JP2006137909A - セルロースアシレートフィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性の波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを安定かつ迅速に製造する方法を提供する。
【解決手段】 下記式（Ｉ）および（ＩＩ）を満たすセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、原料であるセルロースアシレートを溶媒に粗溶解させる第１の工程と、前記第１の工程で粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させてドープを調製する第２の工程とを含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（Ｉ）０≦Ｒｅ_{（６３０）}≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（６３０）}｜≦２５
（ＩＩ）｜Ｒｅ_{（４００）}−Ｒｅ_{（７００）}｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ_{（４００）}−Ｒｔｈ_{（７００）}｜≦３５
［式中、Ｒｅ_（λ）は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_（λ）は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］
【選択図】なし

Description

本発明は、液晶表示装置に有用なセルロースアシレートフィルムを製造するための製造方法に関する。

従来、セルロースアシレートフィルムはその強靭性と難燃性から写真用支持体や各種光学材料に用いられてきた。特に、近年は液晶表示装置用の光学透明フィルムとして多く用いられている。セルロースアシレートフィルムは、光学的に透明性が高いことと、光学的に等方性が高いことから、液晶表示装置のように偏光を取り扱う装置用の光学材料として優れており、これまで偏光子の保護フィルムや、斜め方向からの見た表示を良化（視野角補償）できる光学補償フィルムの支持体として用いられてきた。

液晶表示装置用の部材のひとつである偏光板は、偏光子の少なくとも片側に偏光子の保護フィルムが貼合されたものである。一般的な偏光子は、延伸されたポリビニルアルコール（ＰＶＡ）系フィルムをヨウ素または二色性色素で染色することにより得られる。多くの場合、偏光子の保護フィルムとしてはＰＶＡに対して直接貼り合わせることができる、セルロースアシレートフィルム、なかでもトリアセチルセルロースフィルムが用いられている。この偏光子の保護フィルムは、光学的等方性に優れることが重要であり、偏光子の保護フィルムの光学特性が偏光板の特性を大きく左右する。

最近の液晶表示装置においては、視野角特性の改善がより強く要求されるようになっており、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、より光学的に等方性であることが求められている。光学的に等方性であるためには、光学フィルムの複屈折と厚みの積で表されるレターデーション値が小さいことが重要である。とりわけ、斜め方向からの表示良化のためには、正面方向のレターデーション（Ｒｅ）だけでなく、膜厚方向のレターデーション（Ｒｔｈ）を小さくする必要がある。具体的には光学透明フィルムの光学特性を評価した際に、フィルム正面から測定したＲｅが小さく、角度を変えて測定してもそのＲｅが変化しないことが要求される。

これまでに、正面のＲｅを小さくしたセルロースアシレートフィルムはあったが、角度によるＲｅ変化が小さい、すなわちＲｔｈが小さいセルロースアシレートフィルムは作製が難しかった。そこで、セルロースアシレートフィルムの代わりにポリカーボネート系フィルムや熱可塑性シクロオレフィンフィルムを用いた、Ｒｅの角度変化の小さい光学透明フィルムが提案されている（例えば、特許文献１，２，製品としてはＺＥＯＮＯＲ（日本ゼオン社製）や、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ社製）など）。しかし、これらの光学透明フィルムは、偏光子の保護フィルムとして使用する場合、フィルムが疎水的なためにＰＶＡとの貼合性に問題がある。またフィルム面内全体の光学特性が不均一である問題も残っている。

この解決法として、ＰＶＡへの貼合適正に優れるセルロースアシレートフィルムを、より光学的異方性を低下させて改良することが強く望まれている。具体的には、セルロースアシレートフィルムの正面のＲｅをほぼゼロとし、またレターデーションの角度変化も小さい、すなわちＲｔｈもほぼゼロとした、光学的に等方性である光学透明フィルムである。

セルロースアシレートフィルムの製造において、一般的に製膜性能を良化するため可塑剤と呼ばれる化合物が添加される。可塑剤の種類としては、リン酸トリフェニル、リン酸ビフェニルジフェニルのようなリン酸トリエステル、フタル酸エステル類などが開示されている（例えば、非特許文献１参照）。これら可塑剤の中で、特定の脂肪酸エステル類がセルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果を有することが報告されている（例えば、特許文献３参照）。しかしながら、これらの化合物を用いたセルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる効果は十分とはいえない。

また、最近の液晶表示装置においては、表示色味の改善も要求されるようになっている。そのため、偏光子の保護フィルムや光学補償フィルムの支持体などの光学透明フィルムは、波長４００〜８００ｎｍの可視領域でＲｅやＲｔｈを小さくするだけでなく、波長によるＲｅやＲｔｈの変化、すなわち波長分散を小さくする必要がある。

一方、セルロースアシレートフィルムは通常、溶液製膜法によって製造される。具体的には、セルロースアシレートのドープを調製し、このドープを無端状の支持体（例えば流延バンドや流延ドラム）上に流延し、ある程度乾燥させた後に支持体から剥がし取り、これをさらに乾燥させてセルロースアシレートフィルムを製造している。

ドープは、溶剤にセルロースアセテートと各種の添加剤を溶解して調製される。その際、セルロースアセテートの溶解速度は極めて遅く、完溶するまでに時間がかかるという問題がある。また、セルロースアセテートの溶解が不十分である場合には、未溶解物が異物としてフィルム製品に残り、製品の価値が著しく低下するという問題がある。これに対し、ドープの調製を短時間で行いながら未溶解物を除去する方法として、ドープの濾過精度を高めて未溶解物を除去する方法が考えられる。しかし、この方法では、濾材の目詰まりが早まって濾材の交換頻度が多くなり、作業量や廃濾材量が増加するなどの問題が発生する。

従来セルロースアシレートドープを迅速且つ完全に溶解させる方法に関して、粗溶解を目的とした工程と送液しながら溶解を促進させる工程を有することを特徴とするドープ溶解方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。しかし、この方法では溶解性の悪いドープを溶解させる場合に、溶解性の良し悪しがＲｅやＲｔｈにどの程度影響するかがわからず、ＲｅやＲｔｈが面内で均一なセルロースアシレートフィルムを安定して作製できる方法についての情報が得られなかった。また、さらに迅速な加熱条件（加熱温度、加熱時間等など）で溶解を行った場合に、溶解が完了するかどうかについての情報が得られなかった。
特開２００１−３１８２３３号公報 特開２００２−３２８２３３号公報 特開２００１−２４７７１７号公報 特開２００３−２２１４４９号公報 プラスチック材料講座、第１７巻、日刊工業新聞社、「繊維素系樹脂」、１２１頁（昭和４５年）

本発明の目的は、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さく実質的に光学的等方性であり、さらには光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）の波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを安定かつ迅速に製造する方法を提供することである。

本発明の製造方法によれば、原材料（セルロースアシレート及び溶媒）を投入するタンクでは、溶解時間短縮のため、ゲル状のセルロースアシレートの未溶解物を含む粗溶解液までの混合撹拌にとどめ、送液工程で溶解を促進させて、ろ過フィルタ以前で完全溶解させドープを調製することにより、効率よくドープを製造することができ、かつドープの調製時間を短縮できる。
また、セルロースアシレートフィルム内での面内および膜厚方向の配向を抑制する化合物を用い、かつ酢化度６１．０〜６２．５の高酢化度セルロースアシレートを用いることにより、フィルムの光学的異方性を低下させることができるとともに、高酢化度のセルロースアシレート原料綿を用いた場合にも、ドープの溶解性が悪化することなく、フィルムを製造する段階で迅速かつ安定してドープを溶解させることができる。

また、本発明者らによる鋭意検討の結果、ドープ溶解条件に関してドープ温度と加熱溶解時間の関係式を導出し、より迅速な加熱条件を行う場合に必要な加熱時間、温度についての情報、判断基準を得ることができた。従って、この関係式を用いることにより、簡単に最適な溶解条件を確立することができるため、ドープの溶解をきちんと完了させつつ、加熱しすぎることがなく迅速で安定した加熱溶解を行うことができる。

さらに、本発明の製造方法により製造された光学的異方性が小さく波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを用いることにより、視野角特性に優れた光学補償フィルム、偏光板などの光学材料、およびこれらを用いた液晶表示装置を提供できる。

以下に記載するセルロースアシレートフィルムの製造方法により、本発明の課題が達成された。
１． 下記式（I）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
原料であるセルロースアシレートを溶媒に粗溶解させる第１の工程と、
前記第１の工程で粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させてドープを調製する第２の工程とを含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（I）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
（II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
［式中、Ｒｅ_(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］
２． 前記セルロースアシレートが、平均酢化度６１．０〜６２．５のセルロースアシレートであることを特徴とする上記１に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
３． 前記第２の工程において、前記第１の工程で粗溶解させた液を加熱して、溶解を促進させることを特徴とする上記１または２に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
４． 前記粗溶解させた液の加熱方法が、多管式熱交換器を用いる方法であることを特徴とする上記３に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
５． 前記粗溶解させた液の加熱方法が、スパイラル式熱交換器を用いる方法であることを特徴とする上記３に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
６． 前記送液しながら溶解させる第２の工程において、下記式（III）で定義される熱仕事量が、下記式（IV）を満たす方法により加熱溶解を行うことで、前記ドープを製造することを特徴とする上記１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
（III）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＝[(ΔT_１＋ΔT_０)／２]×(ｔ_１−ｔ_０)＋[(ΔT_２＋ΔT_１)／２]×(ｔ_２−ｔ_１)＋・・・＋[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)＋・・・＋[(ΔT_ｍ＋ΔT_ｍ−１)／２]×(ｔ_ｍ−ｔ_ｍ−１)
（IV）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞２５０
［式中、ΔT_ｘは第２の工程に入ってｘ（分）後におけるドープ温度から粗溶解液の温度Ｔｐ（℃）を引いた温度差（単位：℃）、ｔ_ｘは第２の工程にドープが入ってからｘ（分）後の時間（単位：分）、Σは各時間での[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)を０〜ｍ（分）まで総和した熱仕事量（単位：℃・分）、ｍは第２の工程終了時の時間（単位：分）である。］
７． 調製されたドープ中に含まれるセルロースアシレートの５０〜９５質量％が、前記第１の工程の際に前記溶媒に溶解されたものであることを特徴とする上記１〜６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
８． 調製されたドープ中に含まれるセルロースアシレート濃度が１〜３０質量％であることを特徴とする上記１〜７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
９． 前記第２の工程の後に、前記ドープ中に含まれている不純物を除去する工程を含むことを特徴とする上記１〜８のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
１０． 前記不純物を除去する工程の後に、添加剤を添加する工程を含むことを特徴とする上記９に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。

本発明によれば、セルロースアシレートを溶媒に粗溶解させる第１の工程と、第１の工程で粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させて前記ドープを調整する第２の工程とをともに含むことにより、従来溶解性に問題があった高酢化度セルロースアシレートを原料に用いる場合でも、安定かつ迅速にドープを溶解させることができるため、光学的異方性が小さく、Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムを安定かつ迅速に製造することが可能になった。
また、本発明によれば、迅速で安定した溶解条件を簡単に確立することができるので、ドープの溶解をきちんと完了させつつ、ドープを加熱しすぎることなく効率よくセルロースアシレートを溶解させてセルロースアシレートフィルムを製造することができる。
さらに、本発明の製造方法を用いて製造された光学的に等方的なセルロースアシレートフィルムを用いることにより、視野角特性に優れる光学補償フィルム、偏光板などの光学材料、及びこれらを用いた液晶表示装置を提供することが可能になった。

