JP2006195205A - 液晶表示装置及び偏光板 - Google Patents

Abstract

【課題】光学異方層のレターデーション変動による表示ムラが軽減されたＯＣＢ用液晶表示装置を提供する。
【解決手段】 ベンド配向モードの液晶セル及び液晶セル１の両側に第１及び第２偏光膜１４及び２４を有する液晶表示装置であって、少なくとも前記第１偏光膜１４と液晶セル１との間に第１光学異方層１３及び第２光学異方層１２を少なくとも有し、前記第１光学異方層１３の面内の最大屈折率方向と前記第１偏光膜１４の面内透過軸とが実質的に平行または垂直に配置されており、前記第１光学異方層１３が式（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５及び式（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５を満足するセルロースアシレートフィルムからなり、且つ前記第２光学異方層１２の面内の最大屈折率方向と前記第1偏光膜１４の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜である液晶表示装置である。
【選択図】 図１

Description

本発明はベンド配向モードの液晶表示装置、およびかかる液晶表示装置に有用な偏光板に関する。

液晶表示装置は、液晶セル、偏光板からなる。偏光板は保護膜と偏光膜からなり、ポリビニルアルコールフィルムからなる偏光膜をヨウ素にて染色し、延伸を行い、その両面を保護膜にて積層して得られる。透過型液晶表示装置では、この偏光板を液晶セルの両側に取り付け、さらには一枚以上の光学補償フィルムを配置することもある。液晶セルは、液晶性分子、それを封入するための二枚の基板および液晶性分子に電圧を加えるための電極層からなる。液晶セルは、液晶性分子の配向状態の違いで、ＯＮ、ＯＦＦ表示を行い、透過および反射型いずれにも適用できる、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ Ｎｅｍａｔｉｃ）、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｏｒｙ Ｂｅｎｄ）、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ Ａｌｉｇｎｅｄ）、ＥＣＢ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ Ｂｉｒｅｆｒｉｎｇｅｎｃｅ）のような表示モードが提案されている。

光学補償フィルムは、画像着色を解消したり、視野角を拡大するために、様々な液晶表示装置で用いられている。光学補償フィルムの光学的性質は、液晶セルの光学的性質、具体的には上記のような表示モードの違いに応じて決定する。例えば、ＴＮモード液晶セル用光学補償フィルムは、電圧印加により液晶分子がねじれ構造が解消しつつ基板面に傾斜した配向状態の光学補償を行い、黒表示時の斜め方向の光漏れ防止によるコントラストの視角特性を向上させる（特許文献１参照）。

各種液晶モードの中でベンド配向を有しているＯＣＢモードは、高速応答性が特長で、テレビジョンやパソコン用表示装置などのアプリケーションに適している。ＯＣＢモードの液晶セル用光学補償フィルムは、電圧印加により液晶層中央部で垂直配向し、基板界面付近で傾斜配向した液晶層の光学補償を行い、黒表示の視野角特性を改善する（特許文献２参照）。そのためには、従来のＴＮモードの光学補償原理と異なり、光学補償層の配向方向と液晶セル基板の液晶配向制御方向を偏光板吸収軸と４５°交差させる必要がある。もちろん同光学補償フィルムは，前述のベンドモードに加えパイセルモード、さらにはねじれ構造を有するＯＣＢモードにおいても同様の効果を有する。

特開平６−２１４１１６号公報 特開平８−３２７８２２号公報

従来のＯＣＢモード液晶セル用光学補償フィルムは、液晶セルを問題なく完全に光学的に補償することは非常に難しい。例えば、黒表示時の偏光板の斜め方向からの光漏れが認められ、視野角が充分に（理論的に期待できる程度まで）拡大していない。また、一対の偏光板の吸収軸が直交していても、偏光板吸収軸に対して斜めの方向から観察した場合、双方の吸収軸は直交でなくなるため光漏れがみとめられる。また、偏光板が温湿度で寸度が変動することにより光学補償フィルムのレターデーションが変化し、光漏れによる表示ムラが発生することがある。さらに偏光板と光学補償フィルムの寸度変化が大きい場合は、フィルム間の剥離や反りといった不良が発生することがある。

