拡散部で構成された、下方絶縁拡散領域 用の接続コンタクト、０５２はエミッタ０６３を有する別のベース拡散領域、０ ０９は保護膜（層）である。

埋込層１１上に載っている下方絶縁拡散部０２０は電力トランジスタ中に集積化 組込まれたダイオード素子を形成する。電力トランジスタは多数のそのような素 子を有し、その結果相当容量のユニポーラのコンデンサが形成されこの構コンデ ンサによりそれに接続された線路が実効的に負荷を受ける。

第６ａ、７ａ、８ａ図は夫々＠６　ｂ、　７　ｂ、　’８　ｂ図の線ＡＢによる 断面図である。それらは第５図にて述べたプロセス（構造体）におけるコンデン サに対する３つの実施形態が示してあり、第６．７図には夫々１つのユニポーラ 形、第８図にはバイポーラ形が示しである。勿論、コンデンサの形成のため他の 拡散領域を使用することもできる。選定にとって、規定的であるのは一方ではで きるだけ高い容量構成体であり、他方では障壁層の十分高い降伏電圧である。

第６図中０３１は上方絶縁拡散層、０６６はその中に形成されるエミッタ拡散領 域、６４／１は０３１と接続されたアース端子、０６７はコンデンサのホットな 電極の、エミッタ拡散領域０６６と接続された端子（上記コンデンサの容量は領 域０３１，０６６によって与えられる障壁層により形成されている）である。

上記のユニポーラのコンデンサは負の阻止電圧に対しても使用され得、下方絶縁 領域が省かれている。

第７図中０１２は埋込層−拡散領域、０２１は下方絶縁拡散領域、０３２は上方 絶縁拡散領域、６４／ｌはアース端子、０４２はコレクタ端子拡散領域、Ｏ１３ はコンデンサのホットな端子である。この端子は０１２と０２１との間に位置す る障壁層によって形成されている。埋込層−拡散領域０１２はコレクタ端子拡散 領域０４２を用いてホット端子０１３と接続されている。０２１は０３２を用い てアース端子と接続されている。容量形成へのわずかな寄与度はまた、サブスト レートＯＯＯと埋込層−拡散領域０１２との間に形成される障害層にも由来する 。上記のユニポーラコンデンサは第６図のそれより高い阻止電圧を有する。但し 、上記コンデンサはサブストレートに対して絶縁され得ない。

第８図中０１４はやはり埋込層拡散領域、０２２゜０２３は夫々第１／第２下方 絶縁拡散領域、０３３゜１３４は夫々第１１第２上方絶縁拡散領域であり、Ｏ１ ６は埋込層拡散部０１４における切欠部である。６４／１はアース端子、０１５ はホット電極に対する端子である。このコンデンサの容量構成体は２つの相互に 逆方向対抗的に接続された阻止層０２２，０１４ないし０１４，０２３間に形成 される。従って、上記の容量構成体はバイポーラであり、もって、高い電圧を処 理しなければならない（方向性障害影響電圧を生じることなく）フィルタ回路に 適する。上記障害影響電圧は次のような際のみ生じる、即ち高周波障害電圧の振 幅及びほぼ重畳された直流電圧が、対称的障壁層の降伏電圧を越える際、ないし 、２つの部分容量０２２、Ｏ１４及び０１４．０２３が等しくない際のみである 。埋込層−拡散部における切欠部０１６はコンデンサの直列抵抗の増大のために 施されている。これは必ずしも必要なものではない。

自動車が出力の強い送信機の近辺のところに来ると、共振の場合における自由に 振動する線路にて３００Ｖ　／　１１までの問題の電界の強度のもとて数１００ Ｖまでの振幅が生じる。但し低い周波数に向って、入力結合度は減少する。従っ て、次のような電圧振幅が誘起される、即ち半導体回路の直線的励振領域を数才 −ダ上回り、且、モリノシック集積化形成可能なコンデンサの阻止電圧を著しく 上回る電圧の振幅が誘起される。従って、既述のように、信号線路６５をそれの 端部６６にて減衰させるのみならず、′ケーブル束”の残りの線路をもできるだ け減衰させると有利である。

その際そりノシック集積化ろ波回路の場合法のような問題が起こる。上記ろ波回 路のコンポーネント（構成成分）のｐｎ接合部にて動作点をシフトさせる方向性 障害影響電圧が生じ、それにより、ろ波回路自体が不都合な作用を受け、かつ、 ろ波回路と直流的に接続されている電子装置の誤機能を来たす。ケーブル束の十 分な減衰によって、共振の場合においても振幅は半導体で可制御の電圧領域内に もたらされ得る。