以下、本発明に係るセルロースアシレートフィルムの製造方法の実施形態について説明する。本実施形態に係るセルロースアシレートフィルムにおいては、まず、セルロースアシレートを溶解してドープを製造する。この工程について図面に基づいて説明する。
［ドープの調製］
図１は、本実施形態に係るドープの製造に好適に用いられるドープ調製ライン１０を示している。ドープ調製ライン１０は、後述する溶媒（混合溶媒を用いるときも以下の説明においては、単に溶媒と称する場合もある）が投入される溶媒タンク１１と、セルロースアシレートが投入される計量器１４と、セルロースアシレートを溶媒に粗溶解させる溶解タンク１２とを備えている。溶解タンク１１及び計量器１４は、それぞれ配管を介して溶解タンク１２に接続されている。
このドープ調製ライン１０を用いてドープの調製するには、まず、溶解タンク１２にてセルロースアシレートを溶媒に粗溶解させ（第１の工程）、次に、第１の工程で粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させてドープを調製する（第２の工程）。以下、これらの工程を含むドープの製造方法について詳述する。

（溶解工程）
まず、溶媒タンク１１から必要な量の溶媒を溶解タンク１２に送液する。この溶媒は、溶媒タンク１１と溶解タンク１２との配管上に取り付けられている溶媒タンク開閉バルブ１３により、送液量を調整しながら送液される。
次に、計量器１４に仕込まれているセルロースアシレートを溶解タンク１２に計量しながら送り込む。セルロースアシレートは、前述した溶媒に対して１５．０〜２５．０質量％仕込むことが好ましく、これにより調製されたドープを製膜して得られるフィルムの品質が良好なものが得られる。しかしながら、本発明において溶媒に仕込むセルロースアシレートの量は前述した範囲に限定されるものではない。
また、上記の説明においては、溶解タンク１２に仕込む順番が、溶媒、セルロースアシレートの順であったが、本発明は必ずしもこの順に限定されるものではない。例えば、セルロースアシレートを計量し、溶解タンク１２に送り込んだ後に、好ましい量の溶媒を送液することも可能である。

溶解タンク１２には、モータ１７により回転する撹拌翼１８が備えられている。撹拌翼１８が回転することにより、溶解タンク１２内に送り込まれていた溶媒、セルロースアシレート、必要に応じて送り込まれていた可塑剤及びその他の添加剤を撹拌することで、溶媒にセルロースアシレート等の溶質を粗溶解させる。ここで、粗溶解とは、溶質が完全に溶媒に溶解していない状態を意味している。以下の説明においてこの粗溶解した液を粗溶解液１９と称する。
粗溶解液１９を調製する際、溶解タンク１２中で撹拌翼１８により撹拌する時間は、特に限定されず、セルロースアシレート濃度や溶媒の種類等によって適宜設定することができるが、２０〜１２０分であることが好ましく、３０〜９０分であることがより好ましい。２０分未満であると、セルロースアシレートなどの溶質の溶解量があまりに少なすぎて、後述する加熱による溶解によっても完全に溶解することができず、ドープを調製できないおそれがある。また、１２０分を超えて、溶解タンク１２によりドープを調製すると、より短時間で良好な品質のドープを得るという本発明の目的が得られないおそれがある。

なお、貯蔵タンク２０に一旦粗溶解液１９を送り込み、溶解タンク１２内を空にして、粗溶解液１９を形成する工程を繰り返す連続バッチ式を採用することが、コストの点から好ましい。貯蔵タンク２０にも、モータ２１で回転する撹拌翼２２が備えられており、送り込まれた粗溶解液１９を撹拌し、均一にすることができる。
さらに、貯蔵タンク２０内の粗溶解液１９を粗ろ過フィルタ２３を通過させ、ドープ調製に必要でないゴミなどの不純物を取り除くことが好ましいが、この粗ろ過フィルタ２３によるろ過工程は必ずしも必要ではない。

さらに、粗溶解液１９をポンプ２４により配管２５を介して加熱器２６に送液する。ポンプ２４から加熱器２６へ粗溶解液１９を送液する際に、配管２５を保温あるいは加熱することが好ましい。配管２５を保温あるいは加熱することで、粗溶解液１９が配管２５内を通過する際にも保温あるいは加熱され、ドープの粘度を小さく保つことができる。

次に、加熱器２６により粗溶解液１９を加熱することで、セルロースアシレート等の溶質の溶解を促進させて、ドープを調製することができる。加熱条件は特に限定されないが、加熱時間は５〜３０分、加熱温度は５０〜１２０℃であることが好ましい。加熱時間が５分未満であると、ドープの調製が完全に行なわれないおそれが生じ、３０分を超えて加熱しても、完全に必要な溶質成分が溶媒に溶解しているために時間の無駄であるとともに、調製されたドープの変質を招くおそれがある。また、加熱温度が５０℃未満であると、ドープの調製が完全に行なわれないおそれが生じ、１２０℃を超えると必要な溶質成分の変性を招くおそれがあるからである。

加熱器２６としては、送液しながら粗溶解液１９を加熱することができるものであればいずれのものを用いてもよいが、ドープを効率良く調製するために多管式熱交換器（シェル＆チューブ方式）や、２重管以上の管を備え加熱手段を有する静的混合撹拌器（スタチックミキサーとも称する）などのインラインミキサーを用いることが、ドープ調製時間を短縮するために好ましい。特に、熱交換効率の観点から、スパイラル式熱交換器を用いることがより好ましい。スパイラル式熱交換器は、２枚の板を中心部から渦巻状に巻きあげ、２つの流路から構成されている。この構造は、プロセス液の流路断面積に対して、伝熱面積を広くとれるために、熱交換効率に極めて優れた機器である。
また、加熱器２６の材質は、耐食性の高いものを用いることが好ましく、具体的にはステンレス、チタン、ハステロイ（商品名）などから形成されたものを用いることがより好ましい。これにより、溶解タンク１２の容量を変更することなく、ドープの量産のためのスピードアップが可能となる。

加熱器２６により調製されたドープを冷却器２７に送り、ドープを構成している主要溶媒の沸点以下まで冷却することが好ましい。このようにドープをある程度まで冷却することにより、良好な品質のフィルムを製膜するためのドープを調製することができる。例えば、ドープを構成している主要溶媒に塩化メチレン（メチレンクロライド）を用いた場合、ドープを３０〜３８℃の範囲まで冷却することが好ましい。しかしながら、本発明において、調製されたドープを冷却器２７により冷却することは必ずしも行う必要はない。

なお、上記においては、第２工程における粗溶解液１９の溶解促進手段の一例として、加熱器２６による加熱方法を挙げたが、本発明の第２工程における溶解促進手段はこれに限定されず、例えば、超音波、加圧、撹拌等の手段を用いることも可能である。

以上説明したドープの調製工程において、調製されたドープ中に含まれているセルロースアシレートを１００質量％とした場合に、前述した粗溶解液１９中には、その５０〜９０質量％の範囲のセルロースアシレートを予め溶解させておくことが好ましい。粗溶解液１９中におけるセルロースアシレートの溶解量をこの範囲とすることにより、良好な品質のドープをより短時間で製造することができる。

（不純物を除去する工程）
上記の方法で調製されたドープは、ろ過フィルタ２８を通すことにより、製膜に不必要な不純物を除去することが望ましい。ろ過フィルタ２８を通過して、不純物が除去されたドープは、均一なドープとなる。なお、この不純物をろ過するろ過フィルタ２８を通す直前のドープは、フィルム製膜に必要な成分がほぼ完全に溶解していることが望ましい。ろ過フィルタ２８を通す前に、ドープ中に未溶解の溶質成分が存在していると、ろ過フィルタ２８でその成分が除去されてしまい、溶解タンク１２に送り込んだ溶媒とセルロースアシレート等の溶質との成分比が異なり、目的とする成分比のドープが得られなくなるからである。
なお、図１では、ろ過フィルタ２８を４個並列に取り付けた例を図示したが、ろ過フィルタ２８の数はこの形態に限定されない。
また、上記実施形態においては省略したが、ろ過フィルタ２８を切り替える前に、新たに用いるフィルタに予め調製されたドープを流しておくことが、ドープ調製ライン１０で連続運転するためにより好ましい操作方法である。

（添加剤の添加工程）
不純物の除去後、ドープには添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、マット剤微粒子、光学特性調整剤等）を添加してもよい。添加剤をドープに添加するには、添加剤を適当な溶媒に溶解させて添加剤タンク１５に入れておき、添加剤タンク１５からドープを製膜工程へ送液する配管に添加剤溶液を送り込むことにより行うことができる。添加剤タンク１５とこの配管との間には、添加剤タンク開閉バルブ１６が取り付けられており、これにより必要量の添加剤を配管に送り込むことができる。なお、複数の種類の添加剤をドープに添加する場合は、添加剤の種類ごとに複数の添加剤タンク１５を設けることができる。
また、本実施形態では、添加剤を溶媒に溶解させて配管に送り込んだ例を示したが、本発明はこの方法に限定されない。添加剤が常温で液体の場合には、液体の状態で添加剤タンク１５から配管に送り込むことも可能である。また、添加剤が固体の場合には、計量器を用いて溶解タンク１２に送り込むことも可能である。なお、添加剤の添加量は、ドープ中のセルロースアシレートに対して５．０〜１５．０質量％であることが好ましい。添加剤の添加量をこの範囲とすることにより、ドープから製膜されたフィルムが製品として最も好ましい特性（例えば、柔軟性）を持つものが得られる。しかしながら、添加剤の量は前述した範囲に限定されるものではない。

（リサイクル工程）
ろ過フィルタ２８を洗浄した後の廃液を、セルロースアシレート溶液の溶媒として再利用してもよい。ろ過フィルタ２８を洗浄した後の廃液を再利用するには、配管（図示せず）によりフィルタ洗浄後溶媒タンク４１に送り込む。この廃液を、溶液処理装置（図示せず）により処理した後に、ポンプ４２によりリサイクル溶液タンク４３に送液する。このリサイクルされた廃液を、ドープ調製用の溶媒として、溶解タンク１２へ送り込んで再使用する。
このリサイクルされた溶媒を用いた溶液には、溶媒に対して０．１〜２５．０質量％のセルロースアシレートを含有させることが均一なドープを調製するために好ましい。また、この溶液には、ドープ中のセルロースアシレートに対して０．１〜２０．０質量％の添加剤を含有させることが好ましい。

（ドープの透明度）
上記のようにして調製されたドープは、ドープにセルロースアシレートや各種の添加剤等が十分に溶解していることが望ましい。ドープの透明度は、８５％以上であることが好ましく、８８％以上であることがより好ましく、９０％以上であることがさらに好ましい。具体的なドープ透明度の算出方法としては、まず、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定する。そして、溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレートのドープ溶液の透明度を算出することができる。

（熱仕事量）
本発明における熱仕事量とは、ドープを加熱溶解する際の加温温度（℃）と加熱時間（分）の関係で得られる値であり、下記式（III）により以下のように定義される値である。
（III）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＝[(ΔT_１＋ΔT_０)／２]×(ｔ_１−ｔ_０)＋[(ΔT_２＋ΔT_１)／２]×(ｔ_２−ｔ_１)＋・・・＋[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)＋・・・＋[(ΔT_ｍ＋ΔT_ｍ−１)／２]×(ｔ_ｍ−ｔ_ｍ−１)
［式中、ΔT_ｘは第２の工程に入ってｘ（分）後におけるドープ温度から粗溶解液の温度Ｔｐ（℃）を引いた温度差（単位：℃）、ｔ_ｘは第２の工程にドープが入ってからｘ（分）後の時間（単位：分）、Σは各時間での[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)を０〜ｍ（分）まで総和した熱仕事量（単位：℃・分）、ｍは第２の工程終了時の時間（単位：分）である。］
なお、上記ΔＴｍを求めるために、ドープの温度を測定するには、例えば図１に示すドープ調製ライン１０を用いた場合、第２の工程における加熱器２６の配管内に、配管中心部のドープ温度を測定できる温度センサーを設置することにより求めることが可能である。より具体的には、加熱器２６の入り口から出口までを１０分割するように温度センサーを配置しドープが流れる方向の温度測定を行うことができる。
また、粗溶解液の温度Ｔｐについては溶解タンク１２内に温度センサーを設置することにより測定可能である。粗溶解液の温度Ｔｐの温度としては、粗溶解液の通常の温度である３０℃としてもよい。

