JP2006264028A - 溶液製膜方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 所望のＲｅ，Ｒｔｈを有するＴＡＣフィルムを得る。
【解決手段】 ＴＡＣを混合溶媒に溶解してドープを得る。ドープに所望の添加剤を溶解して中間層用ドープ，支持体側面用ドープ，エアー面用ドープを得る。流延ダイ７１に上流側にフィードブロック７０が、ビード背面側には減圧チャンバ９１が取り付けられている。流延ダイ７１は流延室８５に設置されている。流延室８５には、流延ビードへの風圧振動を抑制する振動吸収チャンバ１１０が取り付けられている。各ドープをライン４３〜４５からフィードブロック７０に送液した後に流延ダイ７１から流延バンド７２上に流延して流延膜９０を形成する。流延膜９０を流延バンド７２上で自己支持性を有するまで乾燥させた後に湿潤フィルム１２１として剥ぎ取る。湿潤フィルム１２１を乾燥して得られるＴＡＣフィルムは光学特性に優れる。
【選択図】 図３

Description

本発明は溶液製膜方法に関し、さらに詳しくは製造されるフィルムが光学補償フィルム、偏光板などの光学材料に好ましく用いられるものである溶液製膜方法に関するものである。

従来、セルロースアシレートフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学材料として優れており、これまで偏光子の保護フィルムや、斜め方向からの見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。

液晶表示装置用の部材のひとつである偏光板には偏光子の少なくとも片側に偏光子の保護フィルムが貼合によって形成されている。一般的な偏光子は延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムをヨウ素または二色性色素で染色することにより得られる。多くの場合、偏光子の保護フィルムとしてはＰＶＡに対して直接貼り合わせることができる、セルロースアシレートフィルム、なかでもトリアセチルセルロースフィルムが用いられている。この偏光子の保護フィルムは、光学的等方性に優れることが重要であり、偏光子の保護フィルムの光学特性が偏光板の特性を大きく左右する。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フィルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フィルムの光学特性を評価した際に、フィルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフィルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフィルムは作製が難しかった。そこでセルロースアシレートフィルムの代わりにポリカーボネート系フィルムや熱可塑性シクロオレフィンフィルムを用いて、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フィルムの提案がされている（例えば、特許文献１，２参照。なお、製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フィルムは、偏光子の保護フィルムとして使用する場合、フィルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフィルム面内全体の光学特性が不均一である問題も残っている。

この解決法として、ＰＶＡへの貼合適正に優れるセルロースアシレートフィルムを、より光学的異方性を低下させて改良することが強く望まれている。具体的には、セルロースアシレートフィルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フィルムである。

セルロースアシレートフィルムの製造において、一般的に製膜性能を良化するため可塑剤と呼ばれる化合物が添加される。可塑剤の種類としては、リン酸トリフェニル、リン酸ビフェニルジフェニルのようなリン酸トリエステル、フタル酸エステル類などが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。これら可塑剤の中には、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果を有するものが知られており、例えば、特定の脂肪酸エステル類が開示されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、従来知られているこれらの化合物を用いたセルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果は十分とはいえない。

また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。
特開２００１−３１８２３３号公報 特開２００２−３２８２３３号公報 特開２００１−２４７７１７号公報 プラスチック材料講座、第１７巻、日刊工業新聞社、「繊維素系樹脂」、１２１頁（昭和４５年）

本発明の第１の課題は、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを提供することである。

本発明の第２の課題は、光学的異方性が小さく、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムにより作製した光学補償フィルム、偏光板などの光学材料が視野角特性に優れるものであることを示すこと、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することにある。光学的異方性が小さく、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを偏光板の保護フィルムに用いることによって、偏光板の光学特性を良化できる。また光学補償フィルムの支持体として用いると、光学補償フィルムそのものの光学性能を引き出すことができる。これらの偏光板や光学補償フィルムを液晶表示装置に用いることによってコントラストの良化、色味を改良することができる。

本発明の溶液製膜方法は、ポリマーと溶媒とを含むドープを流延ビードとして流延ダイから支持体上に流延し、前記支持体上に前記流延ビードから流延膜を形成し、前記流延膜が自己支持性を有するものとなった後に前記流延膜を前記支持体から湿潤フィルムとして剥ぎ取り、前記湿潤フィルムを乾燥してフィルムとする溶液製膜方法において、前記流延ダイと前記支持体とが配置されているケーシング内に備えられている風圧振動抑制手段により前記流延ビードの風圧振動を抑制し、前記流延ダイの上流側に設けられている減圧チャンバで前記流延ビードの背面を減圧し、前記流延ビードの前面又は背面の少なくともいずれか一方をシール部材でシールし、下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）で定義される正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）と膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）とを制御する。
（Ｉ） Ｒｅ_（λ）（ｎｍ）＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（ＩＩ）Ｒｔｈ_（λ）（ｎｍ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
式中Ｒｅ_（λ）（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における正面レターデーション値であり、Ｒｔｈ_（λ）（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における膜厚方向レターデーション値である。また、ｎｘは前記フィルム面内の遅相軸方向の屈折率であり、ｎｙは前記フィルム面内の進相軸方向の屈折率であり、ｎｚは前記フィルムの膜厚方向の屈折率である。また、ｄ（ｎｍ）は前記フィルムの膜厚である。

前記フィルムの正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）と膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）とを下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）に制御することが好ましい。
（ＩＩＩ） ０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦１０且つ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
（ＩＶ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０且つ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５

前記風圧振動抑制手段が備える弾性薄膜が、前記ケーシング内の風圧振動に応じて弾性変形し、前記流延ビードの風圧振動を抑制することが好ましい。前記流延ダイのダイリップと前記支持体との間隔を０．３ｍｍ以上３．５ｍｍ以下とすることが好ましい。前記流延を行う際に、１／６０秒以上１／１０秒以下の間での前記流延ビードの変動を所望の範囲内とすることが好ましい。前記フィルムの長手方向における１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の所定の長さにおいて、前記フィルムの厚み変動を所望の範囲内とすることが好ましい。

前記減圧チャンバはバッファタンクを介して配管により減圧装置と接続され、前記バッファタンクの断面積Ａ１と前記配管の断面積Ａ２との比（Ａ１／Ａ２）が、５以上２００以下であることが好ましい。前記バッファタンクの長さＬ（ｍ）が１ｍ以上であることが好ましい。前記バッファタンク内にエアーを滞留させ、前記ケーシング内の風圧変動を抑制することが好ましい。

前記流延ビードの両縁に前記ポリマーの良溶媒を供給し、前記流延ビードの固化を抑制することが好ましい。前記流延膜を前記支持体から剥ぎ取る際に生じる剥取抵抗力を軽減する剥離促進剤を前記ドープに含有させることが好ましい。前記フィルムが２層以上の多層構造を有するものであって、前記支持体と接触する流延膜を形成するドープ中に前記剥離促進剤を含有させることが好ましい。前記剥離促進剤が、水溶液中の酸解離定数ｐＫａが１．９３以上４．５０未満であり、且つ多塩基酸，部分エステル体，アルカリ金属塩，マグネシウム塩又はアルカリ土類金属塩の少なくとも１つであることが好ましい。

前記フィルム中の前記ポリマーに対して３重量％以上２０重量％以下となるように、前記ドープに可塑剤を含有させることが好ましい。前記フィルム中の前記ポリマーに対して０．００１重量％以上５重量％以下となるように、前記ドープに紫外線吸収剤を含有させることが好ましい。前記フィルム中の前記ポリマーに対して０．００１重量％以上５重量％以下となるように、前記ドープに微粒子を含有させることが好ましい。

前記膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）を低下させる第１レターデーション制御剤を下記式（Ｖ）及び式（ＶＩ）の範囲で少なくとも１種類、前記ドープに含有させることが好ましい。
（Ｖ） （Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＶＩ）０．０１≦Ａ≦３０
式中Ｒｔｈ（Ａ）は前記第１レターデーション制御剤をＡ重量％含有させた前記フィルムの膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）であり、Ｒｔｈ（０）は前記第1レターデーション制御剤を含有しない前記フィルムの膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）であり、Ａは前記フィルムを構成する前記ポリマーの重量を１００重量％としたときの前記第1レターデーション制御剤の重量（重量％）である。

前記ポリマーがセルロースアシレートであって、アシル置換度が２．８５以上３．００以下であることが好ましい。前記ポリマーがセルロースにアシル基が置換されたセルロースアシレートであって、前記アシル基が、アセチル基，プロピオニル基またはブタノイル基のうち少なくとも２つの基であることが好ましい。前記ポリマーがセルロースアセテートであって、アセチル置換度が２．８５以上２．９５以下であることが好ましい。前記セルロースアセテートの平均重合度が、１８０以上５５０以下であることが好ましい。

前記ポリマーの重量を１００重量％としたときに、前記フィルムの正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）及び膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）を低下させる第２レターデーション制御剤を０．０１重量％以上３０重量％以下の範囲で前記フィルムに含有するように前記ドープに前記第２レターデーション制御剤を含有させることが好ましい。前記第２レターデーション制御剤のオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が、０以上７以下であることが好ましい。

前記湿潤フィルムを乾燥する際に、流延方向に前記湿潤フィルムを１０１％以上１３０％以下の範囲で延伸することが好ましい。前記湿潤フィルムを乾燥する際に、流延幅方向に前記湿潤フィルムを１０１％以上１５０％以下の範囲で延伸することが好ましい。前記フィルムの膜厚が、４０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。

Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が、０〜７であり、一般式（１）〜（１９）のいずれかで表される化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１重量％〜３０重量％含むことが好ましい。

式中、Ｒ^１１−Ｒ^１３はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ^１１−Ｒ^１３は互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子または−ＮＲ２５−を表し、Ｒ２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良い。Ｙ^２１−Ｙ^２２はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表し、Ｙ^２１−Ｙ^２２は互いに連結して環を形成してもよい。ｍは１〜５の整数を表し、ｎは１〜６の整数を表す。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ^３１−Ｙ^７０はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０のエステル基、炭素数が１ないし２０のアルコキシカルボニル基、炭素数が１ないし２０のアミド基、炭素数が１ないし２０のカルバモイル基またはヒドロキシ基を表し、Ｖ^３１−Ｖ^４３はそれぞれ独立に水素原子または炭素数１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｌ^３１−Ｌ^８０はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ^３１−Ｌ^８０の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｖ^３１−Ｖ^４３およびＬ^３１−Ｌ^８０は、さらに置換基を有していてもよい。

［式中、Ｒ^１はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ^４およびＲ^５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ^４およびＲ^５の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子またはアルキル基を表す。Ｘは下記の連結基群１から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｙは水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。
（連結基群１）単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＮＲ^４−、アルキレン基またはアリーレン基を表す。Ｒ^４は水素原子、アルキル基、アリール基またはアラルキル基を表す。］

（式中、Ｑ^１、Ｑ^２およびＱ^３はそれぞれ独立に５ないし６員環を表す。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表す。）

（式中、Ｘ^２はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４ないしＲ^３５は水素原子または置換基を表す。）

［式中、Ｒ^１はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。］

上記一般式（１９）において、Ｒ^４、Ｒ^５およびＲ^６はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。アリール基は炭素原子数が６乃至３６のものが好ましく、６乃至２４のものがより好ましい。

上記のアルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよく、置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。

Ｒｅ（λ）およびＲｔｈ（λ）を低下させ、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むことが好ましい。

本発明の溶液製膜方法によれば、光学異方性が小さく、Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムが製造できる。このセルロースアシレートフィルムを用いることにより視野角特性に優れる光学補償フィルム、偏光板などの光学材料、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することが可能になった。

［セルロースアシレート原料綿］
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

［セルロースアシレート置換度］
次に上述のセルロースを原料に製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。本発明のセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

上述のように本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることがのぞましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがのぞましく、２．８５〜３．００であることがよりのぞましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリール基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル（ブチリルとも称する）、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、ｉｓｏ−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。

［セルロースアシレートの重合度］
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。また、特開平９−９５５３８号公報に詳細に記載されている。

また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。本発明のセルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５質量％〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

本発明のセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

［セルロースアシレートへの添加剤］
本発明のセルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良い。例えば、ポリマーを溶媒に溶解した溶液を得るポリマー溶解工程の後に、添加剤を添加してドープを調製する添加剤添加工程を行うドープ作製工程が挙げられる。

本発明のセルロースアシレートフィルムの光学的異方性、とくに下記式（ｉ）で表されるフィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（ｉ）Ｒｔｈ＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ｉｉｉ）０．０１≦Ａ≦３０
上記式（ｉｉ）、（ｉｉｉ）は
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ｉｉｉ）０．０５≦Ａ≦２５
であることがよりのぞましく、
（ｉｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−３．０
（ｉｉｉ）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらにのぞましい。

［セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴］
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者は鋭意検討した結果、下記のことを見出した。フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いることで、光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなる。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

（ＬｏｇＰ値）
本発明のセルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ＬｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ＬｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ＬｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１ないし６であり、特に好ましい範囲は１．５ないし５である。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen'sfragmentation法
（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21（1987））、Viswanadhan'sfragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163（1989））、Broto'sfragmentation法（Eur.J.Med.Chem.-Chim.Theor.,19,71（1984））などが好ましく用いられるが、Crippen'sfragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21（1987）.）がより好ましい。ある化合物のＬｏｇＰ値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、前記化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen'sfragmentation法により判断することが好ましい。

［光学的異方性を低下する化合物の物性］
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１質量％ないし３０質量％であることが好ましく、１ないし２５質量％であることがより好ましく、５ないし２０質量％であることが特に好ましい。光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、前記セルロースアシレートフィルムの中央部における前記化合物の平均含有率の８０％〜９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。

前記一般式（１）の化合物について説明する。一般式（１）において、Ｒ^１１−Ｒ^１３はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ^１１−Ｒ^１３は互いに連結して環を形成してもよい。

Ｒ^１１−Ｒ^１３について詳しく説明する。Ｒ^１１−Ｒ^１３は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。

Ｒ^１１−Ｒ^１３で表される脂肪族基は置換されていても良い。置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。

これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ^１１−Ｒ^１３は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。

一般式（２）および（３）の化合物について説明する。一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ２５−を表し、Ｒ２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。

また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ２５は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ２５で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ２５で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ^１１−Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ^２１−Ｙ^２２はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ^２１−Ｙ^２２は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ^２１−Ｙ^２２はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１−Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。一般式（４）〜（１２）において、Ｙ^３１−Ｙ^７０はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。

エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが挙げられる。

アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが挙げられる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが挙げられる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である。例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが挙げられる。Ｙ^３１−Ｙ^７０はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１−Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ^３１−Ｖ^４３はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。

アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、

アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられる。アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。Ｖ^３１−Ｖ^４３はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１−Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ^３１−Ｌ^８０はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ^３１−Ｌ^８０の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ^３１−Ｌ^７７の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどを挙げることができる。

これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−（ＣＨ_２）_２−Ｏ−（ＣＨ_２）−、−（ＣＨ_２）_２−Ｓ−（ＣＨ_２）_２−、−（ＣＨ_２）_２Ｏ_２Ｃ（ＣＨ_２）_２−などを挙げることができる。Ｌ^３１−Ｌ^８０は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ^１１−Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ^３１−Ｙ^７０、Ｖ^３１−Ｖ^４３およびＬ^３１−Ｌ^８０の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）が挙げられる。

また、特開平１１−２４６７０４号公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に本発明の一般式（１）ないし（１２）で表される化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、一般式（１）については化合物Ｃ−１〜Ｃ−７６を例示し、一般式（２）〜（１２）については化合物Ｃ−２０１〜Ｃ−２３１、Ｃ−４０１〜Ｃ−４４８を例示した。表記載あるいは括弧内に記載のＬｏｇＰ値は、Crippen'sfragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21（1987））により求めたものである。

（式中、Ｒ^１−Ｒ^３は前記一般式（１）のＲ^１１−Ｒ^１３と同義であり、下記のＣ−１〜Ｃ−７６で具体例を例示する。）

一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。上記一般式（１３）において、Ｒ^１はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。また、一般式（１４）中、Ｒ^４およびＲ^５は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ^４およびＲ^５の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。

置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ｔ−ブチル、アミル、イソアミル、ｔ−アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、ｔ−オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるも
のではない。

一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。

Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。

Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、ｔ−ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。これら一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１６）の化合物について説明する。

Ｑ^１、Ｑ^２およびＱ^３はそれぞれ独立に5ないし6員環を表し、炭化水素環でもヘテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。

Ｑ^１、Ｑ^２およびＱ^３として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Ｑ^１、Ｑ^２およびＱ^３としてより好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。

またＱ^１、Ｑ^２およびＱ^３は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表し、Ｘとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎであり、Ｘとしてより好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

（式中、Ｘ^２はＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎを表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４ないしＲ^３５は水素原子または置換基を表す。）

ＸはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、Ｎ、Ｐ、Ｐ＝Ｏを表しＸとして好ましくはＢ、Ｃ−Ｒ（Ｒとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Ｎ、Ｐ＝Ｏであり、更に好ましくはＣ−Ｒ、Ｎであり、特に好ましくはＣ−Ｒである。

Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４ないしＲ^３５は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４ないしＲ^３５として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。

これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）などが挙げられる。

また、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基などが挙げられる。

また、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

以下に、一般式（１８）または一般式（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

本発明の発明者は、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学的異方性を低下させることを見出した。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

