JP5081378B2 - セルロースアシレートフイルム並びにそれを用いた光学補償フィルム、偏光板及び液晶表示装置。 - Google Patents

Description

本発明は液晶表示装置に有用なセルロースアシレートフイルムおよびその溶液ドープ調製方法に関するものである。また、さらにそれを用いた光学補償フイルム、偏光板などの光学材料および液晶表示装置に関するものである。

従来、セルロースアシレートフイルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フイルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフイルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学材料として優れており、これまで偏光子の保護フイルムや、斜め方向からの見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フイルムの支持体として用いられてきた。

液晶表示装置用の部材のひとつである偏光板には偏光子の少なくとも片側に偏光子の保護フイルムが貼合によって形成されている。一般的な偏光子は延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フイルムをヨウ素または二色性色素で染色することにより得られる。多くの場合、偏光子の保護フイルムとしてはＰＶＡに対して直接貼り合わせることができる、セルロースアシレートフイルム、なかでもトリアセチルセルロースフイルムが用いられている。偏光子の保護フイルムは、光学的等方性に優れることが重要であり、偏光子の保護フイルムの光学特性が偏光板の特性を大きく左右する。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フイルムや光学補償フイルムの支持体などの光学的に透明なフイルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるとは、光学フイルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フイルムの光学特性を評価した際に、フイルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフイルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフイルムは作製が難しかった。そこでセルロースアシレートフイルムの代わりにポリカーボネート系フイルムや熱可塑性シクロオレフィンフイルムを用いて、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フイルムの提案がされている（例えば、特許文献１，２，製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フイルムは、偏光子の保護フイルムとして使用する場合、フイルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフイルム面内全体の光学特性が不均一であることも問題である。したがってＰＶＡへの貼合適正に優れるセルロースアシレートフイルムを、より光学的異方性を低下させて改良することが強く望まれている。具体的には、セルロースアシレートフイルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした光学的に等方性である光学的に透明なフイルムが求められている。

セルロースアシレートフィルムの製造において、一般的に製膜性能を良化するため可塑剤と呼ばれる化合物が添加される。可塑剤の種類としては、リン酸トリフェニル、リン酸ビフェニルジフェニルのようなリン酸トリエステル、フタル酸エステル類などが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。これら可塑剤の中には、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果を有するものが知られており、例えば、特定の脂肪酸エステル類が開示されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、従来知られているこれらの化合物を用いたセルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果は十分とはいえない。またフイルム中に化合物を多量に添加した場合に、フイルムの面状が悪化し、光学的ムラが発生しうるという懸念もあり、化合物に添加によらずに光学的異方性を低下させる方法が求められている。

また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学的に透明なフィルムは、波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。
特開２００１−３１８２３３号公報 特開２００２−３２８２３３号公報 特開２００1−２４７７１７号公報 プラスチック材料講座、第１７巻、日刊工業新聞社、「繊維素系樹脂」、１２１頁（昭和４５年）

本発明の第１の課題は、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さい光学特性を有するセルロースアシレートフイルムを提供することである。また、光学的異方性低下剤の添加量をできるだけ少なくした光学的異方性の小さいセルロースアシレートフイルムを安定して提供することである。
本発明の第２の課題は、光学的異方性が小さく、波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムにより作製した光学補償フイルム、偏光板などの光学材料が視野角特性に優れるものであることを示すこと、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することにある。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、高分子フイルム内での面内および膜厚方向の配向を抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させることが可能なこと、さらに酢化度６１．５〜６２．５の高酢化度セルロースアシレートを組合わせて用いることにより、フイルムの光学的異方性をさらに低下させることができることを見出した。また残留硫酸量（硫黄元素の含有量として）が５０〜１５０ｐｐｍになるようにセルロースアシレートフイルムを製造することによって、バンド表面から流延したフイルムを剥離する際の剥離抵抗を低減させることが可能となり、その結果として、高いフィルム生産性を実現するだけでなく、光学的異方性（特に正面レターデーション：Ｒｅ）がより小さく実質的に光学的等方性であり、耐熱性にも優れたセルロースアシレートフイルムを提供できることを見出した。

本発明の発明者らは、上記に加えてさらに、アルカリ土類金属の含有量が０〜６０ｐｐｍになるようにセルロースアシレートを製造することによって、流延バンド表面からのフイルム剥離抵抗をさらに低減させることができ、フィルムの正面レターデーションを一層低減させ、プレートアウトといわれるセルロースアシレートフィルムの連続製膜中の汚れも低減できることを見出した。

さらに本発明の発明者らは、上記光学的異方性が小さく波長分散が小さいセルロースアシレートフイルムに光学的異方性層を付設させることにより、視野角特性に優れた光学補償フイルムを提供できることを見出した。

本発明は、これらの新たに見出した発見に基づいてなされたもので、具体的には、以下に記載するセルロースアシレートフイルム、光学補償フィルム、偏光板及び液晶表示装置であり、これらにより、本発明の課題が達成された。
〔１〕
下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たし、平均酢化度が６１．５〜６２．５％であり、残留硫酸量（硫黄元素の含有量として）が５０〜１５０ｐｐｍであり、かつアルカリ土類金属の含有量が０〜６０ｐｐｍであることを特徴とするセルロースアシレートフイルム。
（Ｉ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５
［式中、Ｒｅ_（λ_）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_（λ_）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］
〔２〕
鉄の含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする〔１〕に記載のセルロースアシレートフイルム。
〔３〕
綿花リンターを主原料とすることを特徴とする〔１〕又は〔２〕に記載のセルロースアシレートフイルム。
〔４〕
下記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を満たす少なくとも一種以上の化合物を含有することを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．１≦Ａ≦３０
［式中、Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈを低下させる化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ_{（６３０）}、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ_{（６３０）}である。またＡはフィルム原料ポリマーの質量に対するＲｔｈを低下させる化合物の添加量（質量％）である。］
〔５〕
〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム上に、Ｒｅ_{（６３０）}が０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜が０〜４００ｎｍの光学異方性層を設けてなることを特徴とする光学補償フイルム。
〔６〕
光学異方性層がディスコティック液晶層を有することを特徴とする〔５〕に記載の光学補償フイルム。
〔７〕
光学異方性層が棒状液晶層を有することを特徴とする〔５〕または〔６〕に記載の光学補償フイルム。
〔８〕
光学異方性層がポリマーフイルムを有することを特徴とする〔５〕〜〔７〕のいずれかに記載の光学補償フイルム。
〔９〕
〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は〔５〕〜〔７〕のいずれかに記載の光学補償フイルムを少なくとも１枚、偏光子の保護フイルムとしたことを特徴とする偏光板。
〔１０〕
表面にハードコート層、防眩層、反射防止層の少なくとも一層を設けたことを特徴とする〔９〕に記載の偏光板。
〔１１〕
〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は〔５〕〜〔８〕のいずれかに記載の光学補償フイルム及び〔９〕または〔１０〕に記載の偏光板のいずれかを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
〔１２〕
〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は〔５〕〜〔８〕のいずれかに記載の光学補償フイルム及び〔９〕または〔１０〕に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とするＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置。
本発明は、上記〔１〕〜〔１２〕に係る発明であるが、以下、それ以外の事項についても記載している。
（１）下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たし、かつ残留硫酸量（硫黄元素の含有量として）が３０〜１５０ｐｐｍであることを特徴とするセルロースアシレートフイルム。
（Ｉ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５
［式中、Ｒｅ_（λ_）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_（λ_）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］

（２）アルカリ土類金属の含有量が０〜６０ｐｐｍであることを特徴とする１に記載のセルロースアシレートフイルム。
（３）平均酢化度が６１．０〜６２．５％であることを特徴とする１または２に記載のセルロースアシレートフイルム。
（４）綿花リンターを主原料とすることを特徴とする１〜３のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム。
（５）下記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を満たす少なくとも一種以上の化合物を含有することを特徴とする１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
（ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＩＶ）０．１≦Ａ≦３０
[式中、Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈを低下させる化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ₍₆₃₀₎、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ₍₆₃₀₎である。またAはフィルム原料ポリマーの質量に対するRthを低下させる化合物の質量（％）である。]

（６）請求項１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルムに、Ｒｅ₍₆₃₀₎が０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜が０〜４００ｎｍの光学異方性層を設けてなることを特徴とする光学補償フイルム。
（７）光学異方性層がディスコティック液晶層を含有することを特徴とする６に記載の光学補償フイルム。
（８）光学異方性層が棒状液晶層を含有することを特徴とする６または７に記載の光学補償フイルム。
（９）光学異方性層がポリマーフイルムを含有することを特徴とする６〜８のいずれかに記載の光学補償フイルム。

（１０）１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は６〜９のいずれかに記載の光学補償フイルムを少なくとも1枚、偏光子の保護フイルムとしたことを特徴とする偏光板。
（１１）表面にハードコート層、防眩層、反射防止層の少なくとも一層を設けたことを特徴とする１０に記載の偏光板。
（１２）１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は６〜９のいずれかに記載の光学補償フイルム及び１０または１１に記載の偏光板のいずれかを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
（１３）１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は６〜９のいずれかに記載の光学補償フイルム及び１０または１１に記載の偏光板のいずれかを用いたことを特徴とするＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置。

本発明者の研究により、光学異方性が小さいセルロースアシレートフィルムが得られた。さらに総硫酸量５０〜１５０ｐｐｍのセルロースアシレートを用いることでフィルムの支持体からの剥離性が向上し、とくに面内レターデーションが小さく実質的に光学等方的なセルロースアシレートフィルムが生産性よく得られる。さらにセルロースアシレートフイルムの平均酢化度、アルカリ土類金属含有量、Ｒｔｈを低下させる化合物の含有を上記に規定した範囲とした場合には、上記効果は一層顕著に現れる。本発明の光学的に等方的なフイルムを用いることにより視野角特性に優れる光学補償フイルム、偏光板などの光学材料、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供することが可能になった。

以下、本発明の具体的態様について詳細に説明する。以下の本発明の記述において、セルロースアシレート中またはセルロースアシレートフィルム中の含有成分量、例えば残留硫酸量、微量金属成分量など、は当業界の慣例に従ってセルロースアシレートまたはセルロースアシレートフィルムに対する質量基準の「ｐｐｍ」によって記述するが、これはセルロースアシレートまたはセルロースアシレートフィルムに対する「ｍｇ／ｋｇ」と同じである。