本発明において、第２の工程（上記実施形態では、加熱器２６による加熱）における熱仕事量Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍは下記式（IV）を満たすことが好ましい。
（IV）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞２５０
溶解性の悪いドープを加熱溶解する際には加熱温度をできるだけ高くし、かつ加熱時間をできるだけ長くすることで溶解性が確保される。しかし過度に加熱を行った場合には、ドープが変性したり、得られたフィルムの経時安定性が悪化するなどの諸問題が発生するばかりでなく、製造コストが高くなるという問題がある。これに対し、上記のように、熱仕事量がΣ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞２５０であることにより、過度に加熱を行うことを防ぐことができ、前記の問題を防止することができる。
熱仕事量は、より好ましくは、Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞３００であり、特に好ましくはΣ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞４００である。

［セルロースアシレートフィルムの製造方法］
次に、上記のようにして調製したドープからセルロースアシレートフィルムを製造する方法について説明する。
（流延、乾燥、巻き取り工程）
セルロースアシレートフィルムを製造するには、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜装置を用いて通常の方法に従って行うことができる。
まず、図１のドープ調製ライン１０にて調製されたドープを貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。このドープを、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延して、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。
そして、剥離したウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて乾燥装置のロール群で搬送し乾燥を終了して、巻き取り機で所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変更することができる。
上記のようにして製造されたセルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

セルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。

［セルロースアシレートフィルムの評価方法］
本発明に係る製造方法により製造したセルロースアシレートフィルムの評価に当たっては、以下の方法を用いることができる。
（セルロースアシレートフィルムのレターデーション（Ｒｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)））
本明細書において、Ｒｅ_(λ)、Ｒｔｈ_(λ)は各々、波長λｎｍにおける正面レターデーション値（以下、「面内レターデーション」ということもある。）および厚さ方向のレターデーションを表す。Ｒｅ_(λ)は、KOBRA 21ADH（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定することができる。Ｒｔｈ_(λ)は、前記Ｒｅ_(λ)、面内の遅相軸（KOBRA 21ADHにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λnｍの光を入射させて測定したレターデーション値の計３つの方向で測定したレターデーション値をもとにKOBRA 21ADHにより算出することができる。
ここで平均屈折率の仮定値は、ポリマーハンドブック（JOHN WILEY＆SONS，INC）等の各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する：セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）である。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、KOBRA 21ADHはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。
本発明の製造方法によるセルロースアシレートフィルムの光学的異方性、特に面内のレターデーションおよび厚さ方向のレターデーションは、下記式（I）を満たす範囲である。
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
上記式（I）は
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦１０
であることがより好ましく、
（Ｉ）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦３かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦５
であることが特に好ましい。

（レターデーション波長分散（｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜、｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜））
本発明においてレターデーションの波長分散とは、波長４００ｎｍ、及び７００ｎｍにおけるＲｅ、及びＲｔｈのそれぞれの差の絶対値により求めた値である。レターデーション波長分散が小さいフィルムほど、斜め方向から見たときのディスプレイの色味変化が小さく、視認性に優れた表示装置を作製することができる。
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性、特に波長４００ｎｍ、及び７００ｎｍにおける面内のリターデーションおよび厚さ方向のリターデーションを、下記式（II）をみたす範囲である。
（II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
より好ましくは、
（II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦７かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦２５
特に好ましくは、
（II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦５かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦１５
である。

（セルロースアシレートフィルムの輝点異物数）
セルロースアシレートフィルムの不純物の残留量は、輝点異物数を測定することにより評価することができる。セルロースアシレートフィルムの輝点異物数を測定するには、まず、直交状態（クロスニコル）に２枚の偏光板を配置して透過光を遮断し、セルロースアシレートフィルム試料をこの２枚の偏光板の間に挟む。この際、偏光板はガラス製保護板のもの等を使用することができる。そして、片側から光を照射し、反対側から光学顕微鏡（５０倍）で１ｃｍ^２当たりの直径０．０１ｍｍ以上の輝点数をカウントすることで、輝点異物数を測定する。
本発明に係るセルロースアシレートの輝点異物数は、好ましくは、直径が０．０１ｍｍ以上である輝点異物の数が２００個／ｃｍ^２以下であり、より好ましくは、該輝点異物の数が１００個／ｃｍ^２以上、２００個／ｃｍ^２未満であり、特に好ましくは、該輝点異物の数が５０個／ｃｍ^２以下である。

［セルロースアシレートフィルムの原料］
次に、本発明の製造方法に用いることができる各原料（セルロースアシレート、溶媒、添加剤等）について説明する。
（セルロースアシレート）
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができる。

上述のセルロースを原料に製造されるセルロースアシレートは、セルロースの水酸基がアシル化されたものであり、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。また、セルロースの水酸基への酢化度については、セルロースの水酸基に置換する酢酸の結合度を測定し、計算によって平均酢化度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することができる。

平均酢化度の高いセルロースアシレートを用いることで、面内及び膜厚方向のレターデーションが小さいセルロースアシレートフィルムを得ることが可能となる。従って、本発明に係るセルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への平均酢化度が６１．０〜６２．５であることが好ましい。平均酢化度は６１．５〜６２．５であることがより好ましく、６２．０〜６２．５であることがさらに好ましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。 これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、iso−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の範囲であることが好ましい。アシル置換度をこの範囲とすることにより、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性をより低下させることができる。 より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらに好ましくは２．６５〜３．００である。

本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアシレートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

セルロースアシレートの低分子成分は少ないことが好ましい。低分子成分が少ないと、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２０質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒量は、より好ましくは０．５〜１７．５質量部で、さらに好ましくは０．５〜１５質量部である。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。
セルロースアシレートの含水率は、２質量％以下であることが好ましく、１質量％以下であることがより好ましく、０．７質量％以下であることがさらに好ましい。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており、その含水量は２．５〜５質量％であることが知られている。セルロースアシレートの含水率を上記のように１質量％以下とするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明に用いられるセルロースアシレートの原料綿や合成方法については、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

また、本発明において、セルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲のものを、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

（溶媒）
主溶媒として好ましく用いられる溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、及び炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。 エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

また、主溶媒としては、塩素系のハロゲン化炭化水素を用いてもよいし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を用いてもよく、特に限定されるものではない。

その他、本発明に用いることができる溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６号、特開平１２−９５８７７号、特開平１０−３２４７７４号、特開平８−１５２５１４号、特開平１０−３３０５３８号、特開平９−９５５３８号、特開平９−９５５５７号、特開平１０−２３５６６４号、特開平１２−６３５３４号、特開平１１−２１３７９号、特開平１０−１８２８５３号、特開平１０−２７８０５６号、特開平１０−２７９７０２号、特開平１０−３２３８５３号、特開平１０−２３７１８６号、特開平１１−６０８０７号、特開平１１−１５２３４２号、特開平１１−２９２９８８号、特開平１１−６０７５２号、特開平１１−６０７５２号公報などに記載されている。これらの特許によると本発明に好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

（添加剤）
本発明の製造方法によるドープ（セルロースアシレート溶液）には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、マット剤微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができる。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、前述したようにドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。

〈セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を調整する化合物〉
まず、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を調整する化合物について説明する。光学的異方性を調整する化合物とは、レターデーションの絶対値を増加させる化合物と低下させる化合物とを総称するものである。
本発明者らの検討によれば、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くすることができる。以下、この光学的異方性を低下させる化合物について説明する。光学的異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートに十分に相溶し、かつ、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には、芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

〈オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）〉
上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学的異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０ないし７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアシレートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１ないし６であり、特に好ましい範囲は１．５ないし５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰ値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。

（光学的異方性を低下させる化合物の物性）
光学的異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学的異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学的異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また、光学的異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製におけるドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
本発明における光学的異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜２０質量％の範囲であることが好ましく、１〜１７．５質量％の範囲であることがより好ましく、５〜１５質量％の範囲であることが特に好ましい。
光学的異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学的異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学的異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０〜９９％であることが好ましい。光学的異方性を低下させる化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の具体例としては、以下の一般式（１）〜（１７）の化合物が挙げられるが、本発明はこれら化合物に限定されない。
一般式（１）の化合物について説明する。

一般式（１）において、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３はそれぞれ独立に、炭素数が１ないし２０の脂肪族基を表す。Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３は互いに連結して環を形成してもよい。
Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３は、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基である。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。例として、アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２.２.２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどが挙げられる。
炭素数が１ないし２０の脂肪族基は置換されていてもよく、置換基の例としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子）、アルキル基（直鎖、分岐、環状のアルキル基で、ビシクロアルキル基、活性メチン基を含む）、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、ヘテロ環基（置換する位置は問わない）、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、ヘテロ環オキシカルボニル基、カルバモイル基、Ｎ−アシルカルバモイル基、Ｎ−スルホニルカルバモイル基、Ｎ−カルバモイルカルバモイル基、Ｎ−スルファモイルカルバモイル基、カルバゾイル基、カルボキシ基またはその塩、オキサリル基、オキサモイル基、シアノ基、カルボンイミドイル基（Carbonimidoyl基）、ホルミル基、ヒドロキシ基、アルコキシ基（エチレンオキシ基もしくはプロピレンオキシ基単位を繰り返し含む基を含む）、アリールオキシ基、ヘテロ環オキシ基、アシルオキシ基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルオキシ基、カルバモイルオキシ基、スルホニルオキシ基、アミノ基、（アルキル、アリールまたはヘテロ環）アミノ基、アシルアミノ基、スルホンアミド基、ウレイド基、チオウレイド基、イミド基、（アルコキシもしくはアリールオキシ）カルボニルアミノ基、スルファモイルアミノ基、セミカルバジド基、アンモニオ基、オキサモイルアミノ基、Ｎ−（アルキルもしくはアリール）スルホニルウレイド基、Ｎ−アシルウレイド基、Ｎ−アシルスルファモイルアミノ基、４級化された窒素原子を含むヘテロ環基（例えばピリジニオ基、イミダゾリオ基、キノリニオ基、イソキノリニオ基）、イソシアノ基、イミノ基、（アルキルまたはアリール）スルホニル基、（アルキルまたはアリール）スルフィニル基、スルホ基またはその塩、スルファモイル基、Ｎ−アシルスルファモイル基、Ｎ−スルホニルスルファモイル基またはその塩、ホスフィノ基、ホスフィニル基、ホスフィニルオキシ基、ホスフィニルアミノ基、シリル基等が挙げられる。
これらの基はさらに組み合わされて複合置換基を形成してもよく、このような置換基の例としては、エトキシエトキシエチル基、ヒドロキシエトキシエチル基、エトキシカルボニルエチル基などを挙げることができる。また、Ｒ^１１、Ｒ^１２、及びＲ^１３は、置換基としてリン酸エステル基を含有することもでき、一般式（１）の化合物は同一分子中に複数のリン酸エステル基を有することも可能である。