第９図はモリノシック集積化構造の第２図の電子装置ｌのろ波回路７を示す。同 図中４はやはり信号処理回路部分、７はローパスフィルタとして作用する、抵抗 ７１とコンデンサ７２と抵抗７３とを有するろ波回路を示す。今や高抵抗の抵抗 ７３は線路をもはや減衰させ得ない。そのために、ＲＣ素子として第８図に示す ほぼ８０Ωの抵抗７４とほぼ５０ｐＦのバイポーラコンデンサ７５が、使用され ている。この例ではコンデンサ７２は１ｏＯｐＦであり、抵抗７１．７３は２０ にΩである。もって、コンデンサ７５の容量はその高い振幅最大値を伴なう固有 周波数を十分減衰するのに十分な大きさである。

第１Ｏ図には個々のコンポーネント（構成部分）間のクロス、トークをも考慮す る本発明の対象による装置構成全体の回路を示す。抵抗７１は２つの部分抵抗７ １３．７１４に分けられており、これらの部分抵抗は別個の抵抗ウェル７６３， ７６２中に収納されている。抵抗７３は同様に固有のウェル７６１のところに位 置する。

当該フィルタの抵抗は本発明によれば、例えばプロセス構造体のＰ形ドーピング されたベース拡散部００５で構成されている。上記抵抗はエピタキシ一部１００ の障壁層−絶縁されたウェル中に位置し、上記エピタキシ一部に対してｐｎ接合 部を形成する。さらに本発明によれば、上記ｐｎ接合部を逆方向に（阻止方向に ）次のような高さにバイアスする、即ち、生起する障害電圧によって流通方向（ 順方向）に極性づけられないような高さにバイアスするものである。当該装置又 は集積回路自体の動作直流電圧をバイアス電圧源として用いるように構成されて いる。このバイアス電圧が低過ぎる場合には電圧逓倍回路を（必要な場合には） 相当程度の固有の安定化機能を付して、又は後続の電圧安定化段を付して用いる とよい。更に、給電電圧源から阻止さるべきｐｎ接合部への接続線路中に、ダイ オード７９を順方向に挿入接続すると有利である。

高周波−振幅がバイアス電圧を越える場合にはごくわずかな方向性障害影響電圧 しか流れず、ウェルの容量が比較的高いレベルに充電せしめられる。従って、高 周波障害電圧自体によってフローティングするウェルにて、阻止さるべきｐｎ接 合部のバイアスを生じさせれば十分であり、その際寄生的ｐｎ接合部がダイオー ドに利用され得、すなわち固有のダイオードが必ずしも必要でない。

最も高い障害電圧の加わるフィルタの入力側コンポーネントによって、当該障害 電圧が容量的にそれのウェル中に入力結合される。従って、他の回路部分への、 バイアス電圧源を介してのクロストークを少なくとも１つの抵抗７８によって阻 止するように装置構成される。ここにおいて、上記抵抗は一方では動作電圧源６ ８／ｌ（この電圧は所定の目的には十分な大きさである）に接続され、他方では ダイオード７９に接続されている。このダイオードからは抵抗体及び容量体を備 えた線路７６４．７６５がウェル７６１．７６２に達している。線路７６４，７ ６５．７６６は埋込層拡散領域００１を用いて形成されている。ここにおいて上 記領域は下方絶縁拡散部００２を有する領域の下側ｌこ位置する。その際領域０ ０２は上方絶縁拡散領域００３を介してアース線路６４／１に接続されている。

ウェル７６２は付加的にコンデンサ７６７と共にアースに接続されており、同様 にウェル７６３はコンデンサ７６６と接続されている。両コンデンサはレイアウ トにてチップ面積の余分なスペースを要さずに収容され得る。

ろ波回路７は次のものによって宵効に補強される、即ち、発信器線路６９に接続 されたコンデンサ６ｏと、直列抵抗６１と、動作電圧の正端子６８／ｌ−負端子 ６４７１間のコンデンサ８２とによって補強される。上記コンデンサの損失抵抗 は当該回路の電流負荷によって形成されている。この種素子は通常付加的面積を 用いずに、レイアウト中空き空間のところとが、接続ポイントの下方のところ等 々に、収容され得、ないしそれらの面積はレイアウトの作製の際そのために用い られ得る。

