JP4771692B2 - 液晶表示装置 - Google Patents

Description

本発明は優れた表示特性および視野角特性を有する液晶表示装置に関するものである。

従来、セルロースアシレートフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学材料として優れており、これまで偏光子の保護フィルムや、斜め方向からの見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。

液晶表示装置用の部材のひとつである偏光板には偏光子の少なくとも片側に偏光子の保護フィルムが貼合によって形成されている。一般的な偏光子は延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムをヨウ素または二色性色素で染色することにより得られる。
多くの場合、偏光子の保護フィルムとしてはＰＶＡに対して直接貼り合わせることができる、セルロースアシレートフィルム、なかでもトリアセチルセルロースフィルムが用いられている。この偏光子の保護フィルムは、光学的等方性に優れることが重要であり、偏光子の保護フィルムの光学特性が偏光板の特性を大きく左右する。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フィルムや位相差フィルム（光学補償フィルムとも呼ばれる）の支持体などの光学透明フィルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フィルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フィルムの光学特性を評価した際に、フィルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフィルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフィルムは作製が難しかった。そこでセルロースアシレートフィルムの代わりにポリカーボネート系フィルムや熱可塑性シクロオレフィンフィルムを用いて、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フィルムの提案がされている（例えば、特許文献１，２，製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フィルムは、偏光子の保護フィルムとして使用する場合、フィルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフィルム面内全体の光学特性が不均一である問題も残っている。

この解決法として、ＰＶＡへの貼合適性に優れるセルロースアシレートフィルムを、より光学的異方性を低下させて改良することが強く望まれている。具体的には、セルロースアシレートフィルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フィルムである。

セルロースアシレートフィルムの製造において、一般的に製膜性能を良化するため可塑剤と呼ばれる化合物が添加される。可塑剤の種類としては、リン酸トリフェニル、リン酸
ビフェニルジフェニルのようなリン酸トリエステル、フタル酸エステル類などが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。これら可塑剤の中には、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果を有するものが知られており、例えば、特定の脂肪酸エステル類が開示されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、従来知られているこれらの化合物を用いたセルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果は十分とはいえない。

また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。

一般に液晶表示装置（ＬＣＤ）は、液晶セル、偏光板からなる。偏光板は保護フィルムと偏光膜からなり、ポリビニルアルコールフィルムからなる偏光膜をヨウ素にて染色し、延伸を行い、その両面を保護フィルムにて積層して得られる。透過型液晶表示装置では、この偏光板を液晶セルの両側に取り付け、さらには一枚以上の光学補償シートを配置することもある。反射型液晶表示装置では、反射板、液晶セル、一枚以上の光学補償シート、偏光板の順に配置する。液晶セルは、液晶性分子、それを封入するための二枚の基板および液晶性分子に電圧を加えるための電極層からなる。液晶セルは、液晶性分子の配向状態の違いで、ＯＮ、ＯＦＦ表示を行い、透過および反射型いずれにも適用できる、ＴＮ（Twisted Nematic）、ＩＰＳ（In−Plane Switching）、ＯＣＢ（Optically Compensatory Bend）、ＶＡ（Vertically Aligned）、ＥＣＢ（Electrically Controlled Birefringence）のような表示モードが提案されている。

この様なＬＣＤの中でも、高い表示品位が必要な用途については、正の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を用い、薄膜トタンジスタにより駆動する９０度ねじれネマチック型液晶表示装置（以下、ＴＮモードという）が主に用いられている。しかしながら、ＴＮモードは正面から見た場合には優れた表示特性を有するものの、斜め方向から見た場合にコントラストが低下したり、階調表示で明るさが逆転する階調反転等が起こることにより表示特性が悪くなるという視野角特性を有しており、この改良が強く要望されている。

近年この視野角特性を改良するＬＣＤの方式として、負の誘電率異方性を有するネマチック液晶分子を用い、電圧を印加しない状態で液晶分子の長軸を基板に略垂直な方向に配向させ、これを薄膜トランジスタにより駆動する垂直配向ネマチック型液晶表示装置（以下、ＶＡモードという）が提案されている（特許文献４参照）。このＶＡモードは、正面から見た場合の表示特性がＴＮモードと同様に優れているのみならず、視野角補償用位相差フィルムを適用することで広い視野角特性を発現する。ＶＡモードは、正の屈折率異方性を有する一軸配向性位相差フィルムと、フィルム面に垂直な方向に光学軸を有する負の一軸性位相差フィルムを用いることでさらにより広い視野角特性を実現できることも知られている（特許文献４参照）。
しかしながら、上記ＶＡモード液晶表示装置においては、位相差フィルムおよび偏光板を把持する透明保護膜（支持体としての役割も果たす）の光学異方性を適切な値に設計しないと、十分な視野角特性を得ることができない。また、偏光板の構成要素であるＰＶＡ膜が熱および湿度により収縮することにより、偏光板を把持するための透明保護膜に応力がかかり、保護膜自身の光学的異方性に変化を生じるため、特に画面の四隅部において光もれ、いわゆるコーナームラと呼ばれる、表示品位を低下させる故障が生じることがあった。
特開２００１−３１８２３３号公報 特開２００２−３２８２３３号公報 特開２００１−２４７７１７号公報 特開平１１−２５８６０５号公報 プラスチック材料講座、第１７巻、日刊工業新聞社、「繊維素系樹脂」、１２１頁（昭和４５年）

そこで、本発明の目的は、優れた表示特性および視野角特性を有する液晶表示装置を提供することにある。

本発明の目的は、下記手段によって達成された。
[１]表面に垂直配向処理を施した上下二枚の基板間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向である液晶パネルと、互いの吸収軸が直交するように前記液晶パネルの両側に配置された第１と第２の偏光板と、前記液晶パネルと前記第１の偏光板の間に設けられた第１の位相差フィルムと、前記液晶パネルと前記第２の偏光板の間に設けられた第２の位相差フィルムとを備え、前記偏光板は、偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜とから構成され、前記保護膜の少なくとも１枚は、
０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
を満たすセルロースアシレートフィルムであることを特徴とする液晶表示装置。
[２]前記第１の位相差フィルムが、
５０≦Ｒｅ₍₅₈₉₎≦１００かつ３０≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎≦８０
を満たし、
前記第２の位相差フィルムが
Ｒｅ₍₅₈₉₎≦２０かつ１００≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎｜≦３００
を満たすことを特徴とする、[１]に記載の液晶表示装置。
[３]前記セルロースアシレートフィルムが、
０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦１０
を満たすことを特徴とする[１]または[２]に記載の液晶表示装置。
[４]前記セルロースアシレートフィルムが、
０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦３かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦５
を満たすことを特徴とする[１]〜[３]のいずれかに記載の液晶表示装置。
[５]前記セルロースアシレートフィルムは、膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（Ｉ）、（II）を満たす範囲で少なくとも１種含有することを特徴とする[１]〜[４]のいずれかに記載の液晶表示装置。
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（II）０．０１≦Ａ≦３０
ここで、
Ｒｔｈ（Ａ）：Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
Ｒｔｈ（０）：Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
Ａ：フィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの化合物の質量（％）
である。
[６]前記セルロースアシレートフィルムは、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むものであることを特徴とする[１]〜[５]のいずれかに記載の液晶表示装置。
[７]前記セルロースアシレートフィルムは、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことを特徴とする[１]〜[６]のいずれかに記載の液晶表示装置。
[８]前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする[１]〜[７]のいずれかに記載の液晶表示装置。