「残留硫酸量」
本発明における残留硫酸量とは、セルロースアシレートまたはセルロースアシレートフィルム中の残留硫酸量を硫黄元素の含有量として算出した数値を指すものとする。本発明における「残留硫酸量」とは、セルロースに結合した硫酸（硫酸エステル、スルホン酸基として結合した硫酸成分）、遊離の硫酸、硫酸塩などに対応する硫酸を総称し、「総硫酸」という場合がある。また本発明においては反応系中に硫酸成分（硫酸エステル、スルホン酸基）を有する添加剤を剥離剤として使用することが可能であり、その場合にも該剥離剤由来の硫酸は残留硫酸に含まれる。一方で上記硫酸成分を有しない含硫黄添加剤については残留硫酸量に含まれないものとする。残留硫酸量は、セルロースアシレート、及びセルロースアシレートフィルム試料を用いてＩＣＰ発光分光分析法（ＩＣＰ−ＯＥＳ）により精度良く簡便に算出することができる。セルロースアシレート中の残留硫酸量は、メチレンクロライド等の良溶媒でセルロースアシレートを溶解させたのち、ＩＣＰ−ＯＥＳで測定し硫黄元素含有量として算出することができる。また、セルロースアシレートフィルム試料の残留硫酸量についても、同様の手法により硫黄元素含有量として算出することができる。ただしフィルム試料が硫酸成分（硫酸エステル基、スルホン酸基を意味する）を有さない含硫黄添加剤を含有する場合には、まずフィルム中の硫黄含有量Ａを測定する。次にＴＨＦ(テトラヒドロフラン)等の良溶媒を用いて該添加剤をフィルム中から抽出し、液体クロマトグラフィーを用いて精製し、含硫黄添加剤の添加量を求める。該添加剤の構造式から含硫黄添加剤由来の硫黄量Ｂを算出し、フィルムの硫黄含有量Ａから硫黄含有量Ｂを引いた値からセルロースアシレートフィルムの残留硫酸量（硫黄元素含有量として）を算出する。これにより、（例えば、光学的異方性低下剤として）硫酸構造を有しない添加剤を用いた場合には、該添加剤由来の硫黄元素含有量は残留硫酸量には含まないものとする。

セルロースアシレート中の総硫酸量が低下すると、セルロースアシレート溶液を初期乾燥したウェブを金属バンド上から剥離する際の剥離抵抗が上昇する。その結果、溶剤を多く含んだセルロースアシレートからなるウェブが剥離時に長手方向に伸張、配向し、面内レターデーションが増加するという問題が発生する。特に残留硫酸量が２５ｐｐｍ以下となると流延フィルムを金属バンドから剥離する際の剥離抵抗が顕著に高くなり、正面レターデーションが大きく悪化した。本発明は、フィルム中の残留硫酸量を多くすることでこの問題を回避したことが特徴であり、残留硫酸量の範囲は５０〜１５０ｐｐｍである。残留硫酸量が１５０ｐｐｍより高くなると後述する耐熱性が悪化し、加熱条件下においてフイルムが黄変する懸念が発生するため、好ましくない。
本発明においては、光学異方性を小さくするために、高酢化度のセルロースアシレートを用いることが好適態様であるが、高酢化度のセルロースアシレートはその残留硫酸量が少なくなりがちな傾向があり、それを用いてフィルムを製膜する際に剥離抵抗が大きくなり問題となることがわかった。したがって高酢化度セルロースアシレートを用いる際に、本発明を利用すると、面内レターデーションを小さくしつつ剥離抵抗を下げることができ非常に有効である。

一方で、剥離抵抗が大きいと生産性が上げられない問題に対して、剥離抵抗を下げる目的で剥離促進剤を用いることができるが、該促進剤添加量を増やした場合にウェブを流延するダイの内部や、乾燥ダクト内部に凝集物を発生し汚染する懸念がある。これについては、本発明のセルロースアシレートフイルムはフィルム中の残留硫酸量が多くすることで、該剥離剤をできるだけ使用せずに簡便に剥離抵抗を下げられることが特徴である。ただしセルロースアシレート中の残留硫酸量が少ない場合には、硫酸、硫酸イオンを含有する剥離剤を添加し、残留硫酸量の範囲を５０〜１５０ｐｐｍとする方法によっても本発明を達成することができる。

なお、本明細書に用いられる「ｐｐｍ」は、前記したように当業界で慣用的に用いられていて、セルロースアシレートフイルムに対する質量基準の値であり、「ｍｇ／ｋｇ」と同価である。

「アルカリ土類金属の含有量」
セルロースアシレートは、通常、アルカリ金属（カリウム、ナトリウムなど）やアルカリ土類金属（カルシウム、マグネシウム、ストロンチウム、バリウムなど）などの金属成分を含んでいる。一般にこれらの金属成分は金属バンド面との親和性が高く、ウェブを金属バンド面から剥離する際に剥離抵抗を悪化させる原因となる。一方で、硫酸成分が多いセルロースアシレートはセルロースアシレートの加水分解反応を促進し、耐熱性、耐湿熱安定性（イエローステイン）等を悪化させる。セルロースアシレートに含まれる該金属成分量は、セルロースアシレートの硫酸成分を中和して錯体を形成し、加水分解反応を起こしにくくすることで耐熱性を向上させる効果がある。したがって、本発明におけるセルロースアシレートは剥離抵抗を悪化させない最少量の硫酸成分を含有し、かつ金属成分（特にアルカリ土類金属）の含有量が少なくすることで、剥離抵抗と耐熱性に優れた特長を有する。本発明においては、金属成分の中でもアルカリ金属にくらべてアルカリ土類金属成分量が多いことに注目し、特にアルカリ土類金属残存量を調整することを目的とする。ここでアルカリ土類金属原子の含有量は、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）を用いて測定することができる。本発明において、セルロースアシレート中のアルカリ土類金属は、酢化度とは特に相関は見られなかった。アルカリ土類金属（特にＣａ）の量が少ないほど剥離抵抗が小さくなり、正面レターデーションＲｅをさらに低減することができる。本発明においてはアルカリ土類金属の好ましい範囲は０〜６０ｐｐｍである、より好ましくは０〜４０ｐｐｍ、さらに好ましくは１〜２０ｐｐｍである。７０ｐｐｍを超えると剥離抵抗が悪化し、正面レターデーションＲｅが高くなるので好ましくない。なお、本発明のアルカリ土類金属の含有量はセルロースアシレートフイルム試料を用いて算出する。主に原料であるセルロースアシレート中のアルカリ土類金属の含有量を調整することで、該フィルム中のアルカリ土類金属の含有量を調整することができる。

本発明のセルロースエステルは微量金属成分によっても影響を受ける。これらは製造工程で使われる水に関係していると考えられるが、不溶性の核となり得るような成分は少ない方が好ましく、鉄、カルシウム、マグネシウム等有機の酸性基を含んでいる可能性のあるポリマー分解物等と塩形成する事により不要物を形成する様な金属イオンの量は少ないことが好ましい。但し実際には各成分間の相互作用やその他の因子も幾分か関係するので単純に少なければいいというようにはなっていないが、多すぎる値では問題を生ずる。

鉄（Ｆｅ）成分については、１ｐｐｍ以下であることが好ましい。これは綿花リンター、木材パルプいずれの原料を用いたものでも同じように、少ないことが好ましい。
なお、本明細書に用いられる「ｐｐｍ」は、前記したように当業界で慣用的に用いられていて、セルロースアシレートフイルムに対する質量基準の値であり、「ｍｇ／ｋｇ」と同価である。

カルシウム（Ｃａ）成分については、地下水や河川の水等に多く含まれ、これが多いと硬水となり、飲料水としても不適当であるが、カルボン酸や、スルホン酸等の酸性成分と又、多くの配位子と配位化合物すなわち、錯体を形成しやすく、多くの不要なカルシウムに由来するスカム（不溶性の澱、濁り）を形成する。

カルシウム（Ｃａ）成分は実用上は少ないほど好ましいが、綿花リンターを用いた場合と木材パルプを用いた場合で最適値は異なる。 なお、本明細書に用いられる「ｐｐｍ」は、前記したように当業界で慣用的に用いられていて、セルロースアシレートフイルムに対する質量基準の値であり、「ｍｇ／ｋｇ」と同価である。

マグネシウム（Ｍｇ）成分については、やはりカルシウムと同様に地下水中に多く含まれているものであり、やはり不要物の原因となるものである。これらのマグネシウム成分
は、やはり多すぎると不溶分を生ずるので、多すぎることは好ましくない。但し、余りに少なすぎても、特性的にはよくない。

（セルロースアシレートフィルムの耐久性）
本発明における耐久性は、液晶表示装置に本発明のフィルムが使用された場合に、いわゆるカーベキューと言われる自家用車内等の高温条件下でフィルムが変色・改質する現象に相当する。したがって、耐久性が悪いフィルムほど高温条件下でフィルムが変色しやすいことを意味し、具体的には以下の方法で測定される。すなわちセルロースエステル試料片４０ｍｍ角１枚を、１４０℃乾燥セル庫内に４０時間静置する。耐熱試験後の試料片を白色透過光にて目視観察して、以下の評価を行った。
○ ： ５枚重ねたフィルムを透過で着色を見て、着色が認められない場合
△ ： 上記５枚重ね条件で 、僅かに着色が見られるが１枚では全く着色が認められない場合
× ： ５枚で著しく着色が見られ、１枚でも着色が認められる場合

[レターデーション、Ｒｅ、Ｒｔｈ]
本明細書において、Ｒｅ、Ｒｔｈは各々、波長λにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを表す。ＲｅはKOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈは前記Ｒｅ、面内の遅相軸（KOBRA 21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値を基にKOBRA 21ADHが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（JOHN WILEY＆SONS，INC）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：
セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA 21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。

本発明のセルロースアシレートフイルムの光学的異方性、特に面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを、下記式（I）または（II）をみたす範囲であることが好ましい。
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０
（II）｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
上記式（I）、（II）は
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５
（II）｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦１０
であることがより好ましく、
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦３
（II）｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦５
であることが特に好ましい。

（レターデーションの波長分散｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜、及び｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜）
本発明においてレターデーションの波長分散とは、上記方法により算出した波長４００ｎｍ、及び７００ｎｍにおけるＲｅ、及びＲｔｈのそれぞれの差の絶対値により求めた。
レターデーション波長分散が小さいフィルムほど、斜め方向から見たときのディスプレイの色味変化が小さく、視認性に優れた表示装置を作製することができる。