本発明は前記諸問題に鑑みなされたものであって、簡易な構成で、正面の表示品位のみならず、視野角が改善されたＯＣＢ用液晶表示装置を提供することを課題とする。また、本発明は、温湿度によって変化する光学補償フィルムのレターデーション変動による表示ムラが軽減されたＯＣＢ用液晶表示装置を提供することを課題とする。また、本発明は、偏光機能を有するのみならず、ＯＣＢ型液晶表示装置の液晶セルの光学的補償、および光学補償層や液晶セルの表示ムラを軽減するのに寄与する偏光板を提供することを課題とする。

本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、レターデーションが小さく、かつ膜との貼合性の良いセルロースアシレートフィルムと、光学補償に必要な光学特性を有する光学異方層との双方を用いることで、偏光膜の寸度変化によるレターデーション変動を軽減でき、表示ムラが少なく、かつ簡便で視野角良好なＯＣＢ用液晶表示装置を提供することが可能であるとの知見を得、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。
具体的な解決手段は以下の通りである。
（１） ベンド配向モードの液晶セル及び液晶セルの両側に配置された一対の第１及び第２偏光膜を有する液晶表示装置であって、
少なくとも前記第１偏光膜と前記液晶セルとの間に第１光学異方層及び第２光学異方層を少なくとも有し、前記第１光学異方層の面内の最大屈折率方向と前記第１偏光膜の面内透過軸とが実質的に平行または実質的に垂直に前記第1偏光膜及び前記第１光学異方層が配置されており、前記第１光学異方層が下記式（Ｉ）および（II）；
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
［Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
を満足するセルロースアシレートフィルムからなり、且つ、
前記第２光学異方層の面内の最大屈折率方向と前記第1偏光膜の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜である液晶表示装置。
（２） 下記式（III）および（IV）；
（III）０≦｜Ｒe(630)｜≦２００
（IV ）０≦｜Ｒｔｈ(630)｜≦５００
[Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおけるReの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおけるReの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
を満足する第３光学異方層をさらに有する（１）の液晶表示装置。
（３） 前記第１光学異方層が、フィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を下記式（Ｖ）及び（VI）を満足する範囲で少なくとも一種含有するセルロースアシレートフィルムである（１）又は（２）の液晶表示装置。
（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（VI）０．０１≦Ａ≦３０
［Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ａはフィルム原料ポリマーの重量を１００としたときの化合物の重量（％）である］。

（４） 前記第１光学異方層が、アシル置換度２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むセルロースアシレートフィルムである（１）〜（３）のいずれかの液晶表示装置。
（５） 前記第２光学異方層が、非液晶性ポリマーを含有する（１）〜（４）のいずれかの液晶表示装置。
（６） 前記第２光学異方層が、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドからなる群から選ばれる少なくとも一種の非液晶性ポリマーを含有する（１）〜（５）のいずれかの液晶表示装置。
（７） 前記第２光学異方層が、縦方向及び横方向に逐次二軸延伸された熱可塑性樹脂フィルムからなる（１）〜（６）のいずれかの液晶表示装置。
（８） 前記第３光学異方層が、縦方向及び横方向に逐次二軸延伸された熱可塑性樹脂フィルムからなる（１）〜（７）のいずれかの液晶表示装置。
（９） ベンド配向モードの液晶セルを有する液晶表示装置に用いられる偏光板であって、少なくとも偏光膜と、該偏光膜上に、下記式（Ｉ）および（II）を満足するセルロースアシレートフィルムからなり、且つ面内の最大屈折率方向が前記偏光膜の面内透過軸と実質的に平行または実質的に垂直に配置された第１光学異方層と、
面内の最大屈折率方向と前記偏光膜の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜である第２光学異方層と、
下記式（III）および（IV）を満足する第３光学異方層を有する偏光板：
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
（III）０≦｜Ｒe(630)｜≦２００
（IV）０≦｜Ｒｔｈ(630)｜≦５００
[Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおけるReの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおけるReの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である]。