本発明によれば、視野角特性に優れ、コーナームラが軽減された、高い表示品質を有する液晶表示装置を提供することができる。

以下において、本発明について詳細に説明する。以下に記載する構成要件の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本明細書において「〜」を用いて表される数値範囲は、「〜」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。

本発明において、Ｒｅ(λ)、Ｒｔｈ(λ)は各々、波長λにおける面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ(λ)はKOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸（KOBRA 21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値と平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にKOBRA 21ADHが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（JOHN WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する： セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。
本発明においては、セルロースアシレートフィルムについては、平均屈折率として１．４８を用いた。
また第１の位相差フィルムについては、平均屈折率として１．５２を用いた。
また第２の位相差フィルムについては、平均屈折率として１．６を用いた。

本発明の液晶表示装置は、表面に垂直配向処理を施した上下二枚の基板間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向である液晶パネルと、互いの吸収軸が直交するように前記液晶パネルの両側に配置された第１と第２の偏光板と、前記液晶パネルと前記第１の偏光板の間に設けられた第１の位相差フィルムと、前記液晶パネルと前記第２の偏光板の間に設けられた第２の位相差フィルムとを備えており、前記偏光板は、偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜とから構成されている。前記保護膜の少なくとも１枚は、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ₍₆₃₀₎が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０）でかつ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ₍₆₃₀₎の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）である。更に、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ｜≦１０ｎｍであることが好ましく、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦３かつ｜Ｒｔｈ｜≦５であることが更に好ましい。本発明では、偏光板の保護膜として、上記範囲のレターデーションを有し、かつ、優れた耐久性を有するセルロースアシレートフィルムを用いることにより、コーナームラを低減しつつ、優れた視野角特性を有するＶＡ((Vertically Aligned))型液晶表示装置を提供することができる。
以下に、上記セルロースアシレートフィルムについて更に説明する。

[セルロースアシレート原料綿]
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明において偏光板の保護膜として用いられるセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

[セルロースアシレート置換度]
次に上述のセルロースを原料に製造される本発明において偏光板の保護膜として使用されるセルロースアシレートについて記載する。本発明において使用されるセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。本発明において使用されるセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することができる。

本発明において使用されるセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることがのぞましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがのぞましく、２．８５〜３．００であることがよりのぞましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸および／または炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、へプタノイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、デカノイル基、ドデカノイル基、トリデカノイル基、テトラデカノイル基、ヘキサデカノイル基、オクタデカノイル基、iso−ブタノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、シクロヘキサンカルボニル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などを挙げることができる。これらの中でも、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基、ドデカノイル基、オクタデカノイル基、ｔｅｒｔ−ブタノイル基、オレオイル基、ベンゾイル基、ナフチルカルボニル基、シンナモイル基などが好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。

本発明者らが鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性を効果的に低下させることができることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。

[セルロースアシレートの重合度]
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００がさらに好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明において使用されるセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特に好ましくは０．７質量％以下である。一般に、セルロースアシレートは、水を２．５〜５質量％程度含有することが知られている。本発明において、上記好ましい含水率のセルロースアシレートを得るためには、セルロースアシレートを乾燥させればよく、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。これらのセルロースアシレートについて、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

本発明において使用されるセルロースアシレートは、置換基、置換度、重合度、分子量分布などが前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

[セルロースアシレートへの添加剤]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムを製造するために用いられるセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは、光学的異方性、具体的にはＲｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）、特にフィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（i）、（ii）を満たす範囲で少なくとも１種含有することがのぞましい。
（i）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ii）０．０１≦Ａ≦３０
上記式（i）、（ii）は
（i）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ii）０．０５≦Ａ≦２５
であることがよりのぞましく、
（i）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−３．０
（ii）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらにのぞましい。
ここで、
Ｒｔｈ（Ａ）：Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
Ｒｔｈ（０）：Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
Ａ：フィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの化合物の質量（％）

[セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴]
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。本発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向することを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

（ＬｏｇＰ値）
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向することを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物を用いることが好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.− Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。

[光学的異方性を低下させる化合物の物性]
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。特に、本発明では、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレートに対し、前述の光学異方性を低下させる化合物を少なくとも一種、上記添加量で添加することが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％であることが好ましい。光学異方性を低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

式中、Ｒ^11-13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表す。Ｒ^11-13は互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ²⁵−を表し、Ｒ²⁵は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ^21-22はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ^21-22は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ^31-70はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０のエステル基、炭素数が１〜２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１〜２０のアミド基、炭素数が１〜２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ^31-43はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１〜２０の脂肪族基を表す。Ｌ^31-80はそれぞれ独立に、原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ^31-80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ^31-43およびＬ^31-80は、さらに置換基を有していてもよい。

[式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。]

[式中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。]

[式中、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
（連結基群１）単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ⁴−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ⁴は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。]

（式中、Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³はそれぞれ独立に５〜６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。）

（式中、Ｘ²はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴〜Ｒ³⁵は水素原子または置換基を表す。）

[式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。]

一般式（１８）として好ましくは下記一般式（１９）で表される化合物である。

上記一般式（１９）において、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１〜２０のものが好ましく、１〜１５のものがさらに好ましく、１〜１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６〜３６のものが好ましく、６〜２４のものがより好ましい。

上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。

一般式（１）の化合物について説明する。
一般式（１）において、Ｒ^11-13はそれぞれ独立に、炭素数が１〜２０の脂肪族基を表す。Ｒ^11-13は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ^11-13について詳しく説明する。Ｒ^11-13は好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、デシル基、ドデシル基、エイコシル基、２−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イル基などが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基などが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。
Ｒ^11-13で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ^11-13は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。

