JP4914002B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は、液晶表示装置に関する。特に本発明は、光の利用効率を向上させた液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、パソコンその他の様々な分野に使用されている。最近では、急激に液晶表示装置の需要が増加している。
最新の液晶表示装置では、バックライトを薄型にすること、高精細な画像を表示すること、および高輝度の画像を表示することが要求されている。薄型のバックライトを使用することおよび画像を高精細にすることは、画像の低輝度を招きやすい。

薄型のバックライトおよび高精細な画像と、高輝度の画像とを両立させるため、光の利用効率を改善し、輝度を補うことが望ましい。具体的な輝度の向上手段として、輝度向上膜（反射偏光板）が提案されている。輝度向上膜は、大きく分けて直線偏光分離型（例えば、特許文献１〜３参照）と円偏光分離型（例えば、特許文献４〜８参照）に区分される。いずれの輝度向上フイルムも、下側の偏光板（光吸収型偏光素子）と光源（バックライト）との間に設置される。
輝度向上フイルムを用いることで、液晶表示装置における光の利用効率が著しく改善され、液晶表示装置の消費電力を著しく節約できる。

特開平４−２６８５０５号公報 特表平９−５０７３０８号公報 特表平１０−５１１３２２号公報 特開平８−２７１８３７号公報 特開平８−２７１７３１号公報 特開平１０−３２１０２５号公報 特開平１１−１７４２３０号公報 特開平１１−２４８９４２号公報

本発明者が輝度向上膜を装着した液晶表示装置を検討したところ、液晶表示装置を斜めから見ると、画像が黄色や青色に着色される場合が認められた。また、輝度向上効果が不充分である問題や、場合により急に輝度が低下する問題も認められた。以上の問題は、液晶セルその他の液晶表示装置の部品の光学的パラメーターを調整することにより解決できる。しかし、液晶表示装置の部品の光学的パラメーターを変更すると、別の光学的問題が発生することが多い。

本発明の目的は、画像が着色される問題を生じることなく、液晶表示装置における光の利用効率を確実に改善することである。

本発明の目的は、下記（１）、（２）の液晶表示装置により達成された。

（１）光源、光散乱型または光反射型偏光素子、光吸収型偏光素子、液晶セル、光吸収型偏光素子をこの順に配置する液晶表示装置であって、光源側の光吸収型偏光素子が、二枚の透明ポリマーフイルムの間に偏光膜を有し、光源側の透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値および厚み方向のレターデーション値が下記式（Ｉ）〜（IV）を満足し、該透明ポリマーフイルムがアシル置換度が２．８５乃至３．００のセルロースアシレートからなり、かつレターデーション低下剤を下記式（Ｖ）および（VI）を満足する量で含有していることを特徴とする液晶表示装置：
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）＜１０
（II）｜Ｒｔｈ（６３０）｜＜２５
（III)｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜１０
（IV）｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜３５
［式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］

（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−１．０
（VI）０．０１＜Ａ＜３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤をＡ質量％含有する透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤を含有しない以外は上記と同様に作製した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、透明ポリマーフイルムを構成するポリマーに対するレターデーション低下剤の添加量（質量％）である］。

（２）光源、コレステリック液晶層、λ／４板、光吸収型偏光素子、液晶セル、光吸収型偏光素子をこの順に配置する液晶表示装置であって、光源側の光吸収型偏光素子が、二枚の透明ポリマーフイルムの間に偏光膜を有し、光源側の透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値および厚み方向のレターデーション値が下記式（Ｉ）〜（IV）を満足し、該透明ポリマーフイルムがアシル置換度が２．８５乃至３．００のセルロースアシレートからなり、かつレターデーション低下剤を下記式（Ｖ）および（VI）を満足する量で含有していることを特徴とする液晶表示装置：
（Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）＜１０
（II）｜Ｒｔｈ（６３０）｜＜２５
（III)｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜１０
（IV）｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜３５
［式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］

（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−１．０
（VI）０．０１＜Ａ＜３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤をＡ質量％含有する透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤を含有しない以外は上記と同様に作製した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、透明ポリマーフイルムを構成するポリマーに対するレターデーション低下剤の添加量（質量％）である］。

本明細書において、Ｒｅ（λ）、Ｒｔｈ（λ）は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表すが、Ｒｅ（λ）はＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフイルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフイルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフイルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フイルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。
主なポリマーフイルムの平均屈折率の値は、以下の通りです。
セルロースアシレートフイルム： １．４８
シクロオレフィンポリマーフイルム：１．５２
ポリカーボネートフイルム： １．５９
ポリメチルメタクリレートフイルム：１．４９
ポリスチレンフイルム： １．５９
平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。

また、本明細書において、「実質的に平行」とは、厳密な角度よりも±５゜未満の範囲内であることを意味する。この範囲は、±４゜未満であることが好ましく、±３゜未満であることがさらに好ましく、±２゜未満であることが最も好ましい。
さらに、本明細書において、光散乱型または光反射型偏光素子は、偏光軸に平行な直線偏光成分を透過し、それと直交方向の直線偏光成分を散乱または反射する機能を有する素子を意味する。光吸収型偏光素子は、偏光軸に平行な直線偏光成分を透過し、それと直交方向の直線偏光成分を吸収する機能を有する素子を意味する。
なお、本明細書において、単に「偏光」と称する場合は、広義の偏光（直線偏光、円偏光および楕円偏光を含む）ではなく、狭義の偏光（直線偏光のみ）を意味する。

本発明者が輝度向上膜（反射偏光板）を装着した液晶表示装置の問題（着色や輝度低下）を検討したところ、輝度向上膜と光源に近い偏光板（光吸収型偏光素子）に配置された偏光板の保護フイルムの光学異方性が問題の原因になっていることを突き止めた。よって、上記問題は、保護フイルムをほぼ完全に等方性にすることで解決することができる。

輝度向上膜に斜めに入射した光は、直線偏光となり出射する。直線偏光は、まず光吸収型偏光素子の保護フイルムに入射する。従来の保護フイルムは、厚み方向のレターデーションを持つ複屈折媒体である。そのため、入射した直線偏光は楕円偏光となり出射する。直線偏光ではなく、楕円偏光が光吸収型偏光素子に入射するために、着色や輝度の低下が起こるのである。
本発明の液晶表示装置は、最も光源側の光吸収型偏光素子の保護フイルムに、光学異方性の小さいフイルムを使用する。これにより、副作用なしに液晶表示装置の光の利用効率をあらゆる方向から向上させることに成功した。本発明では、保護フイルムとして、従来の光吸収型偏光素子と同様の（ただし光学異方性を低下させた）セルロースアシレートフイルムを使用することができる。そのため、従来の液晶表示装置は偏光素子の製造工程を変更することなく、前記問題を解決することができる。本発明の考え方は、液晶表示装置のモード（例、ＴＮ、ＶＡ、ＩＰＳ、ＯＣＢ、ＥＣＢ）に依存するこおとなく、全てのモードに適用することができる。