本発明のセルロースアシレートフイルムの光学的異方性、特に波長４００ｎｍ、及び７００ｎｍにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを、が下記式（I）または（II）をみたす範囲であることが好ましい。
（Ｉ）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０
（II）｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
上記式（I）、（II）は
（Ｉ）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦７
（II）｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦２５
であることがより好ましく、
（Ｉ）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦５
（II）｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦１５
であることが特に好ましい。

[セルロースアシレート原料綿]
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に見られる。
本発明においては、剥離性を低下させるヘミセルロース（キシラン，グルコマンナンなど）含有量が少ない綿花リンター綿由来のセルロースアシレートを用いることが好ましい。

[セルロースアシレート置換度、平均酢化度]
次に上述のセルロースを原料に製造される本発明のセルロースアシレートについて記載する。本発明のセルロースアシレートはセルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換度はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度、置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度、平均酢化度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

上述のように本発明のセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への平均酢化度が６１．５〜６２．５であり、６２．０〜６２．５であることがよりのぞましい。セルロースアシレートの平均酢化度が６１．５〜６２．５とこれまでよりさらに酢化度の高い綿を用いることで、光学的異方性ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにすることができ、フイルム面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物の添加量を従来よりも低減できるようになる。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族アシル基でもアリルアシル基でもよく特に限定されず、セルロースユニットへの置換形態では、単一アシル基でも２種類以上のアシル基の混合エステルでもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、iso−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルの各基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどの各基が好ましく、アセチル基、プロピオニル基、ブタノイル基がより好ましい。

上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフイルムの光学異方性が低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。

[セルロースアシレートの残留硫酸量]
本発明のセルロースアシレートフィルムは残留硫酸量を５０〜１５０ｐｐｍ含むことを特徴とし、その結果として残留溶媒が多いウェブについて、剥離剤を用いずに製膜時の支持体からの剥離抵抗を低減でき、生産性を大幅に向上させる効果を奏する。セルロースアシレートフィルム中の残留硫酸量を規定範囲内に調節する方法のひとつとして、原料として使用するセルロースアシレート中の残留硫酸量を調節する方法が挙げられる。
したがって、原料綿として残留硫酸量が通常よりも多いセルロースアシレートを用いることで、本発明を達成することが出来、その際のセルロースアシレートの残留硫酸量としては３０〜１６０ｐｐｍの範囲にあることが好ましい。より好ましくは３０〜１３０ｐｐｍであり、特に好ましくは３５〜１００ｐｐｍである。

ただし、セルロースアシレートフィルム中の残留硫酸量を規定範囲内に調節する別の方法として、原料綿として残留硫酸量が少ないセルロースアシレートを用いた場合においても、硫酸構造を有する含硫黄添加剤を添加することで同様に剥離抵抗を下げることが可能である。この場合にもフィルム中残留硫酸量（硫黄元素の含有量として）が３０〜１５０ｐｐｍの範囲にあることが好ましい。

[セルロースアシレートのアルカリ土類金属含有量]
本発明のセルロースアシレートフィルムはアルカリ土類金属含有量が０〜６０ｐｐｍであることが好適態様である。セルロースアシレートフィルム中のアルカリ土類金属含有量を規定範囲内に調節する方法のひとつとして、原料として使用するセルロースアシレート中のアルカリ土類金属含有量を調節する方法が挙げられる。
本発明において、セルロースアシレート中のアルカリ土類金属含有量としては、０〜６５ｐｐｍであることが好ましく、０〜４５ｐｐｍであることがより好ましく、０〜２２ｐｐｍであることがさらに好ましい。

[セルロースアシレートの重合度]
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアシレートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフイルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフイルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜４．０であることが好ましく、２．０〜３．５であることがさらに好ましく、２．３〜３．３であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２０質量部に調整することが好ましい。また、より好ましくは０．５〜１７．５質量部で、さらに好ましくは０．５〜１５質量部である。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。

本発明のセルロースアシレートの製造においては、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

本発明に用いるセルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

[セルロースアシレートへの添加剤]
本発明では、セルロースアシレート溶液に、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤、剥離剤など）を加えることができる。これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。

[セルロースアシレートフイルムの光学的異方性を調整する化合物の構造的特徴]
まずセルロースアシレートフイルムの光学的異方性を調整する化合物について説明する。光学異方性を調整する化合物とは、レターデーションの絶対値を増加させる化合物と低下させる化合物を総称するものである。本発明の発明者らは、フイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くすることができた。以後、本発明においては光学異方性を低下させる化合物（光学異方性低下剤ということもある）について、特に言及することととする。光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。
本発明のセルロースアシレートフイルムの光学的異方性、特にフィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（I）、（II）をみたす範囲内で少なくとも一種含有することがのぞましい。

（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（II）０．１≦Ａ≦３０
上記式（I）、（II）は
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（II）０．５≦Ａ≦２５
であることがより好ましく、
（Ｉ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−３．０
（II）１．０≦Ａ≦２０
であることが特に好ましい。

（LogP値）
本発明のセルロースアシレートフイルムを作製するにあたっては、上述のようにフイルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール／水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フイルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアシレートフイルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１ないし６であり、特に好ましい範囲は１．５ないし５である。
オクタノール／水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。
また、オクタノール／水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。

[光学的異方性を低下させる化合物]
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造やポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフイルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフイルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
一般式（１）の化合物について説明する。

一般式（１）において、Ｒ¹¹−¹³はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ¹¹−¹³は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ¹¹−¹³について詳しく説明する。Ｒ¹¹−¹³は好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどの各基が挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどの各基が挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などが挙げられる。

Ｒ¹¹−¹³で表される脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。

これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ¹¹−¹³は置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。
一般式（２）および（３）の化合物について説明する。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、−ＮＲ²⁵−を表し、Ｒ²⁵は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどの各環を挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ²⁵は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ²⁵で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどの各基を挙げることができる。Ｒ²⁵で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ¹¹−¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ²¹−²²はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどの各基が例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどの各基が例示できる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどの各基が例示できる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどの各基が例示できる。Ｙ²¹−²²は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ²¹−²²はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹−¹³に置換していても良い基を挙げることができる。
一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ³¹−⁷⁰はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどの各基が挙げられる。

アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどの各基が挙げられる。

アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどの各基が挙げられる。

カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどの各基が挙げられる。Ｙ³¹−⁷⁰はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹−¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ³¹−⁴³はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどの各基が挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル基、プロパルギル基などを挙げることができる。Ｖ³¹−⁴³はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ¹¹−¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ³¹−⁸⁰はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ³¹−⁸⁰の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ³¹−⁷⁷の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどの各基を挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）−、−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂ＯＣＯ（ＣＨ₂）₂−などを挙げることができる。Ｌ³¹−⁸⁰は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ¹¹−¹³に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ³¹−⁷⁰、Ｖ³¹−⁴³およびＬ³¹−⁸⁰の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、

グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、

特開平１１−２４６７０４公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に本発明の一般式（１）ないし（１２）で表される化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、一般式（１）については化４〜７に化合物（C-1〜C-76）を例示し、一般式（２）〜（１２）については化８〜１２に化合物（C-201〜C-２３１、C-401〜C-448）を例示した。表記載あるいは括弧内に記載のｌｏｇＰの値は、Crippen's fragmentation法（ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。

一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。

上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。また、一般式（１４）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であり、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。

また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシルなどの各基）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニルなどの各基）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミルの各基）であることが好ましく、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピルの各基）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン基、エチレン基、プロピレン基）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン基、ビフェニレン基、ナフチレン基）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。

Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチルの各基）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチルの各基）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、t-ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチルの各基）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。

−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。これら一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１６）の化合物について説明する。

Q¹、Q²およびQ³はそれぞれ独立に5ないし6員環基を表し、炭化水素環基でもへテロ環基でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Q¹、Q²およびQ³として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環が挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Q¹、Q²およびQ³としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環基であり、より好ましくはベンゼン環である。またQ¹、Q²およびQ³は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Tが挙げられる。
XはB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表し、Xとして好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Nであり、Xとしてより好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

（式中、X²はB、C−R（Rは水素原子または置換基を表す。）、Nを表す。R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵は水素原子または置換基を表す。）

XはB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表しXとして好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、N、P=Oであり、更に好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。

R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどの各基が挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどの各基が挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどの各基が挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどの各基が挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどの各基が挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどの各基が挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、

アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどの各基が挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどの各基が挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどの各基が挙げられる。）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどの各基が挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどの各基が挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

次に、本発明一般式（１７）で表される化合物に関して詳細に説明する。
一般式（１７）

上記一般式（１７）において、Ｒ^１はアリール基を表す。Ｒ^２およびＲ^３はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表し、少なくとも一方はアリール基である。Ｒ^２がアリール基であるときＲ^３はアルキル基またはアリール基であるが、アルキル基であることがより好ましい。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。アリール基は炭素原子数が６乃至３６のものが好ましく、６乃至２４のものがより好ましい。

次に、本発明の一般式（１８）で表される化合物に関して詳細に説明する。
一般式（１８）

上記一般式（１８）において、Ｒ^４、Ｒ⁵およびＲ^６はそれぞれ独立にアルキル基を表す。ここで、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよい。Ｒ^４は環状のアルキル基であることが好ましく、Ｒ⁵およびＲ^６の少なくとも一方が環状のアルキル基であることがより好ましい。アルキル基は炭素原子数が１乃至２０のものが好ましく、１乃至１５のものがさらに好ましく、１乃至１２のものが最も好ましい。環状のアルキル基としては、シクロヘキシル基が特に好ましい。

上記一般式（１７）及び（１８）におけるアルキル基およびアリール基は、それぞれ置換基を有していてもよい。置換基としてはハロゲン原子（例えば、塩素、臭素、フッ素およびヨウ素）、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、シアノ基、アミノ基およびアシルアミノ基が好ましく、より好ましくはハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基であり、特に好ましくはアルキル基、アリール基、スルホニルアミノ基およびアシルアミノ基である。

また、本発明の一般式（１７）および（１８）で表される化合物の添加量は、セルロース体１００質量部に対して１〜３０質量部であることが好ましく、２乃至３０質量部であることがより好ましく、２乃至２５質量部であることがさらに好ましく、２乃至２０質量部であることが最も好ましい。