（多価アルコールエステル化合物）
本発明の多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。

（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

（モノカルボン酸）
本発明の多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフィルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。

多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

（カルボン酸エステル化合物）
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。

またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ１〜Ｒ４は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

［波長分散調整剤］
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。本発明のセルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（ｉｖ）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を、下記式（ｖ）、（ｖｉ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（ｉｖ）ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（ｖｉ）０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（ｖ）、（ｖｉ）は
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（ｖｉ）０．０５≦Ｂ≦２５
であることがよりのぞましく、
（ｖ）（ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（ｖｉ）０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらにのぞましい。

上記の波長分散調整剤は、２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１重量％〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整する。添加量としては０．１重量％〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整できる。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００ｎｍ〜４００ｎｍが好ましいが、２２０ｎｍ〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０ｎｍ〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００ｎｍ〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜および｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れている要求される。本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１重量％ないし３０重量％であることが好ましく、０．１重量％ないし２０重量％であることがより好ましく、０．２重量％ないし１０重量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ１−Ｑ２−ＯＨ

（式中、Ｑ１は含窒素芳香族ヘテロ環を表わし、Ｑ２は芳香族環を表す。）

Ｑ１は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等が挙げられる。更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。

Ｑ１で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ２で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ２であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ２は更に置換
基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）挙げられる。

また、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７およびＲ^８はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ^１およびＲ^３として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ^２およびＲ^４として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数が１〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^５およびＲ^８として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数が１〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^６およびＲ^７として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^６およびＲ^７は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）

（式中、Ｑ^１およびＱ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ^１およびＱ^２で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

Ｑ^１およびＱ^２で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

Ｑ^１およびＱ^２で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ^１およびＱ^２であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。

Ｑ^１およびＱ^２は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはＯ（酸素原子）であり、特に好ましくはＯである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）などが挙げられる。

また、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）
が挙げられる。

また、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８およびＲ^９はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ^１、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８およびＲ^９として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素数が１〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^２として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数が１〜２０のアルキル基、炭素数が０〜２０のアミノ基、炭素数が１〜１２のアルコキシ基、炭素数が６〜１２のアリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数が１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数が１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ７として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）

（式中、Ｒ^１０は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ^１０は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。

Ｒ^１０として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、n−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（2−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、n−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。

以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。
一般式（１０２）

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）

（式中、Ｑ^１およびＱ^２はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ^１およびＸ^２は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）Ｑ^１およびＱ^２で表わされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ^１およびＱ^２で表わされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。Ｑ^１およびＱ^２は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数が１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）が挙げられる。

また、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ^１およびＸ^２は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ^１およびＸ^２で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ^１およびＸ^２で表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ^１およびＸ^２はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ^１およびＸ^２として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ））ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ａ）

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ１およびＸ２は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^８、Ｒ^９およびＲ^１０はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^７、Ｒ^９およびＲ^１０として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ^３およびＲ^８として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２のアルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｂ）

（式中、Ｒ^３およびＲ^８は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ^３は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ^３は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ^３として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３−Ｃ）

（式中、Ｒ^３およびＲ^８は一般式（１０３−Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ^２１は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ^２１として好ましいものは以下のものである。Ｒ^３およびＲ^８が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、２−エチルへキシル基、n−デシル基、ｎ−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

また、Ｒ^３およびＲ^８が水素以外の場合には、一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

一般式（１０３）で表される化合物はJounal of AmericanChemical Society６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

［マット剤微粒子］
本発明のセルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子（マット剤微粒子。以下微粒子と称する）を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。

二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５ｎｍ〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０ｇ／リットル〜２００ｇ／リットルが好ましく、１００ｇ／リットル〜２００ｇ／リットルがさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１μｍ〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１μｍ〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とする。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作製し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレート溶液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーで前記セルロースアシレート溶液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５質量％〜３０質量％が好ましく、１０質量％〜２５質量％が更に好ましく、１５質量％〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ^２あたり０．０１ｇ〜１．０ｇが好ましく、０．０３ｇ〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８ｇ〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルフィルムの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

前記微粒子の前記ドープへの含有量は、前記ポリマー（セルロースエステル）に対して０．００１重量％以上５重量％以下とすることが好ましく、より好ましくは０．０１重量％以上３重量％以下であり、最も好ましくは０．１重量％以上２重量％以下である。

（剥離剤）
さらに本発明では、剥離時の荷重を小さくするために剥離剤（剥離促進剤とも称される）を添加することが好ましい。それらは、界面活性剤が有効でありリン酸系、スルフォン酸系、カルボン酸系、ノニオン系、カチオン系など特に限定されない。これらは、例えば特開昭６１−２４３８３７号、特開２０００−９９８４７などに記載されている。

なお、剥離剤に関しては、特開２００３−０５５５０１号公報に、セルロースアシレート溶液の白濁を防止し、フィルム製造剥離性とフィルム面状を改良するため、非塩素系溶剤に溶解したセルロースアシレート溶液で、酸解離定数ｐＫａが１．９３〜４．５の多塩基酸部分エステル体、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩から選ばれる添加剤を含有するセルロースアシレート溶液について記載がある。

さらに、特開２００３−１０３５４５号公報には、製造時における剥離性を改良し、フィルム面状を改良するとともに、耐久性面で問題のないフィルムを提供するため、共流延法二層以上のセルロースアシレートフィルムの製法で、非塩素系溶剤溶解され、いずれかの溶液中に酸解離定数ｐＫａが１．９３〜４．５０の多塩基酸の部分エステル体、そのアルカリ金属塩，アルカリ土類金属塩から選ばれる添加剤Ａを含有し、添加剤Ａを含有しない少なくとも一層以上の溶液中に酸解離定数ｐＫａが４．５０以上のアミン化合物、または実質的に揮散性を持たず、塩基性基１個当たりの分子量が２００以下のアミン化合物である添加剤Bを含有するセルロースアシレートフィルムの製法についての記載がある。

以上記載したこれらの発明は本発明においても適用できるものである。

これらの剥離剤は以下に具体的に記す。すなわち、セルロースアシレート溶液を流延する前に一般式（ＨＫ１）又は一般式（ＨＫ２）で表わされる剥離剤の少なくとも一種を溶液の０．００５質量％〜２質量％添加することを特徴とする。
一般式（ＨＫ１）；（Ｒ１−Ｂ１−Ｏ）ｎ１−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＭ１）ｎ２
一般式（ＨＫ２）； Ｒ２−Ｂ２−Ｘ
ここで、Ｒ１とＲ２は炭素数４〜４０の置換、無置換のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基及びアリル基を表わし、Ｍ１はアルカリ金属、アンモニア、低級アルキルアミンである。また、Ｂ１、Ｂ２は２価の連結基を表わし、Ｘはカルボン酸（又はその塩）、スルフォン酸（又はその塩）、硫酸エステル（又はその塩）を表わす。ｎ１は１、２の整数であり、ｎ２は（３−ｎ１）の整数を表わす。

本発明では一般式（ＨＫ１）または（ＨＫ２）で表わされる少なくとも一種の剥離剤を、セルロースアシレートフィルムが含有することを特徴とするが、以下にこれらの剥離剤について記述する。

Ｒ１とＲ２の好ましい例としては、炭素数４〜４０の置換、無置換のアルキル基（例えば、ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコサニル、ドコサニル、ミリシル、など）、炭素数４〜４０の置換、無置換のアルケニル基（例えば、２−ヘキセニル、９−デセニル、オレイルなど）、炭素数４〜４０の置換、無置換のアリール基（例えば、フェニル、ナフチル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ジイソプロピルフェニル、トリイソプロピルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、ジ−ｔ−ブチルフェニル、トリ−ｔ−ブチルフェニル、イソペンチルフェニル、オクチルフェニル、イソオクチルフェニル、イソノニルフェニル、ジイソノニルフェニル、ドデシルフェニル、イソペンタデシルフェニル、など）などを表わす。

これらの中でも更に好ましいのは、アルキルとしては、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコサニル、アルケニルとしてはオレイル、アリール基としてはフェニル、ナフチル、トリメチルフェニル、ジイソプロピルフェニル、トリイソプロピルフェニル、ジ−ｔ−ブチルフェニル、トリ−ｔ−ブチルフェニル、イソオクチルフェニル、イソノニルフェニル、ジイソノニルフェニル、ドデシルフイソペンタデシルフェニルである。

次に、Ｂ１、Ｂ２の２価の連結基について記述する。炭素数１〜１０のアルキレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシエチレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシプロピレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシグリセリン、でありこれらの混合したものでも良い。これらで
好ましい連結基は、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ポリ（重合度１〜２５）オキシエチレン、ポリ（重合度１〜２５）オキシプロピレン、ポリ（重合度１〜１５）オキシグリセリンである。次にＸは、カルボン酸（又は塩）、スルフォン酸（又は塩）、硫酸エステル（又は塩）であるが、特に好ましくはスルフォン酸（又は塩）、硫酸エステル（又は塩）である。塩としては好ましくはＮａ、Ｋ、アンモニウム、トリメチルアミン及びトリエタノールアミンである。

以下に、本発明の好ましい剥離剤の具体例を記載するがこれらに限定されるものではない。
ＲＺ−１ Ｃ_８Ｈ_１７Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＨ）_２
ＲＺ−２ Ｃ_１２Ｈ_２５Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）_２
ＲＺ−３ Ｃ_１２Ｈ_２５ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）_２
ＲＺ−４ Ｃ_１５Ｈ_３１（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_５Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）_２
ＲＺ−５ ｛Ｃ_１２Ｈ_２５Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_５｝_２−Ｐ（＝Ｏ）−ＯＨ
ＲＺ−６ ｛Ｃ_１８Ｈ_３５（ＯＣＨ_２ＣＨ_２）_８Ｏ｝_２−Ｐ（＝Ｏ）−ＯＮＨ_４
ＲＺ−７ （ｔ−Ｃ_４Ｈ_９）_３−Ｃ_６Ｈ_２−ＯＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）_２
ＲＺ−８ （ｉｓｏ−Ｃ_９Ｈ_１９−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_５−Ｐ（＝Ｏ）−（ＯＫ）（ＯＨ）
ＲＺ−９ Ｃ_１２Ｈ_２５ＳＯ_３Ｎａ
ＲＺ−１０ Ｃ_１２Ｈ_２５ＯＳＯ_３Ｎａ
ＲＺ−１１ Ｃ_１７Ｈ_３３ＣＯＯＨ
ＲＺ−１２ Ｃ_１７Ｈ_３３ＣＯＯＨ・Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２ＯＨ）_３
ＲＺ−１３ ｉｓｏ−Ｃ_８Ｈ_１７−Ｃ_６Ｈ_４−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_３−（ＣＨ_２）_２ＳＯ_３Ｎａ
ＲＺ−１４ （ｉｓｏ−Ｃ９Ｈ_１９）_２−Ｃ_６Ｈ_３−Ｏ−（ＣＨ_２ＣＨ_２Ｏ）_３−（ＣＨ_２）_４ＳＯ_３Ｎａ
ＲＺ−１５ トリイソプロピルナフタレンスルフォン酸ナトリウム
ＲＺ−１６ トリ−ｔ−ブチルナフタレンスルフォン酸ナトリウム
ＲＺ−１７ Ｃ_１７Ｈ_３３ＣＯＮ（ＣＨ_３）ＣＨ_２ＣＨ_２ＳＯ_３Ｎａ
ＲＺ−１８ Ｃ_１２Ｈ_２５−Ｃ_４Ｈ_４ＳＯ_３・ＮＨ_４

本発明の一般式（ＨＫ１）又は（ＨＫ２）の少なくとも一種の使用量は、溶液の０．００２質量％〜２質量％であるが、より好ましくは０．００５質量％〜１質量％であり、さらに好ましくは０．０１質量％〜０．５質量％である。その添加方法は、特に限定されないがそのまま液体或いは固体のまま、溶解する前に他の素材と共に添加され溶液としても良いし、予め作製されたセルロースアシレート溶液に後から添加しても良い。

さらに、特開平１０−３１６７０１号公報に記載の、酸解離定数ｐＫａは１．９３〜４．５０が好ましく、より好ましくは２．０〜４．４、さらに好ましくは２．２〜４．３（例えば、２．５〜４．０）、特に好ましくは２．６〜４．３（例えば、２．６〜４．０）程度］の酸またはその塩が剥離剤として好ましい。これらは、無機酸または有機酸のいずれでもよい。酸のｐＫａについては「改訂３版 化学便覧，基礎編II」（（財）日本化学会編，丸善（株）発行）を参照できる。以下に、酸の具体例とともに、括弧内に酸解離指数ｐＫａを示す。前記無機酸としては、例えば、ＨＣ1Ｏ_２（２．３１），ＨＯＣＮ（３．４８），モリブデン酸（Ｈ_２ＭｏＯ_４，３．６２），ＨＮＯ_２（３．１５），リン酸（Ｈ_３ＰＯ，２．１５），トリポリリン酸（Ｈ_５Ｐ_３Ｏ_１０，２．０），バナジン酸（Ｈ_３ＶＯ_４，３．７８）などが例示できる。

有機酸としては、例えば、脂肪族モノカルボン酸としてギ酸（３．５５），オキサロ酢酸（２．２７），シアノ酢酸（２．４７），フェニル酢酸（４．１０），フェノキシ酢酸（２．９９），フルオロ酢酸（２．５９），クロロ酢酸（２．６８），ブロモ酢酸（２．７２），ヨード酢酸（２．９８），メルカプト酢酸（３．４３），ビニル酢酸（４．１２）などの置換基を有する酢酸，クロロプロピオン酸（２．７１−３．９２）などのハロプロピオン酸，４−アミノ酪酸（４．０３），アクリル酸（４．２６）などを挙げることが出来る。また、脂肪族多価カルボン酸としてはマロン酸（２．６５），コハク酸（４．００），グルタル酸（４．１３），アジピン酸（４．２６），ピメリン酸（４．３１），アゼライン酸（４．３９），フマル酸（２．８５）などであり、オキシカルボン酸としてのグリコール酸（３．６３），乳酸（３．６６），リンゴ酸（３．２４），酒石酸（２．８２〜２．９９），クエン酸（２．８７）なども挙げられる。さらにアルデヒド酸又はケトン酸としてのグリオキシル酸（３．１８），ピルビン酸（２．２６），レブリン酸（４．４４）など、芳香族モノカルボン酸であるアニリンスルホン酸（３．７４〜３．２３），安息香酸（４．２０），アミノ安息香酸（２．０２−３．１２），クロロ安息香酸（２．９２〜３．９９），シアノ安息香酸（３．６０〜３．５５），ニトロ安息香酸（２．１７〜３．４５），ヒドロキシ安息香酸（４．０８〜４．５８），アニス酸（４．０９〜４．４８），フルオロ安息香酸（３．２７〜４．１４），クロロ安息香酸，ブロモ安息香酸（２．８５〜４．００），ヨード安息香酸（２．８６−４．００）などの置換基を有する安息香酸，サリチル酸（２．８１），ナフトエ酸（３．７０〜４．１６），ケイ皮酸（３．８８），マンデル酸（３．１９）なども挙げられる。また、芳香族多価カルボン酸であるフタル酸（２．７５），イソフタル酸（３．５０），テレフタル酸（３．５４）など、複素環式モノカルボン酸のニコチン酸（２．０５），２−フランカルボン酸（２．９７）など，複素環式多価カルボン酸２，６−ピリジンジカルボン酸（２．０９）なども挙げられる。

さらに有機酸としては、アミノ酸類もよく例えば、アミノ酸としてのアスパラギン（２．１４），アスパラギン酸（１．９３），アデニン（４．０７），アラニン（２．３０），β−アラニン（３．５３），アルギニン（２．０５），イソロイシン（２．３２），グ
リシン（２．３６），グルタミン（２．１７），グルタミン酸（２．１８），セリン（２．１３），チロシン（２．１７），トリプトファン（２．３５），トレオニン（２．２１），ノルロイシン（２．３０），バリン（２．２６），フェニルアラニン（２．２６），メチオニン（２．１５），リシン（２．０４），ロイシン（２．３５）など、アミノ酸誘導体であるアデノシン（３．５０），アデノシン三リン酸（４．０６），アデノシンリン酸（３．６５〜３．８０），Ｌ−アラニル−Ｌ−アラニン（３．２０），Ｌ−アラニルグリシン（３．１０），β−アラニルグリシン（３．１８），Ｌ−アラニルグリシルグリシン（３．２４），β−アラニルグリシルグリシン（３．１９），Ｌ−アラニルグリシルグリシルグリシン（３．１８），グリシル−Ｌ−アラニン（３．０７），グリシル−β−アラニン（３．９１），グリシルグリシル−Ｌ−アラニン（３．１８），グリシルグリシルグリシン（３．２０），グリシルグリシルグリシルグリシン（３．１８），グリシルグリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．７２），グリシルグリシルグリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．９０），グリシル−ＤＬ−ヒスチジルグリシン（３．２６），グリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．５４），グリシル−Ｌ−ロイシン（３．０９），γ−Ｌ−グルタミル−Ｌ−システイニルグリシン（２．０３），Ｎ−メチルグリシン（サルコシン，２．２０），Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン（２．０８），シトルリン（２．４３），３，４−ジヒドロキシフェニルアラニン（２．３１），Ｌ−ヒスチジルグリシン（２．８４），Ｌ−フェニルアラニルグリシン（３．０２），Ｌ−プロリルグリシン（３．０７），Ｌ−ロイシル−Ｌ−チロシン（３．１５）などが用いられる。