［透明ポリマーフイルム］
透過型の液晶表示装置は、二枚の光吸収型偏光素子の間に液晶セルを有している。光吸収型偏光素子は、二枚の保護フイルムの間に偏光膜を有している。透過型の液晶表示装置は、四枚の保護フイルムを有する。保護フイルムは、一般に透明ポリマーフイルムからなる。
本発明では、四枚の保護フイルムのうち、最もバックライト側の保護フイルムとして、レターデーション値が小さい透明ポリマーフイルムを用いる。残りの三枚の保護フイルムのレターデーション値も、同様に小さい値とすることができる。

レターデーション値が小さいとは、具体的には、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ（６３０）が１０ｎｍ未満 （０≦Ｒｅ（６３０）＜１０）でかつ、膜厚
方向のレターデーションＲｔｈ（６３０）の絶対値が２５ｎｍ未満（｜Ｒｔｈ｜＜２５ｎｍ）であることがのぞましい。さらにのぞましくは、０≦Ｒｅ（６３０）＜５かつ｜Ｒｔｈ｜＜２０ｎｍであり、０≦Ｒｅ（６３０）＜２かつ｜Ｒｔｈ｜＜１５ｎｍであることが特に好ましい。
この光学特性を満足する透明ポリマーフイルムであれば、ポリマーの種類について、特に制限はない。ポリマーの例は、セルロースアシレート、ノルボルネン系ポリマー、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリエチレン、ポリプロピレンを含む。

特に、偏光板の保護フイルムとして使用されているセルロースアシレートフイルムを使用すると、偏光板の部材点数を増やすことなく、液晶表示装置に適用できるため、より好ましい。
セルロースアシレートフイルムの場合、上記光学特性を実現するために、セルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させ、ＲｅとＲｔｈを共にゼロに近くなるようにすることが好ましい。

本発明者は、鋭意検討した結果、波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つことによりフイルムの着色を防止し、フイルムのＲｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）の波長分散を制御できる化合物を用いることによって波長４００ｎｍと７００ｎｍでのＲｅ、Ｒｔｈの差、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を小さく出来ることを見出した。

本発明において、セルロースアシレートフイルムの波長分散は、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜１０かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜３５が好ましく、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜５かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜２５がさらに好ましく、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜３かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜１５が最も好ましい。

［セルロースアシレート］
透明ポリマーフイルムは、セルロースアシレートからなることが特に好ましい。
セルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができる。

セルロースアシレートは、セルロースの水酸基の水素原子がアシル基で置換された半合成ポリマーである。アシル基の炭素原子数は、２（アセチル基）乃至２２が好ましい。セルロースの水酸基に結合する酢酸または炭素原子数３〜２２のカルボン酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

セルロースのアシル置換度は、２．５０乃至３．００が好ましく、２．７５乃至３．００がさらに好ましく、２．８５乃至３．００が最も好ましい。

セルロースの水酸基に結合する炭素原子数２〜２２のカルボン酸は、脂肪族カルボン酸と芳香族カルボン酸を含む。二種類以上のカルボン酸を併用してもよい。脂肪族カルボン酸は、不飽和であってもよい。脂肪族カルボン酸は、芳香族基により置換された脂肪酸を含む。
アシル基の例は、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、イソブタノイル、ｔ−ブタノイル 、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルを含む。アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

アシル基が、実質的にアセチル基、プロピオニル基およびブタノイル基から選ばれる少なくとも２種類のアシル基からなる場合、全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフイルムの光学異方性が低下する。２種類以上のアシル基の全置換度は２．６０〜３．００が好ましく、２．６５〜３．００がさらに好ましい。

セルロースアシレートの粘度平均重合度は、１８０〜７００が好ましい。セルロースアシレートの粘度平均重合度は、１８０〜５５０が好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が最も好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフイルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフイルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁 、１９６２年）により測定できる。平均重合度は、特開平９−９５５３８にも記載がある。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明のセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要である。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

セルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

［セルロースアシレートへの添加剤］
セルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。また、実際にセルロースアシレートフイルムの作製にあたってこれらの化合物がセルロースアシレートとよく相溶し、フイルムが白濁したりすることなく、フイルムの物理的強度も十分であるものであることが好ましい。
本発明のセルロースアシレートフイルムの光学異方性、とくに下記式（ｉ）で表されるフイルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（ｉ）、（ｉｉ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−１．０
（ｉｉ）０．０１＜Ａ＜３０
上記式（i）、（ii）は
（i）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−２．０
（ii）０．０５＜Ａ＜２５
であることがよりのぞましく、
（ii）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−３．０
（iii）０．１＜Ａ＜２０
であることがさらに好ましい。

［セルロースアシレートフイルムの光学異方性を低下させる化合物の構造的特徴］
セルロースアシレートフイルムの光学異方性を低下させる化合物について説明する。
本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学異方性を十分に低下させ、ＲｅとＲｔｈともゼロに近くなるようにした。このためには光学異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

（ＬｏｇＰ値）
本発明のセルロースアシレートフイルムを作製するにあたっては、上述のようにフイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フイルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアシレートフイルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１ないし６であり、特に好ましい範囲は１．５ないし５である。

オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法 （ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定 方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。

［光学異方性を低下する化合物の物性］
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることがさらに好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、１ないし２５質量％であることがより好ましく、５ないし２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフイルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフイルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示す。
一般式（１）の化合物について説明する。

一般式（１）において、Ｒ１１−１３はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ１１−１３は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ１１−１３について詳しく説明する。Ｒ１１−１３は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。

Ｒ１１−１３で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。

これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ１１−１３は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。

一般式（２）および（３）の化合物について説明する。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ２５−を表し、Ｒ２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。 また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ２５は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ２５で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ２５で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ２１−２２はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ヘプチルカルボニルオキシ、ノニルカルボニルオキシ、ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。

アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、イソブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ −ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ヘプチルカルボキサミド、オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ノニルカルボキサミド、ドデシルカルボキサミド、ペンタカルボキサミド、ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、イソブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ヘプチルカルバモイル、オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、デシルカルバモイル、ドデシルカルバモイル、テトラデシルカルバモイル、ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ２１−２２は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ２１−２２はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ３１−７０はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ブチルカルボニルオキシ、イソブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ヘプチルカルボニルオキシ、ノニルカルボニルオキシ、ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが挙げられる。

アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、イソブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、ヘキサデシルオキシカルボニルなどが挙げられる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、イソブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ヘプチルカルボキサミド、オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ノニルカルボキサミド、ドデシルカルボキサミド、ペンタカルボキサミド、ヘキサデシルカルボキサミドなどが挙げられる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、イソブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ヘプチルカルバモイル、オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、デシルカルバモイル、ドデシルカルバモイル、テトラデシルカルバモイル、ヘキサデシルカルバモイルなどが挙げられる。Ｙ３１−７０はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ３１−４３はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ｔ−アミル、ヘキシル、オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。Ｖ３１−４３はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ３１−８０はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ３１−８０の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ３１−７７の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどを挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）−、−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ₂Ｃ（ＣＨ₂）₂−などを挙げることができる。Ｌ３１−８０は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ１１−１３に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ３１−７０、Ｖ３１−４３およびＬ３１−８０の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカル ボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に本発明の一般式（１）ないし（１２）で表される化合物の例を挙げる。なお、一般式（１）については化合物C-1〜C-76を 例示し、一般式（２）〜（１２）については化合物C-201〜C-231、C-401〜C-448を例示した。表記載あるいは括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。

（式中、Ｒ１−３は前記一般式（１）のＲ１１−１３と同義であり、下記のC-1〜C-76で具体例を例示する。）

一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。

上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。また、一般式（１４）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示す。

一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、t-ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。これら一般式（１５）で表される化合物の好ましい例を下記に示す。

一般式（１６）の化合物について説明する。

Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³はそれぞれ独立に5ないし6員環を表し、炭化水素環でもへテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³としてより好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またＱ¹、Ｑ²およびＱ³は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Tが挙げられる。

ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表し、Ｘとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎであり、Ｘとしてより好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

（式中、Ｘ²はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵は水素原子または置換基を表す。）

ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表しＸとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎ、Ｐ＝Ｏであり、更に好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。

Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³ 、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴ないしＲ³⁵として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じで も異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、オクチル、デシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげる。

以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示す。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学異方性を低下させることを見出した。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

（多価アルコールエステル化合物)
本発明の多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられる。

（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

（モノカルボン酸）
本発明の多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフイルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができる。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合で もよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。

多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができる。

(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができる。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができる。

（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環は、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示す。

（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示す。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

［波長分散調整剤］
セルロースアシレートフイルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。本発明のセルロースアシレートフイルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（iv）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ４ ００−Ｒｔｈ７００｜を低下させる化合物を、下記式（v）、（vi）をみたす範囲で少な くとも一種含有することがのぞましい。
（ｉｖ）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ４００−Ｒｔｈ７００｜
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（ｖｉ）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（ｖ）、（ｖｉ）は
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（ｖｉ）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがよりのぞましく、
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（ｖｉ）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらにのぞましい。

上記の波長分散調整剤は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。添加量としては０．１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。

セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフイルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるのに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフイルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮 散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、０．１ないし２０質量％であることがより好ましく、０．２ないし１０質量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられる。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ

（式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後 述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、オクチル、デシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（ 好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げる。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフイルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはOであり、特に好ましくはOである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、オクチル、デシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）

（式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（2−エチルヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げる。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。特に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、オクチル、デシル、ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３-Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｂ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物である 。
一般式（１０３-Ｃ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、オクチル基、tert-オクチル基、２−エチルへキシル基、デシル基、ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はJournal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げる。

［マット剤微粒子］
本発明のセルロースアシレートフイルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフイルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフイルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フイルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフイルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フイルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフイルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明では、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

［可塑剤、劣化防止剤、剥離剤］
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフイルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。また、セルロースアシレートフイルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

［化合物添加の比率］
本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート質量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフイルム中に化合物が相溶する限界を超え、フイルム表面に析出してフイルムが白濁する(フイルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。

［セルロースアシレート溶液の有機溶媒］
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフイルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフイルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明のセルロースアシレートフイルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良い。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフイルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

［セルロースアシレートフイルムの製造工程］
［溶解工程］
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
本発明のセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたフイルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフイルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフイルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフイルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフイルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフイルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

［高湿度処理後のフイルムの光学性能変化］
［セルロースアシレートフイルム物性評価］
本発明のセルロースアシレートフイルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフイルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

［高温度処理後のフイルムの光学性能変化］
また、８０℃２４０時間処理したフイルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

［フイルム加熱処理後の化合物揮散量］
本発明のセルロースアシレートフイルムにのぞましく用いることができる、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したフイルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは２５％以下であり、２０％以下であることがさらにのぞましい。
なお、フイルムからの揮散量は、８０℃２４０時間処理したフイルムおよび未処理のフイルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフイルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００

［フイルムのガラス転移温度Ｔｇ］
本発明のセルロースアシレートフイルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、本発明のセルロースアシレートフイルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出した。

［フイルムのヘイズ］
本発明のセルロースアシレートフイルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることがのぞましい。よりのぞましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらにのぞましい。光学フイルムとしてフイルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、本発明のセルロースアシレートフイルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って測定した。

［フイルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性］
本発明のセルロースアシレートフイルムの面内のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

［フイルムの平衡含水率］
本発明のセルロースアシレートフイルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましい。０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、光学補償フイルムの支持体として用いる際にレターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。
含水率の測定法は、本発明のセルロースアシレートフイルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水 分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除して算出した。

［フイルムの透湿度］
本発明の光学補償シートに用いるセルロースアシレートフイルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがのぞましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈを越えると、フイルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、本発明のセルロースアシレートフイルムに光学異方性層を積層して光学補償フイルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償シートや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフイルムの透湿度が４００ｇ／ｍ²・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフイルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。
セルロースアシレートフイルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフイルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後質量−調湿前質量で求めた。

［フイルムの寸度変化］
本発明のセルロースアシレートフイルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることがのぞましい。
よりのぞましくは０.３％以下であり、さらにのぞましくは０.１５％以下である。
具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフイルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めた。

［フイルムの弾性率］
（弾性率）
本発明のセルロースアシレートフイルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ/ｍｍ²であることが好ましい。より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ/ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ/ｍｍ²である。具体的な測定方法としては、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求めた。

［フイルムの光弾性係数］
（光弾性係数）
本発明のセルロースアシレートフイルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフイルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出した。

［セルロースアシレートフイルムの評価方法］
本発明のセルロースアシレートフイルムの評価に当たって、以下の方法で測定して実施した。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０(日本分光（株）製)において波長７８０ｎｍから３８０ｎｍの光をフイルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅをもとめ、Ｒｅの波長分散を測定した。

（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。

（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きいほうから４点の平均と小さいほうから４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。

（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

［フイルム表面の性状］
本発明セルロースアシレートフイルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することが出来る。

［セルロースアシレートフイルムのレターデーションの面内ばらつき］
本発明のセルロースアシレートフイルムは次の式を満たすことがのぞましい。
｜Ｒｅ（ＭＡＸ）−Ｒｅ（ＭＩＮ）｜≦３かつ｜Ｒｔｈ（ＭＡＸ）−Ｒｔｈ（ＭＩＮ）｜≦５
［式中、Ｒｅ（ＭＡＸ）、Ｒｔｈ（ＭＡＸ）−は任意に切り出した１ｍ四方のフイルムの最大レターデーション値、Ｒｅ（ＭＩＮ）、Ｒｔｈ（ＭＩＮ）は最小値である。］