次に、一般式（２）および（３）の化合物について説明する。

一般式（２）および（３）において、Ｚは炭素原子、酸素原子、硫黄原子、又は−ＮＲ^２５−を表し、Ｒ^２５は水素原子またはアルキル基を表す。Ｚを含んで構成される５または６員環は置換基を有していても良く、複数の置換基が互いに結合して環を形成していてもよい。Ｚを含んで構成される５または６員環の例としては、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、テトラヒドロチオフェン、チアン、ピロリジン、ピペリジン、インドリン、イソインドリン、クロマン、イソクロマン、テトラヒドロ−２−フラノン、テトラヒドロ−２−ピロン、４−ブタンラクタム、６−ヘキサノラクタムなどを挙げることができる。
また、Ｚを含んで構成される５または６員環は、ラクトン構造またはラクタム構造、すなわち、Ｚの隣接炭素にオキソ基を有する環状エステルまたは環状アミド構造を含む。このような環状エステルまたは環状アミド構造の例としては、２−ピロリドン、２−ピペリドン、５−ペンタノリド、６−ヘキサノリドを挙げることができる。

Ｒ^２５は水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であるアルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）を表す。Ｒ^２５で表されるアルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどを挙げることができる。Ｒ^２５で表されるアルキル基はさらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては前記のＲ^１１〜Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｙ^２１及びＹ^２２はそれぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基またはカルバモイル基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが例示できる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニル、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが例示できる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが例示できる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが例示できる。Ｙ^２１及びＹ^２２は互いに連結して環を形成してもよい。Ｙ^２１及びＹ^２２はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１〜Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

次に、一般式（４）〜（１２）の化合物について説明する。

一般式（４）〜（１２）において、Ｙ^３１〜Ｙ^７０は、それぞれ独立に、エステル基、アルコキシカルボニル基、アミド基、カルバモイル基またはヒドロキシ基を表す。エステル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセトキシ、エチルカルボニルオキシ、プロピルカルボニルオキシ、ｎ−ブチルカルボニルオキシ、ｉｓｏ−ブチルカルボニルオキシ、ｔ−ブチルカルボニルオキシ、ｓｅｃ−ブチルカルボニルオキシ、ｎ−ペンチルカルボニルオキシ、ｔ−アミルカルボニルオキシ、ｎ−ヘキシルカルボニルオキシ、シクロヘキシルカルボニルオキシ、１−エチルペンチルカルボニルオキシ、ｎ−ヘプチルカルボニルオキシ、ｎ−ノニルカルボニルオキシ、ｎ−ウンデシルカルボニルオキシ、ベンジルカルボニルオキシ、１−ナフタレンカルボニルオキシ、２−ナフタレンカルボニルオキシ、１−アダマンタンカルボニルオキシなどが挙げられる。アルコキシカルボニル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ｎ−プロピルオキシカルボニル、イソプロピルオキシカルボニル、ｎ−ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル、ｉｓｏ−ブチルオキシカルボニル、ｓｅｃ−ブチルオキシカルボニル、ｎ−ペンチルオキシカルボニル、ｔ−アミルオキシカルボニル、ｎ−ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、２−エチルヘキシルオキシカルボニルなど、１−エチルプロピルオキシカルボニル、ｎ−オクチルオキシカルボニル、３，７−ジメチル−３−オクチルオキシカルボニル、３，５，５−トリメチルヘキシルオキシカルボニル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシルオキシカルボニル、２，４−ジメチルペンチル−３−オキシカルボニル、１−アダマンタンオキシカルボニル、２−アダマンタンオキシカルボニル、ジシクロペンタジエニルオキシカルボニル、ｎ−デシルオキシカルボニル、ｎ−ドデシルオキシカルボニル、ｎ−テトラデシルオキシカルボニル、ｎ−ヘキサデシルオキシカルボニルなどが挙げられる。アミド基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、アセタミド、エチルカルボキサミド、ｎ−プロピルカルボキサミド、イソプロピルカルボキサミド、ｎ−ブチルカルボキサミド、ｔ−ブチルカルボキサミド、ｉｓｏ−ブチルカルボキサミド、ｓｅｃ−ブチルカルボキサミド、ｎ−ペンチルカルボキサミド、ｔ−アミルカルボキサミド、ｎ−ヘキシルカルボキサミド、シクロヘキシルカルボキサミド、１−エチルペンチルカルボキサミド、１−エチルプロピルカルボキサミド、ｎ−ヘプチルカルボキサミド、ｎ−オクチルカルボキサミド、１−アダマンタンカルボキサミド、２−アダマンタンカルボキサミド、ｎ−ノニルカルボキサミド、ｎ−ドデシルカルボキサミド、ｎ−ペンタカルボキサミド、ｎ−ヘキサデシルカルボキサミドなどが挙げられる。カルバモイル基としては、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２であり、例えば、メチルカルバモイル、ジメチルカルバモイル、エチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、ｎ−プロピルカルバモイル、イソプロピルカルバモイル、ｎ−ブチルカルバモイル、ｔ−ブチルカルバモイル、ｉｓｏ−ブチルカルバモイル、ｓｅｃ−ブチルカルバモイル、ｎ−ペンチルカルバモイル、ｔ−アミルカルバモイル、ｎ−ヘキシルカルバモイル、シクロヘキシルカルバモイル、２−エチルヘキシルカルバモイル、２−エチルブチルカルバモイル、ｔ−オクチルカルバモイル、ｎ−ヘプチルカルバモイル、ｎ−オクチルカルバモイル、１−アダマンタンカルバモイル、２−アダマンタンカルバモイル、ｎ−デシルカルバモイル、ｎ−ドデシルカルバモイル、ｎ−テトラデシルカルバモイル、ｎ−ヘキサデシルカルバモイルなどが挙げられる。Ｙ^３１〜Ｙ^７０はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１〜Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｖ^３１〜Ｖ^４３はそれぞれ独立に水素原子または、好ましくは炭素数が１ないし２０、さらに好ましくは炭素数が１ないし１６、特に好ましくは、炭素数が１ないし１２である脂肪族基を表す。ここで、脂肪族基とは、好ましくは脂肪族炭化水素基であり、さらに好ましくは、アルキル基（鎖状、分岐状および環状のアルキル基を含む。）、アルケニル基またはアルキニル基である。アルキル基としては、メチル、エチル、ｎ−プロピル、イソプロピル、ｎ−ブチル、イソブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｔ−アミル、ｎ−ヘキシル、ｎ−オクチル、デシル、ドデシル、エイコシル、２−エチルヘキシル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘプチル、２，６−ジメチルシクロヘキシル、４−ｔ−ブチルシクロヘキシル、シクロペンチル、１−アダマンチル、２−アダマンチル、ビシクロ［２．２．２］オクタン−３−イルなどが挙げられ、アルケニル基としては、例えば、ビニル、アリル、プレニル、ゲラニル、オレイル、２−シクロペンテン−１−イル、２−シクロヘキセン−１−イルなどが挙げられ、アルキニル基としては、例えば、エチニル、プロパルギルなどを挙げることができる。Ｖ^３１〜Ｖ^４３はさらに置換基を有していてもよく、例としては前記のＲ^１１〜Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

Ｌ^３１〜Ｌ^８０はそれぞれ独立に、原子数０ないし４０かつ、炭素数０ないし２０の２価の飽和の連結基を表す。ここで、Ｌ^３１〜Ｌ^８０の原子数が０であるということは、連結基の両端にある基が直接に単結合を形成していることを意味する。Ｌ^３１〜Ｌ^８０の好ましい例としては、アルキレン基（例えば、メチレン、エチレン、プロピレン、トリメチレン、テトラメチレン、ペンタメチレン、ヘキサメチレン、メチルエチレン、エチルエチレンなど）、環式の２価の基（例えば、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキシレン、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキシレン、１，３−シクロペンチリデンなど）、エーテル、チオエーテル、エステル、アミド、スルホン、スルホキシド、スルフィド、スルホンアミド、ウレイレン、チオウレイレンなどを挙げることができる。これらの２価の基は互いに結合して二価の複合基を形成してもよく、複合置換基の例としては、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）₂Ｏ（ＣＨ₂）−、−（ＣＨ₂）₂Ｓ（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₂Ｏ₂Ｃ（ＣＨ₂）₂−などを挙げることができる。Ｌ^３１〜Ｌ^８０は、さらに置換基を有していてもよく、置換基の例としては、前記のＲ^１１〜Ｒ^１３に置換していても良い基を挙げることができる。

一般式（４）〜（１２）においてＹ^３１〜Ｙ^７０、Ｖ^３１〜Ｖ^４３およびＬ^３１〜Ｌ^８０の組み合わせにより形成される化合物の好ましい例としては、クエン酸エステル（例えば、Ｏ−アセチルクエン酸トリエチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリブチル、クエン酸アセチルトリエチル、クエン酸アセチルトリブチル、Ｏ−アセチルクエン酸トリ（エチルオキシカルボニルメチレン）エステルなど）、オレイン酸エステル（例えば、オレイン酸エチル、オレイン酸ブチル、オレイン酸２−エチルヘキシル、オレイン酸フェニル、オレイン酸シクロヘキシル、オレイン酸オクチルなど）、リシノール酸エステル（例えばリシノール酸メチルアセチルなど）、セバシン酸エステル（例えばセバシン酸ジブチルなど）、グリセリンのカルボン酸エステル（例えば、トリアセチン、トリブチリンなど）、グリコール酸エステル（例えば、ブチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、メチルフタリルメチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートなど）、ペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ペンタエリスリトールテトラアセテート、ペンタエリスリトールテトラブチレートなど）、ジペンタエリスリトールのカルボン酸エステル（例えば、ジペンタエリスリトールヘキサアセテート、ジペンタエリスリトールヘキサブチレート、ジペンタエリスリトールテトラアセテートなど）、トリメチロールプロパンのカルボン酸エステル類（トリメチロールプロパントリアセテート、トリメチロールプロパンジアセテートモノプロピオネート、トリメチロールプロパントリプロピオネート、トリメチロールプロパントリブチレート、トリメチロールプロパントリピバロエート、トリメチロールプロパントリ（ｔ−ブチルアセテート）、トリメチロールプロパンジ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンテトラ２−エチルヘキサネート、トリメチロールプロパンジアセテートモノオクタネート、トリメチロールプロパントリオクタネート、トリメチロールプロパントリ（シクロヘキサンカルボキシレート）など）、特開平１１−２４６７０４公報に記載のグリセロールエステル類、特開２０００−６３５６０号公報に記載のジグリセロールエステル類、特開平１１−９２５７４号公報に記載のクエン酸エステル類、ピロリドンカルボン酸エステル類（２−ピロリドン−５−カルボン酸メチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸エチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸ブチル、２−ピロリドン−５−カルボン酸２−エチルヘキシル）、シクロヘキサンジカルボン酸エステル（ｃｉｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，２−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｃｉｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチル、ｔｒａｎｓ−１，４−シクロヘキサンジカルボン酸ジブチルなど）、キシリトールカルボン酸エステル（キシリトールペンタアセテート、キシリトールテトラアセテート、キシリトールペンタプロピオネートなど）などが挙げられる。

以下に本発明の一般式（１）ないし（１２）で表される化合物の例を挙げるが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、一般式（１）については化合物（C-1〜C-76）を例示し、一般式（２）〜（１２）については化合物（C-201〜C-203、C-401〜C-448）を例示した。表記載あるいは括弧内に記載のｌｏｇＰ値は、Crippen's fragmentation法（ J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^３は前記一般式（１）のＲ^１１〜Ｒ^１３と同義であり、下記のC-1〜C-76で具体例を例示する。）

次に、一般式（１３）および（１４）の化合物について説明する。

上記一般式（１３）において、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和が１０以上であることが特に好ましい。
また、一般式（１４）中、Ｒ⁴およびＲ⁵は、それぞれ独立に、アルキル基またはアリール基を表す。また、Ｒ⁴およびＲ⁵の炭素原子数の総和は１０以上であることが好ましく、各々、アルキル基およびアリール基は置換基を有していてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１乃至２５のものが好ましく、６乃至２５のものがより好ましく、６乃至２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６乃至３０のものが好ましく、６乃至２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。一般式（１３）または一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