本発明では以上の酸の中でも、脂肪族モノカルボン酸であるギ酸，クロロ酢酸などのハロ酢酸、ハロプロピオン酸，アクリル酸などの飽和又は不飽和Ｃ１〜Ｃ３のモノカルボン酸など、脂肪族多価カルボン酸であるマロン酸，コハク酸，グルタル酸，フマル酸などの飽和又は不飽和Ｃ２〜Ｃ４のジカルボン酸など、更にオキシカルボン酸であるグリコール酸，乳酸，リンゴ酸，酒石酸，クエン酸などのＣ１〜Ｃ６のオキシカルボン酸が好ましい。これらの酸は非水溶性や水溶性のいずれであってもよい。

前述の酸は遊離酸として用いてもよく、部分エステル化物、アルカリ金属塩、マグネシウム塩、アルカリ土類金属塩、重金属として用いてもよい。アルカリ金属としては、リチウム，カリウム，ナトリウムなどが例示できる。またはアルカリ土類金属である、カルシウム，バリウム，ストロンチウムなどが例示できる。重金属としては、亜鉛、スズ、ニッケル、鉄などである

好ましいアルカリ金属には、ナトリウムがある。またマグネシウムも好ましく用いられる。好ましいアルカリ土類金属には、カルシウムがある。これらのアルカリ金属，マグネシウム，アルカリ土類金属はそれぞれ単独で又は二種以上組み合わせて使用でき、アルカリ金属とマグネシウム又はアルカリ土類金属とを併用してもよい。

前記酸およびその金属塩の総含有量は、剥離性，透明性，製膜性などを損なわない範囲
、例えば、セルロースアシレート１ｇ当たり、１×１０^−９〜３×１０^−５モル、好ましくは１×１０^−８〜２×１０^−５モル（例えば、５×１０^−７〜１．５×１０^−５モル）、さらに好ましくは１×１０^−７〜１×１０^−５モル（例えば、５×１０^−６〜８×１０^−６モル）程度の範囲から選択でき、通常、５×１０^−７〜５×１０^−６モル（例えば、６×１０^−７〜３×１０^−６モル）程度である。

なお、セルロースアシレート中の前記酸およびその金属塩の含有量は、次のような方法
により定量できる。

（イオンクロマトグラフィー分析）
微粉末状の乾燥したセルロースアセテート２．０ｇを正確に秤量し、熱水を８０ｍｌ加えて撹拌して密閉して１晩放置した後、さらに撹拌して試料を沈降させる。約１０ｍｌの上澄みを試料液とし、イオンクロマトグラフィー法により、前記酸の含有量を測定する。

なお、これらのアルカリ金属，マグネシウム，アルカリ土類金属は、含有量が少ない場合、セルロースアセテートの酸性基（カルボキシル基やスルホン酸基など）と結合していてもよい。セルロースアセテート１ｇ中のアルカリ金属，マグネシウム及びアルカリ土類金属の総含有量は、セルロースアセテートの耐熱安定性を損なわない有効量以上であって、イオン当量換算で５．５×１０^−６当量以下（例えば、０．０１×１０^−６〜５×１０^−６当量）、好ましくは３．５×１０^−６当量以下（例えば、０．０１×１０^−６〜３×１０^−６当量）、さらに好ましくは２．５×１０^−６当量以下（例えば、０．０１×１０^−６〜２×１０^−６当量）程度である。特に、アルカリ金属，マグネシウム，アルカリ土類金属の総含有量が１×１０^−６当量以下（例えば、０．１×１０^−６〜０．５×１０^−６当量）、特に０．３×１０^−６当量以下（例えば、０．１×１０^−６〜０．３×１０^−６当量）程度のセルロースアセテートを用いると、流延法によりドープを金属支持体に流延し、半乾燥状態のフィルムを金属支持体から剥離するとき、剥離抵抗を大きく低減できる。なお、セルロースアセテート中のアルカリ金属，マグネシウム，アルカリ土類金属の含有量は、原子吸光分析により定量できる。

本発明のセルロースアセテートは、例えばセルロースアセテートと前記酸解離指数の酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩とを混合し、セルロースアセテートを前記酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩で処理することにより調製できる。上記酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩の混合や処理は、任意の工程、例えば、セルロースアセテートの製造工程（例えば、加水分解・熟成工程終了後の耐熱安定剤の添加工程など）やセルロースアセテートの製造後に行うことができる。また、酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩による処理は、粉粒状、フレーク状セルロースアセテートの洗浄や浸漬処理，含浸処理などで行ってもよい。さらに、前記混合や処理は、セルロースアセテートを含むドープに、酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩を添加することによって行ってもよい。なお、前記酸解離指数ｐＫａの酸、又は部分エステル化物、又はその金属塩の混合や処理は、作業性などを損なわない適当な温度、例えば、１０℃〜７０℃（好ましくは１５℃〜５０℃）程度の温度で行うことができ、混合又は処理時間は、適当な範囲、例えは、１分〜１２時間程度の範囲から選択できる。このような特定ｐＫａの酸若しくは部分エステル化物又はその金属塩を用いると、セルロースアセテート及び／又はヘミセルロースアセテートに結合するカルボキシル基のうち少なくとも一部を酸型のカルボキシル基として存在させることができる。

セルロースアシレート溶液は、流延された後に残留溶媒が２０〜１０００質量％溶液質
量を固形質量で割った％で金属支持体から剥ぎ取られることが好ましく、一般には剥離剤がない場合は２０〜１５０質量％でないと剥離が困難であり、乾燥時間がかかるという欠
点があった。これに対して、本発明の剥離剤を含有したセルロースアシレート溶液では、残留溶媒が２０〜５００質量％でも剥離が可能であり、乾燥時間を短縮でき生産性の大幅な向上を可能とするものである。さらに本発明の剥離剤を含有することで、剥離時の剥離荷重を著しく小さくすることが出来、これにより面状が著しく改良された。

このようなセルロースアシレートフィルムは、流延法によるフィルムの製造において、金属支持体からの剥離性が高く、製膜速度、ひいてはセルロースアシレートフィルムの生産性を向上できる。また、セルロースアシレートフィルムは、透明性などの光学的特性に優れ、その透明度は例えば６０〜１００％（好ましくは７０〜１００％，さらに好ましくは７５〜１００％）程度であり、通常７０〜９８％程度であり、ヘイズは０．０１〜８％、好ましくは０．０２〜５％である。さらに、セルロースアセテートの黄色度の指標となるイエローネスインデックス（Ｙｅｌｌｏｗｎｅｓｓ Ｉｎｄｅｘ，ＹＩ）は、例えば、０．０５〜１０、好ましくは０．０８〜７である。

なお、添加剤に関しては特開２００３−１２８８３８号公報には、剥ぎ取り性、面状、膜強度を良化させるために、少なくとも一種類の活性水素と反応する基を2個以上有する架橋剤をセルロースアシレートに対して０．１質量％〜１０質量％含有するセルロースアシレートドープ溶液についての記載がある。

また、特開２００３−１６５８６８号公報には、添加剤を添加し、良好な透湿度を有し、寸法安定性に優れたフィルムを提案している。

（可塑剤）
本発明で好ましい可塑剤は、沸点が２００℃以上で２５℃で液体であるか、または融点が２５〜２５０℃である固体であることが好ましい。更に好ましくは沸点が２５０℃以上で２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である可塑剤が挙げられる。可塑剤が液体の場合は、その精製は通常減圧蒸留によって実施されるが高真空ほど好ましく、例えば１００Ｐａ以下が好ましい。また分子蒸留装置などを用いて精製することも特に好ましい。また可塑剤が固体の場合は、溶媒を用いて再結晶させてろ過，洗浄し乾燥することで実施されることが一般的である。

これらの好ましく添加される可塑剤としては、リン酸エステルまたはカルボン酸エステルが用いられる。リン酸エステルの例には、トリフェニルフォスフェート（ＴＰＰ；なお、トリフェニルホスフェートとも称される）及びトリクレジルホスフェート（ＴＣＰ）、クレジルジフェニルホスフェート、オクチルジフェニルホスフェート、ジフェニルビフェニルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリブチルホスフェートが含まれる。カルボン酸エステルとしては、フタル酸エステル及びクエン酸エステルが代表的である。フタル酸エステルの例には、ジメチルフタレート（ＤＭＰ）、ジエチルフタレート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチルフタレート（ＤＯＰ）、ジフェニルフタレート（ＤＰＰ）及びジエチルヘキシルフタレート（ＤＥＨＰ）が含まれる。

クエン酸エステルの例には、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル（ＯＡＣＴＥ）およびＯ−アセチルクエン酸トリブチル（ＯＡＣＴＢ）、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチルが含まれる。これらの好ましい可塑剤は２５℃においてＴＰＰ（融点約５０℃）以外は液体であり、沸点も２５０℃以上である。

その他のカルボン酸エステルの例には、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバシン酸ジブチル、種々のトリメリット酸エステルが含まれる。グリコール酸エステルの例としては、トリアセチン、トリブチリン、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなどがある。中でもトリフェニルフォスフェート、トリクレジルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、トリブチルホスフェート、ジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジブチルフタレート、ジオクチルフタレート、ジエチルヘキシルフタレート、トリアセチン、エチルフタリルエチルグリコレートが好ましい。特にトリフェニルホスフェート、ジエチルフタレート、エチルフタリルエチルグリコレートが好ましい。これらの可塑剤は１種でもよいし２種以上併用してもよい。可塑剤の添加量はセルロースアシレートに対して３重量％以上２０重量％以下が好ましく、より好ましくは５重量％以上１５重量％以下である。

これらは、特開平５−１９４７８８号、特開昭６０−２５００５３号、特開平４−２２７９４１号、特開平６−１６８６９号、特開平５−２７１４７１号、特開平７−２８６０６８号、特開平５−５０４７号、特開平１１−８０３８１号、特開平７−２０３１７号、特開平８−５７８７９号、特開平１０−１５２５６８号、特開平１０−１２０８２４号の各公報などに記載されている可塑剤もまた好ましい。これらの記載によると可塑剤だけでなくその利用方法あるいはその特性についての好ましい記載が多数あり、本発明においてもこのましく用いられるものである。

その他、本発明においてはその光学的異方性を小さくする可塑剤として、特開平１１−１２４４４５号記載の（ジ）ペンタエリスリトールエステル類、特開平１１−２４６７０４号記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号記載のクエン酸エステル類、特開平１１−９０９４６号記載の置換フェニルリン酸エステル類などが好ましく用いられる。

また、特開２００３−０１２８２２号公報には、クエンサン酸エステル化合物を可塑剤として、２重量％〜２０重量％及び、紫外線吸収剤を含有させることで、ピンホールを低減し、さらに流延膜（塗布膜の場合も含まれる）の皺、筋による反射光ムラをなくし、平均反射率の低い光学フィルムを得られることが記載されている。

さらに、可塑剤として、透湿性と寸法安定性を向上させ、さらに接着剤偏光板貼合の乾燥むらや皺を改良するために、少なくとも基層と表層とを有する多層構造のセルロースエステルフィルムにおいて、少なくとも一方の表層に微粒子を含有し、基層に非リン酸エステル系可塑剤及び紫外線吸収剤を含有するセルロースエステルフィルムが記載されている。

また、透湿性、保留性に優れたセルロースエステルフィルムを得るために、特開２００３−０９６２３６号公報にはセルロース系樹脂に、可塑剤として、特定のエステル化合物を配合したセルロース系樹脂組成物について記載されている。

また、セルローストリアセテートフィルムの透明性を良好にするために、特開２００１−１２２９７８号公報に、ＡＴＲ赤外吸光法で測定した表面の１４９０ｃｍ^−１と１３７０ｃｍ^−１の吸収の比が両面の平均で０．２０以下である発明が記載されている。

以上記載したこれらのセルロースアシレートに関する発明は、本発明においても適用できるものである。

（劣化防止剤及び紫外線防止剤）
セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）や紫外線防止剤を添加してもよい。

なお、劣化防止剤に関しては、特開２００２−２８６９３１号公報に耐久性に優れるＰＤＰ前面フィルタを実現するために、支持体上に少なくとも２層の積層された層を有する光学フィルムについて記載がある。

さらに、特開２００２−３６３４２０号公報に、分光吸収に優れ、ブリードアウトが少なく、また着色無く、透明性に優れたフィルムを作るために、ＵＶモノマーから形成される単位を含むＵＶポリマーとを含有する樹脂組成物について記載している。

また、特開２００３−０５３８８２号公報には、高機能性の薄膜を、生産性高く形成する薄膜形成ために、２０℃で液体の添加剤を１重量％〜３０重量％含有するセルロースエステルフィルムに直接、又は他の層を介して金属化合物層を設けた光学フィルムに関して記載されている。

さらに、特開２００３−１０７２０１号公報にはセルロースエステルフィルムの平面性悪化防止するため、酸素原子と窒素原子のうち少なくともいずれか一方と、金属原子とで構成される金属化合物層が、セルロースエステルフィルムの少なくとも一方の面に、直接又は他の層を介して設けられている光学フィルムについて開示している。

また、特開２００３−１１３３１７号公報には、紫外吸収特性、透明性、耐久性(ブリードアウト故障)及び耐光性に優れた光学フィルムを得るため紫外線吸収剤を含有する光学フィルムが記載されている。

さらに、紫外線吸収剤に関しては、特開２００３−０２６６６８号公報に、融点が低く、低揮発性、樹脂相溶性に優れブリードアウトが起き難いベンゾトリアゾール系の紫外線吸収剤について記載されている。

セルロースアシレートフィルムには、劣化防止剤（例、酸化防止剤、過酸化物分解剤、ラジカル禁止剤、金属不活性化剤、酸捕獲剤、アミン）や紫外線防止剤を添加してもよい。これらの劣化防止剤や紫外線防止剤については、特開昭６０−２３５８５２号、特開平３−１９９２０１号、特開平５−１９０７０７号、特開平５−１９４７８９号、特開平５−２７１４７１号、特開平６−１０７８５４号、特開平６−１１８２３３号、特開平６−１４８４３０号、特開平７−１１０５６号、特開平７−１１０５５号、特開平７−１１０５６号、特開平８−２９６１９号、特開平８−２３９５０９号、特開２０００−２０４１７３号、特開平５−１９７０７３号、特開平５−１９４７８９号、特開平６−１０７８５４号、特開昭６０−２３５８５２号、特開平１２−１９３８２１号、特開平８−２９６１９号、特開平６−１１８２３３号、特開平６−１４８４３０号の各公報に記載がある。

本発明で好ましい劣化防止剤は、沸点が２００℃以上で２５℃で液体であるか、または融点が２５℃〜２５０℃である固体であることが好ましい。更に好ましくは沸点が２５０℃以上で２５℃で液体であるか、融点が２５℃〜２００℃の固体である劣化防止剤が挙げられる。

劣化防止剤が常温で液体の場合は、その精製は通常減圧蒸留によって実施されるが高真空ほど好ましく、例えば１００Ｐａ以下が好ましい。また分子蒸留装置などを用いて精製することも特に好ましい。また可塑剤が固体の場合は、溶媒を用いて再結晶させてろ過，洗浄し乾燥することで実施されることが一般的である。

劣化防止剤は例えば特開平５−１９４７８９号公報に記載のｐＫａが４以上の塩基性化合物などが好ましく挙げられる。例えば、１級、２級、３級のアミンや芳香族系の塩基化合物が好ましい。具体的には、トリブチルアミン、トリヘキシルアミン、トリオクチルアミン、ドデシル−ジブチルアミン、オクタデシル−ジメチルアミン、トリベンジルアミン、ジエチルアミノベンゼンなどを挙げることができるが、詳細は前記公報の一般式（１）及び（２）に記載される化合物Ａ−１〜Ａ−７３、Ｂ−１〜Ｂ−６７を利用できる。また、特開平５−１９７０７３号公報に記載の化合物などが好ましく挙げられる。具体的には、前記公報の一般式（Ａ−Ｉ）、（Ａ−ＩＩ）、（Ａ−ＩＩＩ）、（Ｂ−Ｉ）、（Ｃ−Ｉ）、（Ｃ−ＩＩ）、（Ｃ−ＩＩＩ）、（Ｄ−Ｉ）〜（Ｄ−ＶＩＩ）に分類される化合物（Ａ−１）〜（Ａ−４６）、（Ｂ−Ｉ−１）〜（Ｄ−Ｉ−３２）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−１０）、（Ｄ−Ｉ−１）〜（Ｄ−Ｉ−９６）、（Ｄ−１）〜（Ｄ−１２）、（Ｄ−ＶＩＩ−１）〜（Ｄ−ＶＩＩ−６）、（Ｄ−ＶＩＩＩ−１）〜（Ｄ−ＶＩＩＩ−６７）が利用できる。

さらにまた、特開平６−１０７８５４号公報に記載の化合物などが好ましく挙げられる。具体的には、前記公報の一般式（Ｉ）で表される化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−６９）の塩基性化合物、（Ａ−Ｉ）〜（Ａ−ＩＩＩ）、（Ｂ−Ｉ）、（Ｃ−Ｉ）〜（Ｃ−ＩＩＩ）で表される化合物（Ｄ−１）〜（Ｄ−６９）、化合物（Ａ−１）〜（Ａ−４６）、（Ｂ−Ｉ−１）〜（Ｂ−Ｉ−３２）、（Ｃ−１）〜（Ｃ−１０）も好ましく利用できる。特に好ましい劣化防止剤の例としては、ブチル化ヒドロキシトルエン（ＢＨＴ）を挙げることができる。