［フイルムの保留性］
本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、フイルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、本発明のセルロースアシレートフイルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフイルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。

（保留性の評価方法）
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

［フイルムの力学特性］
（カール）
本発明のセルロースアシレートフイルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明のセルロースアシレートフイルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、本発明のセルロースアシレートフイルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フイルムのハンドリングに支障をきたし、フイルムの切断が起きることがある。また、フイルムのエッジや中央部などで、フイルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フイルム上への異物付着が多くなり、光学補償フイルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基ずく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明のセルロースアシレートフイルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、更には６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フイルムの残留溶剤量］
本発明のセルロースアシレートフイルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる透明支持体の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

［フイルムの吸湿膨張係数］
本発明のセルロースアシレートフイルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、本発明のセルロースアシレートフイルムを光学補償フイルム支持体として用いた際、光学補償フイルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

［表面処理］
セルロースアシレートフイルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフイルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［アルカリ鹸化処理によるフイルム表面の接触角］
本発明のセルロースアシレートフイルムを偏光板の透明保護フイルムとして用いる場合の表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が上げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のフイルム表面の接触角が５５°以下であることがのぞましい。よりのぞましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらにのぞましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフイルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、フイルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。

（耐光性）
本発明のセルロースアシレートの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したフイルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１８以下であり、１５以下であることがさらにのぞましい。色差の測定は、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いた。測定の仕方は、フイルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後にキセノン光照射前のフイルムのカラー測定を行ない初期値（Ｌ０^＊、ａ０^＊、ｂ０^＊ ）を求めた。その後、フイルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ／ｍ^２、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射した。所定時間の経過後、フイルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１^＊、ａ１^＊、ｂ１^＊）を求めた。これらから、色差ΔＥ^＊ａｂ＝（（Ｌ０^＊−Ｌ１^＊）＾２＋（ａ０^＊−ａ１^＊）＾２＋（ｂ０^＊−ｂ１^＊）＾２）＾０．５を求めた。

［セルロースアシレートフイルムの表面処理］
セルロースアシレートフイルムは、表面処理を施すことが好ましい。具体的方法としては、コロナ放電処理、グロー放電処理、火炎処理、酸処理、アルカリ処理または紫外線照射処理が挙げられる。また、特開平７−３３３４３３号明細書に記載のように、下塗り層を設けることも好ましい。
フイルムの平面性を保持する観点から、これら処理においてセルロースアシレートフイルムの温度をＴｇ（ガラス転移温度）以下、具体的には１５０℃以下とすることが好ましい。
光吸収型偏光素子の透明保護膜として使用する場合、偏光膜との接着性の観点から、酸処理またはアルカリ処理、すなわちセルロースアシレートに対するケン化処理を実施することが特に好ましい。以下、アルカリ鹸化処理を例に、具体的に説明する。

アルカリ鹸化処理は、フイルムの表面をアルカリ溶液に浸漬した後、酸性溶液で中和し、水洗して乾燥するサイクルで行われることが好ましい。
アルカリ溶液の例としては、水酸化カリウム溶液、水酸化ナトリウム溶液が挙げられる。アルカリ溶液の水酸化イオンの規定濃度は、０．１乃至３．０Ｎの範囲にあることが好ましく、０．５乃至２．０Ｎの範囲にあることがさらに好ましい。アルカリ溶液の温度は、室温乃至９０℃の範囲にあることが好ましく、４０乃至７０℃の範囲にあることがさらに好ましい。

表面処理後のフイルムの表面エネルギーは、５５ｍＮ／ｍ以上であることが好ましく、６０ｍＮ／ｍ以上７５ｍＮ／ｍ以下であることがさらに好ましい。
固体の表面エネルギーは、「ぬれの基礎と応用」（リアライズ社 １９８９．１２．１０発行）に記載のように接触角法、湿潤熱法、および吸着法により求めることができる。本発明のセルロースアシレートフイルムの場合、接触角法を用いることが好ましい。
具体的には、表面エネルギーが既知である２種の溶液をセルロースアシレートフイルムに滴下し、液滴の表面とフイルム表面との交点において、液滴に引いた接線とフイルム表面のなす角で、液滴を含む方の角を接触角と定義し、計算によりフイルムの表面エネルギーを算出できる。

［機能層付与］
本発明の保護フイルム（特にセルロースアシレートフイルム）上に、前述に記載の直線偏光型、および円偏光分離型の輝度向上膜を直接配置することが好ましい。特に、円偏光分離型の場合、λ／４層を液晶性化合物から形成し、保護フイルム上に直接設けることにより、ロールｔｏロールでの偏光板の作製が可能となり、非常に好ましい。

［光吸収型偏光素子］
光吸収型偏光素子（通常の偏光板）は、偏光膜およびその両側に配置された二枚の透明保護膜からなる。一方の保護膜として、前述したレターデーション値の低いポリマーフイルムを用いることができる。他方の保護膜は、通常のセルロースアシレートフイルムを用いてもよい。
偏光膜には、ヨウ素系偏光膜、二色性染料を用いる染料系偏光膜やポリエン系偏光膜がある。ヨウ素系偏光膜および染料系偏光膜は、一般にポリビニルアルコール系フイルムを用いて製造する。

また、光吸収型偏光素子の生産性には保護フイルムの透湿性が重要であることがわかった。偏光膜と保護フイルムは水系接着剤で貼り合わせられており、この接着剤溶剤は保護フイルム中を拡散することで、乾燥される。保護フイルムの透湿性が高ければ、高いほど乾燥は早くなり、生産性は向上するが、高くなりすぎると、液晶表示装置の使用環境（高湿下）により、水分が偏光膜中に入ることで偏光能が低下する。
保護フイルムの透湿性は、ポリマーフイルムの厚み、自由体積、もしくは、親疎水性などにより決定される。
光ポリマーフイルムの透湿性は１００乃至１０００（ｇ／ｍ² ）／２４ｈｒｓの範囲にあることが好ましく、３００乃至７００（ｇ／ｍ² ）／２４ｈｒｓの範囲にあることが更に好ましい。
ポリマーフイルムの厚みは、製膜する際のリップ流量とラインスピード、あるいは、延伸、圧縮により調整することができる。使用する主素材により透湿性が異なるので、厚み調整により好ましい範囲にすることが可能である。
ポリマーフイルムの自由体積は、製膜の場合、乾燥温度と時間により調整することができる。この場合もまた、使用する主素材により透湿性が異なるので、自由体積調整により好ましい範囲にすることが可能である。
ポリマーフイルムの親疎水性は、添加剤により調整することができる。自由体積中に親水的添加剤を添加することで透湿性は高くなり、逆に疎水性添加剤を添加することで透湿性を低くすることができる。
ポリマーフイルムの透湿性を調整することにより、光学補償能を有する光吸収型偏光素子を安価に高い生産性で製造することが可能となる。