次に、一般式（１７）または一般式（１８）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
なお、（Ａ’− ）と付してある化合物が一般式（１７）で表される化合物の具体例であり、（Ｂ’− ）と付してある化合物が一般式（１８）で表される化合物の具体例である。

上述の化合物はいずれも既知の方法により製造することができる。すなわち、一般式（１７）および一般式（１８）の化合物は、縮合剤（例えばジシクロヘキシルカルボジイミド（ＤＣＣ）など）を用いたカルボン酸類とアミン類との脱水縮合反応、あるいはカルボン酸クロリド誘導体とアミン誘導体との置換反応などにより得ることができる。

次に、下記一般式（１９）で表される化合物について、説明する。
一般式（１９）

（一般式（１９）中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＲ^４は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３およびＸ^４は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ^５−（Ｒ^５は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。Ｑ^１は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基を表す。）
前記（１９）で表される化合物は、更に下記一般式（２０）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（２０）

（一般式（２０）中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３およびＲ^１４は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｘ^１１、Ｘ^１２、Ｘ^１３およびＸ^１４は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−および−ＮＲ^５−（Ｒ^５は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。ｋ、ｌ、ｍおよびｎは０または１であり、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎは２、３または４である。Ｑ^２は２〜４価の有機基を表す。）

前記一般式（１９）で表される化合物は、更に下記一般式（２１）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（２１）

（一般式（２１）中、Ｒ^２１およびＲ^２２は、それぞれ、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｙ^１およびＹ^２は、それぞれ、−ＣＯＮＲ^２３−または−ＮＲ^２４ＣＯ−を表す（Ｒ^２３およびＲ^２４は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す）。Ｌ^１は、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−ＮＲ^２５−（Ｒ^２５は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。）

前記一般式（１９）で表される化合物は、更に下記一般式（２２）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（２２）

（一般式（２２）中、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３およびＲ^３４はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ^２は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−ＮＲ^３５−（Ｒ^３５は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。）

前記一般式（１９）で表される化合物は、更に下記一般式（２３）で表される化合物であることが好ましい。
一般式（２３）

（一般式（２３）中、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^５３およびＲ^５４はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。Ｌ^４は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ_２−、−ＣＯ−、−ＮＲ^５５−（Ｒ^５５は水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表す。）、アルキレン基およびアリーレン基からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基を表す。）

以下、本発明一般式（１９）で表される化合物について説明する。
上記一般式（１９）において、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³およびＲ⁴は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴は、それぞれ、単結合、−ＣＯ−、−ＮＲ⁵−Ｒ⁵は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）からなる群から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｘ¹、Ｘ²、Ｘ³およびＸ⁴の組み合わせは特に限定されないが、−ＣＯ−、−ＮＲ⁵−（から選ばれるのがより好ましい。ａ、ｂ、ｃおよびｄは０以上の整数であり、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは２以上である。ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄは、２〜８であることが好ましく、より好ましくは２〜６、さらに好ましくは２〜４である。Ｑ¹は（ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ）価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｑ¹の価数は２〜８が好ましく、２〜６がより好ましく、２〜４が最も好ましい。
有機基とは、有機化合物からなる基をいう。

また、上記一般式（１９）としては、好ましくは上記一般式（２０）で表される化合物である。
上記一般式（２０）において、Ｒ¹¹、Ｒ¹²、Ｒ¹³およびＲ¹⁴は、それぞれ、水素原子、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｘ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³およびＸ¹⁴はそれぞれ独立に単結合、−ＣＯ−、−ＮＲ¹⁵−（Ｒ¹⁵はは置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。それぞれＸ¹¹、Ｘ¹²、Ｘ¹³およびＸ¹⁴の組み合わせは特に限定されないが、−ＣＯ−、−ＮＲ¹⁵−から選ばれるのがより好ましい。ｋ、ｌ、ｍおよびｎは０または１であり、ｋ＋ｌ＋ｍ＋ｎ＝２、３または４である。Ｑ¹は２〜４価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｑ¹の価数は２〜４が好ましく、２または３がより好ましい。

上記一般式（１９）としては、好ましくは上記一般式（２１）で表される化合物である。
上記一般式（２１）において、Ｒ²¹およびＲ²²は、それぞれ、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｙ¹およびＹ²はそれぞれ独立に−ＣＯＮＲ²³−または−ＮＲ²⁴ＣＯ−を表し、Ｒ²³およびＲ²⁴は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。Ｌ¹は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＮＲ²⁵−、アルキレン基およびアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の有機基（環状のものを除く）を表す。Ｌ¹の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ²⁵−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。

上記一般式（１９）としては、好ましくは上記一般式（２２）で表される化合物である。
上記一般式（２２）において、Ｒ³¹、Ｒ³²、Ｒ³³およびＲ³⁴はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｌ²は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＮＲ³⁵−（Ｒ³⁵は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｌ²の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ³⁵−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。

上記一般式（１９）としては、好ましくは上記一般式（２３）で表される化合物である。
上記一般式（２３）において、Ｒ⁴¹、Ｒ⁴²、Ｒ⁴³およびＲ⁴⁴は、それぞれ、置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｌ³は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＮＲ⁴⁵−（Ｒ⁴⁵は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｌ³の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ⁴⁵−、およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。

上記一般式（１９）としては、好ましくは上記一般式（２４）で表される化合物である。
上記一般式（２４）において、Ｒ⁵¹、Ｒ⁵²、Ｒ⁵³およびＲ⁵⁴はそれぞれ置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、脂肪族基が好ましい。脂肪族基は、直鎖、分岐、環状のいずれであってもよく、環状であることがより好ましい。脂肪族基および芳香族基が有していてもよい置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられるが、無置換のものが好ましい。Ｌ⁴は−Ｏ−、−Ｓ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂−、−ＣＯ−、−ＮＲ⁵⁵−（Ｒ⁵⁵は置換若しくは無置換の脂肪族基または置換若しくは無置換の芳香族基を表し、無置換のものおよび／または脂肪族基がより好ましい。）、アルキレン基、アリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基を表す。Ｌ⁴の組み合わせは特に限定されないが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ⁵⁵−、およびアルキレン基から選ばれるのが好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのがさらに好ましく、−Ｏ−、−Ｓ−およびアルキレン基から選ばれるのが最も好ましい。

以下に一般式（１９）及び一般式（２０）〜（２４）の置換基として述べた置換若しくは無置換の脂肪族基について説明する。脂肪族基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のものが特に好ましい。脂肪族基の具体例としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、アミル基、イソアミル基、ｔｅｒｔ−アミル基、ｎ−ヘキシル基、シクロヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基ビシクロオクチル基、アダマンチル基、ｎ−デシル基、ｔｅｒｔ−オクチル基、ドデシル基、ヘキサデシル基、オクタデシル基、ジデシル基などが挙げられる。

以下に一般式（１９）及び一般式（２０）〜（２４）の置換基として述べた芳香族基について説明する。芳香族基は芳香族炭化水素基でも芳香族ヘテロ環基でもよく、より好ましくは芳香族炭化水素基である。芳香族炭化水素基としては、炭素原子数が６〜２４のものが好ましく、６〜１２のものがさらに好ましい。芳香族炭化水素基の具体例な環としては、例えば、ベンゼン、ナフタレン、アントラセン、ビフェニル、ターフェニルなどの各環基が挙げられる。芳香族炭化水素基としては、ベンゼン、ナフタレン、ビフェニルの各基が特に好ましい。芳香族ヘテロ環基としては、酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含むものが好ましい。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環基が挙げられる。芳香族ヘテロ環基としては、ピリジン環、トリアジン環、キノリン環が特に好ましい。

また、以下に上記各一般式の係る前述の置換基Ｔに関して詳細に説明する。
置換基Ｔとしては、例えばアルキル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８のものであり、例えばメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ヘキサデシル基、シクロプロピル基、シクロペンチル、シクロヘキシル基などが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばビニル基、アリル基、２−ブテニル基、３−ペンテニル基などが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１２、特に好ましくは２〜８であり、例えばプロパルギル基、３−ペンチニル基などが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜３０、より好ましくは６〜２０、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニル基、ビフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。）、アミノ基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１０、特に好ましくは０〜６であり、例えばアミノ基、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジベンジルアミノ基などが挙げられる。）、

アルコキシ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１２、特に好ましくは１〜８であり、例えばメトキシ基、エトキシ基、ブトキシ基などが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルオキシ基、２−ナフチルオキシ基などが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばアセチル基、ベンゾイル基、ホルミル基、ピバロイル基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニル基などが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセトキシ基、ベンゾイルオキシ基などが挙げられる。）、

アシルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１０であり、例えばアセチルアミノ基、ベンゾイルアミノ基などが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数２〜２０、より好ましくは２〜１６、特に好ましくは２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素原子数７〜２０、より好ましくは７〜１６、特に好ましくは７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノ基などが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ基、ベンゼンスルホニルアミノ基などが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素原子数０〜２０、より好ましくは０〜１６、特に好ましくは０〜１２であり、例えばスルファモイル基、メチルスルファモイル基、ジメチルスルファモイル基、フェニルスルファモイル基などが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばカルバモイル基、メチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基などが挙げられる。）、

アルキルチオ基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメチルチオ基、エチルチオ基などが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素原子数６〜２０、より好ましくは６〜１６、特に好ましくは６〜１２であり、例えばフェニルチオ基などが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメシル基、トシル基などが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル基、ベンゼンスルフィニル基などが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばウレイド基、メチルウレイド基、フェニルウレイド基などが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素原子数１〜２０、より好ましくは１〜１６、特に好ましくは１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素原子数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル基、ピリジル基、キノリル基、フリル基、ピペリジル基、モルホリノ基、ベンゾオキサゾリル基、ベンズイミダゾリル基、ベンズチアゾリル基などが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素原子数３〜４０、より好ましくは３〜３０、特に好ましくは３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル基、トリフェニルシリル基などが挙げられる）などが挙げられる。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

また、一般式（１９）、特に一般式（２０）〜（２４）のいずれか１以上で表される化合物の添加量は、セルロース体に対して１〜３０質量％であることが好ましく、２〜３０質量％であることがより好ましく、２〜２５質量％であることがさらに好ましく、２〜２０質量％であることが最も好ましい。