本発明において、光学的異方性（Ｒｅ、Ｒｔｈ）が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、波長６３０ｎｍにおける面内のレターデーションＲｅ(630)が１０ｎｍ以下（０≦Ｒｅ(630)≦１０）で、かつ膜厚方向のレターデーションＲｔｈ(630)の絶対値が２５ｎｍ以下（｜Ｒｔｈ｜≦２５ｎｍ）であることがのぞましい。さらにのぞましくは、０≦Ｒｅ(630)≦５かつ｜Ｒｔｈ｜≦２０ｎｍであり、０≦Ｒｅ(630)≦２かつ｜Ｒｔｈ｜≦１５ｎｍであることが特にのぞましい。

また本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、波長２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つことによりフィルムの着色を防止し、フィルムのＲｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)の波長分散を制御できる化合物を用いることによって波長４００ｎｍと７００ｎｍでのＲｅ、Ｒｔｈの差、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を小さくし得ることを見出した。

本発明において、波長分散が小さいセルロースアシレートフィルムとしては、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５であることがのぞましい。さらにのぞましくは、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦２５であり、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦３かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦１５であることが特にのぞましい。

なお、本明細書では、「偏光膜」及び「偏光板」を区別して用いるが、「偏光板」は「偏光膜」の少なくとも片面に該偏光膜を保護する透明保護膜を有する積層体のことを意味するものとする。また、本明細書において、「４５゜」、「平行」あるいは「直交」とは、厳密な角度±５゜未満の範囲内であることを意味する。厳密な角度との誤差は、４゜未満であることが好ましく、３゜未満であることがより好ましい。また、角度について、「＋」は時計周り方向を意味し、「−」は反時計周り方向を意味するものとする。

本発明によれば、偏光板、光学補償フィルムの素材と層構成を調整することにより、従来のOCBモード用液晶表示装置と比較し、温湿度の影響による表示ムラが改良されたＯＣＢモード液晶表示装置を提供することが可能となった。

発明の実施の形態

本発明について詳細に説明する。
図１に、本発明の液晶表示装置の構成例の模式図を示す。図１に示すＯＣＢモードの液晶表示装置は、電圧印加時、即ち黒表示時に、液晶が基板面に対してベンド配向する液晶層とそれを挟む一対の基板からなる液晶セル１を有する。一対の基板は液晶面に配向処理が施してあり、ラビング方向は図中矢印で示す。液晶セル１を挟持して偏光膜１４及び２４が配置されている。偏光膜１４及び２４はそれぞれの透過軸（図中矢印で示す）を、互いに直交に、且つ液晶セルのラビング方向と４５度の角度に配置される。偏光膜１４と液晶セル１との間には、所定の光学特性を満足するセルロースアシレートフィルムからなる第１光学異方性層１３及び第２光学異方性層１２が、偏光膜１４側から順次積層され、偏光膜２４と液晶セル１との間にも、所定の光学特性を満足するセルロースアシレートフィルムからなる第１光学異方層２３及び第２光学異方層２２が、偏光膜２４側から順次積層される。第１光学異方層１３及び２３は、その面内の最大屈折率方向（不図示）が、それぞれに隣接する偏光膜１４及び２４の透過軸（図中矢印で示す）の方向と実質的に平行又は実質的に垂直に配置されている。また、第２光学異方性層１２及び２２は、その面内の最大屈折率方向（図中矢印で示す）が、それぞれとより近くに位置する偏光膜１４及び２４の透過軸（図中矢印で示す）の方向と実質的に４５°に配置されている。

図１中の液晶セル１は、一般的には、上側基板及び下側基板と、これらに挟持される液晶分子から形成される液晶層からなる。上下基板の液晶分子に接触する表面（以下、「内面」という場合がある）には、配向膜が形成されていて、電圧無印加状態もしくは低印加状態における液晶分子の配向がプレチルト角をもった平行方向に制御されている。また、上下基板の内面には、液晶分子からなる液晶層に電圧を印加可能な透明電極（不図示）が形成されている。本発明では、液晶層の厚さｄ（ミクロン）と屈折率異方性Δｎとの積Δｎ・ｄは、０．１〜１．５ミクロンとするのが好ましく、さらに、０．２〜１．５ミクロンとするのがより好ましく、０．２〜１．２ミクロンとするのがさらに好ましく、０．６〜０．９ミクロンとするのがさらにより好ましい。これらの範囲では白電圧印加時における白表示輝度が高いことから、明るくコントラストの高い表示装置が得られる。用いる液晶材料については特に制限されないが、上下基板間に電界が印加される態様では、電界方向に平行に液晶分子が応答するような、誘電率異方性が正の液晶材料を使用する。