光吸収型偏光素子は、後述する輝度向上膜のように、偏光膜と２層又は３層以上の光学層とを積層してもよい。従って、光吸収型偏光素子と後述する反射型偏光素子や半透過型偏光阻止あるいは位相差板を組み合わせて、反射型楕円偏光素子や半透過型楕円偏光素子を構成してもよい。

［直線偏光分離型輝度向上膜］
直線偏光分離型輝度向上膜は、通常液晶セルの裏側サイドに設けられて使用される。直線偏光分離型輝度向上膜は、液晶表示装置などのバックライトや裏側からの反射などにより自然光が入射すると所定偏光軸の直線偏光を散乱または反射し、他の光は透過する特性を示す光散乱型または光反射型偏光素子である。

光散乱型または光反射型偏光素子を光吸収型偏光素子と積層した偏光板は、バックライトのような光源からの光を入射させて所定偏光状態の透過光を得ると共に、前記所定偏光状態以外の光は透過せずに反射される。この輝度向上膜面で反射した光を更にその後ろ側に設けられた反射層等を介し反転させて輝度向上膜に再入射させ、その一部又は全部を所定偏光状態の光として透過させて輝度向上膜を透過する光の増量を図ると共に、偏光子に吸収させにくい偏光を供給して液晶表示画像表示等に利用しうる光量の増大を図ることにより輝度を向上させうるものである。すなわち、輝度向上膜を使用せずに、バックライトなどで液晶セルの裏側から偏光子を通して光を入射した場合には、偏光子の偏光軸に一致していない偏光方向を有する光は、ほとんど偏光子に吸収されてしまい、偏光子を透過してこない。すなわち、用いた偏光子の特性によっても異なるが、およそ５０％の光が偏光子に吸収されてしまい、その分、液晶画像表示等に利用しうる光量が減少し、画像が暗くなる。輝度向上膜は、偏光子に吸収されるような偏光方向を有する光を偏光子に入射させずに輝度向上膜で一旦反射させ、更にその後ろ側に設けられた反射層等を介して反転させて輝度向上膜に再入射させることを繰り返し、この両者間で反射、反転している光の偏光方向が偏光子を通過し得るような偏光方向になった偏光のみを、輝度向上膜は透過させて偏光子に供給するので、バックライトなどの光を効率的に液晶表示装置の画像の表示に使用でき、画面を明るくすることができる。

直線偏光分離型輝度向上膜（光散乱型または光反射型偏光素子）による光の利用効率改善の機構として、下記（Ａ）〜（Ｄ）が提案されている。いずれも、本発明に応用できる。

（Ａ）前方散乱光の偏光解消
光散乱型偏光素子では、偏光軸と直交方向の偏光成分は前方もしくは後方に散乱される。このうち前方散乱された光が偏光解消され、前方散乱光の偏光方向が入射光の偏光方向から回転することにより、光散乱型偏光素子の偏光軸方向の偏光成分が入射光よりも増加する。光散乱型偏光子において、厚み方向に多数の粒子が存在する場合には、多重散乱により偏光解消の程度が強くなる。このように、散乱型偏光板を使用する場合には、前方散乱光の偏光解消により光吸収型偏光板のみを使用する場合よりも光の利用効率が向上する。

（Ｂ）後方散乱光の再利用（偏光解消）によるもの
光散乱型偏光素子の偏光軸と直交方向の偏光成分のうち後方散乱された光は、後方散乱される際に偏光解消される。後方散乱された光は、光源であるバックライトの背面に配置された金属反射板により反射され、再度光散乱型偏光素子に入射する。ここで、再入射する光は後方散乱する際に偏光解消を受け、散乱型偏光板の偏光軸と平行方向の偏光成分が生じており、この偏光成分は散乱型偏光子を透過する。このように、光散乱型偏光子による後方散乱と金属反射板での反射を繰り返すことにより光の利用効率を向上させることができる。

（Ｃ）後方散乱光の再利用（偏光方向の回転）
λ／４板と金属反射板とを配置した光学系に、λ／４板の遅相軸と４５°をなすように直線偏光を入射させると、偏光方向が入射光と９０°回転した反射光が戻ってくる。光散乱型偏光素子と金属反射板（バックライトの背面に配置される）との間に、λ／４板を光散乱型偏光素子の偏光軸とλ／４板の遅相軸が４５°をなすように配置することによって上記と同じ効果が得られる。
光散乱型偏光素子において後方散乱された光の偏光方向の分布は、光散乱型偏光素子の偏光軸と直交方向が大きい。この後方散乱された光がλ／４板を透過して金属反射板により反射され再度、光散乱型偏光素子に入射する光の偏光方向の分布は、光散乱型偏光素子の偏光軸に平行方向に大きくなっており、偏光軸に平行な偏光成分は光散乱型偏光素子を透過する。このように、光散乱型偏光素子と金属反射板との間にλ／４板を配置することにより、光の利用効率を向上させることができる。

（Ｄ）直線偏光反射光の再利用
所定の方向の偏光を吸収し、他の方向の偏光を反射する光反射型偏光素子も提案されている。反射された偏光を再利用できる。光反射型偏光素子には、市販品もある。例えば誘電体の多層薄膜や屈折率異方性が相違する薄膜フイルムの多層（具体的には数百層の）積層体のような、所定の偏光軸の直線偏光を透過して他の光は反射する性質を示す光反射型偏光素子（例、３Ｍ社製、Ｄ−ＢＥＦ）が市販されている。この光反射型偏光素子は、ある方向はポリマー間で屈折率差があり、入射偏光が反射する。一方、その方向に直交する方向ではポリマー間に屈折率差がないため入射偏光が透過する。