一般式（２）および（３）の化合物について説明する。
一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ²⁵−を表し、Ｒ²⁵は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ²⁵は水素原子または、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ²⁵で表されるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、デシル基、ドデシル基、エイコシル基、２−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基などを挙げることができる。Ｒ²⁵で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ^11-13に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ^21-22はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−アミルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、１−エチルペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ基、ｎ−ノニルカルボニルオキシ基、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ基、ベンジルカルボニルオキシ基、１−ナフタレンカルボニルオキシ基、２−ナフタレンカルボニルオキシ基、１−アダマンタンカルボニルオキシ基などが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、１−エチルプロピルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル基、１−アダマンタンオキシカルボニル基、２−アダマンタンオキシカルボニル基、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル基などが例示できる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセタミド基、エチルカルボキサミド基、ｎ−プロピルカルボキサミド基、イソプロピルカルボキサミド基、ｎ−ブチルカルボキサミド基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボキサミド基、イソブチルカルボキサミド基、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド基、ｎ−ペンチルカルボキサミド基、ｔｅｒｔ−アミルカルボキサミド基、ｎ−ヘキシルカルボキサミド基、シクロヘキシルカルボキサミド基、１−エチルペンチルカルボキサミド基、１−エチルプロピルカルボキサミド基、ｎ−ヘプチルカルボキサミド基、ｎ−オクチルカルボキサミド基、１−アダマンタンカルボキサミド基、２−アダマンタンカルボキサミド基、ｎ−ノニルカルボキサミド基、ｎ−ドデシルカルボキサミド基、ｎ−ペンタカルボキサミド基、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミド基などが例示できる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、ｎ−プロピルカルバモイル基、イソプロピルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルバモイル基、イソブチルカルバモイル基、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル基、ｎ−ペンチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−アミルカルバモイル基、ｎ−ヘキシルカルバモイル基、シクロヘキシルカルバモイル基、２−エチルヘキシルカルバモイル基、２−エチルブチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−オクチルカルバモイル基、ｎ−ヘプチルカルバモイル基、ｎ−オクチルカルバモイル基、１−アダマンタンカルバモイル基、２−アダマンタンカルバモイル基、ｎ−デシルカルバモイル基、ｎ−ドデシルカルバモイル基、ｎ−テトラデシルカルバモイル基、ｎ−ヘキサデシルカルバモイル基などが例示できる。Ｙ^21-22は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ^21-22はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^11-13に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。
一般式（４）〜（１２）において、Ｙ^31-70はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセトキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボニルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ基、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ基、ｔｅｒｔ−アミルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基、１−エチルペンチルカルボニルオキシ基、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ基、ｎ−ノニルカルボニルオキシ基、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ基、ベンジルカルボニルオキシ基、１−ナフタレンカルボニルオキシ基、２−ナフタレンカルボニルオキシ基、１−アダマンタンカルボニルオキシ基などが挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、イソブチルオキシカルボニル基、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル基、ｎ−ペンチルオキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−アミルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシルオキシカルボニル基、１−エチルプロピルオキシカルボニル基、ｎ−オクチルオキシカルボニル基、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル基、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル基、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル基、１−アダマンタンオキシカルボニル基、２−アダマンタンオキシカルボニル基、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル基、ｎ−デシルオキシカルボニル基、ｎ−ドデシルオキシカルボニル基、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル基、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニル基などが挙げられる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、アセタミド基、エチルカルボキサミド基、ｎ−プロピルカルボキサミド基、イソプロピルカルボキサミド基、ｎ−ブチルカルボキサミド基、ｔｅｒｔ−ブチルカルボキサミド基、イソブチルカルボキサミド基、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド基、ｎ−ペンチルカルボキサミド基、ｔｅｒｔ−アミルカルボキサミド基、ｎ−ヘキシルカルボキサミド基、シクロヘキシルカルボキサミド基、１−エチルペンチルカルボキサミド基、１−エチルプロピルカルボキサミド基、ｎ−ヘプチルカルボキサミド基、ｎ−オクチルカルボキサミド基、１−アダマンタンカルボキサミド基、２−アダマンタンカルボキサミド基、ｎ−ノニルカルボキサミド基、ｎ−ドデシルカルボキサミド基、ｎ−ペンタカルボキサミド基、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミド基などが挙げられる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２であり、例えば、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、ｎ−プロピルカルバモイル基、イソプロピルカルバモイル基、ｎ−ブチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−ブチルカルバモイル基、イソブチルカルバモイル基、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル基、ｎ−ペンチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−アミルカルバモイル基、ｎ−ヘキシルカルバモイル基、シクロヘキシルカルバモイル基、２−エチルヘキシルカルバモイル基、２−エチルブチルカルバモイル基、ｔｅｒｔ−オクチルカルバモイル基、ｎ−ヘプチルカルバモイル基、ｎ−オクチルカルバモイル基、１−アダマンタンカルバモイル基、２−アダマンタンカルバモイル基、ｎ−デシルカルバモイル基、ｎ−ドデシルカルバモイル基、ｎ−テトラデシルカルバモイル基、ｎ−ヘキサデシルカルバモイル基などが挙げられる。Ｙ^31-70はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^11-13に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ^31-43はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１〜２０、さらに好ましくは炭素数が１〜１６、特に好ましくは、炭素数が１〜１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、デシル基、ドデシル基、エイコシル基、２−エチルヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、２，６−ジメチルシクロヘキシル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルシクロヘキシル基、シクロペンチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イル基などが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、プレニル基、ゲラニル基、オレイル基、２−シクロペンテン−１−イル基、２−シクロヘキセン−１−イル基などが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などを挙げることができる。Ｖ^31-43はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^11-13に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ^31-80はそれぞれ独立に、原子数０〜４０かつ、炭素数０〜２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ^31-80の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ^31-77の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、メチルエチレン基、エチルエチレン基など）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン基、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン基、１，３−シクロペンチリデン基など）、エーテル基、チオエーテル基、エステル基、アミド基、スルホン基、スルホキシド基、スルフィド基、スルホンアミド基、ウレイレン基、チオウレイレン基などを挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）−、−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ₂Ｃ（ＣＨ₂）₂−などを挙げることができる。Ｌ^31-80は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ^11-13に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ^31-70、Ｖ^31-43およびＬ^31-80の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔｅｒｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４号公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に一般式（１）〜（１２）で表される化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、一般式（１）については化合物C−1〜C−76を例示し、一般式（２）〜（１２）については化合物C−201〜C−231、C−401〜C−448を例示した。表記載または括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。

（式中、Ｒ^1-3は前記一般式（１）のＲ^11-13と同義であり、下記のＣ−１〜Ｃ−７６で具体例を例示する。）

一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。
上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。また、一般式（１４）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、アミル基、イソアミル基、t−アミル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ビシクロオクチル基、ノニル基、アダマンチル基、デシル基、t−オクチル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、ジデシル基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基、ビナフチル基、トリフェニルフェニル基）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１〜５のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、アミル基、イソアミル基）であることが好ましく、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の少なくとも１つ以上が炭素原子数１〜３のアルキル基（例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ドデシル基、シクロヘキシル基、ジシクロヘキシル基、アダマンチル基）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル基、ビフェニル基、テルフェニル基、ナフチル基）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル基、クレジル基、t−ブチルフェニル基、ジフェニルメチル基、トリフェニルメチル基）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０〜４０であることが好ましく、１〜３０であることがさらに好ましく、１〜２５であることが最も好ましい。これら一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１６）の化合物について説明する。

Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³はそれぞれ独立に５〜６員環を表し、炭化水素環でもへテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5〜6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ¹、Ｑ²およびＱ³としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またＱ¹、Ｑ²およびＱ³は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。
ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表し、Ｘとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換または未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎであり、Ｘとしてより好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

（式中、Ｘ²はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³１、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴〜Ｒ³⁵はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表しＸとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換または未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎ、Ｐ＝Ｏであり、さらに好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。

Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³１、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴〜Ｒ³⁵はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³、Ｒ¹⁴、Ｒ¹⁵、Ｒ²¹、Ｒ²²、Ｒ²³、Ｒ²⁴、Ｒ²⁵、Ｒ³１、Ｒ³²、Ｒ³³、Ｒ³⁴〜Ｒ³⁵として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、さらに好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

本発明者らは、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学的異方性を低下させることができることを見出した。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

（多価アルコールエステル化合物)
オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルであることができる。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。

（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

（モノカルボン酸）
前述の多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフィルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることがさらに好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらはさらに置換基を有しても良い。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

前述の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は１種類でも、２種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。

多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

(カルボン酸エステル化合物)
オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７であるカルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステルおよびクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレートおよびジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチルおよびクエン酸アセチルトリブチルを挙げることができる。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基であることができる。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることができ、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７であるカルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いるオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環および／または５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。上記化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７であるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ¹〜Ｒ⁴はそれぞれ独立に水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎはそれぞれ独立に繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

[波長分散調整剤]
本発明では、前述のセルロースアシレートフィルムに対し、フィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）を添加することが好ましい。
以下、波長分散調整剤について説明する。
本発明では、セルロースアシレートフィルムに対して、波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つことによりフィルムの着色を防止し、フィルムのＲｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）の波長分散を制御できる化合物を添加することにより、波長４００ｎｍと７００ｎｍでのＲｅ、Ｒｔｈの差、好ましくは｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させることができる。

更に、本発明では、セルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるために、下記式（iv）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を、下記式（v）、（vi）をみたす範囲で少なくとも１種含有させることがのぞましい。
（iv）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（vi）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（v）、（vi）は
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（vi）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがよりのぞましく、
（v）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（vi）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらにのぞましい。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが好ましい。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を含むセルロースアシレートフィルムは、高い分光透過率を有することが好ましい。本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、さらに好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％であることが好ましく、０．１〜２０質量％であることがより好ましく、０．２〜１０質量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ

（式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは５〜７員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５〜６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、さらに好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環はさらに置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環してさらに環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ²で表される芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²はさらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例に挙げたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずにセルロースアシレートフィルムを作製することが、保留性の点で有利である。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、さらに好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²はさらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基はさらに置換してもよい。）、またはＯであり、特に好ましくはＯである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、さらに好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）

（式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、さらに好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）で表される化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、さらに他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、さらに好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）さらに好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²はさらに置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル基、ｐ−メチルフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、置換または未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド基、フェニルリン酸アミド基などが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基はさらに置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基はさらに他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基はさらに別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、さらに好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、さらに好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｂ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合はさらに他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、さらに好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）としてさらに好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｃ）

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、さらに好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、tert−オクチル基、２−エチルへキシル基、n−デシル基、、n−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

一般式（１０３）で表される化合物はJounal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

[マット剤微粒子]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウムおよびリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子サイズが０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子サイズは０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子サイズはフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒子サイズとした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子サイズとした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６およびＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子サイズが２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子サイズの小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子がさらに再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％がさらに好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇがさらに好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤]
上記の光学異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤の他に、本発明で使用されるセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されているものを使用することができる。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。さらにまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

[化合物添加の比率]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート質量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する( フィルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。

[セルロースアシレート溶液の有機溶媒]
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムを製造することができる。ドープの主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。２種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムを調製するためのセルロースアシレート溶液およびフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号公報、特開平１２−９５８７７号公報、特開平１０−３２４７７４号公報、特開平８−１５２５１４号公報、特開平１０−３３０５３８号公報、特開平９−９５５３８号公報、特開平９−９５５５７号公報、特開平１０−２３５６６４号公報、特開平１２−６３５３４号公報、特開平１１−２１３７９号公報、特開平１０−１８２８５３号公報、特開平１０−２７８０５６号公報、特開平１０−２７９７０２号公報、特開平１０−３２３８５３号公報、特開平１０−２３７１８６号公報、特開平１１−６０８０７号公報、特開平１１−１５２３４２号公報、特開平１１−２９２９８８号公報、特開平１１−６０７５２号公報、特開平１１−６０７５２号公報などに記載されている。これらの公報には、本発明に使用されるセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

＜セルロースアシレートフィルムの製造工程＞
[溶解工程]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムを得るためのセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製について、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施することができる。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
本発明では、セルロースアシレート溶液のドープ透明度は８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上である。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、セルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムを製造する方法および設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法および溶液流延製膜装置を用いることができる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。更に、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置を付加することもできる。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む）、金属支持体、乾燥、剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

＜高湿度処理後のフィルムの光学性能変化＞
[セルロースアシレートフィルム物性評価］
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。
[高温度処理後のフィルムの光学性能変化]
また、８０℃２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。
[フィルム加熱処理後の化合物揮散量]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムにのぞましく用いることができる、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは２５％以下以下であり、２０％以下であることがさらにのぞましい。
なお、フィルムからの揮散量は、８０℃２４０時間処理したフィルムおよび未処理のフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００

[フィルムのガラス転移温度Ｔｇ]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃であることが好ましい。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、以下の方法で行うことができる。セルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出する。

[フィルムのヘイズ]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることがのぞましい。よりのぞましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらにのぞましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、セルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って行うことができる。

[フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムのＲｅおよびＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

[フィルムの平衡含水率]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましい。０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、位相差フィルムの支持体として用いる際にレターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。
含水率の測定法は、セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料質量（ｇ）で除して算出した。

[フィルムの透湿度]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがのぞましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈを越えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、セルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して位相差フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。このような位相差フィルムや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こすおそれがある。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ²・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じるおそれがある。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、セルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨおよび６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後質量−調湿前質量で求めることができる。

[フィルムの寸度変化]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは０.３％以下であり、さらにのぞましくは０.１５％以下である。
具体的な測定方法は、以下の通りである。セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定する。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めることができる。

[フィルムの弾性率]
（弾性率）
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ/ｍｍ²であることが好ましい、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ/ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ/ｍｍ²である。具体的な測定方法は、以下の通りである。東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求めることができる。

[フィルムの光弾性係数]
（光弾性係数）
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法は、以下の通りである。セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出することができる。

[延伸前後における正面レターデーション変化、遅相軸の検出]
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）または垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行う。延伸前後における各試料の正面レターデーションを自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定する。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定する。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ(ｎ)をｎ(％)延伸したフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)、Ｒｅ(０)を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)としたときに、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。