次に、一般式（１５）の化合物について説明する。

上記一般式（１５）において、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子または炭素原子数が１乃至５のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、アミル、イソアミル）であることが好ましく、Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の少なくとも１つ以上が炭素原子数１乃至３のアルキル基（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル）であることが特に好ましい。Ｘは、単結合、−Ｏ−、−ＣＯ−、アルキレン基（好ましくは炭素原子数１〜６、より好ましくは１〜３のもの、例えばメチレン、エチレン、プロピレン）またはアリーレン基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１２のもの。例えば、フェニレン、ビフェニレン、ナフチレン）から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが好ましく、−Ｏ−、アルキレン基またはアリーレン基から選ばれる１種以上の基から形成される２価の連結基であることが特に好ましい。Ｙは、水素原子、アルキル基（好ましくは炭素原子数２〜２５、より好ましくは２〜２０のもの。例えば、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、２−エチルヘキシル、ｔ−オクチル、ドデシル、シクロヘキシル、ジシクロヘキシル、アダマンチル）、アリール基（好ましくは炭素原子数６〜２４、より好ましくは６〜１８のもの。例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル）またはアラルキル基（好ましくは炭素原子数７〜３０、より好ましくは７〜２０のもの。例えば、ベンジル、クレジル、t-ブチルフェニル、ジフェニルメチル、トリフェニルメチル）であることが好ましく、アルキル基、アリール基またはアラルキル基であることが特に好ましい。−Ｘ−Ｙの組み合わせとしては、−Ｘ−Ｙの総炭素数が０乃至４０であることが好ましく、１乃至３０であることがさらに好ましく、１乃至２５であることが最も好ましい。これら一般式（１４）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

一般式（１６）の化合物について説明する。

Q¹、Q²およびQ³はそれぞれ独立に5ないし6員環を表し、炭化水素環でもヘテロ環でもよく、また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。炭化水素環として好ましくは、置換または無置換のシクロヘキサン環、置換または無置換のシクロペンタン環、芳香族炭化水素環であり、より好ましくは芳香族炭化水素環である。へテロ環として好ましくは5ないし6員環の酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む環である。へテロ環としてより好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のうち少なくとも１つを含む芳香族ヘテロ環である。
Q¹、Q²およびQ³として好ましくは芳香族炭化水素環または芳香族へテロ環である。芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。Q¹、Q²およびQ³としてより好ましくは好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。またQ¹、Q²およびQ³は置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが挙げられる。

XはB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表し、Xとして好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、Nであり、Xとしてより好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。
一般式（１６）として好ましくは下記一般式（１７）で表される化合物である。

（式中、X²はB、C−R（Rは水素原子または置換基を表す。）、Nを表す。R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵は水素原子または置換基を表す。）

X²はB、C-R（Rは水素原子または置換基を表す。）、N、P、P=Oを表しX²として好ましくはB、C-R（Rとして好ましくはアリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、カルボキシル基であり、より好ましくはアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくはアルコキシ基、ヒドロキシ基であり、特に好ましくはヒドロキシ基である。）、N、P=Oであり、更に好ましくはC-R、Nであり、特に好ましくはC-Rである。

R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵は水素原子または置換基を表し、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。R¹¹、R¹²、R¹³、R¹⁴、R¹⁵、R²¹、R²²、R²³、R²⁴、R²⁵、R³¹、R³²、R³³、R³⁴ないしR³⁵として好ましくはアルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換又は未置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アシル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アシルオキシ基、アシルアミノ基、アルコキシカルボニルアミノ基、アリールオキシカルボニルアミノ基、スルホニルアミノ基、スルファモイル基、カルバモイル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、スルホニル基、スルフィニル基、ウレイド基、リン酸アミド基、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基であり、より好ましくはアルキル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基であり、更に好ましくはアルキル基、アリール基、アルコキシ基である。
これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に前述の置換基Ｔについて説明する。置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

以下に一般式（１６）で表される化合物に関して具体例をあげて詳細に説明するが、本発明は以下の具体例によって何ら限定されることはない。

光学的異方性を低下させる化合物として、オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体を用いることも好ましい。
オクタノール−水分配係数（ＬｏｇＰ値）が０〜７である、多価アルコールエステル化合物、カルボン酸エステル化合物、多環カルボン酸化合物、ビスフェノール誘導体の具体例を以下に示す。

〈多価アルコールエステル化合物〉
多価アルコールエステルは、２価以上の多価アルコールと１種以上のモノカルボン酸とのエステルである。多価アルコールエステル化合物としては以下のものが例としてあげられるが、本発明はこれらに限定されない。

好ましい多価アルコールの例としては、例えばアドニトール、アラビトール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、ジブチレングリコール、１，２，４−ブタントリオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ヘキサントリオール、ガラクチトール、マンニトール、３−メチルペンタン−１，３，５−トリオール、ピナコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、トリメチロールエタン、キシリトール等を挙げることができる。特に、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリプロピレングリコール、ソルビトール、トリメチロールプロパン、キシリトールが好ましい。

多価アルコールエステルにおけるモノカルボン酸としては、特に制限はなく公知の脂肪族モノカルボン酸、脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸等を用いることができる。脂環族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸を用いるとセルロースアシレートフィルムの透湿度、含水率、保留性を向上させる点で好ましい。
好ましいモノカルボン酸の例としては、以下のようなものを挙げることができるが、本発明はこれに限定されるものではない。

脂肪族モノカルボン酸としては、炭素数１〜３２の直鎖または側鎖を有する脂肪酸が好ましい。炭素数は１〜２０であることが更に好ましく、１〜１０であることが特に好ましい。
好ましい脂肪族モノカルボン酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ペラルゴン酸、カプリン酸、２−エチル−ヘキサンカルボン酸、ウンデシル酸、ラウリン酸、トリデシル酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、ヘプタデシル酸、ステアリン酸、ノナデカン酸、アラキン酸、ベヘン酸、リグノセリン酸、セロチン酸、ヘプタコサン酸、モンタン酸、メリシン酸、ラクセル酸等の飽和脂肪酸、ウンデシレン酸、オレイン酸、ソルビン酸、リノール酸、リノレン酸、アラキドン酸等の不飽和脂肪酸等を挙げることができる。これらは更に置換基を有しても良い。
上記の中でも、脂肪族モノカルボン酸として酢酸を用いると、セルロースアシレートとの相溶性が増すため好ましい。酢酸と他のモノカルボン酸を混合して用いることも好ましい。

好ましい脂環族モノカルボン酸の例としては、シクロペンタンカルボン酸、シクロヘキサンカルボン酸、シクロオクタンカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。

好ましい芳香族モノカルボン酸の例としては、安息香酸、トルイル酸等の安息香酸のベンゼン環にアルキル基を導入したもの、ビフェニルカルボン酸、ナフタリンカルボン酸、テトラリンカルボン酸等のベンゼン環を２個以上有する芳香族モノカルボン酸、またはそれらの誘導体を挙げることができる。特に安息香酸が好ましい。

本発明の多価アルコールエステルにおけるカルボン酸は一種類でも、二種以上の混合でもよい。また、多価アルコール中のＯＨ基は全てエステル化してもよいし、一部をＯＨ基のままで残してもよい。多価アルコールの分子内に芳香環もしくはシクロアルキル環を３つ以上有することが好ましい。
多価アルコールエステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

〈カルボン酸エステル化合物〉
カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。具体的には、フタル酸エステル及びクエン酸エステル等、フタル酸エステルとしては、例えばジメチルフタレート、ジエチルフタレート、ジシクロヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート及びジエチルヘキシルフタレート等、またクエン酸エステルとしてはクエン酸アセチルトリエチル及びクエン酸アセチルトリブチルを挙げることができる。またその他、オレイン酸ブチル、リシノール酸メチルアセチル、セバチン酸ジブチル、トリアセチン、トリメチロールプロパントリベンゾエート等も挙げられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートもこの目的で好ましく用いられる。アルキルフタリルアルキルグリコレートのアルキルは炭素原子数１〜８のアルキル基である。アルキルフタリルアルキルグリコレートとしてはメチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレート、メチルフタリルエチルグリコレート、エチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルプロピルグリコレート、プロピルフタリルエチルグリコレート、メチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルブチルグリコレート、エチルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルメチルグリコレート、ブチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルブチルグリコレート、ブチルフタリルプロピルグリコレート、メチルフタリルオクチルグリコレート、エチルフタリルオクチルグリコレート、オクチルフタリルメチルグリコレート、オクチルフタリルエチルグリコレート等を挙げることが出来、メチルフタリルメチルグリコレート、エチルフタリルエチルグリコレート、プロピルフタリルプロピルグリコレート、ブチルフタリルブチルグリコレート、オクチルフタリルオクチルグリコレートが好ましく、特にエチルフタリルエチルグリコレートが好ましく用いられる。またこれらアルキルフタリルアルキルグリコレート等を２種以上混合して使用してもよい。

カルボン酸エステル化合物としては、以下の化合物を例としてあげることができるが、本発明はこれらに限定されない。

〈多環カルボン酸化合物〉
多環カルボン酸化合物は分子量が３０００以下の化合物であることが好ましく、特に２５０〜２０００以下の化合物であることが好ましい。環状構造に関して、環の大きさについて特に制限はないが、３〜８個の原子から構成されていることが好ましく、特に６員環及び／又は５員環であることが好ましい。これらが炭素、酸素、窒素、珪素あるいは他の原子を含んでいてもよく、環の結合の一部が不飽和結合であってもよく、例えば６員環がベンゼン環、シクロヘキサン環でもよい。光学的異方性を低下させる化合物は、このような環状構造が複数含まれているものでもよく、例えば、ベンゼン環とシクロヘキサン環をどちらも分子内に有していたり、２個のシクロヘキサン環を有していたり、ナフタレンの誘導体あるいはアントラセン等の誘導体であってもよい。より好ましくはこのような環状構造を分子内に３個以上含んでいる化合物であることが好ましい。また、少なくとも環状構造の１つの結合が不飽和結合を含まないものであることが好ましい。具体的には、アビエチン酸、デヒドロアビエチン酸、パラストリン酸などのアビエチン酸誘導体が代表的であり、以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

〈ビスフェノール誘導体〉
ビスフェノール誘導体は分子量が１００００以下であることが好ましく、この範囲であれば単量体でも良いし、オリゴマー、ポリマーでも良い。また他のポリマーとの共重合体でも良いし、末端に反応性置換基が修飾されていても良い。以下にこれら化合物の化学式を示すが、特にこれらに限定されるものではない。

なお、ビスフェノール誘導体の上記具体例中で、Ｒ_１〜Ｒ_４は水素原子、または炭素数１〜１０のアルキル基を表す。ｌ、ｍ、ｎは繰り返し単位を表し、特に限定はしないが、１〜１００の整数が好ましく、１〜２０の整数がさらに好ましい。

〈波長分散調整剤〉
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（「波長分散調整剤」とも言う。）について説明する。本発明者らの検討によれば、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０質量％含むことによってセルロースアシレートフィルムのＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）の波長分散を調整できる。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）の値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）を大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）の波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）の波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ_（λ）、Ｒｔｈ_（λ）の波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが好ましい。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるために、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜および｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。本発明に係るセルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。このためには、分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１ないし３０質量％であることが好ましく、０．１ないし２０質量％であることがより好ましく、０．２ないし１０質量％であることが特に好ましい。

また、波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。これら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。

ベンゾトリアゾール系化合物としては一般式（１０１）で示されるものが本発明の波長分散調整剤として好ましく用いられる。

一般式（１０１） Ｑ¹−Ｑ²−OH
（式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環、Ｑ²は芳香族環を表す。）