本発明の溶液製膜方法により製造されるセルロースアシレートフィルムに好ましく使用される紫外線吸収剤について説明する。前記セルロースアシレートフィルムは、その高い寸法安定性から、偏光板または液晶表示用部材等に使用されるが、偏光板または液晶等の劣化防止の観点から、紫外線吸収剤が好ましく含まれている。紫外線吸収剤としては、波長３７０ｎｍ以下の紫外線の吸収能に優れ、かつ良好な液晶表示性の観点から、波長４００ｎｍ以上の可視光の吸収が少ないものが好ましく用いられる。本発明に好ましく用いられる紫外線吸収剤の具体例としては、例えばオキシベンゾフェノン系化合物、ベンゾトリアゾール系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノアクリレート系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられる。

ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤としての具体例を下記に列記するが、本発明はこれらに限定されない。２−（２′−ヒドロキシ−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′，５′−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２−（２′−ヒドロキシ−３′−（３″，４″，５″，６″−テトラヒドロフタルイミドメチル）−５′−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２，２−メチレンビス（４−（１，１，３，３−テトラメチルブチル）−６−（２Ｈ−ベンゾトリアゾール−２−イル）フェノール）、２−（２′−ヒドロキシ−３′−ｔｅｒｔ−ブチル−５′−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾール、２，４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２′−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン、２−ヒドロキシ−４−メトキシ−５−スルホベンゾフェノン、ビス（２−メトキシ−４−ヒドロキシ−５−ベンゾイルフェニルメタン）、（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、１，６−ヘキサンジオール−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２，２−チオ−ジエチレンビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート、Ｎ，Ｎ'−ヘキサメチレンビス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−ヒドロシンナミド）、１，３，５−トリメチル−２，４，６−トリス（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、トリス−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレイトなどが挙げられる。特に（２，４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（４−ヒドロキシ−３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルアニリノ）−１，３，５−トリアジン、２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、（２（２'−ヒドロキシ−３'，５'−ジ−ｔｅｒｔ−アミルフェニル）−５−クロルベンゾトリアゾール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール、ペンタエリスリチル−テトラキス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕、トリエチレングリコール−ビス〔３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート〕が好ましい。また例えば、Ｎ，Ｎ′−ビス〔３−（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル〕ヒドラジンなどのヒドラジン系の金属不活性剤やトリス（２，４−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）フォスファイトなどの燐系加工安定剤を併用してもよい。これらの化合物の添加量は、ドープ中のポリマー（例えば、セルロースアシレート）に対して０．００１重量％以上５重量％以下となるようにドープ中に前記紫外線吸収剤を添加させることが好ましく、０．０１重量％以上３重量％以下であることが好ましく、最も好ましくは０．１重量％以上２重量％以下である。

また、その他にも旭電化 プラスチック用添加剤概要 「アデカスタブ」のカタログにある光安定剤も使用できる。チバ・スペシャル・ケミカルズのチヌビン製品案内にある光安定剤、紫外線吸収剤も使用できる。SHIPROKASEIKAISYAのカタログにあるＳＥＥＳＯＲＢ、ＳＥＥＮＯＸ、ＳＥＥＴＥＣなども使用できる。城北化学工業の紫外線吸収剤、酸化防止剤も使用できる。共同薬品のＶＩＯＳＯＲＢ、吉富製薬の紫外線吸収剤も使用できる。

また、特開平６−１４８４３０号公報に記載の紫外線吸収剤も好ましく用いることができる。本発明で好ましく用いられる上記記載の紫外線吸収剤は、透明性が高く、偏光板や液晶素子の劣化を防ぐ効果に優れており、特に不要な着色がより少ないベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤が好ましい。紫外線吸収剤の使用量は化合物の種類、使用条件などにより一様ではないが、通常はセルロースアシレートフィルム１ｍ^２当り、０．２ｇ〜５．０ｇが好ましく、０．４ｇ〜１．５ｇがさらに好ましく、０．６ｇ〜１．０ｇが特に好ましい。

なお、紫外領域の分光透過率に関しては、特開２００３−０４３２５９号公報に、色再現性に優れ紫外線照射の耐久性にも優れた光学フィルム及び偏光板及び表示装置を得るために必要な、３９０ｎｍにおける分光透過率が５０％〜９５％であり、かつ３５０ｎｍにおける分光透過率が５％以下である光学フィルムについて記載されている。

以上記載したこれらの発明は本発明においても適用できるものである。

なお、紫外線吸収剤の添加は予めセルロースアシレートの混合溶液を作製するときに添加してもよいが、セルロースアシレートのドープを予め作製し、流延までのいずれかの時点で添加されてもよい。後者の場合、セルロースアシレートを溶剤に溶解させたドープと、紫外線吸収剤と少量のセルロースアシレートとを溶解させた溶液をインライン添加、混合を行う。そのために、例えばスタティックミキサ（東レエンジニアリング製）、ＳＷＪ（東レ静止型管内混合器 Ｈｉ−Ｍｉｘｅｒ）等のインラインミキサー等が好ましく用いられる。後添加する紫外線吸収剤には、同時にマット剤を混合しても良いし、その他の添加剤例えば、レターデーション制御剤、可塑剤、劣化防止剤、剥離促進剤等の添加物を混合しても良い。インラインミキサーを用いる場合、高圧下で濃縮溶解することが好ましく加圧容器の種類は特に限定されるものではなく、所定の圧力に耐えることができ、加圧下で加熱、撹拌ができればよい。加圧容器はそのほか圧力計、温度計などの計器類を適宜配設する。加圧は窒素ガスなどの不活性気体を圧入する方法や、加熱による溶剤の蒸気圧の上昇によって行ってもよい。加熱は外部から行うことが好ましく、例えばジャケットタイプのものは温度コントロールが容易で好ましい。溶剤を添加しての加熱温度は、使用溶剤の沸点以上で、かつ前記溶剤が沸騰しない範囲の温度が好ましく例えば３０℃〜１５０℃の範囲に設定するのが好適である。又、圧力は設定温度で、溶剤が沸騰しないように調整される。溶解後は冷却しながら容器から取り出すか、または容器からポンプ等で抜き出して熱交換器などで冷却し、これを製膜に供する。このときの冷却温度は常温まで冷却してもよいが、沸点より５℃〜１０℃低い温度まで冷却し、その温度のままキャスティングを行うほうが、ドープ粘度を低減できるためより好ましい。

セルロースアシレートフィルムには、融点が３０℃以上である紫外線吸収剤が好ましく、更には５０℃〜２００℃の融点である紫外線吸収剤が用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムは、高い寸法安定性、良好な紫外線カット性能から液晶表示用部材に用いられるのが好ましい。液晶表示用部材とは液晶表示装置に使用される部材のことで、例えば、偏光板、偏光板用保護フィルム、位相差板、反射板、視野角向上フィルム、防眩フィルム、無反射フィルム、帯電防止フィルム等があげられる。上記記載の中でも、寸法安定性に対しても厳しい要求のある偏光板、偏光板用保護フィルムにおいて、本発明のセルロースアシレートフィルムは更に好ましく用いられる。

特に、最近のノートパソコン等の偏光板用保護フィルムとしては、従来よりも薄膜化したセルロースアシレートフィルムが要望されている。薄膜化を行っても、紫外線に対する保護を十分に行う為には、従来よりも紫外線吸収剤の単位重量当りの使用量を多くする必要がある。そのため、上記記載のようなアルカリケン化処理時において、紫外線吸収剤が増量され、且つ、薄膜化された従来の偏光板保護フィルムは、紫外線吸収剤の溶出、析出などがおこりやすくなる。特に、融点が１００℃以上の紫外線吸収剤を含有する本発明のセルロースアシレートフィルムは、紫外線吸収剤が増量され、且つ、薄膜化されても、アルカリケン化処理時の紫外線吸収剤の溶出が極めて少なく、生産工程上のメリットが極めて高い。これらについては、特開２０００−３５１８５９号公報に詳細が開示されているが、従来も一般に用いられてきた技術である。

なお、特開２００２−０３１７１５号公報には、光学フィルムにおいて、３８０ｎｍに於けるモル吸光係数が４０００以上である紫外線吸収性モノマーとエチレン性不飽和モノマーとの共重合体であって、該共重合体の重量平均分子量が２０００〜２００００である紫外線吸収性共重合ポリマーを含有することでブリードアウトがなく透明で、良好な長期耐候性のフィルムを得る発明が記載されており、この発明は本発明にも適応できる。

［その他］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号公報などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号公報に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号公報などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

［化合物添加の比率］
本発明のセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５％〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０％〜４０％であり、さらにのぞましくは１５％〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（いわゆる、フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。

［セルロースアシレート溶液の有機溶媒］
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることがで
き、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号などの各公報に記載されている。これらの公報によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

［ドープ製造方法］
図１にドープ製造ライン１０を示す。始めに溶媒タンク１１からバルブ１２を開き、溶媒を溶解タンク１３に送る。次にホッパ１４に入れられているＴＡＣを溶解タンク１３に計量しながら送り込む。なお、本発明に用いられる原料はＴＡＣに限定されず、前記セルロースエステルを用いることができる。本発明では、ＴＡＣを用いる例を説明する。添加剤タンク１５から添加剤溶液をバルブ１６の開閉操作を行って必要量を溶解タンク１３に送り込む。なお、添加剤は溶液として送り込む方法以外にも、例えば添加剤が常温で液体の場合には、その液体の状態で溶解タンク１３に送り込むことも可能である。また、添加剤が固体の場合には、ホッパを用いて溶解タンク１３に送り込むことも可能である。添加剤を複数種類添加する場合には、添加剤タンク１５中に複数種類の添加剤を溶解させた溶液を入れておくこともできる。または、多数の添加剤タンクを用いてそれぞれに添加剤が溶解している溶液を入れて、それぞれ独立した配管により溶解タンク１３に送り込むこともできる。

前述した説明においては、溶解タンク１３に入れる順番が、溶媒（混合溶媒の場合も含めた意味で用いる）、ＴＡＣ、添加剤であったが、この順番に限定されるものではない。ＴＡＣを計量しながら溶解タンク１３に送り込んだ後に、好ましい量の溶媒を送液することもできる。また、添加剤は必ずしも溶解タンク１３に予め入れる必要はなく、後の工程でＴＡＣと溶媒との混合物（以下、これらの混合物もドープと称する場合がある）に混合させることもできる。

溶解タンク１３を包み込むようにジャケット１７が備えられている。モータ１８により回転する第１攪拌翼１９が取り付けられている。さらに、モータ２０により回転する第２攪拌翼が取り付けられていることが好ましい。なお、第１攪拌翼は、アンカー翼であることが好ましく、第２攪拌翼２１は、ディゾルバータイプのものを用いることが好ましい。ジャケット１７に伝熱媒体を流して溶解タンク１３内を−１０℃〜５５℃の範囲に温度調整することが好ましい。第１攪拌翼１９，第２攪拌翼２１を適宜選択して回転させることでＴＡＣが溶媒中で膨潤した膨潤液２２を得ることができる。

膨潤液２２をポンプ２５により加熱装置２６に送液する。加熱装置２６は、ジャケット付き配管を用いることが好ましく、更に膨潤液２２を加圧できる構成であることが好ましい。膨潤液２２を加熱または加圧加熱条件下でＴＡＣなどを溶媒に溶解させてドープを得る。なお、この場合に膨潤液２２の温度は、０℃〜９７℃であることが好ましい。また、膨潤液２２を−１０℃〜−１００℃の温度に冷却する冷却溶解法を行うこともできる。加熱溶解法及び冷却溶解法を適宜選択して行うことでＴＡＣを溶媒に十分溶解させることが可能となる。温調機２７によりドープの温度を略室温とした後に、濾過装置２８により濾過を行いドープ中の不純物を取り除く。濾過装置２８の濾過フィルタの平均孔径が１００μｍ以下であることが好ましい。また、濾過流量は、５０Ｌ／ｈｒ以上であることが好ましい。濾過後のドープは、バルブ２９を介してストックタンク３０に入れられる。

前記ドープは、後述する溶液製膜用ドープとして用いることが可能である。しかしながら、膨潤液２２を調製した後にＴＡＣを溶解させる方法は、ＴＡＣの濃度を上昇させるほど時間がかかりコストの点で問題が生じる場合がある。その場合には、目的とするＴＡＣ濃度より低濃度のドープを調製した後に目的とする濃度のドープを調製する濃縮工程を行うことが好ましい。濾過装置２８で濾過されたドープを３方バルブ２９によりフラッシュ装置３１に送液する。フラッシュ装置３１内でドープ中の溶媒の一部を蒸発させる。蒸発した溶媒は、凝縮器（図示しない）により液体とした後に回収装置３２で回収する。その溶媒は再生装置３３によりドープ調製用の溶媒として再生を行い再利用することがコストの点から有利である。

濃縮されたドープをフラッシュ装置３１からポンプ３４を用いて抜き出す。さらに、ドープ中の泡抜きを行うことが好ましい。泡抜きは、公知のいずれの方法により行っても良く、例えば超音波照射法が挙げられる。その後に濾過装置３５に送液して異物の除去を行う。なお、この際にドープの温度が０℃〜２００℃であることが好ましい。そして、ストックタンク３０にドープを入れる。

これらの方法により、ＴＡＣ濃度が５質量％〜４０質量％のドープを製造することができる。なお、製造されたドープ（以下、原料ドープと称する）３６は、ストックタンク３０に貯蔵される。

セルロースエステルフィルムを得る溶液製膜法での、素材、原料、添加剤の溶解方法、濾過方法、脱泡、添加方法については、特願２００４−２６４４６４号の［０５１７］段落から［０６１６］段落が詳しい。これらの記載も本発明に適用できる。

［溶液製膜方法］
図２にフィルム製造ライン４０を示す。ストックタンク３０には、モータ４１で回転する攪拌翼４２が取り付けられている。攪拌翼４２を回転させることで原料ドープ３６を攪拌して常に均一にしている。ストックタンク３０には、中間層用ドープ流路４３，支持体面用ドープ流路４４，エアー面用ドープ流路４５が接続されている。原料ドープ３６は、それぞれの流路４３，４４，４５に設けられているポンプ４６，４７，４８により送液される。フィードブロック７０に送液されて合流した後に流延ダイ７１から流延バンド７２上に流延される。なお、流延ダイにはマルチマニホールド型共流延ダイを用いることもできる。

中間層用ドープ流路４３中の原料ドープ３６にスタックタンク５０に入れられている中間層用添加液５１がポンプ５２により送液されて混合される。その後に静止型混合器（スタティックミキサ）５３により攪拌混合されて均一となる。以下、このドープを中間層用ドープと称する。中間層用添加液５１には、例えば紫外線吸収剤，レターデーション制御剤などの添加剤が予め含まれた溶液（または分散液）が入れられている。

支持体面用ドープ流路４４中の原料ドープ３６にストックタンク５５に入れられている支持体面用添加液５６がポンプ５７により送液されて混合される。その後に静止型混合器５８により攪拌混合されて均一となる。以下、このドープを支持体面用ドープと称する。支持体面用添加液５６には、支持体である流延バンドからの剥離を容易とする剥離促進剤（例えば、クエン酸エステルなど）、フィルムをロール状に巻き取った際にフィルム面間での密着を抑制するマット剤（例えば、二酸化ケイ素など）などの添加剤が予め含有されている。なお、支持体面用添加液５６には、可塑剤，紫外線吸収剤などの添加剤が含まれていても良い。

エアー面用ドープ流路４５中の原料ドープ３６にストックタンク６０に入れられているエアー面用添加液６１がポンプ６２により送液されて混合される。その後に静止型混合器６３により攪拌混合されて均一となる。以下、このドープをエアー面用ドープと称する。エアー面用添加液６１には、フィルムをロール状に巻き取った際にフィルム面間での密着を抑制するマット剤（例えば、二酸化ケイ素など）などの添加剤が予め含有されている。なお、エアー面用添加液６１には、剥離促進剤，可塑剤，紫外線吸収剤などの添加剤が含まれていても良い。

中間層用ドープ，支持体面用ドープ，エアー面用ドープは、フィードブロック７０にそれぞれ所望の流量で送液される。フィードブロック７０内で各ドープが合流した後に流延ダイ７１から流延バンド７２上に流延される。

流延ダイ７１の材質は析出硬化型のステンレス鋼を用いることが好ましい。その熱膨張率が２×１０^−５（℃^−１）以下の素材を用いることが好ましい。また、電解質水溶液での強制腐食試験でＳＵＳ３１６と略同等の耐腐食性を有するものを用いることもできる。さらに、その素材はジクロロメタン、メタノール、水の混合液に３ヵ月浸漬しても気液界面にピッティング（孔開き）が生じない耐腐食性を有するものを用いる。さらに、鋳造後１ヶ月以上経過したものを研削加工して流延ダイ７１を作製することが好ましい。これにより流延ダイ７１内を流れるドープの面状が一定に保たれる。流延ダイ７１及びフィードブロック７０の接液面の仕上げ精度は表面粗さで１μｍ以下、真直度はいずれの方向にも１μｍ／ｍ以下のものを用いることが好ましい。スリットのクリアランスは自動調整により０．５ｍｍ〜３．５ｍｍの範囲で調整可能なものを用いる。流延ダイ７１のリップ先端の接液部の角部分について、Ｒはスリット全巾に亘り５０μｍ以下のものを用いる。また、流延ダイ７１内でのドープの剪断速度は１（１／ｓｅｃ）〜５０００（１／ｓｅｃ）となるように調整されているものを用いることが好ましい。