本発明に用いられる化合物はいずれも既知の化合物より製造することができる。一般式（１９）〜（２４）のいずれか１以上で表される化合物は、例えば、カルボニルクロリドとアミンとの縮合反応により得られる。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体をセルロースアシレートに添加することによっても、光学的異方性を低下させることを見出した。

オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

(多価アルコールエステル化合物)
本発明の多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。

（多価アルコール）
好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

（モノカルボン酸）
本発明の多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフイルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。

好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸を好ましく用いることができる。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。酢酸を含有するとセルロースエステルとの相溶性が増すため好ましく、酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

本発明に用いる上記多価アルコールエステルの構成カルボン酸は一種類でも、二種以上の酸基の混合型でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。好ましくは、分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。

多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

(カルボン酸エステル化合物)
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることが出来る。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。

アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

カルボン酸エステル化合物としては、さらに以下の化合物も例としてあげることができるが、本発明は上記した化合物や下記化合物に限定されない。

（多環カルボン酸化合物）
本発明において用いる多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。本発明の化合物は、このような環状構造が複数含まれているものであり、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

（ビスフェノール誘導体）
本発明において用いるビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ１〜Ｒ４は炭素数１〜１０のアルキル基を表す。Ａは２，２―ビスフェニレンオキシプロピル基であり、そのフェニレンオキシ基の２，６位にはＲ１〜Ｒ４が置換してもよい。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

[波長分散調整剤]
セルロースアシレートフイルムの波長分散を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むことによってセルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調整した。

セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフイルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフイルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フイルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフイルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフイルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０重量％であることが好ましく、０．１ないし２０重量％であることがより好ましく、０．２ないし１０重量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ調製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ¹¹−Ｑ¹²−OH

（式中、Ｑ¹¹は含窒素芳香族ヘテロ環Ｑ¹²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹¹は含窒素方向芳香族へテロ環をあらわし、好ましくは5乃至7員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ¹²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ¹²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔは、一般式（１６）の説明に述べた置換基Ｔと同義であり、好ましい置換基例も同じである。また、置換基Ｔが二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷及びＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０１−Ｂ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに本発明のセルロースアシレートフイルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０２）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。XはNR（Rは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどの各環が挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

XはNR（Rは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Xとして好ましくは、NR（Rとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはOであり、特に好ましくはOである。

置換基Ｔは、一般式（１６）の説明に述べた置換基Ｔと同義であり、好ましい置換基例も同じである。また、置換基Ｔが二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０２−Ｂ）

（式中、R¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

R¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
R¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n-ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。
一般式（１０３）

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。X¹およびX²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンの各環である。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、置換基Ｔが好ましい。置換基Ｔは、一般式（１６）の説明に述べた置換基Ｔと同義であり、好ましい置換基例も同じである。
また、置換基Ｔが二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

X¹およびX²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。X¹およびX²で表される置換基は前述の置換基Tを適用することができる。また、X¹およびX²はで表される置換基は更に他の置換
基によって置換されてもよく、X¹およびX²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

X¹およびX²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ａ）

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。X¹およびX²は一般式（１０３）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３-Ｂ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｂ）

（式中、R³およびR⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。X³は水素原子、または置換基を表す。）

X³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Tが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。X³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物である。
一般式（１０３-Ｃ）

（式中、R³およびR⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。R²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

R²¹として好ましくはR³およびR⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、tert-オクチル基、２−エチルへキシル基、n-デシル基、、n-ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

R²¹として好ましくはR³およびR⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はJounal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

[マット剤微粒子]
本発明のセルロースアシレートフイルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフイルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフイルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤]
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、本発明のセルロースアシレートフイルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフイルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

[剥離剤]
本発明に用いることができる剥離剤について、以下に詳細に説明する。剥離剤としては、界面活性剤が有効であり、リン酸系、スルフォン酸系、カルボン酸系、ノニオン系、カチオン系など特に限定されない。これらは、例えば特開昭６１−２４３８３７号公報などに記載されている。

これらの剥離抵抗軽減剤は以下に具体的に記す。すなわち、セルロースアシレート溶液を流延する前に一般式(１)又は一般式(２)で表される剥離抵抗軽減剤の少なくとも一種を溶液の０．００５〜２質量％添加することを特徴とする。
一般式(１)：(Ｒ₁−Ｂ₁−Ｏ)_n1−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＭ₁)_n2
一般式(２)：Ｒ₂−Ｂ₂−Ｘ

ここで、Ｒ₁とＲ₂は炭素数４〜４０の置換、無置換のアルキル基、アルケニル基、アラルキル基及びアリル基を表し、Ｍ₁はアルカリ金属、アンモニア、低級アルキルアミンである。また、Ｂ₁，Ｂ₂は２価の連結基を表し、Ｘはカルボン酸（又はその塩）、スルフォン酸（又はその塩）、硫酸エステル（又はその塩）を表す。ｎ１は１，２の整数であり、ｎ２は（３−ｎ１）の整数を表す。

本発明では、一般式(１)又は(２)で表される少なくとも一種の剥離抵抗軽減剤を、セルロヒスアシレートフィルムが含有することが好ましい。以下にこれらの剥離抵抗軽減剤について記述する。

Ｒ₁とＲ₂の好ましい例としては、炭素数４〜４０の置換、無置換のアルキル基（例えば、ブチル、ヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコサニル、ドコサニル、ミリシルなど）、炭素数４〜４０の置換、無置換のアルケニル基（例えば、２−ヘキセニル、９−デセニル、オレイルなど）、炭素数４〜４０の置換、無置換のアリル基（例えば、フェニル、ナフチル、メチルフェニル、ジメチルフェニル、トリメチルフェニル、エチルフェニル、プロピルフェニル、ジイソプロピルフェニル、トリイソプロピルフェニル、ｔ−ブチルフェニル、ジ−ｔ−ブチルフェニル、トリ−ｔ−ブチルフェニル、イソペンチルフェニル、オクチルフェニル、イソオクチルフェニル、イソノニルフェニル、ジイソノニルフェニル、ドデシルフェニル、イソペンタデシルフェニルなど）などを表す。

これらの中でもさらに好ましいのは、アルキルとしてはヘキシル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、ドデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、ドコサニル、アルケニルとしてはオレイル、アリル基としてはフェニル、ナフチル、トリメチルフェニル、ジイソプロピルフェニル、トリイソプロピルフェニル、ジ−ｔ−ブチルフェニル、トリ−ｔ−ブチルフェニル、イソオクチルフェニル、イソノニルフェニル、ジイソノニルフェニル、ドデシルフイソペンタデシルフェニルである。

次に、Ｂ₁、Ｂ₂の２価の連結基について記述する。炭素数１〜１０のアルキレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシエチレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシプロピレン、ポリ（重合度１〜５０）オキシグリセリンであり、これらの混合したものでもよい。
これらで好ましい連結基は、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ポリ（重合度１〜２５）オキシエチレン、ポリ（重合度１〜２５）オキシプロピレン、ポリ（重合度１〜１５）オキシグリセリンである。次に、Ｘはカルボン酸（又は塩）、スルフォン酸（又は塩）、硫酸エステル（又は塩）であるが、特に好ましくはスルフォン酸（又は塩）、硫酸エステル（又は塩）である。塩としては好ましくはＮａ、Ｋ、アンモニウム、トリメチルアミン及びトリエタノールアミンである。

以下に、本発明の好ましい剥離抵抗軽減剤の具体例を記載するがこれらに限定されるものではない。
ＲＺ−１：Ｃ₈Ｈ₁₇Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＨ)₂
ＲＺ−２：Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂
ＲＺ−３：Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂
ＲＺ−４：Ｃ₁₅Ｈ₃₁(ＯＣＨ₂ＣＨ₂)₅Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂
ＲＺ−５：｛Ｃ₁₂Ｈ₂₅Ｏ(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)₅｝₂−Ｐ(＝Ｏ)−ＯＨ
ＲＺ−６：｛Ｃ₁₈Ｈ₃₅(ＯＣＨ₂ＣＨ₂)₈Ｏ｝₂−Ｐ(＝Ｏ)ＯＮＨ₄
ＲＺ−７：(ｔ−Ｃ₄Ｈ₉)₃−Ｃ₆Ｈ₂−ＯＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)₂
ＲＺ−８：(ｉｓｏ−Ｃ₉Ｈ₁₉−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)))₅−Ｐ(＝Ｏ)−(ＯＫ)(ＯＨ)
ＲＺ−９：Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＳＯ₃Ｎａ
ＲＺ−10：Ｃ₁₂Ｈ₂₅ＯＳＯ₃Ｎａ
ＲＺ−11：Ｃ₁₇Ｈ₃₃ＣＯＯＨ
ＲＺ−12：Ｃ₁₇Ｈ₃₃ＣＯＯＨ・Ｎ(ＣＨ₂ＣＨ₂ＯＨ)₃ＲＺ−13：ｉｓｏ−Ｃ₈Ｈ₁₇−Ｃ₆Ｈ₄−Ｏ−(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)₃−(ＣＨ₂)₂ＳＯ₃Ｎａ
ＲＺ−14：(ｉｓｏ−Ｃ₉Ｈ₁₉)₂−Ｃ₆Ｈ₃−Ｏ−(ＣＨ₂ＣＨ₂Ｏ)₃−(ＣＨ₂)₄ＳＯ₃Ｎａ
ＲＺ−15：トリイソプロピルナフタレンスルフォン酸ナトリウム
ＲＺ−16：トリ−ｔ−ブチルナフタレンスルフォン酸ナトリウム
ＲＺ−17：Ｃ₁₇Ｈ₃₃ＣＯＮ(ＣＨ₃)ＣＨ₂ＣＨ₂ＳＯ₃Ｎａ
ＲＺ−18：Ｃ₁₂Ｈ₂₅−Ｃ₆Ｈ₄ＳＯ₃・ＮＨ₄

本発明の一般式(１)又は(２)の少なくとも一種の使用量は、溶液の０．００２〜２質量％であるが、より好ましくは０．００５〜１質量％であり、さらに好ましくは０．０１〜０．５質量％である。その添加方法は、特に限定されないがそのまま液体、あるいは固体のまま溶解する前に他の素材とともに添加され溶液としてもよいし、予め作製されたセルロースアシレート溶液に後から添加してもよい。