Ｑ¹は含窒素方向芳香族へテロ環を表し、好ましくは５乃至７員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは５ないし６員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等があげられる。Ｑ¹は、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールが好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールである。
Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環は更に置換基を有してもよく、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはナフタレン環、ベンゼン環であり、特に好ましくはベンゼン環である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、前述の置換基Ｔが好ましい。

一般式（１０１）として好ましくは下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²、およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

一般式（１０１）としてより好ましくは下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は一般式（１０１−Ａ）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

以下に一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずにセルロースアシレートフィルムを作製すると、保留性の点で有利であるため好ましい。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。）、酸素原子または硫黄原子を表す。）

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環として好ましくは酸素原子、窒素原子あるいは硫黄原子のどれかひとつを少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、前述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、4級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはＯであり、特に好ましくはＯである。

一般式（１０２）として好ましくは下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基、水素原子である。

一般式（１０２）としてより好ましくは下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表す。）

Ｒ¹⁰は水素原子、置換または無置換のアルキル基、置換または無置換のアルケニル基、置換または無置換のアルキニル基、置換または無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換または無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換または無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換または無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ-ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換または無置換のアルキル基（２−エチルヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ベンジル基）である。

一般式（１０２）で表される化合物は、特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また、本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基を含む化合物としては一般式（１０３）で示されるものが好ましく用いられる。

（式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。）
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環は芳香族炭化水素環でも芳香族ヘテロ環でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環として好ましくは芳香族炭化水素環であり、より好ましくはベンゼン環である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、前述の置換基Ｔが好ましい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびX²はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合わせたもの）である。

一般式（１０３）として好ましくは下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。X¹およびX²は一般式（２０）におけるそれらと同義であり、また好ましい範囲も同様である。）

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基ととしては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³、およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基、ヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基、炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

一般式（１０３）としてより好ましくは下記一般式（１０３-Ｂ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子、または置換基を表す。）

Ｘ³は水素原子、または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（−Ｃ(＝Ｏ)ＯＲ（Ｒは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合わせたもの）である。

一般式（１０３）として更に好ましくは一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物である。

（式中、Ｒ³およびＲ⁸は一般式（１０３-Ａ）におけるそれらと同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。）

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、tert-オクチル基、２−エチルへキシル基、ｎ-デシル基、ｎ-ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

本発明一般式（１０３）で表される化合物はJounal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

〈マット剤微粒子〉
本発明に係るドープには、添加剤としてマット剤微粒子を添加することが好ましい。マット剤微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成することができる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径は、フィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作製し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。
上記のように二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散する場合、二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

微粒子の分散に用いる溶剤としては、低級アルコール類が好ましい。低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

〈可塑剤、劣化防止剤、剥離剤〉
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、本発明に係るセルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができる。なお、添加剤として可塑剤を用いる場合には、トリフェニルホスフェートを用いることが好ましいが、これに限定されない。
その他の添加剤としては、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合等を用いることができ、これらは、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。また、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されているものを用いることができる。

添加剤を添加する時期については、ドープ作製工程において何れで添加しても良いが、前述したようにドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。また、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。 また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

［分子量が３０００以下の化合物添加の比率］
本発明に係るセルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレートに対して５〜４５質量％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０質量％であり、さらにのぞましくは１５〜３０質量％である。これら化合物の総量が５質量％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する（フィルムからの泣き出し）などの問題が生じやすくなる。
これらの化合物としては上述したように、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下が好ましく、２０００以下がより好ましく、１０００以下がさらに好ましい。

［セルロースアシレートフィルムの用途（偏光板）］
本発明の製造方法によって製造されるセルロースアシレートフィルムの用途について説明する。
本発明によって製造される光学フィルムは特に偏光板保護フィルム用として有用である。偏光板保護フィルムとして用いる場合、偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子の両面に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。
保護フィルム処理面と偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。
偏光板は偏光子及びその両面を保護する保護フィルムで構成されており、更に該偏光板の一方の面にプロテクトフィルムを、反対面にセパレートフィルムを貼合して構成される。プロテクトフィルム及びセパレートフィルムは偏光板出荷時、製品検査時等において偏光板を保護する目的で用いられる。この場合、プロテクトフィルムは、偏光板の表面を保護する目的で貼合され、偏光板を液晶板へ貼合する面の反対面側に用いられる。又、セパレートフィルムは液晶板へ貼合する接着層をカバーする目的で用いられ、偏光板を液晶板へ貼合する面側に用いられる。
液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、本発明の光学フィルムを適用した偏光板保護フィルムはどの部位に配置しても優れた表示性が得られる。特に液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。

［セルロースアシレートフィルムの用途（光学補償フィルム）］
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、様々な用途で用いることができ、液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いると特に効果がある。なお、光学補償フィルムとは、一般に液晶表示装置に用いられ、位相差を補償する光学材料のことを指し、位相差板、光学補償シートなどと同義である。光学補償フィルムは複屈折性を有し、液晶表示装置の表示画面の着色を取り除いたり、視野角特性を改善したりする目的で用いられる。本発明に係るセルロースアシレートフィルムはＲｅおよびＲｔｈが０≦Ｒｅ≦１０ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍと光学的異方性が小さく、｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５と波長分散が小さいため、余計な異方性を生じず、複屈折を持つ光学的異方性層を併用すると光学的異方性層の光学性能のみを発現することができる。

したがって本発明に係るセルロースアシレートフィルムを液晶表示装置の光学補償フィルムとして用いる場合、併用する光学的異方性層のＲｅおよびＲｔｈはＲｅ＝０〜２００ｎｍかつ｜Ｒｔｈ｜＝０〜４００ｎｍであることが好ましく、この範囲であればどのような光学的異方性層でも良い。セルロースアシレートフィルムが使用される液晶表示装置の液晶セルの光学性能や駆動方式に制限されず、光学補償フィルムとして要求される、どのような光学的異方性層も併用することができる。併用される光学的異方性層としては、液晶性化合物を含有する組成物から形成しても良いし、複屈折を持つポリマーフィルムから形成しても良い。
前記液晶性化合物としては、ディスコティック液晶性化合物または棒状液晶性化合物が好ましい。

（ディスコティック液晶性化合物）
本発明に使用可能なディスコティック液晶性化合物の例には、様々な文献（Ｃ．Ｄｅｓｔｒａｄｅ ｅｔ ａｌ．，Ｍｏｌ．Ｃｒｙｓｒ．Ｌｉｑ．Ｃｒｙｓｔ．，ｖｏｌ．７１，ｐａｇｅ １１１（１９８１）；日本化学会編、季刊化学総説、Ｎｏ．２２、液晶の化学、第５章、第１０章第２節（１９９４）；Ｂ．Ｋｏｈｎｅ ｅｔ ａｌ．，Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍ．，ｐａｇｅ １７９４（１９８５）；Ｊ．Ｚｈａｎｇ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，ｖｏｌ．１１６，ｐａｇｅ ２６５５（１９９４））に記載の化合物が含まれる。

光学的異方性層において、ディスコティック液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。ディスコティック液晶性分子の重合については、特開平８−２７２８４公報に記載がある。ディスコティック液晶性分子を重合により固定するためには、ディスコティック液晶性分子の円盤状コアに、置換基として重合性基を結合させる必要がある。ただし、円盤状コアに重合性基を直結させると、重合反応において配向状態を保つことが困難になる。そこで、円盤状コアと重合性基との間に、連結基を導入する。重合性基を有するディスコティック液晶性分子について、特開２００１−４３８７号公報に開示されている。

（棒状液晶性化合物）
本発明において、使用可能な棒状液晶性化合物の例には、アゾメチン類、アゾキシ類、シアノビフェニル類、シアノフェニルエステル類、安息香酸エステル類、シクロヘキサンカルボン酸フェニルエステル類、シアノフェニルシクロヘキサン類、シアノ置換フェニルピリミジン類、アルコキシ置換フェニルピリミジン類、フェニルジオキサン類、トラン類およびアルケニルシクロヘキシルベンゾニトリル類が含まれる。以上のような低分子液晶性化合物だけではなく、高分子液晶性化合物も用いることができる。

光学的異方性層において、棒状液晶性分子は配向状態で固定されているのが好ましく、重合反応により固定されているのが最も好ましい。本発明に使用可能な重合性棒状液晶性化合物の例には、Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，１９０巻、２２５５頁（１９８９年）、Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ５巻、１０７頁（１９９３年）、米国特許４６８３３２７号、同５６２２６４８号、同５７７０１０７号、世界特許（ＷＯ）９５／２２５８６号、同９５／２４４５５号、同９７／００６００号、同９８／２３５８０号、同９８／５２９０５号、特開平１−２７２５５１号、同６−１６６１６号、同７−１１０４６９号、同１１−８００８１号、および特開２００１−３２８９７３号などに記載の化合物が含まれる。

（ポリマーフィルムからなる光学的異方性層）
上記した様に、光学的異方性層はポリマーフィルムから形成してもよい。ポリマーフィルムは、光学的異方性を発現し得るポリマーから形成する。そのようなポリマーの例には、ポリオレフィン（例、ポリエチレン、ポリプロピレン、ノルボルネン系ポリマー）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリスルホン、ポリビニルアルコール、ポリメタクリル酸エステル、ポリアクリル酸エステルおよびセルロースエステル（例、セルローストリアセーテート、セルロースジアセテート）が含まれる。また、これらのポリマーの共重合体あるいはポリマー混合物を用いてもよい。

ポリマーフィルムの光学的異方性は、延伸により得ることが好ましい。延伸は一軸延伸または二軸延伸であることが好ましい。具体的には、２つ以上のロールの周速差を利用した縦一軸延伸、またはポリマーフィルムの両サイドを掴んで幅方向に延伸するテンター延伸、これらを組み合わせての二軸延伸が好ましい。なお、二枚以上のポリマーフィルムを用いて、二枚以上のフィルム全体の光学的性質が前記の条件を満足してもよい。ポリマーフィルムは、複屈折のムラを少なくするためにソルベントキャスト法により製造することが好ましい。ポリマーフィルムの厚さは、２０〜５００μｍであることが好ましく、４０〜１００μｍであることが最も好ましい。

（一般的な液晶表示装置の構成）
セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルムとして用いる場合は、偏光素子の透過軸と、セルロースアシレートフィルムからなる光学補償フィルムの遅相軸とをどのような角度で配置しても構わない。液晶表示装置は、二枚の電極基板の間に液晶を担持してなる液晶セル、その両側に配置された二枚の偏光素子、および該液晶セルと該偏光素子との間に少なくとも一枚の光学補償フィルムを配置した構成を有している。
液晶セルの液晶層は、通常は、二枚の基板の間にスペーサーを挟み込んで形成した空間に液晶を封入して形成する。透明電極層は、導電性物質を含む透明な膜として基板上に形成する。液晶セルには、さらにガスバリアー層、ハードコート層あるいは（透明電極層の接着に用いる）アンダーコート層（下塗り層）を設けてもよい。これらの層は、通常、基板上に設けられる。液晶セルの基板は、一般に５０μｍ〜２ｍｍの厚さを有する。

（液晶表示装置の種類）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、様々な表示モードの液晶セルに用いることができる。ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＡＦＬＣ（Ａｎｔｉ−ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＳＴＮ（Ｓｕｐｐｅｒ Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）、およびＨＡＮ（Ｈｙｂｒｉｄ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）のような様々な表示モードが提案されている。また、上記表示モードを配向分割した表示モードも提案されている。本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、いずれの表示モードの液晶表示装置においても有効である。また、透過型、反射型、半透過型のいずれの液晶表示装置においても有効である。