流延ダイ７１の幅は特に限定されるものではないが、最終製品となるフィルムの幅の１．１倍〜２．０倍程度のものを用いることが好ましい。また、製膜中は、所定の温度に保持されるように温調機（例えば、ヒータ，ジャケットなど）を取り付けることが好ましい。また、流延ダイ７１にはコートハンガー型のものを用いることが好ましい。さらに、厚み調整ボルト（ヒートボルト）を所定の間隔で設けてヒートボルトによる自動厚み調整機構を取り付けることがより好ましい。ヒートボルトは予め設定されるプログラムによりポンプ（高精度ギアポンプが好ましい）４６〜４８の送液量に応じてプロファイルを設定し製膜を行うことが好ましい。また、フィルム製造ライン４０中に図示しない厚み計（例えば、赤外線厚み計）のプロファイルに基づく調整プログラムによってフィードバック制御を行っても良い。流延エッジ部を除いて任意の２点の厚み差は１μｍ以内に調整し、幅方向厚みの最小値で最も大きな差が３μｍ以下となるように調整することが好ましい。また、厚み精度は±１．５μｍ以下に調整されているものを用いることが好ましい。

リップ先端に硬化膜が形成されていることがより好ましい。硬化膜の形成方法は、特に限定されるものではないが、セラミックスコーティング、ハードクロムメッキ、窒化処理方法などが挙げられる。硬化膜としてセラミックスを用いる場合には、研削でき気孔率が低く脆くなく耐腐食性が良く、かつ流延ダイ７１と密着性が良く、ドープと密着性がないものが好ましい。具体的には、タングステン・カーバイド（ＷＣ），Ａｌ_２Ｏ_３，ＴｉＮ，Ｃｒ_２Ｏ_３などが挙げられるが特に好ましくはＷＣを用いることである。ＷＣコーティングは、溶射法で行うことができる。

流延ダイ７１のスリット端に流出するドープが、局所的に乾燥固化することを防止するために溶媒供給装置をスリット端に取り付けることが好ましい。溶媒供給装置は、溶媒７５が入れられているタンク７６とポンプ７７とノズル７８とから構成されている（図４参照）。ドープを可溶化する溶媒７５としては、例えば、ジクロロメタン８６．５質量部，アセトン１３質量部，ｎ−ブタノール０．５質量部の混合溶媒が挙げられる。この溶媒７５をポンプ７７により送液してノズル７８からを流延ビード端部とスリットとの気液界面に供給することが好ましい。端部の片側それぞれに０．０２ｍＬ／ｍｉｎ〜１．０ｍＬ／ｍｉｎの範囲で供給することが流延膜中に異物が混合することを防止できるために好ましい。なお、この液を供給するポンプ７７の脈動率は５％以下のものを用いることが好ましい。

流延ダイ７１の下方には、回転ローラ８０，８１に掛け渡された流延バンド７２が設けられている。流延バンド７２は、図示しない駆動装置により回転ローラ８０，８１が回転することに伴い無端で走行する。流延バンド７２の移動速度、すなわち流延速度は、１０ｍ／分〜２００ｍ／分であることが好ましい。また、流延バンド７２の表面温度を所定の値にするために回転ローラ８０，８１に伝熱媒体循環装置８２が取り付けられていることが好ましい。流延バンド７２の表面温度は、−２０℃〜４０℃であることが好ましい。回転ローラ８０，８１内には伝熱媒体流路が形成されており、その中を所定の温度に保持されている伝熱媒体が通過することにより回転ローラ８０，８１の温度を所定の値に保持できる。

流延バンド７２の幅は特に限定されるものではないが、ドープの流延幅の１．１倍〜２．０倍の範囲のものを用いることが好ましい。また、長さは２０ｍ〜２００ｍ、厚みは、０．５ｍｍ〜２．５ｍｍであり、表面粗さは０．０５μｍ以下となるように研磨したものを用いることが好ましい。材質は、ステンレス製であることが好ましく、十分な耐腐食性と強度とを有するようにＳＵＳ３１６製であることがより好ましい。また、流延バンド７２の全体の厚みムラは０．５％以下のものを用いることが好ましい。

回転ローラ８０，８１が駆動する際に流延バンド７２に生じるテンションが１．５×１０^４ｋｇ／ｍとなるように調整することが好ましい。また、流延バンド７２と回転ローラ８０，８１との相対速度差は、０．０１ｍ／ｍｉｎ以下となるように調整する。流延バンド７２の速度変動を０．５％以下とし、流延バンド７２が一回転する際に生じる幅方向の蛇行は１．５ｍｍ以下とすることが好ましい。この蛇行を制御するために流延バンド７２の両端を検出する検出器（図示しない）を設け、その測定値に基づきフィードバック制御を行うことがより好ましい。さらに、流延ダイ７１直下における流延バンド７２表面の回転ローラ８０の回転に伴う上下方向の位置変動が２００μｍ以下となるように調整することが好ましい。

なお、回転ローラ８０，８１を直接支持体として用いることも可能である。この場合には、回転ムラが０．２ｍｍ以下となるように高精度で回転させることが好ましい。また、回転ローラ８０，８１の表面の平均粗さを０．０１μｍ以下とすることが好ましい。そこで、クロムメッキ処理などを行い十分な硬度と耐久性を持たせる。なお、支持体（流延バンド７２や回転ローラ８０，８１）の表面欠陥は最小限に抑制する必要がある。具体的には、３０μｍ以上のピンホールは皆無であり、１０μｍ以上３０μｍ未満のピンホールは
１個／ｍ^２以下であり、１０μｍ未満のピンホールは２個／ｍ^２以下とすることが好ましい。

流延ダイ７１、流延バンド７２などは流延室８５に収められている。流延室８５内の温度を所定の値に保つため温調設備８６が取り付けられている。流延室８５の温度が−１０℃〜５７℃であることが好ましい。また、揮発している有機溶媒を凝縮回収するための凝縮器（コンデンサ）８７が設けられている。凝縮液化した有機溶媒は、回収装置８８により回収され再生させた後に、ドープ調製用溶媒として再利用される。

流延ダイ７１からドープ（エアー面用ドープ，中間層用ドープ，支持体面用ドープ）を流延ビードを形成させながら流延バンド７２上に共流延して流延膜９０を形成する。なお、このときのそれぞれドープの温度は、−１０℃〜５７℃であることが好ましい。また、流延ビードの形成を安定化させるため減圧チャンバ９１が流延ビード背面に取り付けられ、所望の圧力に調整されていることが好ましい。減圧チャンバ９１は配管９２とバッファタンク９３と配管９４と減圧装置９５とから構成されている（図３参照）。ビード背面は、前面との圧力よりも５Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲で減圧することが好ましい。さらに、減圧チャンバ８１の温度を所定の温度に保つため、ジャケット（図示しない）を取り付けることが好ましい。減圧チャンバ８１の温度は特に限定されるものではないが、２５℃〜５５℃の範囲であることが好ましい。また、流延ビードの形状を所望のものにたもつため流延ダイ７１のエッジ部に吸引装置（図示しない）を取り付けることが好ましい。エッジ吸引風量は、１Ｌ／ｍｉｎ〜１００Ｌ／ｍｉｎの範囲であることが好ましい。

流延膜９０は、流延バンド７２の走行とともに移動する。このときに流延膜９０を乾燥させるために乾燥風を送風する送風口１００，１０１，１０２を設けることが好ましい。送風口の取り付け位置は、流延バンド７２の上部上流側１００，下流側１０１，流延バンド７２の下部１０２に設けられている形態を図示しているがこれに限定されるものではない。また、形成直後の流延膜９０への圧力変動を防止するためのラビリンスを設けることが好ましい（図３参照）。ラビリンスについては後に詳細に説明する。

また、流延室８５内の風圧変動を抑制する振動吸収チャンバ１１０が流延室８５に取り付けられていることが好ましい。振動吸収チャンバ１１０については、後に詳細に説明する。

流延膜９０が自己支持性を有するものとなった後に、剥取ローラ１２０で支持しながら流延バンド７２から流延膜９０を剥ぎ取る。以下、この剥ぎ取られた膜を湿潤フィルム１２１と称する。その後に多数のローラ１３０が設けられている渡り部１３１を搬送させた後にテンタ式乾燥機１４０に送り込む。渡り部１３１では、送風機１３２から所望の温度の乾燥風を送風することで湿潤フィルム１２１の乾燥を進行させる。このとき乾燥風の温度が、２０℃〜２５０℃であることが好ましい。なお、渡り部１３１では下流側のローラの回転速度を上流側のローラの回転速度より速くすることにより湿潤フィルム１２１に流延方向に延伸を付与させることも可能である。

テンタ式乾燥機１４０に送られる湿潤フィルム１２１は、その両縁がクリップで把持され搬送されつつ乾燥される。また、テンタ式乾燥機１４０内を異なった温度ゾーンに区画して乾燥条件を調整することが好ましい。テンタ式乾燥機１４０を用いて湿潤フィルム１２１を幅方向に延伸及び緩和させることもできる。延伸及び緩和を行うことで、得られるフィルムの光学特性を所望のものとすることができる。また、渡り部１２１及び／またはテンタ式乾燥機１４０で湿潤フィルム１２１の流延方向と幅方向との少なくとも１方向を０．５％〜３００％延伸することが好ましい。

テンタ式乾燥機１４０で所定の残留溶媒量まで乾燥された湿潤フィルム１２１は、フィルム１４５として送り出される。フィルム１４５の両端を耳切装置１５０によりその両縁が切断される。切断されたフィルムは、図示しないカッターブロワによりクラッシャ１５１に送られる。クラッシャ１５１によりフィルムの縁部は、粉砕されてチップとなる。このチップをドープ調製用に再利用することがコストの点から有利である。なお、このフィルムの両縁を切断する工程は、省略することもできるが、前記流延工程から前記フィルムを巻き取る工程までのいずれかで行うことが好ましい。

次にフィルム１４５は、多数のローラ１６０が備えられている乾燥室１６１に送られる。乾燥室１６１内の温度は、特に限定されるものではないが、６０℃〜１４５℃の範囲であることが好ましい。乾燥室１６１でフィルム１４５は、ローラ１６０に巻き掛けられながら搬送され溶媒は揮発して乾燥される。また、乾燥室１６１には、吸着回収装置１６２が取り付けられている。揮発溶媒は、吸着回収装置１６２により吸着回収される。溶媒成分が除去された大気は乾燥室１６１内に乾燥風として再度送風される。なお、乾燥室１６１は、乾燥温度を変えるために複数の区画に分割されていることがより好ましい。また、耳切装置１５０と乾燥室１６１との間に予備乾燥室（図示しない）を設け、フィルム１４５の予備乾燥を行うことがフィルム温度が急激に上昇することによるフィルムの形状変化を抑制できるためにより好ましい。

フィルム１０１は、冷却室１６５に搬送され、略室温まで冷却される。なお、乾燥室１６１と冷却室１６５との間に調湿室（図示しない）を設けても良い。調湿室でフィルム１４５の所望の湿度及び温度に調整された空気を吹き付ける。これにより、フィルム１４５のカールの発生や巻き取る際の巻き取り不良の発生を抑制できる。

フィルム１４５が搬送されている間の帯電圧が、所定の範囲（例えば、−３ｋＶ〜＋３ｋＶ）となるように強制除電装置（除電バー）１７０を設けている。図では、冷却室１６５の下流側に設けられている例を図示しているがその位置に限定されるものではない。さらに、ナーリング付与ローラ１７１を設けて、フィルム１４５の両縁にエンボス加工でナーリングを付与することが好ましい。なお、ナーリングされた箇所の凹凸が、１μｍ〜２００μｍであることが好ましい。

最後に、フィルム１０１を巻取室１８０内の巻取ローラ１８１で巻き取る。この際に、プレスローラ１８２で所望のテンションを付与しつつ巻き取ることが好ましい。なお、テンションは巻取開始時から終了時まで徐々に変化させることがより好ましい。巻き取られるフィルム１４５は、長手方向（流延方向）に少なくとも１００ｍ以上とすることが好ましい。また、幅方向が６００ｍｍ以上であることが好ましく、１４００ｍｍ以上１８００ｍｍ以下であることがより好ましい。また、１８００ｍｍより大きい場合にも効果がある。フィルム１４５の厚みは、１５μｍ以上１００μｍ以下の薄いフィルムを製造する際にも適用できる。

図３に本発明の溶液製膜方法に用いられる流延室（ケーシング）８５及びその周囲の装置の概略を示す。回転ローラ８０の周囲には遮風板１９０，１９１，１９２が設けられている。遮風板１９０〜１９２には、回転ローラ８０と対向する部分にラビリンス１９３，１９４，１９５がそれぞれ取り付けられている。これら遮風板１９０〜１９２により、流延室８５内は３つの領域Ａ，Ｂ，Ｃに区画されて、それぞれシールされている。

領域Ａは、遮風板１９０，１９１により図において回転ローラ８０の右上半分を覆う区画である。領域Ａには、流延ダイ７１が配置されている。また、この流延ダイ７１の流延ビード背面側には減圧チャンバ９１が取り付けられている。減圧チャンバ９１には配管９２が接続されている。配管９２にはバッファタンク９３が接続され、さらにそのバッファタンク９３は配管９４と接続して、配管９４は減圧装置９５と接続している。本発明において、バッファタンク９３の断面積Ａ１（ｍ^３）と配管９４の断面積Ａ２（ｍ^３）との比（Ａ１／Ａ２；以下、断面積比と称する。）は５以上２００以下であることが好ましい。断面積比が５未満であると、減圧チャンバ９１内の圧力変動をバッファタンク９３で緩和する効果が十分に発現しないおそれがある。また、断面積比が２００を超えると、バッファタンクが９３が大き過ぎるため減圧装置９５での減圧チャンバ９１内の圧力調整が困難となるおそれがある。

本発明に用いられるバッファタンク９３の長さＬ（ｍ）は、１ｍ以上７ｍ以下であることが好ましく、１．５ｍ以上５ｍ以下であることがより好ましく、最も好ましくは２ｍ以上４ｍ以下である。バッファタンク９３が１ｍ未満と減圧チャンバ９１内の圧力変動の抑制が十分に行えないおそれが生じる。また、７ｍより長いと減圧度を所望の範囲に調整することが困難となったり、フィルム製造ライン４０の配置の自由度が減少したりするおそれがある。

流延ダイ７１から流延バンド７２上に流延されるドープは、流延バンド７２上で流延膜９０となる。また、送風口１００，１０１，１０２からは流延膜９０を乾燥させる乾燥風が送風している。流延膜９０の形成直後には遮風板１９０，１９１により乾燥風が当たらないようになっている。また、領域Ａには後述する風圧振動抑制手段の一種である振動吸収チャンバ１１０が取り付けられている。

領域Ｂは遮風板１９０，１９２により流延バンド７２の大部分を覆う空間となっている。この領域Ｂに前記送風口１００〜１０２が設けられており、各送風口１００〜１０２からは流延膜９０を乾燥する乾燥風が送風されている。なお、送風口の数，位置，形状などは図示したものに限定されるものではない。乾燥風の温度，風量又は風速などは特に限定されるものではない。具体的には、４０℃〜１５０℃の乾燥空気を用いる例が挙げられる。流延膜９０は領域Ｂ内を流延バンド７２と共に移動することで乾燥が進行して自己支持性を有するものとなる。

領域Ｃは、遮風板１９１，１９２により回転ローラ８０の下半分を覆う空間である。この領域Ｃには剥取ローラ１２０が設けられている。自己支持性を有する流延膜９０は、剥取ローラ１２０に支持されながら剥ぎ取られてフィルム（以下、湿潤フィルムと称する）１２１となる。

図４に風圧振動抑制手段である振動吸収チャンバ１１０の概略図を示す。振動吸収チャンバ１１０は、弾性を有して軽量な部材（例えば、金属，木製板，紙など）から形成されているフレーム２００と、弾性を有し薄膜で形成されている薄膜袋２０１とから形成されている。なお、薄膜袋２０１の素材は特に限定されないが、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの弾性体であることが好ましい。なお、薄膜袋２０１を構成する薄膜の厚みは特に限定されるものではないが、２０μｍ〜７０μｍであることが好ましい。

振動吸収チャンバ１１０の周囲には、金網などにより形成されている保護枠２０２が設けられていることが薄膜袋２０１の損傷を防止するために好ましい。また、振動吸収チャンバ１１０には図示しない開口が設けられ、流延室８５の開口８５ａを覆うように配置されて、接着剤あるいは粘着テープなどで接合されている。また、薄膜袋２０１はフレーム２００に接着剤あるいは粘着テープなどで取り付けられ保持されている。また各フレーム２００と保護枠との間には第1コイルバネ２０３及び第２コイルバネ２０４がそれぞれ配置され、フレーム２００及び薄膜袋２０１は保護枠２０２に対して所定の位置に保持される。第１コイルバネ２０３は流延室８５内の圧力が高まったときに薄膜袋２０１が張り切り過ぎて弾性を失わないように設けられている。また、第２コイルバネ２０４は、流延室内８５内の圧力が低くなったときにつぶれ過ぎてしないように設けられている。