[遅相軸を有する方向]
本発明において、セルロースアシレートフィルムを偏光膜の保護膜に用いる場合、偏光膜が機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍またはＴＤ近傍にあることがのぞましい。遅相軸が偏光膜と平行または直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、遅相軸とＭＤまたはＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。

[固有複屈折が正であるセルロースアシレートフィルム]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは、フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションＲeが大きくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションＲeが小さくなる。このことは固有複屈折が正であることを示しており、フィルム中で発現したＲeを打ち消すには遅相軸と垂直方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面Ｒeを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面Ｒｅを小さくすることが考えられる。

[固有複屈折が負であるセルロースアシレートフィルム]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションＲeが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションＲeが大きくなる場合もある。このことは固有複屈折が負であることを示しており、フィルム中で発現したＲeを打ち消すには遅相軸と同一の方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面Ｒeを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面Ｒｅを小さくすることが考えられる。

[セルロースアシレートフィルムの評価方法]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの評価は、以下の方法によって実施した。

（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ(λ)は自動複屈折計KOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０(日本分光（株）製)において波長７８０ｎｍから３８０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅを求め、Ｒｅの波長分散を測定した。また、Ｒｔｈの波長分散については、前記Ｒｅ、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から７８０〜３８０ｎｍの波長の光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長７８０〜３８０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力して算出した。

（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きいほうから４点の平均と小さいほうから４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

[フィルム表面の性状]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、および最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することができる。

[セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことがのぞましい。
｜Ｒｅ_(MAX)−Ｒｅ_(MIN)｜≦3かつ｜Ｒｔｈ_(MAX)−Ｒｔｈ_(MIN)｜≦5
［式中、Ｒｅ_(MAX)、Ｒｔｈ_(MAX)−は任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ_(MIN)、Ｒｔｈ_(MIN)は最小値である。］

[フィルムの保留性]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは、フィルムに添加した各種化合物の保留性が高いことが好ましい。具体的には、セルロースアシレートフィルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
〈保留性の評価方法〉
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

[フィルムの力学特性]
（カール）
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、セルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フィルムのハンドリングに支障をきたし、フィルムの切断が起きることがある。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムのＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基づく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）は、セルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、さらには６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フィルムの残留溶剤量］
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムは、残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。セルロースアシレートフィルムの残留溶剤量を１．５質量％以下とすることでカールを抑制できる。１．０質量％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

[フィルムの吸湿膨張係数]
本発明において使用されるセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、セルロースアシレートフィルムを位相差フィルムの支持体として用いた際、位相差フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

［表面処理］
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、さらにまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類およびそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［アルカリ鹸化処理によるフィルム表面の接触角］
本発明において偏光板の保護膜として使用されるセルロースアシレートフィルムに対する表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が挙げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のフィルム表面の接触角が５５°以下であることがのぞましい。よりのぞましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらにのぞましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、フィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。

（耐光性）
本発明において使用されるセルロースアシレートの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１８以下であり、１５以下であることがさらにのぞましい。色差の測定は、ＵＶ3100（島津製作所製）を用いた。測定の仕方は、フィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後にキセノン光照射前のフィルムのカラー測定を行ない初期値（L0^*、a0^*、b0^*）を求める。その後、フィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターSX−75（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ/ｍ²、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射する。所定時間の経過後、フィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（L1^*、a1^*、b1^*）を求める。これらから、色差ΔE^*ab＝（(L0^*−L1^*)^2＋(a0^*−a1^*)^2＋(b0^*−b1^*)^2）^0.5を求めることができる。

[偏光板]
本発明の液晶表示装置は、液晶パネルの両側に第１の偏光板および第２の偏光板が配置されている。第１および第２の偏光板は、それぞれ偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜から構成され、かかる保護膜（支持体を兼用）の少なくとも１枚が、
０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
を満たす、前述のセルロースアシレートフィルムである。
本発明において、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、特開平６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護膜処理面と偏光膜を貼り合わせるために使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光膜およびその両面を保護する保護膜で構成されており、さらに該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成することができる。プロテクトフィルムおよびセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
本発明の液晶表示装置では、上記式を満たすセルロースアシレートフィルムから構成される保護膜を、どの部位に配置しても優れた表示性を得ることができる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護膜には透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護膜をこの部分に用いることが特に好ましい。

[位相差フィルム]
本発明の液晶表示装置は、液晶パネルと第１の偏光板との間に第１の位相差フィルムを有し、液晶パネルと第２の位相差フィルムとの間に第２の位相差フィルムを有する。
本発明の液晶表示装置では、第１の位相差フィルムが、
５０≦Ｒｅ₍₅₈₉₎≦１００かつ３０≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎≦８０
を満たし、
前記第２の位相差フィルムが
Ｒｅ₍₅₈₉₎≦２０かつ１００≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎｜≦３００
を満たすことが好ましい。
更に、第１の位相差フィルムが、
５０≦Ｒｅ₍₅₈₉₎≦９０かつ４０≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎≦６０
を満たし、
第２の位相差フィルムが、
Ｒｅ₍₅₈₉₎≦１０かつ１５０≦Ｒｔｈ₍₅₈₉₎｜≦２５０
を満たすことがより好ましい。
第１および第２の位相差フィルムが上記範囲のレターデーションを有することにより、優れた表示特性を実現することができる。第１および第２の位相差フィルムの配置としては、視認側、バックライト側のいずれを取ることもできるが、第１の位相差フィルムが視認側になり、第２の位相差フィルムがバックライト側となるように、各層を配置することがより好ましい。

本発明では、偏光板と第１の位相差フィルムとを、偏光板の吸収軸と第１の位相差フィルムの遅相軸の成す角度が、８５°以上９５°以下になるように配置することが好ましい。この角度をなすように配置した光学補償機能付き偏光板をＶＡの液晶セルに用いると、それらのセルの複屈折が効率的に補償され、その光学補償機能付き偏光板を用いた液晶表示装置の視野角を拡大することができる。さらに、偏光板の吸収軸方向と第１の位相差フィルムの遅相軸方向の成す角度は、より好ましくは８６°以上９４°以下、さらに好ましくは８７°以上９３°以下である。

本発明において、第１の位相差フィルムに含まれる高分子フィルムは、未延伸高分子フィルムを適宜な方法で延伸した延伸高分子フィルムまたは液晶フィルムにより形成することができる。また、液晶フィルムはネマチック液晶から形成されることが最も好ましい。

未延伸高分子フィルムとしては、特に限定されず、フィルム延伸により光学異方性を付与することができる材料で、複屈折の制御性、透明性、耐熱性に優れる材料が好ましい。前記未延伸高分子フィルムは、単独で使用しても良いし２種類以上混合して使用しても良い。例えば、ポリオレフィン（ポリエチレン、ポリプロピレン等）、ポリノルボルネン系ポリマー、ポリエステル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリスルホン、ポリアリレート、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステル、セルロースエステルおよびそれらの共重合体等が使用可能である。