（ＴＮ型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムを、ＴＮモードの液晶セルを有するＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。ＴＮモードの液晶セルとＴＮ型液晶表示装置については、古くから良く知られている。ＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平３−９３２５号、特開平６−１４８４２９号、特開平８−５０２０６号、特開平９−２６５７２号の各公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１４３や、Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３６（１９９７）ｐ．１０６８）に記載がある。

（ＳＴＮ型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムを、ＳＴＮモードの液晶セルを有するＳＴＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として用いてもよい。一般的にＳＴＮ型液晶表示装置では、液晶セル中の棒状液晶性分子が９０〜３６０度の範囲にねじられており、棒状液晶性分子の屈折率異方性（Δｎ）とセルギャップ（ｄ）との積（Δｎｄ）が３００〜１５００ｎｍの範囲にある。ＳＴＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開２０００−１０５３１６号公報に記載がある。

（ＶＡ型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、ＶＡモードの液晶セルを有するＶＡ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体として特に有利に用いられる。ＶＡ型液晶表示装置に用いる光学補償シートのＲｅレターデーション値を０乃至１５０ｎｍとし、Ｒｔｈレターデーション値を７０乃至４００ｎｍとすることが好ましい。Ｒｅレターデーション値は、２０乃至７０ｎｍであることが更に好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に二枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は７０乃至２５０ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置に一枚の光学的異方性ポリマーフィルムを使用する場合、フィルムのＲｔｈレターデーション値は１５０乃至４００ｎｍであることが好ましい。ＶＡ型液晶表示装置は、例えば特開平１０−１２３５７６号公報に記載されているような配向分割された方式であっても構わない。

（ＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、ＩＰＳモードおよびＥＣＢモードの液晶セルを有するＩＰＳ型液晶表示装置およびＥＣＢ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体、または偏光板の保護膜としても特に有利に用いられる。これらのモードは黒表示時に液晶材料が略平行に配向する態様であり、電圧無印加状態で液晶分子を基板面に対して平行配向させて、黒表示する。これらの態様において本発明に係るセルロースアシレートフィルムを用いた偏光板は視野角拡大、コントラストの良化に寄与する。この態様においては、前記偏光板の保護膜と保護膜と液晶セルの間に配置された光学的異方性層のリターデーションの値は、液晶層のΔｎ・ｄの値の２倍以下に設定するのが好ましい。またＲｔｈ値の絶対値｜Ｒｔｈ｜は、２５ｎｍ以下、より好ましくは２０ｎｍ以下、さらに好ましくは１５ｎｍ以下に設定するのが好ましいため、本発明に係るセルロースアシレートフィルムが有利に用いられる。

（ＯＣＢ型液晶表示装置およびＨＡＮ型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、ＯＣＢモードの液晶セルを有するＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮモードの液晶セルを有するＨＡＮ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートには、レターデーションの絶対値が最小となる方向が光学補償シートの面内にも法線方向にも存在しないことが好ましい。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートの光学的性質も、光学的異方性層の光学的性質、支持体の光学的性質および光学的異方性層と支持体との配置により決定される。ＯＣＢ型液晶表示装置あるいはＨＡＮ型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、特開平９−１９７３９７号公報に記載がある。また、モリ（Ｍｏｒｉ）他の論文（Ｊｐｎ． Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｖｏｌ．３８（１９９９）ｐ．２８３７）に記載がある。

（反射型液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、ＴＮ型、ＳＴＮ型、ＨＡＮ型、ＧＨ（Ｇｕｅｓｔ−Ｈｏｓｔ）型の反射型液晶表示装置の光学補償シートとしても有利に用いられる。これらの表示モードは古くから良く知られている。ＴＮ型反射型液晶表示装置については、特開平１０−１２３４７８号、ＷＯ９８４８３２０号、特許第３０２２４７７号の各公報に記載がある。反射型液晶表示装置に用いる光学補償シートについては、ＷＯ００−６５３８４号に記載がある。

（その他の液晶表示装置）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、ＡＳＭ（Ａｘｉａｌｌｙ Ｓｙｍｍｅｔｒｉｃ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｍｉｃｒｏｃｅｌｌ ）モードの液晶セルを有するＡＳＭ型液晶表示装置の光学補償シートの支持体としても有利に用いられる。ＡＳＭモードの液晶セルは、セルの厚さが位置調整可能な樹脂スペーサーにより維持されているとの特徴がある。その他の性質は、ＴＮモードの液晶セルと同様である。ＡＳＭモードの液晶セルとＡＳＭ型液晶表示装置については、クメ（Ｋｕｍｅ）他の論文（Ｋｕｍｅ ｅｔ ａｌ．， ＳＩＤ ９８ Ｄｉｇｅｓｔ １０８９ （１９９８））に記載がある。

（ハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルム）
本発明に係るセルロースアシレートフィルムは、またハードコートフィルム、防眩フィルム、反射防止フィルムへの適用が好ましく実施できる。ＬＣＤ、ＰＤＰ、ＣＲＴ、ＥＬ等のフラットパネルディスプレイの視認性を向上する目的で、本発明に係るセルロースアシレートフィルムの片面または両面にハードコート層、防眩層、反射防止層の何れかあるいは全てを付与することができる。このような防眩フィルム、反射防止フィルムとしての望ましい実施態様は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）の５４頁〜５７頁に詳細に記載されており、本発明に係るセルロースアシレートフィルムを好ましく用いることができる。

以下に本発明の実施例を挙げるが、これらに限定されるものではない。
［実施例１］
〔セルロースアセテート溶液Ｉの調製〕
ドープ調製用の溶媒としてメチレンクロライドとメタノールの混合溶媒を、図１に示したドープ調製ライン１０の溶媒タンク１１に入れ、溶解タンク１２に送液した。この混合溶媒に対して、２１．４質量％のセルロースアセテートを計量器１４により溶解タンク１２に送り込んだ。これらの混合物を出力４５ｋＷのモータ１７により攪拌翼１８を８０ｒｐｍの速さで３０分攪拌して粗溶解液１９を作製した。この粗溶解液１９を貯蔵タンク２０に送り貯蔵した後、加熱器２６に送液して６０℃までインライン昇温し、２０分間保持して各成分を溶解し、下記組成のセルロースアセテート溶液Iを調製した。なお、加熱器２６として多管式熱交換器を用いた。
（セルロースアセテート溶液Ｉの組成）
平均酢化度６０．２のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４１８．０質量部
メタノール（第２溶媒） ７３．７質量部

〔添加剤溶液Ａの調製〕
マット剤として、平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液をメチレンクロライド、メタノール、セルロースアセテート溶液Ｉとともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、下記組成の添加剤溶液Ａを調製した。
（添加剤溶液Ａの組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １２．１質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７８．６質量部
メタノール（第２溶媒） ３．９質量部
セルロースアセテート溶液Ｉ １２．３質量部

〔添加剤溶液Ｂの調製〕
光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記に示すものを用いて、下記組成の添加剤溶液Ｂを調製した。
（添加剤溶液の組成）
光学的異方性を低下する化合物（Ａ−１９） ４９．７質量部
波長分散調整剤（ＵＶ−１０２） ７．９質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５７．８質量部
メタノール（第２溶媒） ８．２質量部
セルロースアセテート溶液Ｉ １２．８質量部

〔ドープ００１の作製〕
添加剤タンク１５を２つ設けて、それぞれに上記の添加剤溶液Ａと添加剤溶液Ｂとを入れ、上記セルロースアセテート溶液Ｉに対してセルロースアセテート溶液Ｉを９５．４質量部に対して、添加剤溶液Ａを１．８質量部、添加剤溶液Ｂを４．８質量部混合し、セルロースアシレートドープ００１を得た。なお、ろ過フィルタ２８による不純物の除去工程を行わなかった。

〔セルロースアセテートフィルム００１の作製〕
上記のドープ００１を３０℃に調整し、裏面から２９℃（Ｔ２）の温風で加熱したエンドレスステンレスベルト上に均一に流延した。流延後、ただちにベルト上のドープ膜（ウェブ）に２０℃（Ｔ１）の温風をあてて乾燥させた後、流延から３５秒後にベルトの裏面から４５℃（Ｔ４）の温風で加熱すると共に、ウェブ表面に４５℃（Ｔ３）の温風をあてて乾燥させ、流延から８０秒後に、剥離張力１６０Ｎ／ｍで剥離し、多数のロールで搬送張力１１０Ｎ／ｍで搬送させながら乾燥させた。剥離部のエンドレスステンレスベルトの温度は１５℃とした。剥離時の残留溶媒量は１５質量％であった。
剥離されたフィルムを、４５℃に設定された第１乾燥ゾーンで１分間搬送した後、８０℃に設定された第２乾燥ゾーンで３０秒間搬送し、さらに１３０℃に設定された第３乾燥ゾーンで１０分間搬送して、乾燥を行った。第２乾燥ゾーン内ではテンターにて幅手方向に１．００倍に保持し延伸を行わなかった。乾燥後、ロール状に巻き取り、巻長３０ｍ、膜厚８０μｍのセルロースアセテートフィルム００１を得た。巻き取り時の残留溶媒量は０．４質量％であった。

［実施例２］
〔セルロースアセテートフィルム００２の作製〕
平均酢化度６０．６のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って６０℃で２０分間加熱溶解を行ってドープ００２を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍのセルロースアセテートフィルム００２を得た。

［実施例３］
〔セルロースアセテートフィルム００３の作製〕
平均酢化度６１．２のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って６０℃で２０分間加熱溶解を行ってドープ００３を作製した。なお、加熱器２６として多管式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍのセルロースアセテートフィルム００３を得た。

［実施例４］
〔セルロースアセテートフィルム００４の作製〕
平均酢化度６１．３のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って６０℃で２０分間加熱溶解を行ってドープ００４を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００４を得た。

［実施例５］
〔セルロースアセテートフィルム００５の作製〕
平均酢化度６１．３のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って６０℃で２０分間加熱溶解を行った後に、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００５を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００５を得た。

［実施例６］
〔セルロースアセテートフィルム００６の作製〕
平均酢化度６１．６のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って７５℃で１０分間加熱溶解を行った後に、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００６を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００６を得た。

［実施例７］
〔セルロースアセテートフィルム００７の作製〕
平均酢化度６２．０のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って７５℃で１０分間加熱溶解を行い、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００７を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００７を得た。

［実施例８］
〔セルロースアセテートフィルム００８の作製〕
平均酢化度６２．１のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って９５℃で１０分間加熱溶解を行い、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００８を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００８を得た。

［実施例９］
〔セルロースアセテートフィルム００９の作製〕
平均酢化度６２．２のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って９５℃で５分間加熱溶解を行い、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００９を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム００９を得た。

［実施例１０］
〔セルロースアセテートフィルム０１０の作製〕
平均酢化度６２．２のセルロースアセテートを用いて、実施例１と同様の方法によりセルロースアセテート溶液を調製した後、インライン昇温を行って９５℃で３分間加熱溶解を行い、得られたセルロースアセテート溶液をろ過フィルタ２８に通し、原料に含まれていた不純物を除去してドープ００９を作製した。なお、加熱器２６としてスパイラル式熱交換器を用いた。さらに、実施例１と同様の方法により、表１に示す諸物性を有する膜厚８１μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム０１０を得た。