さらに、特開平１０−３１６７０１号公報に記載の酸解離指数ｐＫａ１．９３〜４．５０｛好ましくは２．０〜４．４、さらに好ましくは２．２〜４．３（例えば、２．５〜４．０）、特に２．６〜４．３（例えば、２．６〜４．０）程度｝の酸又はその塩が好ましい。これは、無機酸又は有機酸のいずれでもよい。酸のｐＫａについては「改訂３版 化学便覧，基礎編II」（(財)日本化学会編，丸善(株)発行）を参照できる。以下に、酸の具体例とともに括弧内に酸解離指数ｐＫａを示す。

前記無機酸としては、例えばＨＣｌＯ₂（２．３１）、ＨＯＣＨ（３．４８）、モリブデン酸（Ｈ₂，ＭｏＯ₄：３．６２）、ＨＮＯ₂（３．１５）、リン酸（Ｈ₃，ＰＯ₄：２．１５）、トリポリリン酸（Ｈ₅，Ｐ₃，Ｏ₁₀：２．０）、パナジン酸（Ｈ₃，ＶＯ₄：３．７８）などが例示できる。有機酸としては、例えば脂肪族モノカルボン酸としてギ酸（３．５５）、オキサロ酢酸（２．２７）、シアノ酢酸（２．４７）、フェニル酢酸（４．１０）、フェノキシ酢酸（２．９９）、フルオロ酢酸（２．５９）、クロロ酢酸（２．６８）、ブロモ酢酸（２．７２）、ヨード酢酸（２．９８）、メルカプト酢酸（３．４３）ビニル酢酸（４．１２）などの置換基を有する酢酸、クロロプロピオン酸（２．７１〜３．９２）などのハロプロピオン酸、４−アミノ酪酸（４．０３）、アクリル酸（４．２６）などを挙げることができる。また、脂肪族多価カルボン酸としてはマロン酸（２．６５）、コハク酸（４．００）、グルタル酸（４．１３）、アジピン酸（４．２６）、ピメリン酸（４．３１）、アゼライン酸（４．３９）、フマル酸（２．８５）などであり、オキシカルボン酸としてのグリコール酸（３．６３）、乳酸（３．６６）、リンゴ酸（３．２４）、酒石酸（２．８２〜２．９９）、クエン酸（２．８７）なども挙げられる。さらに、アルデヒド酸又はケトン酸としてのグリオキシル酸（３．１８）、ピルビン酸（２．２６）、レブリン酸（４．４４）など、芳香族モノカルボン酸であるアニリンスルホン酸（３．７４〜３．２３）、安息香酸（４．２０）、アミノ安息香酸（２．０２〜３．１２）、クロロ安息香酸（２．９２〜３．９９）、シアノ安息香酸（３．６０〜３．５５）、ニトロ安息香酸（２．１７〜３．４５）、ヒドロキシ安息香酸（４．０８〜４．５８）、アニス酸（４．０９〜４．４８）、フルオロ安息香酸（３．２７〜４．１４）、クロロ安息香酸、ブロモ安息香酸（２．８５〜４．００）、ヨード安息香酸（２．８６〜４．００）などの置換基を有する安息香酸、サリチル酸（２．８１）、ナフトエ酸（３．７０〜４．１６）、ケイ皮酸（３．８８）、マンデル酸（３．１９）なども挙げられる。また、芳香族多価カルボン酸であるフタル酸（２．７５）、イソフタル酸（３．５０）、テレフタル酸（３．５４）など、複素環式モノカルボン酸のニコチン酸（２．０５）、２−フランカルボン酸（２．９７）など、複素環式多価カルボン酸、２，６−ピリジンカルボン酸（２．０９）なども挙げられる。

さらに、有機酸としてはアミノ酸類もよく、例えば、アミノ酸としてのアスパラギン（２．１４）、アスパラギン酸（１．９３）、アデニン（４．０７）、アラニン（２．３０）、β−アラニン（３．５３）、アルギニン（２．０５）、イソロイシン（２．３２）、グリシン（２．３６）、グルタミン（２．１７）、グルタミン酸（２．１８）、セリン（２．１３）、チロシン（２．１７）、トリプトファン（２．３５）、トレオニン（２．２１）、ノルロイシン（２．３０）、バリン（２．２６）、フェニルアラニン（２．２６）、メチオニン（２．１５）、リシン（２．０４）、ロイシン（２．３５）など、アミン酸誘導体であるアデノシン（３．５０）、アデノシン三リン酸（４．０６）、アデノシンリン酸（３．６５〜３．８０）、Ｌ−アラニル−Ｌ−アラニン（３．２０）、Ｌ−アラニルグリシン（３．１０）、β−アラニルグリシン（３．１８）、Ｌ−アラニルグリシルグリシン（３．２４）、β−アラニルグリシルグリシン（３．１９）、Ｌ−アラニルグリシルグリシルグリシン（３．１８）、グリシル−Ｌ−アラニン（３．０７）、グリシル−β−アラニン（３．９１）、グリシルグリシル−Ｌ−アラニン（３．１８）、グリシルグリシルグリシン（３．２０）、グリシルグリシルグリシルグリシン（３．１８）、グリシルグリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．７２）、グリシルグリシルグリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．９０）、グリシル−ＤＬ−ヒスチジルグリシン（３．２６）、グリシル−Ｌ−ヒスチジン（２．５４）、グリシル−Ｌ−ロイシン（３．０９）、γ−Ｌ−グルタミン−Ｌ−システイニルグリシン（２．０３）、Ｎ−メチルグリシン（サルコシン：２．２０）、Ｎ，Ｎ−ジメチルグリシン（２．０８）、シトルリン（２．４３）、３，４−ジヒドロキシフェニルアラニン（２．３１）、Ｌ−ヒスチジルグリシン（２．８４）、Ｌ−フェニルアラニルグリシン（３．０２）、Ｌ−プロリルグリシン（３．０７）、Ｌ−ロイシル−Ｌ−チロシン（３．１５）などが用いられる。

[化合物添加の比率]
本発明のセルロースアシレートフイルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフイルム中に化合物が相溶する限界を超え、フイルム表面に析出してフイルムが白濁する(
フイルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。

[セルロースアシレート溶液の有機溶媒]
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、本発明のセルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、本発明のセルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの特許によると本発明のセルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

[セルロースアシレートフィルムの製造工程]
［溶解工程］
本発明のセルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
本発明のセルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、本発明のセルロースアシレート溶液を用いたフイルムの製造方法について述べる。本発明のセルロースアシレートフイルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフイルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。本発明のセルロースアシレートフイルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフイルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

［剥離］
本発明において、剥離工程は非常に重要であるため以下にその詳細について触れる。セルロースアシレートフイルムを製造する速度はベルトの長さ、乾燥方法、ドープ溶媒組成等によっても変化するが、該フイルム（有機溶剤を含有し、ウエブとも称する）をベルトから剥離する時点での残留溶媒の量によって殆ど決まってしまう。つまり、ドープ膜の厚み方向でのベルト表面付近での溶媒濃度が高すぎる場合には、剥離した時、ベルトにドープが残ってしまい、次の流延に支障を来すため、剥離残りは絶対あってはならないし、更に剥離する力に耐えるだけのウェブ強度が必要であるからである。剥離時点での残留溶媒量は、ベルトやドラム上での乾燥方法によっても異なり、ドープ表面から風を当てて乾燥する方法よりは、ベルト或いはドラム裏面から伝熱する方法が効果的に残留溶媒量を低減することが出来るのである。
以下の剥離に係る記述には、公開公報などに記載されている態様を引用するが、これら引用記載の態様は、本発明の実施にも好ましく適用される。

なお、平面性の良い均一面状を目的として、特開平5-057739号には、剥ぎ取り時の揮発分％を乾量基準１０〜３０質量％にして、かつ剥離部分において支持体の表面温度を２０℃以下１４℃以上に保つ発明が記載されている。

特開２０００−２３９４０３号公報では剥離時の残留溶媒率Ｘが１５≦Ｘ≦１２０でウェブを金属支持体から剥離した後乾燥製膜したセルロースアシレートフイルムの製造方法に関するものであり、薄膜で光学的等方性な平面性良好であるセルロースアシレートについての乾燥方法である。

また、膜厚が薄く、光学的方性、平面性に優れたフィルムを得るために、特開2000-239403号には、剥離点でウェブが支持体の長さ方向の等位置で一線に剥離出来るように幅方向にウェブに部分的に外力を加えて、製膜を行うことが開示されている。
また、さらに好ましい態様として、
・流延用支持体上でのウェブの乾燥風温度をＴ１、剥離後少なくとも１０秒間ウェブに当てる乾燥風温度をＴ２、主溶媒の沸点を沸点Ｔｂｐ、そして剥離部における流延用支持体の温度をＴｓとしたとき、Ｔ１をＴｂｐ−２０≦Ｔ１≦Ｔｂｐ＋２０の範囲とし、且つＴ２をＴｓ≦Ｔ２≦Ｔｓ＋４０の範囲として製膜を行うこと、
・剥離時の搬送張力を３〜４０ｋｇ／ｍ巾として製膜を行うこと、
等が記載されている。

さらに、フイルムキズを防止し、ヘイズを抑制するために、特開2002-187146号には、剥ぎ取り揮発分、剥ぎ取りドロー率、剥ぎ取りロールラップ規定する発明が記載されている。

また、可塑剤や紫外線吸収剤のロール付着を防止するために、特開2002-292658号には、セルロースエステル溶液を駆動金属製エンドレスベルトに流延して得られたウェブをエンドレスベルトから剥離ロールにより剥離するさいのウェブの残留溶媒を20〜150%として、剥離ロール及び剥離ロールから乾燥装置までの移送ロールのビッカース硬度を500〜800とする発明が記載されている。