方向性障害影響電流、電圧を回避する本発明の別の実施例は拡大された技術手段 により次のようにして実現され得る、すなわち、フィルタの複数コンポーネント の少なくとも１つが、シリコン単結晶内に収容された信号処理回路部分４の不活 性化に用いられるカバー酸化物上に被着されるか、又は、多層金属化物の場合、 両金属化物間に設けられた誘電的中間層上に被着されるようにするのである。そ の場合その中間層は通常２酸化シリコン、窒化シリコン、又は他の非有機（無機 ）又は有機誘電材料（５ｆｆ２化タンタル、又はポリアミドラックのようなもの ）から成る。フィルタの抵抗は多かれ少かれドーピングされたポリシリコンを用 いて、又は金属合金（クロムニッケル等）を用いて、誘電体上への振出しにより 形成され得る。その際フンデンサは障壁層のない誘電体により特に有利に形成さ れ得、その際対向電極はシリコン中に高ドーピングされた領域により形成され得 る。２つの平面内での金属化物を有するプロセス構造体において、コンデンサは 電極として２つの金属平面を有し誘電体として絶縁中間層を有するように構成さ れるべきである。小さな面積を得るため、高い単位面積あたりの面積容量が好ま しく、要するに、極めて薄い誘電層が好ましい。これらの容量はフラッンオーバ ーに対して、すなわち、過電圧に対しての保護を、ツェナーダイオード装置を用 いてユニポーラ又はバイポーラで施されるべきである。

抵抗及びコンデンサは１つの導体にまとめられ得る。

高抵抗の抵抗体はそのままコンデンサの一方の電極を形成する。

次の第１１図及び第１２図は相応の例を示す。

更に、上記例において、出発材料として、弱くｐドーピングされｔ；サブストレ ートを有するバイポーラ技術の通常のモリノシノク集積回路を示す。勿論、本発 明の技術思想は比較的に複雑な構造、相補的構造又はユニポーラ技術の構造（Ｐ −ＭＯ５ＳＮ−ＭＯＳ、Ｃ−Ｍ　ＯＳ　）を有する集積回路に転用され得る。

サブストレート及び拡散領域はやはりｏｏｏ、ｏ。

６で示され、金属及び保護層は００７，００９で示され、エピタキン一部は１０ ０で示され、コンタクト窓は０７０で示され、新たに導入された、有利にはドー ピングされたポリシリコンはｉｌｌで示されている。

通常構造体全体上方に設けられる保護層の表示、また、多層金属化物の適用も省 いである。

第１１図はろ波回路として導体７１６を有する、第９図の回路の部分（第１２図 に示す）を示す。

ローパスフィルタの抵抗７１５は第９図の抵抗７３の程度の差こそあれ大きな部 分に相応する。コンデンサ７２及び抵抗７１は抵抗体及び容量体を有する導体７ １６によって置換されている。バイポーラ２（ツェナー）−ダイオード７１７は フィルタの入力側に達し得る過電圧に対して保護をするか、又は、換言すれば、 導体７１６の容量体に対して極めて薄い酸化物を可能にする。その場合その導体 の端部は信号処理回路部分４の出力側と接続されている。

第１２図の断面図において個々の部分ないし領域は上述のように公知である。そ れに対して補完的に、埋込層０１７で、ツェナーダイオード７１７の負の電極が 形成され、絶縁拡散領域００２．００３でそれのアノード０２５．０２６が形成 されている。その場合アノード０２６は同時にフィルタのアース電極としても用 いられ、殊に、導体７１６の容量体のアース電極としても用いられる。００７１ は厚さのあるフィールド（領域）酸化物であり、この酸化物上にはフィルタの金 属製接続ポイン）・６６、及びポリシリコンｆｉｌｌで形成された部分抵抗７１ ５が設けられている。一方、導体７１６の抵抗体１１１２は薄い酸化物（例えば バイポーラプロセス構造体のエミッタ酸化物又はＭＯＳ−プロセス構造体のゲー ト酸化物）上に設けられている。上記部分７１５と７１６との金属結合体（接合 部）は０８２で示し、信号処理回路部分４の出力側と上記部分７１６との金属結 合体は０８３で示す。所属のコンタクト窓は０７３と０７４である。導体７１６ の抵抗体１１１２は例えば、十分大きな導体長を得るため薄い酸化物００７２の 比較的大きな面上にミアンダ状（蛇行状）に配置されている。第１１図及び第１ ２図に示してない、第９図のコンポーネントは同じ形式で生ぜしめられ得る。コ ンデンサ７５もＭＯＳ−容量として構成される場合、このコンデンサもバイポー ラツェナーダイオードを用いて保護を施されるべきである。