このように構成されている振動吸収チャンバ１１０は、流延バンド７２の走行に伴う風圧変動により流延室８５内の圧力が高くなると、振動吸収チャンバ１１０の容積が大きくなるように薄膜袋２０１が弾性変形して圧力変動を吸収する。また、流延室８５内の圧力が低くなると、振動吸収チャンバ１１０の容積が小さくなるように薄膜袋２０１が弾性変形して圧力変動を吸収する。こうして、振動吸収チャンバ１１０の容積が変化することで、流延室８５内、特に領域Ａ内の圧力変動を吸収して風圧振動を抑制する。これにより、流延ビードが振動して生じるフィルム１４５の厚みムラが抑制できる。

図４では、振動吸収チャンバ１１０の薄膜袋２０１を略直方体の箱型の形状としているが、本発明はその形状に限定されるものではない。例えば、円柱状や半球状などの形状であっても良い。また、箱型にすることなく、開口８５ａを１枚の薄膜で覆うように設けても良い。また、図４では、薄膜に平面状のものを用いているが、蛇腹状などの形状のものを用いても良い。

本発明において、振動吸収チャンバ１１０の流延室８５への取り付け位置は領域Ａに限定されるものではない。例えば、領域Ｂ，Ｃに設けても良いし、取り付ける台数も特に限定されるものではない。

図５に流延ダイ７１と流延バンド７２との近傍の拡大概略図を示す。ドープは、流延ダイ７１のスリット７１ａを通り、ダイリップ７１ｂから流延される。ドープは、流延ビード９０ａを形成して、流延バンド７２上で流延膜９０となる。また、流延ビード９０ａの背面は減圧チャンバ９１が設けられており、所望の圧力に減圧されている。圧力は特に限定されるものではないが、大気圧−１５００Ｐａ以上大気圧−１０Ｐａ以下の範囲であることが好ましい。

また、ダイリップ７１ｂの側面からドープを構成する溶質（主にポリマーである）を溶解する混合溶媒を供給する。混合溶媒７５は、タンク７６に入れられポンプ７７でノズル７８に送液されて、ノズル７８の先端からダイリップ７１ｂの側面に混合溶媒７５を供給する。これにより、いわゆるカワバリと称される異物が成長することが抑制されて、製造されるフィルム１４５の品質を良好なものとする。

ダイリップ７１ｂと流延バンド７２とのクリアランスＣＬ（ｍｍ）は、０．３ｍｍ以上３．５ｍｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは０．２ｍｍ以上３ｍｍ以下であり、最も好ましくは０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下である。流延バンド７２の走行位置は、回転ローラ８０，８１の回転に伴い、上下に変動する。そのため、クリアランスＣＬ（ｍｍ）が０．３ｍｍ未満であると、ダイリップ７１ｂと流延バンド７２とが接触するおそれが生じる。また、クリアランスＣＬ（ｍｍ）が３．５ｍｍを超えると、流延ビード９０ａの背面を減圧にしても、流延ビードの形状が安定しないおそれがある。

領域Ａにおいて、振動吸収チャンバ１１０を取り付けたり、減圧チャンバ９１の上流側にバッファタンク９３を取り付けたりすることにより、流延ビード９０ａの形状の安定化を図ることが可能となる。これにより、製造されるフィルム１４５の面状の良質化、厚みムラの抑制を図ることができる。例えば、８０μｍのフィルム１４５を製造する際の一具体例を挙げる。振動吸収チャンバ１１０を取り付けた場合、１／６０秒以上１／１０秒以下の間隔における流延ビード９０ａの振れ幅を５００μｍ以下とすることが可能となる。また、バッファタンク９３を取り付けた場合も５００μｍ以下とすることが可能となる。振動吸収チャンバ１１０とバッファタンク９３とを取り付けた場合には、１００μｍ以下とすることが可能となる。この場合には、フィルム１４５の厚みムラを３μｍ以内とすることが可能である。

また、前記条件でフィルム１４５の製造を行うことで、フィルム１４５の長手方向における厚みムラの抑制を可能とする。例えば、８０μｍのフィルム１４５を製造する際の一具体例を挙げる。振動吸収チャンバ１１０を取り付けた場合、１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の所定の長さにおける流延ビード９０ａの振れ幅を８００μｍ以下とすることが可能となる。振動吸収チャンバ１１０とバッファタンク９３とを取り付けた場合には、４００μｍ以下とすることが可能となる。この場合には、フィルム１４５の厚みムラを３μｍ以内とすることが可能である。

前記製造条件でフィルム１４５を製造すると光学特性に優れるものが得られる。例えば、下記式（Ｉ）で定義される正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）と下記式（ＩＩ）で定義される膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）とを制御することが可能となる。
（Ｉ）Ｒｅ_（λ）（ｎｍ）＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
（ＩＩ）Ｒｔｈ_（λ）（ｎｍ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
式中Ｒｅ_（λ）（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における正面レターデーション値であり、Ｒｔｈ_（λ）（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における膜厚方向レターデーション値である。また、ｎｘは前記フィルム面内の遅相軸方向の屈折率であり、ｎｙは前記フィルム面内の進相軸方向の屈折率であり、ｎｚは前記フィルムの膜厚方向の屈折率である。また、ｄ（ｎｍ）は前記フィルムの膜厚である。

本発明の溶液製膜方法で製造されるフィルム１４５の膜厚は４０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは４０μｍ以上９０μｍ以下であり、最も好ましくは４０μｍ以上６０μｍ以下である。このようないわゆる薄手のフィルムに好ましく適用できる。

また、正面レターデーション値Ｒｅと膜厚方向レターデーション値Ｒｔｈとが下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）を満たすことが可能となり、
（ＩＩＩ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦且つ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
（ＩＶ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０且つ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５
前記条件を選択することにより、下記式（Ｖ）及び（ＶＩ）を満たすことが可能となる。
（Ｖ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦５且つ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２０
（ＶＩ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦５且つ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦２５

本発明の溶液製膜方法において、ドープを流延する際に、２種類以上のドープを同時積層共流延又は逐次積層共流延させる。さらに両共流延を組み合わせても良い。同時積層共流延を行う際には、図２に示されているようにフィードブロック７０を取り付けた流延ダイ７１を用いても良いし、マルチマニホールド型流延ダイを用いても良い。共流延により多層からなるフィルムは、空気面側の層の厚さ及び／又は支持体側の層の厚さがそれぞれ全体のフィルム厚さ中で０．５％〜３０％であることが好ましい。さらに、同時積層共流延を行う場合に、ダイスリットから支持体にドープを流延する際に、高粘度ドープを低粘度ドープで包み込まれることが好ましい。また、同時積層共流延を行なう場合に、ダイスリットから支持体にドープを流延する際に内部のドープは、そのドープよりもアルコールの組成比が大きなドープで包み込まれることが好ましい。

本発明において、フィルム（湿潤フィルム８７を含めた意味で用いる）１０１を延伸乾燥する工程は、テンタ１００を用いる箇所に限定されるものではない。例えば、渡り部９０において下流側のローラを上流側のローラより回転速度を速めることで湿潤フィルム８７の流延方向（長手方向）に張力を付与し延伸を行うことができる。このときに、その湿潤フィルム８７の膜面温度をその湿潤フィルム８７のガラス転移温度Ｔｇ（℃）より高くすることで延伸乾燥を行う。これにより、乾燥してフィルム１０１となった後に厚み方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）が３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下となり、面内レターデーションＲｅ（ｎｍ）が０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となる。また、レターデーション比（Ｒｔｈ／Ｒｅ）は４．０以下となる。このフィルム１０１は、セルギャップが狭い液晶表示装置の光学フィルム（例えば、偏光板保護フィルム，光学補償フィルムなど）に好ましく用いられる。

さらに、乾燥室１０５で延伸乾燥を行っても良い。この場合にも下流側のローラ１０４を上流側のローラ１０４より回転速度を速めることでフィルム１０１の流延方向（長手方向）に張力を付与し延伸を行うことができる。このときに、そのフィルム１０１の膜面温度をそのフィルム１０１のガラス転移温度Ｔｇ（℃）より高くすることで延伸乾燥を行う。これにより、フィルム１０１の厚み方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）が３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下となり、面内レターデーションＲｅ（ｎｍ）が０ｎｍ以上２００ｎｍ以下となる。また、レターデーション比（Ｒｔｈ／Ｒｅ）は４．０以下となる。このフィルム１０１は、セルギャップが狭い液晶表示装置の光学フィルム（例えば、偏光板保護フィルム，光学補償フィルムなど）に好ましく用いられる。

図２に示したように３種類のドープを共流延することによりフィルム１０１の目的とする特性を容易に得ることができる。すなわち、フィルム１０１をロールとして巻き取る際に、フィルム面間での密着を防止する必要がある。そのため、ドープ中にマット剤を添加することが好ましいが、通常マット剤は光学特性の悪化（例えば、透明性の悪化など）を招く。そこで、本実施形態のようにフィルムの表裏面となる支持体面用ドープとエアー面用ドープとにマット剤を含有させ、中間層用ドープには含有させないことにより、表面密着性を低下させると共に所望の光学特性を得ることが可能となる。

流延ダイ、減圧チャンバ、支持体などの構造、共流延、剥離法、延伸、各工程の乾燥条件、ハンドリング方法、カール、平面性矯正後の巻取り方法から、溶媒回収方法、フィルム回収方法まで、特願２００４−２６４４６４号の［０６１７］段落から［０８８９］段落に詳しく記述されている。これらの記載も本発明に適用できる。

［性能・測定法］
（カール度・厚み）
巻き取られたセルロースエステルフィルムの性能及びそれらの測定法は、特願２００４−２６４４６４号の［０１１２］段落から［０１３９］段落に記載されている。これらも本発明にも適用できる。

［表面処理］
前記セルロースエステルフィルムの少なくとも一方の面が表面処理されていることが好ましい。前記表面処理が真空グロー放電処理、大気圧プラズマ放電処理、紫外線照射処理、コロナ放電処理、火炎処理、酸処理またはアルカリ処理の少なくとも一種であることが好ましい。

［機能層］
（帯電防止・硬化層・反射防止・易接着・防眩）
前記セルロースエステルフィルムの少なくとも一方の面が下塗りされていても良い。

さらに前記セルロースエステルフィルムをベースフィルムとして、他の機能性層を付与した機能性材料として用いることが好ましい。前記機能性層が帯電防止層、硬化樹脂層、反射防止層、易接着層、防眩層及び光学補償層から選択される少なくとも１層を設けることが好ましい。

前記機能性層が、少なくとも一種の界面活性剤を０．１ｍｇ／ｍ^２〜１０００ｍｇ／ｍ^２含有することが好ましい。また、前記機能性層が、少なくとも一種の滑り剤を０．１ｍｇ／ｍ^２〜１０００ｍｇ／ｍ^２含有することが好ましい。さらに、前記機能性層が、少なくとも一種のマット剤を０．１ｍｇ／ｍ^２〜１０００ｍｇ／ｍ^２含有することが好ましい。さらには、前記機能性層が、少なくとも一種の帯電防止剤を１ｍｇ／ｍ^２〜１０００ｍｇ／ｍ^２含有することが好ましい。セルロースエステルフィルムに、種々様々な機能、特性を実現するための表面処理機能性層の付与方法は、上記以外にも、特願２００４−２６４４６４号の［０８９０］段落から［１０８７］段落に詳細な条件、方法も含めて記載されている。これらも本発明に適用できる。

（用途）
前記セルロースエステルフィルムは、特に偏光板保護フィルムとして有用である。セルロースエステルフィルムを貼り合わせた偏光板を、通常は２枚を液晶層に貼り合わせ液晶表示装置を作製する。但し、この配置はどの位置でも良い。特願２００４−２６４４６４号には、液晶表示装置として、ＴＮ型，ＳＴＮ型，ＶＡ型，ＯＣＢ型，反射型、その他の例が詳しく記載されている。この方法は、本発明にも適用できる。また、同出願には光学的異方性層を付与した、セルロースエステルフィルムや、反射防止、防眩機能を付与したセルロースエステルフィルムについての記載もある。更には適度な光学性能を付与し二軸性セルロースエステルフィルムとして光学補償フィルムとしての用途も記載されている。これは、偏光板保護フィルムと兼用して使用することもできる。これらの記載は、本発明にも適用できる。特願２００４−２６４４６４号の［１０８８］段落から［１２６５］段落に詳細が記載されている。

［高湿度処理後のフィルムの光学性能変化］
［セルロースアシレートフィルム物性評価］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

［高温度処理後のフィルムの光学性能変化］
また、８０℃２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

［フィルム加熱処理後の化合物揮散量］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムにのぞましく用いることができる、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは２５％以下以下であり、２０％以下であることがさらにのぞましい。

なお、フィルムからの揮散量は、８０℃２４０時間処理したフィルムおよび未処理のフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００

［フィルムのガラス転移温度Ｔｇ］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０℃〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００℃〜１６０℃であることがより好ましく、１１０℃〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出する。

［フィルムのヘイズ］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１％〜２．０％であることがのぞましい。よりのぞましくは０．０５％〜１．５％であり、０．１％〜１．０％であることがさらにのぞましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、本発明のセルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って測定する。

［フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの面内のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

［フィルムの平衡含水率］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０％〜４％であることが好ましい。０．１％〜３．５％であることがより好ましく、１％〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、光学補償フィルムの支持体として用いる際にレターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。

含水率の測定法は、セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定する。水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出する。

［フィルムの透湿度］
本発明の光学補償シートに用いるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳ Ｚ ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００ｍ^２・２４ｈ〜２０００ｇ／ｍ^２・２４ｈであることがのぞましい。５００ｍ^２・２４ｈ〜１８００ｇ／ｍ^２・２４ｈであることがより好ましく、６００ｍ^２・２４ｈ〜１６００ｇ／ｍ^２・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ^２・２４ｈを越えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、本発明のセルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償シートや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ^２・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。

セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求める。

透湿度の測定法は、「高分子の物性ＩＩ」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、本発明のセルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ^２）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求める。

［フィルムの寸度変化］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０．５％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは０．３％以下であり、さらにのぞましくは０．１５％以下である。

具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とする。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定する。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定する。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求める。

［フィルムの弾性率］
（弾性率）
本発明のセルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００ｋｇｆ／ｍｍ^２〜５００ｋｇｆ／ｍｍ^２であることが好ましい、より好ましくは２４０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜４７０ｋｇｆ／ｍｍ^２であり、さらに好ましくは２７０ｋｇｆ／ｍｍ^２〜４４０ｋｇｆ／ｍｍ^２である。具体的な測定方法としては、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求める。

［フィルムの光弾性係数］
（光弾性係数）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^−１３ｃｍ^２／ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^−１３ｃｍ^２／ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^−１３ｃｍ^２／ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出する。

［本発明のセルロースアシレートフィルムの評価方法］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの評価に当たって、以下の方法で測定して実施する。

（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
セルロースアシレートフィルム試料（以下、フィルム試料と称する）３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ（λ）は自動複屈折計ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定する。また、Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出する。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
フィルム試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、エリプソメーターＭ−１５０（日本分光（株）製）において波長７８０ｎｍから３８０ｎｍの光をフィルム法線方向に入射させることにより各波長でのＲｅを求め、Ｒｅの波長分散を測定する。また、Ｒｔｈの波長分散については、前記Ｒｅ、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から７８０〜３８０ｎｍの波長の光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長７８０ｎｍ〜３８０ｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力して算出する。

（分子配向軸）
フィルム試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出する。

（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））でフィルム試料の軸ズレ角度を測定する。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求める。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きいほうから４点の平均と小さいほうから４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
フィルム試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定する。

（分光特性）
フィルム試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００ｎｍ〜４５０ｎｍにおける透過率を測定する。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表す。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価する。

［フィルム表面の性状］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく前記フィルムの表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。前記フィルム表面の凹と凸の形状は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することが出来る。

［セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき］
本発明のセルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことがのぞましい。
｜Ｒｅ（ＭＡＸ）−Ｒｅ（ＭＩＮ）｜≦３かつ｜Ｒｔｈ（ＭＡＸ）−Ｒｔｈ（ＭＩＮ）｜≦５［式中、Ｒｅ（ＭＡＸ）、Ｒｔｈ（ＭＡＸ）は任意に切り出した１ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ（ＭＩＮ）、Ｒｔｈ（ＭＩＮ）は最小値である。］

［フィルムの保留性］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、前記セルロースアシレートフィルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０％〜５％であることが好ましい。より好ましくは０％〜３％であり、さらに好ましくは０％〜２％である。

〈保留性の評価方法〉
フィルム試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算する。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

［フィルムの力学特性］
（カール）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。前記セルロースアシレートフィルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、前記セルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フィルムのハンドリングに支障をきたし、フィルムの切断が起きることがある。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。

カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基づく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、更には６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フィルムの残留溶剤量］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１質量％〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１質量％〜１．０質量％である。前記フィルムの残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による製膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由体積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

［フィルムの吸湿膨張係数］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^−５／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^−５／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^−５／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^−５／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時のフィルム試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、前記セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

［表面処理］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、前記セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^−３Ｔｏｒｒ〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［アルカリ鹸化処理によるフィルム表面の接触角］
前記セルロースアシレートフィルムを偏光板の透明保護フィルムとして用いる場合の表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が上げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のフィルム表面の接触角が５５°以下であることがのぞましい。よりのぞましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらにのぞましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、フィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。