［円偏光分離型輝度向上膜］
円偏光分離型輝度向上膜も、通常液晶セルの裏側サイドに設けられて使用される。円偏光分離型輝度向上膜は、液晶表示装置などのバックライトや裏側からの反射などにより自然光が入射すると所定方向の円偏光を反射し、他の光は透過する特性を示す。輝度向上フイルムを光吸収型偏光素子と積層した偏光板は、バックライト等の光源からの光を入射させて所定偏光状態の透過光を得ると共に、前記所定偏光状態以外の光は透過せずに反射される。この輝度向上膜面で反射した光を更にその後ろ側に設けられた反射層等を介し反転させて輝度向上膜に再入射させ、その一部又は全部を所定偏光状態の光として透過させて輝度向上膜を透過する光の増量を図ると共に、偏光子に吸収させにくい偏光を供給して液晶表示画像表示等に利用しうる光量の増大を図ることにより輝度を向上させうるものである。すなわち、輝度向上膜を使用せずに、バックライトなどで液晶セルの裏側から偏光子を通して光を入射した場合には、偏光子の偏光軸に一致していない偏光方向を有する光は、ほとんど偏光子に吸収されてしまい、偏光子を透過してこない。すなわち、用いた偏光子の特性によっても異なるが、およそ５０％の光が偏光子に吸収されてしまい、その分、液晶画像表示等に利用しうる光量が減少し、画像が暗くなる。輝度向上膜は、偏光子に吸収されるような偏光方向を有する光を偏光子に入射させずに輝度向上膜で一旦反射させ、更にその後ろ側に設けられた反射層等を介して反転させて輝度向上膜に再入射させることを繰り返し、この両者間で反射、反転している光の偏光方向が偏光子を通過し得るような偏光方向になった偏光のみを、輝度向上膜は透過させて偏光子に供給するので、バックライトなどの光を効率的に液晶表示装置の画像の表示に使用でき、画面を明るくすることができる。

円偏光分離型輝度向上膜では、コレステリック液晶層により円偏光を投下し、吸収ロスを抑制するため、その円偏光を１／４波長板を介して直線偏光に変化させて、光吸収型偏光素子に入射させる。
可視光域等の広い波長範囲で１／４波長板として機能する位相差板は、例えば波長５５０ｎｍの淡色光に対して１／４波長板として機能する位相差層と他の位相差特性を示す位相差層、例えば１／２波長板として機能する位相差層とを重畳する方式などにより得ることができる。従って、偏光板と輝度向上フイルムの間に配置する位相差板は、１層又は２層以上の位相差層からなるものであってよい。
なお、コレステリック液晶層についても、反射波長が相違するものの組み合わせにして２層又は３層以上重畳した配置構造とすることにより、可視光領域等の広い波長範囲で円偏光を反射するものを得ることができ、それに基づいて広い波長範囲の透過円偏光を得ることができる。

図１は、円偏光分離型輝度向上膜を有する液晶ディスプレイ用バックライト装置を示す断面模式図である。
図１に示す液晶ディスプレイ用バックライト装置は、反射板（ＲＰ）、光源（ＬＳ）、コレステリック液晶層（Ｃｈ）、そしてλ／４板（λ／４）がこの順に配置されている。
反射板（ＲＰ）は、通常の（鏡と同様の）反射機能を有する。
光源（ＬＳ）は、図１に示す積層体の側面に配置して、導光板や光拡散板によって光を積層体の内部に誘導してもよい。
コレステリック液晶層（Ｃｈ）は、液晶性分子のらせん（図１では右回り）とは逆回り（図１では左回り）の円偏光成分を透過し、液晶性分子のらせんと同じ回り（図１では右回り）の円偏光成分を反射する。ただし、通常の反射と異なり、円偏光成分の向き（図１では右回り）は変化しない。
λ／４板（λ／４）は、円偏光を直線偏光に変換する機能を有する。

光源（ＬＳ）からコレステリック液晶層（Ｃｈ）側に出射した左回りの円偏光成分（２ａ）は、コレステリック液晶層（Ｃｈ）を通過することができる。通過した左回りの円偏光成分（３ａ）は、λ／４板（λ／４）によって直線偏光（４ａ）に変換される。すなわち、２ａ→３ａ→４ａの順序で直線偏光に変換される。
光源（ＬＳ）から反射板（ＲＰ）側に出射した右回りの円偏光成分（１ｂ）は、反射板（ＲＰ）によって左回りの円偏光成分（１ａ）として反射される。反射された光は、光源（ＬＳ）を通過して、上記と同様にコレステリック液晶層（Ｃｈ）を通過し、直線偏光（４ａ）に変換される。すなわち、１ｂ→１ａ→２ａ→３ａ→４ａの順序で直線偏光に変換される。

光源（ＬＳ）からコレステリック液晶層（Ｃｈ）側に出射した右回りの円偏光成分（２ｃ）は、コレステリック液晶層（Ｃｈ）で反射される。反射された光も右回りの円偏光成分（２ｂ）である。反射された光は、光源（ＬＳ）を通過して、上記と同様に、反射板（ＲＰ）で反射され、光源（ＬＳ）を再び通過し、コレステリック液晶層（Ｃｈ）を通過し、直線偏光（４ａ）に変換される。すなわち、２ｃ→２ｂ→１ｂ→１ａ→２ａ→３ａ→４ａの順序で直線偏光に変換される。
光源（ＬＳ）から反射板（ＲＰ）側に出射した左回りの円偏光成分（１ｄ）は、反射板（ＲＰ）によって右回りの円偏光成分（１ｃ）として反射される。反射された光は、光源（ＬＳ）を通過して、上記と同様にコレステリック液晶層（Ｃｈ）で反射され、光源（ＬＳ）を再び通過し、反射板（ＲＰ）で反射され、光源（ＬＳ）を三度通過し、コレステリック液晶層（Ｃｈ）を通過し、直線偏光（４ａ）に変換される。すなわち、１ｄ→１ｃ→２ｃ→２ｂ→１ｂ→１ａ→２ａ→３ａ→４ａの順序で直線偏光に変換される。
以上のように、光源（ＬＳ）からの光の全てが直線偏光（４ａ）に変換され、液晶ディスプレイの画像表示に利用される。

市販の円偏光分離型輝度向上膜、例えば、コレステリック液晶ポリマーの配向フイルムやその配向液晶層をフイルム基材上に支持し、左回り又は右回りのいずれか一方の円偏光を反射して他の光は透過する特性を示すもの（例、日東電工社製、ＰＣＦ３５０、Ｍｅｒｃｋ社製、Ｔｒａｎｓｍａｘ）を用いてもよい。

［液晶表示装置］
液晶表示装置は、照明システムあるいは反射板を用いたものなどの適宜な液晶表示装置を形成することができる。さらには液晶表示装置の形成に際しては、例えば拡散板、アンチグレア層、反射防止膜、保護板、プリズムアレイ、レンズアレイシート、光拡散板、バックライトなどの適宜な部品を適宜な位置に１層又は２層以上配置することができる。
前記光学層を積層した光学フイルム、偏光板は、液晶表示装置等の製造過程で順次別個に積層する方式にても形成することができるが、予め積層して光学フイルムとしたものは、品質の安定性や組立作業等に優れていて液晶表示装置などの製造工程を向上させうる利点がある。積層には粘着層等の適宜な接着手段を用いうる。前記の偏光板と他の光学層の接着に際し、それらの光学軸は目的とする位相差特性などに応じて適宜な配置角度とすることができる。