比較的に大きな減衰度が要求される場合、フィルタは多層に構成されると有利で ある。まｔ；、寄生的コンポーネントにより惹起されるクロストークに注意しな ければならない。ポリ（多結晶）シリコン及び薄い酸化物がモノリンツク集積化 回路の製作プロセスに必要である場合、この回路を前述のようにフィルタのため に用いるのが常に好適である。それというのはこの技術では高周波振幅が十分減 衰されたときはじめてｐｎ接合部を用い得るからである。

ＦｌＯ，３ ＦＩ１５ａ ＦＪＧ、９ ＦＩｏ、　１０ １”ｌＧ、　１１ ＦＩＧ、１２ 国際調査報告

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．信号処理回路部（４）を有する電子装置（１）であって、上記信号処理回路 部には複数線路が導かれており、ここにおいて、少なくとも１つの線路は作動電 流の給電のために用いられ、少なくとも１つの別の線路は信号入力および／又は 信号出力のため用いられ、上記信号処理回路部（４）には外方に向って発せられ る高周波障害電圧の減衰のための回路素子（７）が配属されており、上記障害電 圧は上記信号処理回路部（４）自体にて信号処理によって生じるものである電子 装置において、上記回路素子は少なくとも１つの線路に配属されており、かつ、 少なくとも１つのＲＣ素子から成るろ波回路（７）および／又は少なくとも１つ の線路に配属された減衰用Ｒ−および／又はＣ素子から成り、上記減衰用Ｒ−お よび／又はＣ素子は当該の線路ないし線路系の減衰のために用いられるものであ り、更に、上記回路素子はモノリシック集積化されていることを特徴とする電子 装置。 ２．高周波障害電圧の減衰のため用いられる上記回路素子（７）は信号処理回路 部（４）又はそれの部分と共にモノリシック集積化されている請求項１記載の装 置。 ３．少なくとも１つの線路（６）に配属された回路素子は当該線路ないし線路系 の減衰のための素子としてのコンデンサと抵抗との直列接続体から成る請求項１ 又は２記載の装置。 ４．信号処理回路部（４）にて生ぜしめられた障害信号の減衰のための、少なく とも１つの線路（６）に配属された上記回路素子（７）はローパスフィルタから 成り、該ローパスフィルタは少なくとも各１つのコンデンサと組合された各１つ の抵抗から形成されている請求項１又は２記載の装置。 ５．上記ろ波回路（７）の少なくとも１つのコンポーネント（７１，７１３，７ １４，７２，７３，７４，７５）が、モノリシック集積化回路の単結晶半導体材 料中に作り込まれた領域によって形成されており、上記領域はこれを包囲する半 導体材料と共にｐｎ接合部を形成するように構成されている請求項１から４まで のいずれか１項記載の装置。 ６．上記の少なくとも１つのコンポーネント（７１，７１３，７１４，７２，７ ３，７４，７５）と、これを取囲む半導体材料との間のｐｎ接合部のバイアス電 圧が阻止（逆）方向に加えるように構成されている請求項５記載の装置。 ７．上記バイアス電圧はモノリシック集積化回路ないし信号処理装置の動作両流 電圧から取出されるように構成されている請求項６記載の装置。 ８．順方向に接続されたダイオード（７９）が、バイアス電圧源とｐｎ接合部と の間に設けられており、上記ｐｎ接合部は上記の少なくとも１つのコンポーネン ト（７１，７１３，７１４，７２，７３，７４，７５）と、これを取囲む半導体 材料との間に形成されている請求項５又は６記載の装置。 ９．少なくとも１つの抵抗（７８）から成るろ波回路が、バイアス電圧源とｐｎ 接台部との間に設けられており、このｐｎ接合部は上記の少なくとも１つのコン ポーネント（７１，７１３，７１４，７２，７３，７４，７５）とこれを取囲む 半導体材料との間に形成されている請求項６から８までのいずれか１項記載の装 置。 １０．電圧逓倍回路がバイアス電圧源とｐｎ接合部との間に設けられており、上 記ｐｎ接合部は上記の少なくとも１つのコンポーネント（７１，７１３，７１４ ，７２，７３，７４，７５）とこれを波回路む半導体材料との間に形成されてい る請求項６から９までのいずれか１項記載の装置。 １１．当該出力電圧を制限する電圧逓倍回路、又は上記回路に後置接続された安 定化回路が設けられている請求項１０記載の装置。 １２．ろ波回路（７）のコンポーネントと、アース（サブストレート）との間に 相互に逆方向に接続されたｐｎ接合部が、振幅制限器として配置されている請求 項１からｌ１までのいずれか１項記載の装置。 １３．ろ波回路（７）の容量性コンポーネントとして、少なくとも１つのｐｎ接 合部および／又は２つの相互に逆方向に接続されたｐｎ接合部が設けられている 請求項１から１２までのいずれか１項記載の装置。 １４．上記の相互に逆方向に接続されたｐｎ接合部のｎｐｎ−ないしｐｎｐ構造 は少なくとも近似的に対称化されている請求項１２又は１３記載の装置。 １５．ろ波回路（７）の入力端子とアースとの間に少なくとも１つの低抵抗の抵 抗（７４）が挿入接続されており、この低抵抗は所属の少なくとも１つの線路（ ６５，６６）を十分に、例えば非同期的な限界の場合に減衰するように接続構成 されている請求項１から１４までのいずれか１項記載の装置。 １６．上記低抵抗（７４）に直列にコンデンサ（７５）が設けられている請求須 １５記載の装置。 １７．上記コンデンサ（７５）は２つの相互に逆方向に接続されたダイオードに よって形成されている請求項１６記載の装置。 １８．上記コンデンサ（７５）は内部広がり抵抗を有する２つの相互に逆方向に 接続されたダイオードによって損失を伴って形成されている（第１１図）請求項 １７記載の装置。 １９．ろ波回路（７）のコンポーネントとして抵抗体及び容量体を有する線路が 設けられている請求項１から１８までのいずれか１項記載の装置。 ２０．阻止方向に作用するバイアス電圧が、ダイオードとして作用するｐｎ接合 部を用いて、障害電圧を形成する入力交流電圧自体から生ぜしめられるように構 成されている請求項６記載の装置。 ２１．ろ波回路（７）の少なくとも１つが寄生的クロストークの低減のため複数 のセクション（７１３，１７４）に分けられている請求項１から２０までのいず れか１項記載の装置。 ２２．ろ波回路（７）のコンポーネントが、寄生的クロストークを低減するため 、少なくとも２つの別個の相互に絶縁されたウエル（７６１，７６２，７６３） 中に収納されている請求項１から２２までのいずれか１項記載の装置。 ２３．相互に接続されたウエル（７６１〜７６３）は独立の減結合回路網（７６ ４，７６５）を介してバイアス電圧源と接続されている請求項２２記載の装置。 ２４．相互に絶縁されたウエル（７６２，７６３）のうちの少なくとも２つが、 減結合回路網（７６６）を介して相互に接続されている請求項２２記載の装置。 ２５障害影響電圧ないし電流の阻止のため、ろ波回路（７）の少なくとも１つの コンポーネント（７１，７１３，７１６，７４，７５）が、モノリシック集積化 回路の誘電カバー層の少なくとも１つ（００７１，００７２）の上に配置されて いる請求項１から２４までのいずれか１項記載の装置。 ２６．ろ波回路（７）の入力側端子（６６）のほうに向いたコンポーネント（７ １５）が、比較的大きな破壊強度を得るため比較的厚いカバー層（００７１）上 に、例えばフィールド酸化物上に配置されている請求項２５記載の装置。 ２７．ろ波回路（７）の入力側端子（６６）と反対の側のコンポーネント（７１ ６）が、比較的大きな容量体を達成するため比較的薄い誘電カバー層（００７２ ）上に配置されている請求項２５又は２６記載の装置。 ２８．電圧ブラツシオーバーに対してコンポーネント（７１５）の保護のため少 なくとも１つの電圧制限回路が設けられている請求項１から２７までのいずれか １項記載の装置。 ２９．電圧制限回路としてツェナーダイオードが設けられている請求項２８記載 の装置。 ３０．電圧制限回路としてバイポーラツエナーダイオード（７１７）が設けられ ている請求項２９記載の装置。 ３１．バイポーラツエナダイオード（７１７）は対称的ｎｐｎ−又はｐｎｐ−構 造（０２５，０１７，０２６）として構成されている請求項３０記載の装置。 ３２．ろ波回路（７）の入力側端子（６６）として電圧制限回路との間に少なく とも１つの抵抗（７１５）が設けられている請求項２８から３１までのいずれか １項記載の装置。 ３３．ドーピングのグラジェントを介して阻止すべき電圧に適合されている障壁 層コンデンサが設けられている請求項１から３２までのいずれか１項記載の装置 。