なお、更に好ましい態様としては、
・剥離ロール及び剥離ロールから乾燥装置までの移送ロールのうち少なくとも剥離ロールを１００〜３００℃に加熱し、加熱後のロールのビッカース硬度を８００〜１０００とすること、
・剥離ロール及び移送ロールのうち少なくとも剥離ロールの表面粗さＲｙを０．６μm以下とすること、
・剥離ロール及び移送ロールのうち少なくとも剥離ロールの表面層をＮｉ合金で形成すること、
・剥離ロール及び移送ロールのうち少なくとも剥離ロールに２０℃における表面エネルギーが７０〜１００ｍＮ／ｍのものを用いること、
・ウェブをエンドレスベルトから剥離ロールにより剥離した後の剥離ロール及び剥離ロールから乾燥装置までの移送ロールに接するウェブの残留溶媒が６０〜８０％である際の、剥離ロール及び移送ロールの表面温度をウェブに添加されている可塑剤の融点以上すること、
・剥離ロール及び移送ロールのビッカース硬度を５００〜８００とすること、・剥離ロール及び移送ロールを１００〜３００℃に加熱し、加熱後のこれらロールのビッカース硬度を８００〜１０００すること、
・剥離ロール及び移送ロールの表面粗さＲｙを０．６μm以下とすること、
・剥離ロール及び移送ロールの表面層をＮｉ合金で形成すること、
・剥離ロール及び移送ロールに２０℃における表面エネルギーが７０〜１００ｍＮ／ｍのものを用いること、
等が開示されている。さらには、ビッカース硬度のより好ましい範囲は５５０〜８００であることが記載されている。
なお、本発明における剥離張力は、剥離直後のフィルムを搬送するロールにテンションピックアップの機能をつけ、該ロールにかかる荷重より、剥離荷重（Ｎ／ｍ）を求めた。

さらに、横段ムラをなくすことを目的とした発明の特開2002-028943号には、
・剥離点より１００〜１５０ｃｍ離れたところで遮蔽物のない状態で、１２５〜２５０Ｈｚ成分の剥離音以外の雑音を差し引いた音量を測定したとき、ウェブを剥離する際に発する１２５〜２５０Ｈｚ成分の剥離音を９０ｄＢ以下とすること、
・剥離張力を３０〜２４０Ｎ／ｍ幅として剥離した後、剥離点から張力遮断手段までの工程距離間をウェブ長さにして最小２ｍ、最大９０ｍとして、該工程距離間のウェブの張力を維持しながら搬送し、工程距離間におけるウェブの残留溶媒量の変化を１４０質量％から１０質量％の間とすること、
等が開示されている。なお、張力遮断手段はドライブロールでも良いとの記載もある。

さらに、特開2002-254451には、剥離時に発生する、段ムラ、帯スジ、ベコ状故障、平面性のムラ、微細な表面荒れ等によるヘイズアップ等の各故障が発生しないようにするために、流延支持体から剥ぎ取られるフィルムの流延支持体の剥離点における接線方向を0度、法線方向を90度としたとき、フィルムの剥ぎ取り角度を30〜80度の範囲にする溶液製膜方法が記載されている。

本発明における剥離荷重は、好ましくは１〜２５Ｎ／ｍであり、より好ましくは１〜２０Ｎ／ｍであり、さらに好ましくは１〜１５Ｎ／ｍであり、特に好ましくは１〜１０Ｎ／ｍである。以上記載したこれらのセルロースアシレートの金属支持体からの剥離条件等に関する発明は、本発明においても適用できるものである。

［表面処理］
セルロースアシレートフイルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフイルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［機能層］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、その用途として光学用途と写真感光材料に適用される。特に光学用途が液晶表示装置であることが好ましく、液晶表示装置が、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償シートを配置した構成であることがさらに好ましい。これらの液晶表示装置としては、ＴＮ、ＩＰＳ、ＦＬＣ、ＡＦＬＣ、ＯＣＢ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＶＡおよびＨＡＮが好ましい。
その際に前述の光学用途に本発明のセルロースアシレートフィルムを用いるに際し、各種の機能層を付与することが実施される。それらは、例えば、帯電防止層、硬化樹脂層（透明ハードコート層）、反射防止層、易接着層、防眩層、光学補償層、配向層、液晶層などである。本発明のセルロースアシレートフィルムを用いることができるこれらの機能層及びその材料としては、界面活性剤、滑り剤、マット剤、帯電防止層、ハードコート層などが挙げられ、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３２頁〜４５頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［用途（偏光板）］
本発明のセルロースアシレートフイルムの用途について説明する。
本発明の光学フィルムは特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。

［用途（光学補償フイルム）］
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フイルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フイルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フイルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。本発明のセルロースアシレートフィルムは光学的異方性が小さく、また波長分散が小さいため、余計な異方性を生じず、複屈折を持つ光学異方性層を併用すると光学異方性層の光学性能のみを発現することができる。

したがって本発明のセルロースアシレートフイルムを液晶表示装置の光学補償フイルムとして用いる場合、併用する光学異方性層のＲｅおよびＲｔｈはＲｅ＝０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００ｎｍであることが好ましく、この範囲であればどのような光学異方性層でも良い。本発明のセルロースアシレートフイルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フイルムとして要求される、どのような光学異方性層も併用することができる。併用される光学異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフイルムから形成しても良い。
前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。

（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐ．１１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，１７９４頁（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１６巻，２６５５頁（１９９４））に記載の化合物が含まれる。

光学異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。

（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。

光学異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許４６８３３２７号、同５６２２６４８号、同５７７０１０７号、世界特許（ＷＯ）９５／２２５８６号、同９５／２４４５５号、同９７／００６００号、同９８／２３５８０号、同９８／５２９０５号、特開平１−２７２５５１号、同６−１６６１６号、同７−１１０４６９号、同１１−８００８１号、および特開２００１−３２８９７３号などに記載の化合物が含まれる。

（ポリマーフイルムからなる光学異方性層）
上記した様に、光学異方性層はポリマーフイルムから形成してもよい。ポリマーフイルムは、光学異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセーテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。

ポリマーフィルムの光学異方性は、延伸により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜１００μｍであることが最も好ましい。

（液晶表示装置の構成例）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フイルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フイルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フイルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

（液晶表示装置の種類）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明のセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．、３６巻（１９９７）１４３頁や、Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ．、３６巻（１９９７）１０６８頁）に記載がある。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明のセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、前記偏光板の保護膜と保護膜と液晶セルの間に配置された光学異方性層のリターデーションの値は、液晶層のΔｎ・ｄ（屈折率差×厚み）の値の２倍以下に設定するのが好ましい。またＲｔｈ値の絶対値｜Ｒｔｈ｜は、２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下に設定するのが好ましいため、本発明のセルロースアシレートフイルムが有利に用いられる。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．３８巻（１９９９）２８３７頁）に記載がある。

（反射型液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号公報に記載がある。

（その他の液晶表示装置）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．，ＳＩＤ９８ Ｄｉｇｅｓｔ，１０８９頁（１９９８））に記載がある。

（ハードコートフイルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明のセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフイルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明のセルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明のセルロースアシレートフイルムを好ましく用いることができる。

（写真フイルム支持体）
さらに本発明のセルロースアシレートフィルムは、ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としても適用でき、該特許に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。それらの技術については、特開２０００−１０５４４５号公報にカラーネガティブに関する記載が詳細に挙げられており、本発明のセルロースアシレートフィルムが好ましく用いられる。またカラー反転ハロゲン化銀写真感光材料の支持体としての適用も好ましく、特開平１１−２８２１１９号公報に記載されている各種の素材や処方さらには処理方法が適用できる。

（透明基板）
本発明のセルロースアシレートフイルムは、光学的異方性がゼロに近く、優れた透明性を持っていることから、液晶表示装置の液晶セルガラス基板の代替、すなわち駆動液晶を封入する透明基板としても用いることができる。
液晶を封入する透明基板はガスバリア性に優れる必要があることから、必要に応じて本発明のセルロースアシレートフイルムの表面にガスバリアー層を設けてもよい。ガスバリアー層の形態や材質は特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフイルムの少なくとも片面にＳｉＯ₂等を蒸着したり、あるいは塩化ビニリデン系ポリマーやビニルアルコール系ポリマーなど相対的にガスバリアー性の高いポリマーのコート層を設ける方法が考えられ、これらを適宜使用できる。また液晶を封入する透明基板として用いるには、電圧印加によって液晶を駆動するための透明電極を設けてもよい。透明電極としては特に限定されないが、本発明のセルロースアシレートフイルムの少なくとも片面に、金属膜、金属酸化物膜などを積層することによって透明電極を設けることができる。中でも透明性、導電性、機械的特性の点から、金属酸化物膜が好ましく、なかでも酸化スズを主として酸化亜鉛を２〜１５％含む酸化インジウムの薄膜が好ましく使用できる。これら技術の詳細は例えば、特開２００１−１２５０７９や特開２０００−２２７６０３などの各公報に公開されている。

以下に本発明の実施例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
以下、実施例１、２、４、７、８、９、１１、１２及び１３は、それぞれ、参考例１、２、４、７、８、９、１１、１２及び１３に読み替えるものとする。
[実施例１]
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ａを調製した。なお、用いたセルロースアセテートの硫酸残存量は５３ｐｐｍであり、アルカリ土類金属の含有量が８２ｐｐｍであった。

（セルロースアセテート溶液Ａ組成）
平均酢化度６１．３のセルロースアセテート １１０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４３８．０質量部
メタノール（第２溶媒） ７５．０質量部

（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １２．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７８．１質量部
メタノール（第２溶媒） ３．８質量部
セルロースアセテート溶液Ａ １１．３質量部

（添加剤溶液の調製）
＜添加剤溶液組成＞
光学的異方性を低下する化合物（Ａ−１９） ４９．１質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２） ７．３質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５７．８質量部
メタノール（第２溶媒） ８．１質量部
セルロースアセテート溶液Ａ １２．８質量部

（本発明のセルロースアシレートフィルム００１の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ａを９３．８質量部、マット剤溶液を１．８質量部、添加剤溶液４．４質量部それぞれを濾過後にミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテートドープ００１を調製した。３０℃に温度調整されたドープ００１を用いて、裏面から２９℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウエブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウエブ表面に４５℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から８０秒後に剥離し、多数のロールで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は１５質量％であった。剥離されたフィルムは、４５℃に設定された第１乾燥ゾーンを１分間搬送させた後、８０℃に設定された第２乾燥ゾーンを３０秒間搬送させ、さらに１３０℃に設定された第３乾燥ゾーンで１０分間搬送させて、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取る事で、膜厚８２μｍの本発明のセルロースエステルフィルム００１を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．４質量％であった。なお、セルロースアシレートフィルム００１の硫酸残存量は４８ｐｐｍであり、アルカリ土類金属の含有量が７４ｐｐｍであった。セルロースアシレートフィルム００１の光学特性および耐久性等の諸物性を表１に示す。

［実施例２］
（セルロースアシレートフイルム００２の作製）
平均酢化度５９．３であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００２を得た。

［実施例３］
（セルロースアシレートフイルム００３の作製）
平均酢化度６１．６であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００３を得た。