また、特開２００１−３４３５２９号公報（国際公開ＷＯ０１／３７００７号公報）に記載のポリマーフィルムも挙げられる。このポリマー材料としては、例えば、側鎖に置換または非置換のイミド基を有する熱可塑性樹脂と、側鎖に置換または非置換のフェニル基およびシアノ基を有する熱可塑性樹脂を含有する樹脂組成物が使用でき、例えば、イソブテンとＮ−メチレンマレイミドからなる交互共重合体と、アクリロニトリル・スチレン共重合体とを有する樹脂組成物が挙げられる。

前記未延伸高分子フィルムの製造方法は特に制限されず、通常の方法を用いることができる。押し出し法または流延製膜法が、延伸後の高分子フィルムの複屈折のムラを少なくできるので、好ましい。前記未延伸高分子フィルムは、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは１μｍ〜１ｍｍ、特に好ましくは５〜５００μｍの厚さのものが用いられる。

前記未延伸高分子フィルムの延伸方法としては特に制限されないが、通常の方法を用いることができる。例えば、テンター横延伸や二軸延伸が挙げられる。二軸延伸は、長軸方向の延伸倍率が短軸方向の延伸倍率よりも小さいことが好ましい。また、二軸延伸は全テンター方式による同時二軸延伸、ロールーテンター法による逐次二軸延伸のいずれの方法でも用いることができる。

前記未延伸高分子フィルムの延伸倍率は、延伸方法によって異なるが、通常前記未延伸高分子フィルムの長さに対して、１０１〜２５０％延伸する。前記未延伸高分子フィルムの延伸倍率は、前記未延伸高分子フィルムの長さに対して、１０１〜２００％が好ましい。

前記未延伸高分子フィルムを延伸する温度は、使用する前記未延伸高分子フィルムのガラス転移点（Ｔｇ）や前記未延伸高分子フィルム中の添加物の種類などに応じて適宜選択される。前記未延伸高分子フィルムを延伸する温度は、例えば８０〜２５０℃、好ましくは１２０〜２２０℃、特に好ましくは１４０〜２００℃である。特に、前記未延伸高分子フィルムを延伸する温度は、延伸される前記未延伸高分子フィルムのＴｇ付近またはＴｇ以上であるのが好ましい。

延伸高分子フィルムの厚さは、対象となる画像表示装置の画面の大きさに応じて適宜に決定することができる。前記延伸高分子フィルムの厚さは、例えば１ｍｍ以下、好ましくは１〜５００μｍ、特に好ましくは５〜３００μｍである。

第２の位相差フィルムは、コレステリック液晶を配向層上に塗工し、配向させ、その配向状態を固定化してコレステリック液晶層を形成することにより製造することができる。

コレステリック液晶層は、特に限定されず、従来の液晶配向処理に準じた方法で製造されたものを用いることができる。例えば、まず基材の配向層上にコレステリック液晶ポリマーおよびカイラル剤を塗工する。その塗工層をガラス転移温度以上かつ等方相転移温度未満で加熱し、その塗工層中の液晶ポリマー分子を配向させる。その後、その塗工層をガラス転移温度未満に冷却すると、前記液晶ポリマー分子の配向が固定化されたコレステリック液晶層を基材上に形成することができる。また、前記配向層上に光架橋性液晶モノマーおよびカイラル剤を塗工して、前述のように、その塗工層をガラス転移温度以上かつ等方相転移温度未満で加熱し、その塗工層中の前記液晶モノマーを配向させる。これを光処理して前記液晶モノマーを架橋させ、コレステリック液晶層を基材上に形成する方法等が挙げられる。

[液晶パネル]
本発明の液晶表示装置における液晶パネルは、表面に垂直配向処理を施した上下二枚の基板間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向である液晶パネルである。液晶パネルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成することができる。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。本発明の液晶表示装置は、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置としても優れた表示特性と視野角特性を得ることができる。

本発明の液晶表示装置において、前述の０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５を満たすセルロースアシレートフィルムは、液晶表示装置の視認性を向上する目的で、ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムとしても用いることができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、前述のセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。

前述の０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５を満たすセルロースアシレートフィルムは、光学的異方性がゼロに近く、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れることが好ましいため、必要に応じて前述のセルロースアシレートフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、前述のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ₂等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。
また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、前述のセルロースアシレートフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号や特開２０００−２２７６０３号各公報などに公開されている。

以下に実施例と比較例を挙げて本発明の特徴をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
［製造例１］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。

＜セルロースアシレート溶液Ａ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−１〜Ｂ−６を調製した。

<セルロースアセテートフィルム試料００１の作製>
セルロースアシレート溶液Ａを４７７質量部に、添加剤溶液Ｂ−１の４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。溶媒含有率７０質量％の場外で剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号公報の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率が３〜５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアセテートフィルム試料００１を作製した。

＜セルロースアセテートフィルム試料００２〜００３、１０１〜１０５の作製＞
セルロースアセテートフィルム００１の作製において添加剤溶液、および厚みを表２のものに変更した以外はセルロースアセテートフィルム試料００１と同様にしてセルロースアセテートフィルム試料００２〜００３、１０１〜１０５を作製した。これら試料の波長３８０ｎｍおよび波長３５０ｎｍにおける分光透過率を測定したところ、いずれの試料でも波長３８０ｎｍの透過率が４５％以上９５％以下となるが、波長分散調整剤を添加した試料でのみ波長３５０ｎｍにおいて透過率が１０％以下であることがわかった。

［製造例２］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｃを調製した。

＜セルロースアシレート溶液Ｃ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表３の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−７〜Ｂ−１９を調製した。セルロースアシレート溶液Ｃの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−７〜１９の４０質量部を添加して厚み８０μｍのセルロースアセテートフィルム試料試料００４〜００７、１０６〜１１４を作製した。これら試料のドープ溶液の透明度はいずれも８５％以上と良好であり、光学的異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤ともにセルロースアシレートのドープ溶液に十分に相溶していることを確認した。またこれら試料のヘイズはいずれも０．０１〜２％の範囲にありフィルムにした際にも透明度が十分であることを確認した。さらに、これら試料のガラス転移温度Ｔｇを測定したところ、光学的異方性低下剤や波長分散調整剤を添加していない比較試料００４を除いてはいずれも８０〜１６５℃であることを確認した。

［製造例３］
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。

（セルロースアセテート溶液Ｄ組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部

（マット剤溶液の調製）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒子サイズ１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １０．３質量部

（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記表４に示すものを用いた。

（添加剤溶液組成）
光学的異方性を低下する化合物 ４９．３質量部
波長分散調整剤 ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １２．８質量部

（セルロースアセテートフィルム試料１１５の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｄを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量３０%でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。できあがったセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は４０μｍであった。