液晶表示装置の形成は、従来に準じて行いうる。液晶表示装置は、一般に必要に応じての照明システム等の構成部品を適宜に組立てて駆動回路を組込むことなどにより形成されるが、本発明において前記光学フイルムを用いる点を除いて特に限定はなく、従来に準じうる。液晶セルについても、前記例示のＩＰＳモードの他、例えばＶＡ型、π型などの任意なタイプのものを用いうる。
上記の光学補償フイルム、または光学補償フイルムと偏光膜とを貼り合わせて得られた偏光板は、液晶表示装置、特に透過型液晶表示装置に有利に用いられる。
透過型液晶表示装置は、液晶セルおよびその両側に配置された二枚の偏光板からなる。偏光板は、偏光膜およびその両側に配置された二枚の透明保護膜からなる。液晶セルは、二枚の電極基板の間に液晶を担持している。

本発明の光学補償フイルムは、液晶セルと一方の偏光板との間に一枚配置するか、あるいは液晶セルと双方の偏光板との間に二枚配置する。
本発明の偏光板は、液晶セルの両側に配置された二枚の偏光板のうちの少なくとも一方として用いればよい。この際には、光学補償フイルムが液晶セル側となるように本発明の偏光板を配置する。
ＴＮモードの液晶セルでは、電圧無印加時に棒状液晶性分子が実質的に水平配向し、さらに６０乃至１２０゜にねじれ配向している。ＴＮモードの液晶セルは、カラーＴＦＴ液晶表示装置として最も多く利用されており、多数の文献に記載がある。

［プリズムシート］
本発明の実施の態様として、場合によって視野角を変え、プライバシーを守る観点から、後述のプリズムシートを２枚以上使用し、さらに該プリズムシートを取り外し可能とすることが好ましい。
プリズムシートは後述の従来の使用法とは異なり、溝方向を実質的に一致させ、２枚以上使用することが好ましい。ここでいう実質的とは、±３０度以内をいう。
以下プリズムシートについて詳細を記載する。
バックライトから出射された光は導光板に形成された光出射機構により、一部の光が導光体の光出射面から出射する。この出射光は観察方向と異なる方向に指向性を有する。このため、必要な方向へと指向性を変更させて光を出射させるために、プリズムシートなどが使用される。このプリズムシートは、実開平３−６９１８４号公報に開示されているように、プリズム面を導光体と反対の側に向けて配置されることが多く、また、プリズムシートは、プリズム稜線の方向が互いに直交するような配置で重ね合わせて使用されることが一般的である。更には、特公平７−２７１３６号公報や特公平７−２７１３７号公報に開示されているように、プリズム面を導光体側に向けて配置されたものも提案されている。特開平７−３１８７２９号公報には、導光体の光出射面上に、プリズム列と直交する断面において、各プリズム列の長辺のシート面に対する角度が視点直下位置から離れるに従って大きくなるようなリニアフレネルレンズシートを、レンズ面が出射面となるように配置し、出射光を視点方向に集光させるようにした面光源装置が記載されている。

［実施例１］
（セルロースアシレートフイルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。

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セルロースアシレート溶液Ａ組成
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置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部
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別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂを調製した。

────────────────────────────────────────
溶液Ｂ組成
────────────────────────────────────────
メチレンクロライド（第１溶媒） ８０質量部
メタノール（第２溶媒） ２０質量部
光学異方性低下剤（Ａ−１９） ４０質量部
波長分散制御剤（ＵＶ−１２０） ４質量部
────────────────────────────────────────

<セルロースアセテートフイルム試料ＣＡＦ−０１の作製>
セルロースアシレート溶液Ａを４７７質量部に、添加剤溶液Ｂ−１の４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フイルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図１に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアセテートフイルム試料ＣＡＦ−０１を作製した。
作製したＣＡＦ−０１について、光学特性を測定した。結果は第１表に示す。
尚、光学特性は、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長６３０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。

（液晶表示装置の作製）
市販の１７インチ液晶モニター（Ｉ−Ｏデータ社製、ＬＣＤ−ＡＤ１７２ＣＷＨ）を分解し、光源側の偏光板（光吸収型偏光素子）を剥離した。この偏光板の光源側の保護フイルムを剥離し、上記セルロースアシレート（ＣＡＦ−０１、０２、Ｈ１、Ｈ２）に貼り変えた。上記モニターには、円偏光分離型の輝度向上膜（コレステリック液晶層＋λ／４層）が使用されていた。
白表示での輝度を、測定機（ＢＭ−７、トプコン社製）を用いて、測定した結果を第２表に示す。

［実施例２］
（セルロースアシレートフイルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｅを調製した。この際、置換度２．９２のセルロースアシレートを用いた。

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セルロースアシレート溶液Ｃ組成
────────────────────────────────────────
セルロースアセテート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部
────────────────────────────────────────

別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂを調製した。

────────────────────────────────────────
溶液Ｂ組成
────────────────────────────────────────
メチレンクロライド（第１溶媒） ８０質量部
メタノール（第２溶媒） ２０質量部
光学異方性低下剤（Ａ−１９） ４０質量部
波長分散制御剤（ＵＶ−１０２） ４質量部
────────────────────────────────────────

<セルロースアセテートフイルム試料の作製>
セルロースアシレート溶液Ａを４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−１の４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フイルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図１に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアセテートフイルム試料ＣＡＦ−０２を作製した。
作製したＣＡＦ−０２について、光学特性を測定した。結果は第１表に示す。
尚、光学特性は、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長６３０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。
さらに、作製したセルロースアシレートフイルムを、１．５Ｎの水酸化カリウム溶液（４０℃）に５分間浸漬した後、硫酸で中和し、純水で水洗、乾燥した。このセルロースアシレートフイルムの表面エネルギーを接触角法により求めたところ、６８ｍＮ／ｍであった。

（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、ＣＡＦ−０２を用いた以外は、実施例１と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第２表に示す。

［比較例１］
（セルロースアセテートフイルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。

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セルロースアセテート溶液組成
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酢化度６０．９％のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部
────────────────────────────────────────

別のミキシングタンクに、下記のレターデーション上昇剤１６質量部、メチレンクロライド８０質量部およびメタノール２０質量部を投入し、加熱しながら攪拌して、レターデーション上昇剤溶液を調製した。
セルロースアセテート溶液４８７質量部にレターデーション上昇剤溶液１３質量部を混合し、充分に攪拌してドープを調製した。レターデーション上昇剤の添加量は、セルロースアセテート１００質量部に対して、１．８質量部であった。

得られたドープを、バンド流延機を用いて流延した。バンド上での膜面温度が４０℃となってから、６０℃の温風で１分乾燥し、フイルムをバンドから剥ぎ取った。次いでフイルムを１４０℃の乾燥風で１０分乾燥し、残留溶剤量が０．３質量％のセルロースアセテートフイルム（厚さ：８０μｍ）を製造した。
作製したセルロースアセテートフイルム（ＣＡＦ−Ｈ１）について、光学特性と吸湿膨張係数を測定した。結果は第１表に示す。
尚、光学特性は、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長６３０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。