（耐光性）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１８以下であり、１５以下であることがさらにのぞましい。色差の測定は、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いる例を挙げることができるがそれに限定されるものではない。測定の仕方は、フィルム試料を２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後にキセノン光照射前のフィルムのカラー測定を行ない初期値（Ｌ０＊、ａ０＊、ｂ０＊）を求める。その後、フィルム試料単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ／ｍ^２、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射する。所定時間の経過後、フィルム試料を恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１＊、ａ１＊、ｂ１＊）を求める。これらから、色差ΔＥ＊ａｂ＝（（Ｌ０＊−Ｌ１＊）^２＋（ａ０＊−ａ１＊）^２＋（ｂ０＊−ｂ１＊）^２）^０．５を求める。

［機能層］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および前記液晶セルと前記偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることがさらに好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。

その際に前述の光学用途に前記セルロースアシレートフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［用途（偏光板）］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムの用途について説明する。前記セルロースアシレートフィルムは、特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号公報、特開平６−１１８２３２号公報に記載されているような易接着加工を施してもよい。

保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。

偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に前記偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。

液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明のセルロースアシレートフィルムを用いている偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、前記偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが特に好ましい。

［用途（光学補償フィルム）］
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムはＲｅおよびＲｔｈが０≦Ｒｅ≦１０ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍと光学的異方性が小さく、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜≦３５と波長分散が小さいため、余計な異方性を生じず、複屈折を持つ光学異方性層を併用すると光学異方性層の光学性能のみを発現することができる。

したがって前記セルロースアシレートフィルムを液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いる場合、併用する光学異方性層のＲｅおよびＲｔｈは、Ｒｅが０ｎｍ〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜が０ｎｍ〜４００ｎｍであることが好ましく、この範囲であればどのような光学異方性層でも良い。前記セルロースアシレートフィルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フィルムとして要求される、どのような光学異方性層も併用することができる。併用される光学異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフィルムから形成しても良い。

前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。

（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ ２６５５（１９９４））に記載の化合物が含まれる。

光学異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４号公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。

（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。

光学異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許４６８３３２７号明細書、同５６２２６４８号明細書、同５７７０１０７号明細書、国際公開９５／２２５８６号パンフレット、同９５／２４４５５号パンフレット、同９７／００６００号パンフレット、同９８／２３５８０号パンフレット、同９８／５２９０５号パンフレット、特開平１−２７２５５１号公報、同６−１６６１６号公報、同７−１１０４６９号公報、同１１−８００８１号公報、および特開２００１−３２８９７３号公報などに記載の化合物が含まれる。

（ポリマーフィルムからなる光学異方性層）
上記した様に、光学異方性層はポリマーフィルムから形成してもよい。ポリマーフィルムは、光学異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセーテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。

ポリマーフィルムの光学異方性は、延伸により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、４０μｍ〜１００μｍであることが最も好ましい。

また、光学異方性層を形成するポリマーフィルムとして、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミドポリエステルイミドおよびポリアリールエーテルケトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のポリマー材料を用い、これを溶媒に溶解した溶液を基材に塗布し、溶媒を乾燥させてフィルム化する方法も好ましく用いることができる。この際、上記ポリマーフィルムと基材とを延伸して光学異方性を発現させて光学異方性層として用いる手法も好ましく用いることができ、本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは上記基材として好ましく用いることができる。また、上記ポリマーフィルムを別の基材の上で作製しておき、ポリマーフィルムを基材から剥離させたのちに前記セルロースアシレートフィルムと貼合し、あわせて光学異方性層として用いることも好ましい。この手法ではポリマーフィルムの厚さを薄くすることができ、５０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ〜２０μｍであることがより好ましい。

（一般的な液晶表示装置の構成）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および前記液晶セルと前記偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。

液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０度〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０ｎｍ乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０ｎｍ乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０ｎｍ乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０ｎｍ乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０ｎｍ乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において前記セルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は色味の改善、視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、液晶セルの上下の前記偏光板の保護膜のうち、液晶セルと偏光板との間に配置された保護膜（セル側の保護膜）に前記セルロースアシレートフィルムを用いた偏光板を少なくとも片側一方に用いることが好ましい。更に好ましくは、偏光板の保護膜と液晶セルの間に光学異方性層を配置し、配置された光学異方性層のレターデーションの値を、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。

（反射型液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号公報、ＷＯ９８／４８３２０号パンフレット、特許第３０２２４７７号に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００／６５３８４号パンフレットに記載がある。

（その他の液晶表示装置）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ９８ Ｄｉｇｅｓｔ １０８９ （１９９８））に記載がある。

（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、前記セルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。

（写真フィルム支持体）
さらに本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロースアシレートフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。前記各公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が本発明でも適用できる。

（透明基板）
本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムは、光学的異方性がゼロに近く、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。

液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れる必要があることから、必要に応じて前記セルロースアシレートフィルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、前記セルロースアシレートフィルムの少なくとも片面にＳｉＯ_２等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設けたりする方法が考えられ、これらを適宜使用できる。

また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、前記セルロースアシレートフィルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２％〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９号公報や特開２０００−２２７６０３号公報などに公開されている。

以下に本発明の実施例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
［実験１］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ａを調製した。

＜セルロースアシレート溶液Ａ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
トリフェニルホスフェート（可塑剤） ７．８質量部
ビフェニルジフェニルホスフェート（可塑剤） ３．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−１〜Ｂ−６を調製した。

<セルロースアセテートフィルム試料００１の作製>
セルロースアシレート溶液Ａを４７７質量部に、添加剤溶液Ｂ−１の４０質量部を添加し、充分に攪拌して、ドープを調製した。ドープを流延口から０℃に冷却したドラム上に流延した。乾量基準で溶媒含有率７０質量％のときにドラムから剥ぎ取り、フィルムの巾方向の両端をピンテンター（特開平４−１００９号の図３に記載のピンテンター）で固定し、溶媒含有率（乾量基準）が３質量％乃至５質量％の状態で、横方向（機械方向に垂直な方向）の延伸率が３％となる間隔を保ちつつ乾燥した。その後、熱処理装置のロール間を搬送することにより、さらに乾燥し、厚み８０μｍのセルロースアセテートフィルム試料００１を作製した。

＜セルロースアセテートフィルム試料００２〜００３、１０１〜１０５の作製＞
セルロースアセテートフィルム００１の作製において添加剤溶液、及び厚みを表２のものに変更した以外はセルロースアセテートフィルム試料００１と同様にしてセルロースアセテートフィルム試料００２〜００３、１０１〜１０５を作製した。これら試料の波長３８０ｎｍおよび波長３５０ｎｍにおける分光透過率を測定したところ、いずれの試料でも波長３８０ｎｍの透過率が４５％以上９５％以下となるが、波長分散調整剤を添加した試料でのみ波長３５０ｎｍにおいて透過率が１０％以下であることがわかった。

［実験２］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｃを調製した。

＜セルロースアシレート溶液Ｃ組成＞
置換度２．８６のセルロースアセテート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表３の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−７〜Ｂ−１９を調製した。セルロースアシレート溶液Ｃの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−７〜Ｂ−１９の４０質量部を添加して厚み８０μｍのセルロースアセテートフィルム試料試料００４〜００７、１０６〜１１４を作製した。これら試料のドープ溶液の透明度はいずれも８５％以上と良好であり、光学的異方性を低下させる化合物、波長分散調整剤ともにセルロースアシレート溶液に十分に相溶していることを確認した。またこれら試料のヘイズはいずれも０．０１％〜２％の範囲にあり各種のフィルム製品にした際にも透明度が十分であることを確認した。さらに、これら試料のガラス転移温度Ｔｇを測定したところ、本発明の光学的異方性低下剤や波長分散調整剤を添加していない比較試料００４を除いてはいずれも８０℃〜１６５℃であることを確認した。

［実験３］
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。

（セルロースアセテート溶液Ｄ組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部

（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSILR972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １０．３質量部

（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記表４に示すものを用いた。

（添加剤溶液組成）
光学的異方性を低下する化合物 ４９．３質量部
波長分散調整剤 ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １２．８質量部

（セルロースアセテートフィルム試料１１５の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｄを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量（乾量基準）５０%でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は４０μｍであった。

（セルロースアセテートフィルム試料００８〜０１１、１１６〜１２８の作製）
添加剤溶液中の光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤の種類及び量を表４の内容に変更した以外は同様にしてセルロースアセテートフィルム試料００８〜０１１、１１６〜１２８を作製した。表４には試料１１５作製の溶液組成も記入した。これら試料の相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）を測定したところ、本発明の光学的異方性低下剤を添加していない比較試料００８、００９および光学的異方性低下剤の代わりに可塑剤ビフェニルジフェニルホスフェート（ＢＤＰ）を添加した比較試料０１０、０１１においてはΔＲｔｈが３０ｎｍ以下にならず光学的異方性の湿度依存性が大きかった。一方、本発明の光学的異方性低下剤を含む試料１１５〜１２８においてはΔＲｔｈが０ｎｍ〜３０ｎｍの範囲にあり、湿度依存性が低下していることを確認した。

またこれら試料の２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率を測定したところ、比較試料００８以外においてはいずれも４％以下であり本発明の光学的異方性低下剤や波長分散調整剤の添加によりセルロースアシレートフィルムが疎水化されていることが確認できた。

さらにこれら試料の６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）を測定したところ、比較試料００８以外においてはいずれも４００ｇ／ｍ^２・２４ｈｒ以上２０００ｇ／ｍ^２・２４ｈｒ以下であり、また比較試料００９、０１０と比較して本発明の光学的異方性低下剤や波長分散調整剤を添加した試料１１５〜１２８はいずれも透湿度が良化していることが確認できた。また、比較試料０１１以外の試料ではいずれもフィルムの白濁はなく、十分に透明なフィルムが作成できたが、比較試料０１１は添加化合物の総量がセルロースアシレートに対して４９％と高く、５〜４５％の範囲を超えており、この場合はフィルムが白濁して化合物が析出し（いわゆる泣き出し）、透明性を持ったセルロースアシレートフィルムとしては評価できなかった。

また、試料１２６と１２７においては、８０℃、９０％ＲＨの条件に４８時間放置した際の質量変化を測定したところ、試料１２６は−０.１２％、試料１２７は−０.０２％であった。波長分散調整剤としてベンゾトリアゾール系化合物であるＵＶ−２１、ＵＶ−２２、ＵＶ−２３を用いたが、分子量が３２０以下であるＵＶ−２３（分子量３１５．５）を含まない試料１２７の方が試料１２６よりも保留性の点で有利であることが確認できた。

［実験４］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｅを調製した。この際、置換度２．４９、２．８６、２．９２の三種のセルロースアシレートを用いた（表５参照）。

＜セルロースアシレート溶液Ｅ組成＞
セルロースアセテート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表５の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−２０〜Ｂ−２５を調製した。セルロースアシレート溶液Ｅの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−２０〜Ｂ−２５の４０質量部を添加して厚み４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料試料１２８〜１３２および比較試料０１２〜０１３を作製した。これら試料について、実験３と同様に相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率、６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）、８０℃９０％ＲＨ、４８時間後の質量変化、６０℃９５％ＲＨ、２４時間後の寸度変化および弾性率を測定したところ、本発明の全置換度２．９２のセルロースアシレートフィルムを用い、さらに光学的異方性低下剤、波長分散調整剤を含む試料１２９〜１３２は置換度２．４９の比較試料０１２と比較していずれも良化していることが確認できた。

［実験５］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアシレート溶液Ｆを調製した。この際、全置換度２．８５（アセチル置換度２．０６＋プロピニル置換度０.７９）および全置換度２．７０（アセチル置換度１．９３
＋プロピニル置換度０.７７）の二種類のセルロースアシレートフィルムを用いた。

＜セルロースアシレート溶液Ｆ組成＞
セルロースアシレート １００質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ３００質量部
メタノール（第２溶媒） ５４質量部
１−ブタノール（第３溶媒） １１質量部

別のミキシングタンクに、下記表６の組成物を投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、添加剤溶液Ｂ−２６〜Ｂ−３１を調製した。セルロースアシレート溶液Ｆの４６５質量部に、添加剤溶液Ｂ−２６〜Ｂ−３１の４０質量部を添加して厚み４０μｍのセルロースアシレートフィルム試料試料１３３〜１３９を作製した。これら試料について、実施例３と同様に相対湿度１０％と相対湿度８０％での膜厚方向のレターデーションの差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率、および６０℃、９５％ＲＨ、２４ｈｒの透湿度（８０μｍ換算）を測定したところ、本発明の全置換度２．８５または全置換度２．７０のセルロースアシレートを用い、さらに光学的異方性低下剤、波長分散調整剤を含む試料１３３〜１３９は実験３の比較試料００８〜０１０と比較していずれも良化していることが確認できた。

［実験６］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
アセチル置換度２．９２のセルロースアシレートを用い、下記表７の組成物を用いる以外は実験３と同様にして厚み８０または４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料１４０〜１４５を作製した（表７参照）。

［実験７］
（セルロースアシレートフィルムの作製）
全置換度２．７０（アセチル置換度１．０＋ブチリル置換度１．７）のセルロースアシレートを用い、下記表８の組成物を用いる以外は実験３と同様にして厚み８０または４０μｍのセルロースアセテートフィルム試料１４６〜１５０を作製した（表８参照）。

実験１〜５で得られた本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１〜１３９および比較試料００１〜０１１の、光学特性の評価結果を表９〜１２に記載する。本発明の光学的異方性を低下する化合物を用いた試料１０１〜１３９は、これらの化合物を用いていない比較試料００１〜００６、００８〜００９および一般的な可塑剤でＬｏｇＰ値が本発明の好ましい範囲外である７．３とビフェニル−ジフェニルフォスフェート（ＢＤＰ）を用いた比較試料００７、０１０に比較して、いずれもＲｅ（６３０）、Ｒｔｈ（６３０）ともに十分な低下が見られ、光学的にほぼ等方性に近づいている。また本発明の波長分散を調整する化合物を併用した試料は、比較試料に対していずれの試料も｜Ｒｅ（４００ｎｍ）−Ｒｅ（７００ｎｍ）｜、｜Ｒｔｈ（４００ｎｍ）−Ｒｔｈ（７００ｎｍ）｜ともに十分な低下が見られ、波長分散がゼロに近づいていることが分かった。

［実験８］
（偏光板の作製）
実験１で得た本発明のセルロースアセテートフィルム試料１０１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフィルムの表面をケン化した。

続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリ鹸化処理したセルロースアシレートフィルム試料１０１を２枚用意して偏光膜を間にして貼り合わせ、両面がセルロースアシレートフィルム１０１によって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアシレートフィルム試料１０１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして本発明の実験１〜７の試料１０２〜１５０および実験２の比較試料００４についても偏光板を作製した。本発明のセルロースアシレートフィルム試料１０１〜１５０、比較試料００４はいずれも延伸したポリビニルアルコールとの貼合性は十分であり、優れた偏光板加工適性を有していた。この偏光板を以下、偏光板１０１〜１５０、偏光板００４という。

（比較例）
実験８において、偏光膜の保護を本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルムを２枚で行う代わりに、市販のポリカーボネートフィルム「パンライトＣ１４００」（帝人化成製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、ポリカーボネートフィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

（比較例）
実験８において、偏光膜の保護を前記セルロースアシレートフィルムを２枚で行う代わりに、厚さ８０μｍのアートン（登録商標）フィルム（ＪＳＲ製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、アートン（登録商標）フィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

（偏光板耐久性）
実験８で作製した本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルム試料１０１〜１５０および比較試料００４を用いた偏光板を６０℃９５％ＲＨの条件で５００時間放置した後の偏光度を評価したところ、試料１０１〜１５０を用いた偏光板の偏光特性は比較試料００４を用いた偏光板に対していずれも優れており、本発明の光学的異方性を低下する化合物または波長分散調整剤の添加（比較試料００４はどちらも無添加）により、セルロースアシレートフィルムを偏光板加工した際の耐久性が向上していることが確認できた。

［実験９］
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価）
実験１〜７で得たセルロースアシレートフィルムおよび実験８で得た偏光板を用いて、液晶表示装置へ実装評価してその光学性能が十分であるか確認した。なお本実験ではＩＰＳ型液晶セル、以下の実施例ではＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いるが、本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板または光学補償フィルムの用途は液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。

実験８で作製した偏光板のうち、偏光板１１５〜１５０および偏光板００８〜０１０（実験３〜７で作製したセルロースアシレートフィルム試料１１５〜１５０および比較試料００８〜０１０で作製した偏光板）に対して、アートン（登録商標）フィルム（ＪＳＲ社製）を一軸延伸した光学補償フィルムを貼合して光学補償機能を持たせた。この際、光学補償フィルムの面内レターデーションの遅相軸を偏光板の透過軸と直交させることで、正面特性を何ら変えることなく視覚特性を向上させることができる。光学補償フィルムの面内レターデーションＲｅは２７０ｎｍ、厚さ方向のレターデーションＲｔｈは０ｎｍでＮｚファクターは０．５のものを用いた。