［実施例４］
（セルロースアシレートフイルム００４の作製）
平均酢化度６１．７であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００４を得た。

［実施例５］
（セルロースアシレートフイルム００５の作製）
平均酢化度６１．７であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００５を得た。

［実施例６］
（セルロースアシレートフイルム００６の作製）
平均酢化度６１．７であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００５を得た。

［実施例７］
（セルロースアシレートフイルム００７の作製）
平均酢化度６２．０であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００７を得た。

［比較例１］
（セルロースアシレートフイルム００８の作製）
平均酢化度６１．２であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００８を得た。

［比較例２］
（セルロースアシレートフイルム００９の作製）
平均酢化度６２．３であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム００９を得た。

［比較例３］
（セルロースアシレートフイルム０１０の作製）
平均酢化度６２．１であり、かつ残存硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表１記載のセルロースアシレートを用いて、表１に記載のレタデーション調整剤添加量にした以外は、実施例１と同様の方法により表１に示す諸物性を有す膜厚８１μｍの本発明のセルロースアシレートフィルム０１０を得た。
本発明の実施例１〜７及び比較例の効果を表１に示す。
（表１）

表１によれば、セルロースアシレートフィルム００８及び００９はフィルム中の残留硫酸量が少ない条件で作製されたため剥離抵抗が大きくＲｅも高い。また、セルロースアシレートフィルム０１０は逆に残留硫酸量が多すぎるためにＲｅは低いが耐久性が悪化する。一方、本発明のセルロースアシレートフィルム００１〜００７はともにフィルム中の残留硫酸量が３０ｐｐｍ以上にあるため剥離抵抗が少なくＲｅが低く抑えられている。

［実施例８〜１１］
（セルロースアシレートフイルム０１１〜０１４の作製）
平均酢化度、硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表２記載のセルロースアシレートを用い、かつ光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−１）を表２に記載の添加量用いた以外は、実施例１と同様の方法により表２に示す諸物性を有す本発明のセルロースアシレートフィルム０１１〜０１４を得た。

［比較例４〜６］
（セルロースアシレートフイルム０１５〜０１７の作製）
平均酢化度、硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表２記載のセルロースアシレートを用い、かつ光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−１）を表２に記載の添加量用いた以外は、実施例１と同様の方法により表２に示す諸物性を有す比較例のセルロースアシレートフィルム０１５〜０１７を得た。
本発明の実施例８〜１１及び比較例４〜６の効果を表２に示す。
（表２）

表２によれば、光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−１）を用いた場合にも、光学的異方性を低下する化合物（Ａ−１９）を用いた場合（表１）と同様の効果があることがわかる。セルロースアシレートフィルム０１５、０１６はフィルム中の残留硫酸量が少ない条件で作製されたため剥離抵抗が大きくＲｅも高い。また、セルロースアシレートフィルム０１７は逆に残留硫酸量が多すぎるために耐久性が悪化する。一方、本発明のセルロースアシレートフィルム０１１〜０１４はともにフィルム中の残留硫酸量が３０ｐｐｍ以上であるため剥離抵抗が少なくＲｅが低く抑えられている。

［実施例１２］
（セルロースアシレートフイルム０１８の作製）
平均酢化度、硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表３記載のセルロースアシレートを用い、光学的異方性を低下する化合物（Ａ−１９）を表３に記載の添加量用い、かつセルロースアシレートフィルムの残留硫酸量が本発明の範囲に入るようにセルロースアシレート溶液中に含硫黄剥離剤（ＲＺ−１０）を添加した以外は、実施例１と同様の方法により表３に示す諸物性を有す本発明のセルロースアシレートフィルム０１８を得た。

［実施例１３，１４］
（セルロースアシレートフイルム０１９〜０２０の作製）
平均酢化度、硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表３記載のセルロースアシレートを用い、光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−１）を表３に記載の添加量用い、かつセルロースアシレートフィルムの残留硫酸量が本発明の範囲に入るようにセルロースアシレート溶液中に含硫黄剥離剤（ＲＺ−１０）を添加した以外は、実施例１と同様の方法により表３に示す諸物性を有す本発明のセルロースアシレートフィルム０１９〜０２０を得た。

［比較例７〜８］
（セルロースアシレートフイルム０２１〜０２２の作製）
平均酢化度、硫酸量、及びアルカリ土類金属の含有量が表３記載のセルロースアシレートを用い、かつ光学的異方性を低下する化合物（Ｂ−１）を表３に記載の添加量用いた以外は、（剥離剤を添加することなく）実施例１と同様の方法により表３に示す諸物性を有す比較例のセルロースアシレートフィルム０２１〜０２２を得た。
本発明の実施例１２〜１４及び比較例７、８の効果を表３に示す。
（表３）

表３によれば、残留硫酸量が本発明の範囲にないセルロースアシレートを用いた場合に、硫酸を添加することで（表１）と同様に剥離抵抗を下げる効果があることがわかる。セルロースアシレートフィルム０２１はフィルム中の残留硫酸量が少ない条件で作製されたため剥離抵抗が大きくＲｅも高い。また、セルロースアシレートフィルム０２２は逆に残留硫酸量が多すぎるためにＲｅは低いが耐久性が悪化する。一方、本発明のセルロースアシレート０１８〜０２０はともにフィルム中の残留硫酸量が３０ｐｐｍ以上にあるため剥離抵抗が少なくＲｅが低く抑えられている。

［実施例１５］
（偏光板の作製）
実施例１で得た本発明のセルロースアセテートフイルム試料００１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアシレートフイルムの表面をケン化した。
続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリけん化処理したセルロースアシレートフイルム試料００１を２枚用意して偏光膜を間にして貼り合わせ、両面がセルロースアシレートフイルム００１によって保護された偏光板を得た。この際両側のセルロースアシレートフイルム試料００１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。同様にして本発明の実施例２〜１４及び比較例１〜８の試料００２〜０２２について偏光板を作製した。セルロースアシレートフイルム試料００１〜０２６はいずれも延伸したポリビニルアルコールとの貼合性は十分であり、優れた偏光板加工適性を有していた。

［比較例９］
実施例１５において、偏光膜の保護を本発明のセルロースアシレートフイルム２枚で行う代わりに、市販のポリカーボネートフイルム「パンライトＣ１４００」（帝人化成製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、ポリカーボネートフイルムは偏光膜の保護フイルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

［比較例１０］
実施例１５において、偏光膜の保護を本発明のセルロースアシレートフイルム２枚で行う代わりに、厚さ８０μｍのアートンフィルム（ＪＳＲ製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、アートンフイルムは偏光膜の保護フイルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

［実施例１６］
（偏光板耐久性）
実施例１５で作製したセルロースアシレートフィルム試料００１〜０２２を用いた偏光板を６０℃９５％ＲＨの条件で５００時間放置した後の偏光度を評価したところ、セルロースアシレートフィルム試料００１〜００９、０１１〜０１６、０１８〜０２１を用いた偏光板の耐久性は良好であった。
しかし、試料０１０、０１７、０２２を用いた偏光板は残留硫酸量が過剰なために耐久性は悪化した。

［実施例１７］
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１〜１４で得たセルロースアシレートフイルム試料（試料００１〜００７、０１１〜０１４、０１８〜０２０）および実施例１５で得たそれぞれに対応する偏光板を、液晶表示装置へ実装して評価してその視認性や視野角依存性などの光学性能が十分であることを確認した。
なお本実施例ではＩＰＳ型液晶セル、以下の実施例ではＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いたが、本発明のセルロースアシレートフイルムを用いた偏光板または光学補償フイルムの用途は液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。

［実施例１８］
（ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１〜１４で得た本発明のセルロースアシレートフイルム試料（試料００１〜００７、０１１〜０１４、０１８〜０２０）を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

［実施例１９］
（光学補償フイルム性能）
実施例１〜１４で得た本発明のセルロースアシレートフイルム試料（試料００１〜００７、０１１〜０１４、０１８〜０２０）を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フイルム試料を作製した。得られたフィルターフイルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフイルムが、光学補償用途として優れたものであることが判った。

Claims (12)

1. 下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たし、平均酢化度が６１．５〜６２．５％であり、残留硫酸量（硫黄元素の含有量として）が５０〜１５０ｐｐｍであり、かつアルカリ土類金属の含有量が０〜６０ｐｐｍであることを特徴とするセルロースアシレートフイルム。
   （Ｉ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
   （ＩＩ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５
   ［式中、Ｒｅ_（λ_）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_（λ_）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］
2. 鉄の含有量が１ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載のセルロースアシレートフイルム。
3. 綿花リンターを主原料とすることを特徴とする請求項１又は２に記載のセルロースアシレートフイルム。
4. 下記式（ＩＩＩ）、（ＩＶ）を満たす少なくとも一種以上の化合物を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルム。
   （ＩＩＩ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
   （ＩＶ）０．１≦Ａ≦３０
   ［式中、Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈを低下させる化合物をＡ質量％含有したフィルムのＲｔｈ_{（６３０）}、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ_{（６３０）}である。またＡはフィルム原料ポリマーの質量に対するＲｔｈを低下させる化合物の添加量（質量％）である。］
5. 請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム上に、Ｒｅ_{（６３０）}が０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜が０〜４００ｎｍの光学異方性層を設けてなることを特徴とする光学補償フイルム。
6. 光学異方性層がディスコティック液晶層を有することを特徴とする請求項５に記載の光学補償フイルム。
7. 光学異方性層が棒状液晶層を有することを特徴とする請求項５または６に記載の光学補償フイルム。
8. 光学異方性層がポリマーフイルムを有することを特徴とする請求項５〜７のいずれかに記載の光学補償フイルム。
9. 請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は請求項５〜８のいずれかに記載の光学補償フイルムを少なくとも１枚、偏光子の保護フイルムとしたことを特徴とする偏光板。
10. 表面にハードコート層、防眩層、反射防止層の少なくとも一層を設けたことを特徴とする請求項９に記載の偏光板。
11. 請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は請求項５〜８のいずれかに記載の光学補償フイルム及び請求項９または１０に記載の偏光板のいずれかを用いたことを特徴とする液晶表示装置。
12. 請求項１〜４のいずれかに記載のセルロースアシレートフイルム、又は請求項５〜８のいずれかに記載の光学補償フイルム及び請求項９または１０に記載の偏光板、のいずれかを用いたことを特徴とするＶＡまたはＩＰＳ液晶表示装置。