（セルロースアセテートフィルム試料００８〜０１１、１１６〜１２８の作製）
添加剤溶液中の光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤の種類および量を表４の内容に変更した以外は同様にしてセルロースアセテートフィルム試料００８〜０１１、１１６〜１２８を作製した。表４には試料１１５作製の溶液組成も記入した。これら試料の相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）を測定したところ、光学的異方性低下剤を添加していない比較試料００８、００９および光学的異方性低下剤の代わりに可塑剤ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）を添加した比較試料０１０、０１１においてはΔＲｔｈが３０ｎｍ以下にならず光学的異方性の湿度依存性が大きかった。一方、光学的異方性低下剤を含む試料１１５〜１２８においてはΔＲｔｈが０〜３０ｎｍの範囲にあり、湿度依存性が低下していることを確認した。またこれら試料の２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率を測定したところ、比較試料００８以外においてはいずれも４％以下であり光学的異方性低下剤や波長分散調整剤の添加によりセルロースアシレートフィルムが疎水化されていることが確認できた。さらにこれら試料の６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）を測定したところ、比較試料００８以外においてはいずれも４００ｇ/ｍ²・２４ｈｒ以上２０００ｇ/ｍ²・２４ｈｒ以下であり、また比較試料００９、０１０と比較して光学的異方性低下剤や波長分散調整剤を添加した試料１１５〜１２８はいずれも透湿度が良化していることが確認できた。また、比較試料０１１以外の試料ではいずれもフィルムの白濁はなく、十分に透明なフィルムが作成できたが、比較試料０１１は添加化合物の総量がセルロースアシレートに対して４９％と高く、５〜４５％の範囲を超えており、この場合はフィルムが白濁して化合物が析出し（泣き出し）、透明性を持ったセルロースアシレートフィルムとしては評価できなかった。
また、試料１２６と１２７においては、８０℃、９０％ＲＨの条件に４８時間放置した際の質量変化を測定したところ、試料１２６は−０.１２％、試料１２７は−０.０２％であった。波長分散調整剤としてベンゾトリアゾール系化合物であるＵＶ−２１、ＵＶ−２２、ＵＶ−２３を用いたが、分子量が３２０以下であるＵＶ−２３（分子量３１５．５）を含まない試料１２７の方が試料１２６よりも保留性の点で有利であることが確認できた。

［製造例４］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｅを調製した。この際、置換度２．４９、２．８６、２．９２の三種のセルロースアシレートを用いた（表５）。

＜セルロースアシレート溶液Ｅ組成＞
セルロースアセテート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表５の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−２０〜Ｂ−２５を調製した。セルロースアシレート溶液Ｅの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−２０〜２５の４０質量部を添加して厚み４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料試料１２９〜１３２および比較試料０１２〜０１３を作製した。これら試料について、製造例３と同様に相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率、６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）、８０℃９０％ＲＨ、４８時間後の質量変化、６０℃９５％ＲＨ、２４時間後の寸度変化および弾性率を測定したところ、全置換度２．９２のセルロースアシレートフィルムを用い、さらに光学的異方性低下剤、波長分散調整剤を含む試料１２９〜１３２は置換度２．４９の比較試料０１２と比較していずれも良化していることが確認できた。

［製造例５］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｆを調製した。この際、全置換度２．８５（アセチル置換度２．０６＋プロピニル置換度０.７９）および全置換度２．７０（アセチル置換度１．９３＋プロピニル置換度０.７７）の２種類のセルロースアシレートフィルムを用いた。

＜セルロースアシレート溶液Ｆ組成＞
セルロースアシレート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表６の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−２６〜Ｂ−３１を調製した。セルロースアシレート溶液Ｆの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−２６〜Ｂ−３１の４０質量部を添加して厚み４０μｍのセルロースアシレートフィルム試料試料１３３〜１３９を作製した。これら試料について、製造例３と同様に相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率、および６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）を測定したところ、全置換度２．８５または全置換度２．７０のセルロースアシレートを用い、さらに光学的異方性低下剤、波長分散調整剤を含む試料１３３〜１３９は製造例３の比較試料００８〜０１０と比較していずれも良化していることが確認できた。

［製造例６］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
アセチル置換度２．９２のセルロースアシレートを用い、下記表７の組成物を用いる以外は製造例３と同様にして厚み８０または４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料１４０〜１４５を作製した（表７）。

［製造例７］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
全置換度２．７０（アセチル置換度１．０＋ブチリル置換度１．７）のセルロースアシレートを用い、下記表８の組成物を用いる以外は製造例３と同様にして厚み８０または４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料１４６〜１５０を作製した（表８）。

製造例１〜５で得られたセルロースアシレートフィルム試料１０１〜１３９および比較試料００１〜０１１の、光学特性の評価結果を表９〜１２に記載する。光学的異方性を低下する化合物を用いた試料１０１〜１３９は、これらの化合物を用いていない比較試料００１〜００６、００８〜００９および一般的な可塑剤でＬｏｇＰが７．３と本発明想定外である、ビフェニル−ジフェニルフォスフェート（ＢＤＰ）を用いた比較試料００７、０１０に比較して、いずれもＲｅ（６３０）、Ｒｔｈ（６３０）ともに十分な低下が見られ、光学的にほぼ等方性に近づいている。また波長分散を調整する化合物を併用した試料は、比較試料に対していずれの試料も｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜、｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜ともに十分な低下が見られ、波長分散がゼロに近づいている。

［参考例１］
（偏光板の作製）
製造例１で得たセルロースアセテートフィルム試料１０１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。
続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリけん化処理したセルロースアシレートフィルム試料１０１を２枚用意して偏光膜を間にして貼り合わせ、両面がセルロースアシレートフィルム１０１によって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアシレートフィルム試料１０１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして製造例１〜７の試料１０２〜１５０および製造例２の比較試料００４についても偏光板を作製した。セルロースアシレートフィルム試料１０１〜１５０、比較試料００４はいずれも延伸したポリビニルアルコールとの貼合性は十分であり、優れた偏光板加工適性を有していた。この偏光板を以下、偏光板１０１〜１５０、偏光板００４という。

（参考比較例１）
参考例１において、偏光膜の保護を上記セルロースアシレートフィルム２枚で行う代わりに、市販のポリカーボネートフィルム「パンライトＣ１４００」（帝人化成製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、ポリカーボネートフィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

（参考比較例２）
参考例１において、偏光膜の保護を上記セルロースアシレートフィルム２枚で行う代わりに、厚さ８０μｍのアートンフィルム（ＪＳＲ製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、アートンフィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

（偏光板耐久性）
参考例１で作製したセルロースアシレートフィルム試料１０１〜１５０および比較試料００４を用いた偏光板を６０℃９５％ＲＨの条件で５００時間放置した後の偏光度を評価したところ、試料１０１〜１５０を用いた偏光板の偏光特性は比較試料００４を用いた偏光板に対していずれも優れており、光学的異方性を低下する化合物または波長分散調整剤の添加（比較試料００４はどちらも無添加）により、セルロースアシレートフィルムを偏光板加工した際の耐久性が向上していることが確認できた。