（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、ＣＡＦ−Ｈ１を用いた以外は、実施例１と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第２表に示す。

［比較例２］
（セルロースアセテートフイルムの評価）
市販のセルローストリアシレートフイルム（フジタックＴＤ８０ＵＦ、富士写真フイルム（株）製）をＣＡＦ−Ｈ２とした。光学特性を測定した結果を第１表に示す。
尚、光学特性は、エリプソメーター（Ｍ−１５０、日本分光（株）製）を用いて、波長６３０ｎｍにおけるＲｅレターデーション値およびＲｔｈレターデーション値を測定した。

（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、ＣＡＦ−Ｈ２を用いた以外は、実施例１と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第２表に示す。

第１表
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光学異方性 波長分散
フイルム 厚み 低下剤 低下剤 Ｒｅ Ｒｔｈ
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実施例１ ＣＡＦ−０１ ８０μｍ １２質量部 １．８質量部 ２ｎｍ １５ｎｍ
実施例２ ＣＡＦ−０２ ４０μｍ １２質量部 １．８質量部 ０ｎｍ −５ｎｍ
比較例１ ＣＡＦ−Ｈ１ ８０μｍ １．８質量部（Ｒｅ調整剤） ５ｎｍ １３０ｎｍ
比較例２ ＣＡＦ−Ｈ２ ８０μｍ なし ３ｎｍ ４２ｎｍ
────────────────────────────────────────

第２表
────────────────────────────────────────
液晶表示装置 保護フイルム 正面輝度 左右４５°視角での輝度
────────────────────────────────────────
実施例１ ＣＡＦ−０１ １５５ｃｄ ９０ｃｄ
実施例２ ＣＡＦ−０２ １５０ｃｄ ８５ｃｄ
比較例１ ＣＡＦ−Ｈ１ １４０ｃｄ ４０ｃｄ
比較例２ ＣＡＦ−Ｈ２ １４５ｃｄ ６３ｃｄ
対照（市販のＬＣＤ−ＡＤ１７２ＣＷＨ） １４０ｃｄ ６５ｃｄ
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［実施例３］
（液晶表示装置の作製）
市販の１７インチ液晶パネル（Syncmaster172x、ＳＥＣ社製）を分解し、光源側の偏光板（光吸収型偏光素子）を剥離した。この偏光板の保護フイルムを剥離し、実施例１で作製したセルロースアシレート（ＣＡＦ−０１、０２、Ｈ１、Ｈ２）に貼り変えた。上記モニターには、直線偏光分離型の輝度向上膜（誘電体ミラー方式）が使用されていた。
白表示での輝度を、測定機（ＢＭ−７、トプコン社製）を用いて、測定した結果を第３表に示す。

［実施例４］
（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、実施例２で作製したＣＡＦ−０２を用いた以外は、実施例３と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第３表に示す。

［比較例３］
（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、比較例１で作製したＣＡＦ−Ｈ１を用いた以外は、実施例３と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第３表に示す。

［比較例４］
（液晶表示装置の作製）
ＣＡＦ−０１に代えて、比較例２で作製したＣＡＦ−Ｈ２を用いた以外は、実施例３と同様に液晶表示装置を作製して評価した。結果を第３表に示す。

第３表
────────────────────────────────────────
液晶表示装置 保護フイルム 正面輝度 左右４５°視角での輝度
────────────────────────────────────────
実施例３ ＣＡＦ−０１ ２３０ｃｄ １３５ｃｄ
実施例４ ＣＡＦ−０２ ２２０ｃｄ １３０ｃｄ
比較例３ ＣＡＦ−Ｈ１ ２１０ｃｄ ７５ｃｄ
比較例４ ＣＡＦ−Ｈ２ ２１０ｃｄ ９０ｃｄ
対照（市販のSyncmaster172x） ２２０ｃｄ １００ｃｄ
────────────────────────────────────────

円偏光分離型輝度向上膜を有する液晶ディスプレイ用バックライト装置を示す断面模式図である。

符号の説明

１ａ〜３ａ 円偏光
４ａ 直線偏光
Ｃｈ コレステリック液晶層
ＬＳ 光源
ＲＰ 反射板
λ／４ λ／４板

Claims (2)

1. 光源、光散乱型または光反射型偏光素子、光吸収型偏光素子、液晶セル、光吸収型偏光素子をこの順に配置する液晶表示装置であって、光源側の光吸収型偏光素子が、二枚の透明ポリマーフイルムの間に偏光膜を有し、光源側の透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値および厚み方向のレターデーション値が下記式（Ｉ）〜（IV）を満足し、該透明ポリマーフイルムがアシル置換度が２．８５乃至３．００のセルロースアシレートからなり、かつレターデーション低下剤を下記式（Ｖ）および（VI）を満足する量で含有していることを特徴とする液晶表示装置：
   （Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）＜１０
   （II）｜Ｒｔｈ（６３０）｜＜２５
   （III)｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜１０
   （IV）｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜３５
   ［式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
   （Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−１．０
   （VI）０．０１＜Ａ＜３０
   ［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤をＡ質量％含有する透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤を含有しない以外は上記と同様に作製した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、透明ポリマーフイルムを構成するポリマーに対するレターデーション低下剤の添加量（質量％）である］。
2. 光源、コレステリック液晶層、λ／４板、光吸収型偏光素子、液晶セル、光吸収型偏光素子をこの順に配置する液晶表示装置であって、光源側の光吸収型偏光素子が、二枚の透明ポリマーフイルムの間に偏光膜を有し、光源側の透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値および厚み方向のレターデーション値が下記式（Ｉ）〜（IV）を満足し、該透明ポリマーフイルムがアシル置換度が２．８５乃至３．００のセルロースアシレートからなり、かつレターデーション低下剤を下記式（Ｖ）および（VI）を満足する量で含有していることを特徴とする液晶表示装置：
   （Ｉ）０≦Ｒｅ（６３０）＜１０
   （II）｜Ｒｔｈ（６３０）｜＜２５
   （III)｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＜１０
   （IV）｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＜３５
   ［式中、Ｒｅ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの面内のレターデーション値（単位：ｎｍ）であり；Ｒｔｈ（λ）は、波長λｎｍで測定した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
   （Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ＜−１．０
   （VI）０．０１＜Ａ＜３０
   ［式中、Ｒｔｈ（Ａ）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤をＡ質量％含有する透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；Ｒｔｈ（０）は、波長６３０ｎｍで測定したレターデーション低下剤を含有しない以外は上記と同様に作製した透明ポリマーフイルムの厚み方向のレターデーション値であり；そして、Ａは、透明ポリマーフイルムを構成するポリマーに対するレターデーション低下剤の添加量（質量％）である］。

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