上記の偏光板１１５と光学補償フィルムの積層体を２組作製し、光学補償フィルムが各々液晶セル側となるように、「偏光板１１５と光学補償フィルムの積層体＋ＩＰＳ型の液晶セル＋偏光板１１５と光学補償フィルムの積層体」の順番に重ね合わせて組み込んだ表示装置を作製した。この際、上下の偏光板の透過軸を直交させ、上側の偏光板の透過軸は液晶セルの分子長軸方向と平行（すなわち光学補償層の遅相軸と液晶セルの分子長軸方向は直交）とした。液晶セルや電極・基板はＩＰＳとして従来から用いられているものがそのまま使用できた。液晶セルの配向は水平配向であり、液晶は正の誘電率異方性を有しており、ＩＰＳ液晶用に開発され市販されているものを用いることができる。液晶セルの物性は、液晶のΔｎ：０．０９９、液晶層のセルギャップ：３．０μｍ、プレチルト角：５度、ラビング方向：基板上下とも７５度とした。

同様にして偏光板１１６〜１２７、１３８〜１３９、１４０〜１５０および偏光板００８〜０１０についても光学補償フィルムを貼合した積層体を２組用意して、ＩＰＳ液晶セルと組み込んだ表示装置を作製した。

以上のようにして作製した液晶表示装置において、装置正面からの方位角方向４５度、極角方向７０度における黒表示時の光漏れ率を測定した結果を表１３、１４に記載した。

この値が小さいほど斜め４５度方向での光漏れが少なく、表示装置のコントラストが良いことを示し、液晶表示装置の視野角特性を評価できる。本発明の溶液製膜方法により得られるセルロースアシレートフィルムからなる偏光板１１５〜１２７、１３８〜１３９、１４０〜１５０を用いた場合は比較試料からなる偏光板００８〜０１０を用いた場合と比較して、光漏れ率が１／５０から１／４といずれも小さくなった。また偏光板１１５〜１２７、１３８〜１３９、１４０〜１５０を用いた場合は偏光板００８〜０１０を用いた場合と比較して、表示装置の色味変化が小さくなった。これは前記セルロースアシレートフィルム試料１１５〜１２７、１３８〜１３９、１４０〜１５０のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散性が優れている（波長依存性が小さい）ために、どの波長においても同様の光学補償性能を持つことを示している。以上のように本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルムにより作製した光学補償フィルムおよび偏光板が、視野角特性に優れ、表示色味を変化しにくいことがわかった。

［実験１０］
（ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価）
実験１〜７で用いた本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

［実験１１］
（光学補償フィルム性能）
実験１〜７で用いた本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フィルム試料を作製した。得られたフィルターフィルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフィルムが、光学的用途として優れたものであることが分かった。

［実験１２］
（光学補償フィルム性能）
本発明の溶液製膜方法で得られたセルロースアシレートフィルム試料を用いて、特開２００３−３１５５４１号公報の実施例１に記載の方法に準じて光学補償フィルム試料を作製した。２，２'−ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）ヘキサフルオロプロパン二無水物（６ＦＤＡ）と、２，２'−ビス（トリフルオロメチル）−４，４'−ジアミノビフェニル（ＴＦＭＢ）から合成された、重量平均分子量（Ｍｗ）７万、△ｎが約０．０４のポリイミドを、溶媒にシクロヘキサノンを用い２５ｗｔ％に調製した溶液を、前記セルロースアシレートフィルム試料１４０（厚さ８０μｍ）に塗布した。その後１００℃で１０分熱処理後、１６０℃で１５％縦一軸延伸することにより厚さ６μｍのポリイミドフィルムが前記セルロースアシレートフィルムに塗布された光学補償フィルムを得た。この光学補償フィルムの光学特性は、Ｒｅ＝７０ｎｍ、Ｒｔｈ＝２２０ｎｍ、配向軸のズレ角度は±０．３度以内で、ｎｘ＞ｎｙ＞ｎｚの複屈折層を持つ光学補償フィルムであった。

（比較例）
上記の実験１２の試料１４０を、実験１にて作製した比較試料００１（厚さ８０μｍ）に塗布した以外は同様の操作により、厚さ６μｍのポリイミドフィルムが比較試料００１のセルロースアシレートフィルムに塗布された光学補償フィルムを得た。この光学補償フィルムの光学特性は、Ｒｅ＝７５ｎｍ、Ｒｔｈ＝２８０ｎｍであった。

（ＶＡ型液晶表示装置への実装評価）
上記実験１２および比較例で得られた光学補償フィルムの、ポリイミドフィルムを塗布していない側をアルカリ鹸化処理しポリビニルアルコール系接着剤で偏光子と接着することにより、直接偏光子と貼り合せた。この際光学補償フィルムのｎｘ方向と偏光板の吸収軸が直交するように貼り合せた。これら光学補償フィルムが液晶セル側となるように粘着剤でＶＡ液晶パネルに張り合わせた。なお、液晶セルの反対側には偏光板の吸収軸同士が直交するように偏光板のみを粘着剤を介してＶＡ液晶パネルに貼り合せた。以上のようにして得られた液晶表示装置の視野角特性を測定したところ、実験１２で得られた本発明の溶液製膜方法によりセルロースアシレートフィルム試料１４０より得られた光学補償フィルムは比較試料００１から得た光学補償フィルムよりも左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、前記セルローストリアシレートフィルムが、ＶＡ用の位相差フィルムとして用いる際にも優れたものであることが判った。

［実験１３］
（湿熱処理後の光学性能評価、化合物の揮散性）
実験１〜６で作製した本発明のセルロースアシレートフィルム試料について、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフィルムのＲｅとＲｔｈの変化量、８０℃２４０時間処理したフィルムのＲｅとＲｔｈの変化量、および８０℃，２４０時間処理したフィルムにおけるＲｔｈを低下させる化合物とΔＲｔｈを低下させる化合物との総揮散量を測定した。結果を表１５に示す。なお比較例としてあらたに、実験３の操作により、ＴＰＰ（トリフェニルホスフェート）を添加した比較試料０１２を作製した。

表１５の結果より、本発明の溶液製膜方法で得られたセルロースアシレートフィルムは、高湿度処理、高温度処理した際にもＲｅ、Ｒｔｈの変化量が小さく、高温度処理しても化合物の揮散量が小さいことが分かった。

［実験１４］
（セルロースアシレートフィルムの耐光性）
実験１、２、６で作製した本発明の溶液製膜方法で得られたセルロースアシレートフィルム試料１０３、１４４および比較試料００７に対して、スーパーキセノン光を２４０時間照射した。照射前のフィルムのカラー測定と照射後のカラー測定から色差ΔＥ＊ａｂを計算した。本発明のフィルムは自然光に対する耐光性の加速試験であり、スーパーキセノン光照射に対する色差が小さいことがわかった。なお、同様の加速試験である、カーボンアーク照射においても同様の結果になることを確認した。

［実験１５］
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価）
＜ＩＰＳモード液晶セル１の作製＞
一枚のガラス基板上に、隣接する電極間の距離が２０μｍとなるように電極を配設し、その上にポリイミド膜を配向膜として設け、ラビング処理を行った。別に用意した一枚のガラス基板の一方の表面にポリイミド膜を設け、ラビング処理を行って配向膜とした。二枚のガラス基板を、配向膜同士を対向させて、基板の間隔（ギャップ；ｄ）を３．９μｍとし、二枚のガラス基板のラビング方向が平行となるようにして重ねて貼り合わせ、次いで屈折率異方性（Δｎ）が０．０７６９及び誘電率異方性（Δε）が正の４．５であるネマチック液晶組成物を封入した。液晶層のｄ・Δｎの値は３００ｎｍであった。

＜偏光板の作製＞
延伸したポリビニルアルコールフィルムにヨウ素を吸着させて偏光膜を製作し、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、本発明の溶液製膜方法により得られたセルロースアシレートフィルム試料１０３を偏光膜の片側に貼り付けた。続いて、市販のセルロースアセテートフィルムにケン化処理を行い、ポリビニルアルコール系接着剤を用いて、この偏光膜の反対側に貼り付け第１偏光板を形成した。

更に第１の偏光板の作成方法において、両面を前記市販のセルロースアセテートフィルムにした以外は同様にして第２偏光板を作製した。

前記方法で作製したＩＰＳモード液晶セルの一方に、第１偏光板の吸収軸が液晶セルのラビング方向と平行になるよう、且つ前記セルロースアシレートフィルム１０３が液晶セル側になるように貼り付けた。続いて、ＩＰＳモード液晶セルのもう一方の側に第２偏光板をクロスニコルの配置で貼り付け、第１偏光板の側にバックライトが配置されるように液晶表示装置を作製した。

［比較例］
実験１５において、ＩＰＳセルの両面の偏光板をどちらも第２偏光板にした以外は同様にしてＩＰＳ液晶表示装置を作製した。

＜作製した液晶表示装置の漏れ光の測定＞
このように作製した液晶表示装置の黒の色味を極角６０度における全方位角方向の変化（Δｕｖ）を測定した。結果を表１７にまとめた。Δｕｖが０．０５以下である実験１５は色味変化が殆ど感じられないが、０．０５以上である比較例は色味変化が明らかにあり、Ｒｅ、Ｒｔｈが小さくかつＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さい本発明の溶液製膜方法により製造されたセルロースアシレートフィルムを用いることにより色味変化が改善されることが分かった。

波長４００ｎｍ〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さく、かつ波長によるＲｅやＲｔｈの変化が小さいセルロースアシレートフィルムを偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体等に用いることによって、波長依存性の小さい、すなわち表示色味の改善された画像表示装置の分野に応用することができる。

本発明に係る溶液製膜方法に用いるドープを製造するドープ製造ラインの概略図である。 本発明に係る溶液製膜方法を実施するためのフィルム製造ラインの概略図である。 図２の流延室の拡大図である。 図３の振動吸収チャンバの概略図である。 図３の要部拡大図である。

符号の説明

３６ 原料ドープ
４０ フィルム製造ライン
８５ 流延室
９０ 流延膜
９０ａ 流延ビード
９１ 減圧チャンバ
９２，９４ 配管
９３ バッファタンク
９５ 減圧装置
１１０ 振動吸収チャンバ
１２１ 湿潤フィルム
１３１ 渡り部
１４０ テンタ式乾燥機
１４５ フィルム
２００ フレーム
２０１ 薄膜袋
Ａ１ バッファタンク断面積
Ａ２ 配管断面積
Ｌ バッファタンク長さ
ＣＬ ダイリップと支持体とのクリアランス

Claims (26)

1. ポリマーと溶媒とを含むドープを流延ビードとして流延ダイから支持体上に流延し、
   前記支持体上に前記流延ビードから流延膜を形成し、
   前記流延膜が自己支持性を有するものとなった後に前記流延膜を前記支持体から湿潤フィルムとして剥ぎ取り、
   前記湿潤フィルムを乾燥してフィルムとする溶液製膜方法において、
   前記流延ダイと前記支持体とが配置されているケーシング内に備えられている風圧振動抑制手段により前記流延ビードの風圧振動を抑制し、
   前記流延ダイの上流側に設けられている減圧チャンバで前記流延ビードの背面を減圧し、
   前記流延ビードの前面又は背面の少なくともいずれか一方をシール部材でシールし、
   下記式（Ｉ）及び（ＩＩ）で定義される正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）と膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）とを制御することを特徴とする溶液製膜方法。
   （Ｉ） Ｒｅ₍λ₎（ｎｍ）＝（ｎｘ−ｎｙ）×ｄ
   （ＩＩ）Ｒｔｈ₍λ₎（ｎｍ）＝（（ｎｘ＋ｎｙ）／２−ｎｚ）×ｄ
   式中Ｒｅ₍λ₎（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における正面レターデーション値であり、Ｒｔｈ₍λ₎（ｎｍ）は、波長λ（ｎｍ）における膜厚方向レターデーション値である。また、ｎｘは前記フィルム面内の遅相軸方向の屈折率であり、ｎｙは前記フィルム面内の進相軸方向の屈折率であり、ｎｚは前記フィルムの膜厚方向の屈折率である。また、ｄ（ｎｍ）は前記フィルムの膜厚である。
2. 前記フィルムの正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）と膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）とを下記式（ＩＩＩ）及び（ＩＶ）に制御することを特徴とする請求項１記載の溶液製膜方法。
   （ＩＩＩ） ０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０且つ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
   （ＩＶ）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０且つ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
3. 前記風圧振動抑制手段が備える弾性薄膜が、前記ケーシング内の風圧振動に応じて弾性変形し、
   前記流延ビードの風圧振動を抑制することを特徴とする請求項１または２記載の溶液製膜方法。
4. 前記流延ダイのダイリップと前記支持体との間隔を０．３ｍｍ以上３．５ｍｍ以下とすることを特徴とする請求項１ないし３いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
5. 前記流延を行う際に、１／６０秒以上１／１０秒以下の間での前記流延ビードの変動を所望の範囲内とすることを特徴とする請求項１ないし４いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
6. 前記フィルムの長手方向における１ｍｍ以上１００ｍｍ以下の所定の長さにおいて、
   前記フィルムの厚み変動を所望の範囲内とすることを特徴とする請求項１ないし５いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
7. 前記減圧チャンバはバッファタンクを介して配管により減圧装置と接続され、
   前記バッファタンクの断面積Ａ１と前記配管の断面積Ａ２との比（Ａ１／Ａ２）が、
   ５以上２００以下であることを特徴とする請求項１ないし６いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
8. 前記バッファタンクの長さＬ（ｍ）が１ｍ以上であることを特徴とする請求項７記載の溶液製膜方法。
9. 前記バッファタンク内にエアーを滞留させ、
   前記ケーシング内の風圧変動を抑制することを特徴とする請求項７または８記載の溶液製膜方法。
10. 前記流延ビードの両縁に前記ポリマーの良溶媒を供給し、
    前記流延ビードの固化を抑制することを特徴とする請求項１ないし９いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
11. 前記流延膜を前記支持体から剥ぎ取る際に生じる剥取抵抗力を軽減する剥離促進剤を前記ドープに含有させることを特徴とする請求項１ないし１０いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
12. 前記フィルムが２層以上の多層構造を有するものであって、
    前記支持体と接触する流延膜を形成するドープ中に前記剥離促進剤を含有させることを特徴とする請求項１１記載の溶液製膜方法。
13. 前記剥離促進剤が、水溶液中の酸解離定数ｐＫａが１．９３以上４．５０未満であり、
    且つ多塩基酸，部分エステル体，アルカリ金属塩，マグネシウム塩又はアルカリ土類金属塩の少なくとも１つであることを特徴とする請求項１１または１２記載の溶液製膜方法。
14. 前記フィルム中の前記ポリマーに対して３重量％以上２０重量％以下となるように、
    前記ドープに可塑剤を含有させることを特徴とする請求項１ないし１３いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
15. 前記フィルム中の前記ポリマーに対して０．００１重量％以上５重量％以下となるように、
    前記ドープに紫外線吸収剤を含有させることを特徴とする請求項１ないし１４いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
16. 前記フィルム中の前記ポリマーに対して０．００１重量％以上５重量％以下となるように、
    前記ドープに微粒子を含有させることを特徴とする請求項１ないし１５いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
17. 前記膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）を低下させる第１レターデーション制御剤を下記式（Ｖ）及び式（ＶＩ）の範囲で少なくとも１種類、前記ドープに含有させることを特徴とする請求項１ないし１６いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
    （Ｖ） （Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
    （ＶＩ）０．０１≦Ａ≦３０
    式中Ｒｔｈ（Ａ）は前記第１レターデーション制御剤をＡ重量％含有させた前記フィルムの膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）であり、Ｒｔｈ（０）は前記第1レターデーション制御剤を含有しない前記フィルムの膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）であり、Ａは前記フィルムを構成する前記ポリマーの重量を１００重量％としたときの前記第1レターデーション制御剤の重量（重量％）である。
18. 前記ポリマーがセルロースアシレートであって、アシル置換度が２．８５以上３．００以下であることを特徴とする請求項１ないし１７いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
19. 前記ポリマーがセルロースにアシル基が置換されたセルロースアシレートであって、
    前記アシル基が、アセチル基，プロピオニル基またはブタノイル基のうち少なくとも２つの基であることを特徴とする請求項１ないし１７いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
20. 前記ポリマーがセルロースアセテートであって、アセチル置換度が２．８５以上２．９５以下であることを特徴とする請求項１ないし１７いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
21. 前記セルロースアセテートの平均重合度が、１８０以上５５０以下であることを特徴とする請求項２０記載の溶液製膜方法。
22. 前記ポリマーの重量を１００重量％としたときに、
    前記フィルムの正面レターデーションＲｅ（ｎｍ）及び膜厚方向レターデーションＲｔｈ（ｎｍ）を低下させる第２レターデーション制御剤を
    ０．０１重量％以上３０重量％以下の範囲で前記フィルムに含有するように前記ドープに前記第２レターデーション制御剤を含有させることを特徴とする請求項１ないし２１いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
23. 前記第２レターデーション制御剤のオクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が、
    ０以上７以下であることを特徴とする請求項２２記載の溶液製膜方法。
24. 前記湿潤フィルムを乾燥する際に、流延方向に前記湿潤フィルムを１０１％以上１３０％以下の範囲で延伸することを特徴とする請求項１ないし２３いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
25. 前記湿潤フィルムを乾燥する際に、流延幅方向に前記湿潤フィルムを１０１％以上１５０％以下の範囲で延伸することを特徴とする請求項１ないし２４いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
26. 前記フィルムの膜厚が、４０μｍ以上１００μｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし２５いずれか１つ記載の溶液製膜方法。
    

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