［実施例１］（ＶＡ型型液晶表示装置への実装評価）
＜偏光板の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、表１３の保護膜１に指定したセルロースアシレートフィルムを偏光膜の片側に貼り付けた。続いて、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＦ８０ＵＬ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、この偏光膜の反対側に貼り付け、実施装置１〜６、比較装置１〜５の用の第１偏光板を形成した。
次に、表１３の保護膜１に指定したセルロースアセテートフィルムを偏光膜の片側に貼り付けた。続いて、市販のセルロースアセテートフィルム（フジタックＴＦ８０ＵＬ、富士写真フイルム（株）製）にケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、この偏光膜の反対側に貼り付け、実施装置１〜６、比較装置１〜５の用の第２偏光板を形成した。

＜位相差フィルムの作製＞
特開２００３−３１５５５６号公報の実施例1に記載の光学補償Ａ層と同様の方法にて、Ｒｅ（589）７７ｎｍ、Ｒｔｈ(589)４７ｎｍの位相差フィルム1を得た。また、特開２００３−３１５５５６号公報の実施例２に記載の光学補償Ｂ層と同様の方法にて、Ｒｅ（589）１．５ｎｍ、Ｒｔｈ(589)２０７ｎｍの位相差フィルム２を得た。

（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈの測定方法）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ(λ)は自動複屈折計KOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ(λ)は前記Ｒｅ(λ)、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、セルロースアシレートフィルムについては、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。
また位相差フィルム１については、平均屈折率として１．５２を用いた。
また位相差フィルム２については、平均屈折率として１．６を用いた。

＜ＶＡ型液晶表示装置への実装＞
上記のようにして得られた位相差フィルム１と第１偏光板を、表１３に示す組合せで接着剤で貼り合せた。この際位相差フィルム１のｎｘ方向と第１偏光板の吸収軸が直交するように貼り合せた。次に、位相差フィルム２と第２偏光板を、表１３に示す組合せで接着剤で貼り合せた。この際位相差フィルム２のｎｘ方向と第２偏光板の吸収軸が平行となるように貼り合せた。
これらの位相差フィルム１と第１偏光板の貼合せ品１、位相差フィルム２と第２偏光板の貼合せ品２を、表１３に示す組み合わせで、接着剤でＶＡ液晶パネルに貼り合わせた。
この際、組合せ品１を第１偏光板の吸収軸がパネル水平方向になるよう、視認側に配置し、組合せ品２を第２偏光板の吸収軸がパネル鉛直方向となるよう、バックライト側に配置した。
またこの際、貼合せ品１の位相差フィルム1がＶＡ液晶パネル側になり、液晶セルの反対側には、貼合せ品２の位相差フィルムがＶＡ液晶パネル側になるように、それぞれ粘着剤を介して貼り合せた。

＜評価方法＞
以上のようにして得られた液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定した。この値が小さいほど斜め４５度方向での光漏れが少なく、表示装置のコントラストが良いことを示し、液晶表示装置の視野角特性を評価できる。
◎：光漏れが認識できない
○：光漏れが軽度
△：光漏れが中程度
△×：大きな光漏れがある（許容不可）
×：激しい光漏れがある（許容不可）
黒色味変化は、極角６０度における全方位角方向の変化（Δuv）を測定した。
◎：色味変化が極めて小さい
○：色味変化が軽度
△：色味変化が中程度
△×：色味変化がある（許容不可）
×：激しい色味変化がある（許容不可）
コーナームラは、液晶表示装置を５０℃９５％ＲＨで１２０時間サーモ処理して、２５℃６０％ＲＨに２０時間調湿後、バックライトを点灯させ、黒表示での光漏れの評価を行った。評価には、２０インチの液晶パネルを使用した。
◎：４隅の光漏れがない
○：４隅のうち、どこかにうっすらと光漏れがある
△：４隅のうち、１〜３箇所に光漏れがある
△×：４隅に光漏れがある（許容不可）
×：４隅にはっきりとした光漏れがある（許容不可）

＜評価結果＞
実施装置１〜６は、表１３に示すように、比較装置1〜５に比べて、黒表示時の光もれ、黒色味変化、コーナームラのいずれかまたはすべてが優れていた。これにより、各偏光板と液晶パネルとの間に位相差フィルムを配置し、かつ、０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５を満たすセルローストリアシレートフィルムを偏光板の保護膜として使用することにより、視野角特性に優れ、コーナームラが軽減された、優れた表示特性を有する液晶表示装置を構成できることがわかる。

光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が一定以下に小さいセルロースアシレートフィルムを、偏光板の保護膜として用いることによって、視野角特性に優れ、コーナームラが軽減された、優れた表示特性を有するＶＡ型液晶表示装置を提供することができる。

Claims (7)

1. 表面に垂直配向処理を施した上下二枚の基板間に誘電率異方性が負の液晶を挟持し、前記液晶の配向が、電圧無印加時にはほぼ垂直に、所定の電圧を印加した時にはほぼ水平となり、前記所定の電圧より小さい電圧を印加した時には斜めになる配向である液晶パネルと、互いの吸収軸が直交するように前記液晶パネルの両側に配置された第１と第２の偏光板と、前記液晶パネルと前記第１の偏光板の間に設けられた第１の位相差フィルムと、前記液晶パネルと前記第２の偏光板の間に設けられた第２の位相差フィルムとを備え、前記第１の位相差フィルムが、
   ５０≦Ｒｅ ₍₅₈₉₎ ≦１００かつ３０≦Ｒｔｈ ₍₅₈₉₎ ≦８０
   を満たし、前記第２の位相差フィルムが
   Ｒｅ ₍₅₈₉₎ ≦２０かつ１００≦Ｒｔｈ ₍₅₈₉₎ ｜≦３００
   を満たし、前記偏光板は、偏光膜と該偏光膜を挟持する一対の保護膜とから構成され、前記保護膜の少なくとも１枚は、
   ０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
   を満たすセルロースアシレートフィルムであり、
   前記セルロースアシレートフィルムは、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレート、または、アセチル基、プロピオニル基およびブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においてはその全置換度が２.５０〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させる化合物の少なくとも１種を、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むものであることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記セルロースアシレートフィルムが、
   ０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦１０
   を満たすことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記セルロースアシレートフィルムが、
   ０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦３かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦５
   を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
4. 前記セルロースアシレートフィルムは、膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（Ｉ）、（II）を満たす範囲で少なくとも１種含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
   （Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
   （II）０．０１≦Ａ≦３０
   ［ここで、
   Ｒｔｈ（Ａ）：Ｒｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
   Ｒｔｈ（０）：Ｒｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）
   Ａ：フィルム原料ポリマーの質量を１００としたときの化合物の質量（％）
   である。］
5. 前記セルロースアシレートフィルムが、アシル置換度が２.８５〜３．００のセルロースアシレートであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
   液晶表示装置。
6. 前記セルロースアシレートフィルムは、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が１０〜１２０μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。