［比較例１］
（セルロースセルロースアセテートフィルム０１１の作製）
ドープ調製ライン１０において送液ポンプ２４からポンプ２９に接続して（図１中、破線で示す）、加熱器２６及びろ過フィルタ２８を通過させない構成のドープ調製ラインを作製した。
平均酢化度５８．７のセルロースアセテート、メチレンクロライド、及びメタノールを、上記のドープ調製ラインの溶解タンク１２に入れ、溶解タンク１２にて完全に溶解するまで撹拌した。なお、撹拌条件については、溶解タンク１２においてモータ１７の出力を４５ｋＷとし、撹拌翼１８の回転を８０ｒｐｍとした。その結果、セルロースアセテートが完全に溶解するまで３時間を要した。
（セルロースアセテート溶液II組成）
平均酢化度５８．７のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４１８．０質量部
メタノール（第２溶媒） ７３．７質量部
撹拌後、貯蔵タンク２０に貯蔵した後に、加熱器２６による加熱溶解工程、及び、ろ過フィルタ２８による不純物除去工程を介さず、実施例１と同様の方法により添加剤溶液の混合工程を行って、ドープ０１１を作製し、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍのセルロースアセテートフィルム０１１を得た。

［比較例２］
（セルロースアセテートフィルム０１２の作製）
平均酢化度５９．２のセルロースアセテート、メチレンクロライド、及びメタノールを、比較例１と同様のドープ調製ラインを用いて、溶解タンク１２にて混合した。なお、撹拌条件については、モータ１７の出力を４５ｋＷとし、攪拌翼１８の回転を８０ｒｐｍとして、３０分間混合物を攪拌した。その後、さらに溶解タンク１２を加熱して混合物を４５℃に昇温し、１２０ｒｐｍで３０分間撹拌した。
撹拌後、比較例１と同様にして、ドープ０１２を作製し、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍのセルロースアセテートフィルム０１２を得た。

［比較例３］
（セルロースアセテートフィルム０１３の作製）
平均酢化度６１．０のセルロースアセテートを用いて、比較例１と同様のドープ調製ラインを用いて、溶解タンク１２において完全に溶解するまで混合物を撹拌した。その結果、セルロースアセテートが完全に溶解するまで５時間を要した。
撹拌後、比較例１と同様にして、ドープ０１３を作製し、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍのセルロースアセテートフィルム０１３を得た。

［比較例４］
（セルロースアセテートフィルム０１４の作製）
平均酢化度６１．２のセルロースアセテートを、撹拌条件を比較例２と同様にして溶解させた。その後、さらに溶解タンク１２を加熱して混合物を４５℃に昇温し１２０ｒｐｍで１２０分間混合物を攪拌した。
撹拌後、比較例１と同様にして、ドープ０１４を作製し、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍのセルロースアセテートフィルム０１４を得た。

［比較例５］
（セルロースアセテートフィルム０１５の作製）
平均酢化度６２．０のセルロースアセテートを、撹拌条件を比較例２と同様にして溶解させた。この混合物を貯蔵タンク２０に送り、貯蔵タンク２０を加熱して、混合物を５０℃に昇温し、１２０ｒｐｍで１００分間攪拌した。
撹拌後、比較例１と同様にして、ドープ０１５を作製し、表１に示す諸物性を有する膜厚８０μｍの本発明のセルロースアセテートフィルム０１５を得た。

以上の実施例、及び比較例の効果を表１に示す。
なお、本実施例においては、セルロースアシレート溶液中の不純物を除去する工程の効果を検証する目的で、除去工程を使用した例については、除去工程前に採取したドープを実験室にて製膜したセルロースアシレートフィルムと、ろ過後に作製したセルロースアシレートフィルムの両方について、輝点の測定を行った。不純物除去工程を行わない実施例及び比較例については、除去工程前に採取したドープを実験室にて製膜したセルロースアシレートフィルムのみについて、輝点の測定を行った。
また、粗溶解液の温度Ｔｐを３０℃として熱仕事量の算出を行った。

本発明の製造方法を用いた実施例１〜１０では、セルロースアシレートを溶解してドープを作製する際に、セルロースアシレートを粗溶解させる工程（第１の工程）と、粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させる工程（第２の工程）とにより行ったことで、高酢化度セルロースアシレートを用いた場合でも、第１工程及び第２工程を通すことで溶解性が改良され、厚さ方向のレターデーションが小さいフィルムが得られることがわかる。
また、実施例１〜１０は、比較例１〜６に比べて、効率よく良好な全加熱工程での溶解に要する加熱時間を大幅に短縮することができ、生産性が大幅に向上することが示された。

特に、セルロースアシレートの酢化度が６２．０と特に高いフィルムを用いた場合に、９５℃で５分間加熱での溶解性が良好であることが確認され、かつ熱仕事量からも溶解性が良好であることが示唆された。
また本発明に示す熱仕事量が、今後インライン加熱器での溶解性を判断する指標として十分に利用できることを確認した。

［実施例１１］
（偏光板の作製）
実施例１で得たセルロースアセテートフィルム００１を、１．５規定の水酸化ナトリウム水溶液に、５５℃で２分間浸漬した。室温の水洗浴槽中で洗浄し、３０℃で０．１規定の硫酸を用いて中和した。再度、室温の水洗浴槽中で洗浄し、さらに１００℃の温風で乾燥した。このようにして、セルロースアセテートフィルムの表面をケン化した。
続いて、厚さ８０μｍのロール状ポリビニルアルコールフィルムをヨウ素水溶液中で連続して５倍に延伸し、乾燥して偏光膜を得た。ポリビニルアルコール（クラレ製ＰＶＡ−１１７Ｈ）３％水溶液を接着剤として、アルカリケン化処理したセルロースアセテートフィルム００１を２枚用意して偏光膜を間にして貼り合わせ、両面がセルロースアセテートフィルム００１によって保護された偏光板を作製した。この際、両側のセルロースアセテートフィルム００１の遅相軸が偏光膜の透過軸と平行になるように貼り付けた。
同様にして、実施例２〜１０の試料００２〜０１０および比較試料０１１〜０１５についても偏光板を作製した。セルロースアセテートフィルム試料００１〜０１０、比較試料０１１〜０１５はいずれも延伸したポリビニルアルコールとの貼合性は十分であり、優れた偏光板加工適性を有していた。

［比較例６］
（偏光板の作製）
実施例１１において、偏光膜の保護をセルロースアセテートフィルム００１の代わりに、市販のポリカーボネートフィルム「パンライトＣ１４００」（帝人化成製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし、延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、ポリカーボネートフィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

［比較例７］
（偏光板の作製）
実施例１１において、偏光膜の保護をセルロースアセテートフィルム００１の代わりに、厚さ８０μｍのアートンフィルム（ＪＳＲ製）２枚を用いて同様の操作で偏光板を作製した。しかし延伸したポリビニルアルコールとの貼合性が不十分であり、アートンフィルムは偏光膜の保護フィルムとして機能できず、偏光板加工適性に問題があった。

［偏光板耐久性の評価］
実施例１１で作製したセルロースアセテートフィルム試料００１〜０１０および比較試料０１１〜０１５を用いた偏光板を６０℃９５％ＲＨの条件で５００時間放置した後、その偏光度を評価したところ、試料００１〜０１０を用いた偏光板、及び比較試料０１１〜０１５を用いた偏光板はいずれも耐久性に優れており、偏光板加工した際の耐久性は問題がないことを確認した。

［実施例１２］
以下、ＩＰＳ型液晶セル、ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶セルを用いた液晶表示装置の実施例を示すが、本発明によって製造されたセルロースアセテートフィルムを用いた偏光板または光学補償フィルムの用途は、液晶表示装置の動作モードに限定されることはない。
（ＩＰＳ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１〜１０で得たセルロースアセテートフィルムおよび実施例１１で得た偏光板を用いて、液晶表示装置へ実装評価してその光学性能が十分であるか確認したところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

（ＶＡ型、ＯＣＢ型液晶表示装置への実装評価）
実施例１〜１０で得たセルロースアセテートフィルム試料を用いて、特開平１０−４８４２０号公報の実施例１に記載の液晶表示装置、特開平９−２６５７２号公報の実施例１に記載のディスコティック液晶分子を含む光学的異方性層、ポリビニルアルコールを塗布した配向膜、特開２０００−１５４２６１号公報の図２〜９に記載のＶＡ型液晶表示装置、特開２０００−１５４２６１号公報の図１０〜１５に記載のＯＣＢ型液晶表示装置での評価をしたところ、いずれの場合においてもコントラスト視野角が良好な性能が得られた。

［実施例１３］
（光学補償フィルム性能）
実施例１〜１０で得た本発明のセルロースアセテートフィルム試料を用いて、特開平７−３３３４３３号公報の実施例１に記載の方法により光学補償フィルム試料を作製した。 得られたフィルターフィルムは左右上下に優れた視野角を有するものであった。したがって、本発明のセルローストリアセテートフィルムが、光学的用途として優れたものであることが判った。

本発明に係るセルロースアシレートドープ製造方法の実施に用いられる装置の一実施形態を示す模式図である。

符号の説明

１０ ドープ調製ライン
１２ 溶解タンク
１５ 添加剤タンク
１９ 粗溶解液
２６ 加熱器
２８ ろ過フィルタ

Claims (10)

1. 下記式（I）および（II）を満たすセルロースアシレートフィルムの製造方法であって、
   原料であるセルロースアシレートを溶媒に粗溶解させる第１の工程と、
   前記第１の工程で粗溶解させた液を送液しながら溶解を促進させてドープを調製する第２の工程とを含むことを特徴とするセルロースアシレートフィルムの製造方法。
   （I）０≦Ｒｅ₍₆₃₀₎≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₆₃₀₎｜≦２５
   （II）｜Ｒｅ₍₄₀₀₎−Ｒｅ₍₇₀₀₎｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜≦３５
   ［式中、Ｒｅ_(λ)は波長λｎｍにおける正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ_(λ)は波長λｎｍにおける膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。］
2. 前記セルロースアシレートが、平均酢化度６１．０〜６２．５のセルロースアシレートであることを特徴とする請求項１に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
3. 前記第２の工程において、前記第１の工程で粗溶解させた液を加熱して、溶解を促進させることを特徴とする請求項１または２に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
4. 前記粗溶解させた液の加熱方法が、多管式熱交換器を用いる方法であることを特徴とする請求項３に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
5. 前記粗溶解させた液の加熱方法が、スパイラル式熱交換器を用いる方法であることを特徴とする請求項３に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
6. 前記送液しながら溶解させる第２の工程において、下記式（III）で定義される熱仕事量が、下記式（IV）を満たす方法により加熱溶解を行うことで、前記ドープを製造することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
   （III）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＝[(ΔT_１＋ΔT_０)／２]×(ｔ_１−ｔ_０)＋[(ΔT_２＋ΔT_１)／２]×(ｔ_２−ｔ_１)＋・・・＋[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)＋・・・＋[(ΔT_ｍ＋ΔT_ｍ−１)／２]×(ｔ_ｍ−ｔ_ｍ−１)
   （IV）Σ(ΔＴ・ｔ)_ｍ＞２５０
   ［式中、ΔT_ｘは第２の工程に入ってｘ（分）後におけるドープ温度から粗溶解液の温度Ｔｐ（℃）を引いた温度差（単位：℃）、ｔ_ｘは第２の工程にドープが入ってからｘ（分）後の時間（単位：分）、Σは各時間での[(ΔT_ｘ＋ΔT_ｘ−１)／２]×(ｔ_ｘ−ｔ_ｘ−１)を０〜ｍ（分）まで総和した熱仕事量（単位：℃・分）、ｍは第２の工程終了時の時間（単位：分）である。］
7. 調製されたドープ中に含まれるセルロースアシレートの５０〜９５質量％が、前記第１の工程の際に前記溶媒に溶解されたものであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
8. 調製されたドープ中に含まれるセルロースアシレート濃度が１〜３０質量％であることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
9. 前記第２の工程の後に、前記ドープ中に含まれている不純物を除去する工程を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。
10. 前記不純物を除去する工程の後に、添加剤を添加する工程を含むことを特徴とする請求項９に記載のセルロースアシレートフィルムの製造方法。

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