ＯＣＢモードの液晶セルでは、上下基板間に、誘電異方性が正で、Δｎ＝０．０８、Δε＝５程度のネマチック液晶材料などを用いることができる。液晶層の厚さｄについては特に制限されないが、前記範囲の特性の液晶を用いる場合、６ミクロン程度に設定することができる。厚さｄと、白電圧印加時の屈折率異方性Δｎの積Δｎ・ｄの大きさにより白表示時の明るさが変化するので、白電圧印加時において十分な明るさを得るためには、無印加状態における液晶層のΔｎ・ｄは０．６〜１．５ミクロンの範囲になるように設定するのが好ましい。

なお、ＯＣＢモードの液晶表示装置では、ＴＮモードの液晶表示装置で一般的に使われているカイラル材の添加は、動的応答特性の劣化させるため用いることは少ないが、配向不良を低減するために添加されることもある。また、マルチドメイン構造とする場合には、各ドメイン間の境界領域の液晶分子の配向を調整するのに有利である。マルチドメイン構造とは、液晶表示装置の一画素を複数の領域に分割した構造をいう。例えば、ＯＣＢモードにおいて、マルチドメイン構造にすると、輝度や色調の視野角特性が改善されるので好ましい。具体的には、画素のそれぞれを液晶分子の初期配向状態が互いに異なる２以上（好ましくは４又は８）の領域で構成して平均化することで、視野角に依存した輝度や色調の偏りを低減することができる。また、それぞれの画素を、電圧印加状態において液晶分子の配向方向が連続的に変化する互いに異なる２以上の領域から構成しても同様の効果が得られる。

第１光学異方層１３及び２３は、光学的異方性が小さく、且つ波長分散性が小さいセルロースアシレートフィルムからなる。偏光膜１４及び２４に隣接する第１光学異方層１３及び２３として、偏光膜との貼合性が良好で、且つ光学的異方性が小さいセルロースアシレートフィルムを用いることで、従来、使用時の温湿度の影響で生じていた表示ムラを軽減することができる。また、光学的異方性が小さい第１光学異方層と、十分な光学補償能を有する第２光学異方層との双方を用いて、液晶セル１を設計することにより、設計を容易にすることもできる。第１及び第２光学異方層についての詳細は後述する。

図２に本発明の液晶表示装置の他の例の模式図を示す。なお、図１と同一の部材については、同一の番号を付し、説明は省略する。
図２に示す液晶表示装置は、第２光学異方層１２及び２２と液晶セル１との間に、それぞれ第３光学異方層１１及び２１を有する構成である。第３光学異方層１１及び２１は所定の光学特性を満足し、液晶セル１をさらに正確に補償するのに寄与する。視野角特性、特に斜め方向の光漏れを軽減するために、その面内最大屈折率方向が、それぞれより近くに位置する偏光膜１４及び２４の透過軸と実質的に平行または実質的に垂直となるように配置されるのが好ましい。第３光学異方層についての詳細は後述する。

図１では、一対の偏光膜の双方と液晶セルとの間に対照的に、前記第１光学異方層及び前記第２光学異方層（図２では、さらに前記第３光学異方層）を配置した構成を示したが、少なくとも一方の偏光膜と液晶セルとの間に、前記第１光学異方層及び前記第２光学異方層を配置すればよい。一方のみに配置する場合は、バックライト側がより高温に曝される可能性が高いので、バックライト側の偏光膜と液晶セルとの間に、前記第１及び第２光学異方層を配置すると、より効果的である。

また、偏光膜、前記第１光学異方層、第２光学異方層、及び所望により第３光学異方層は、それぞれ個々の部材として液晶表示装置内に組み込まれてもよいし、一体化された偏光板として組み込まれていてもよい。また、偏光膜と前記第１光学異方層を一体化した部材と、第２光学異方層の単独部材とを、液晶表示装置内にそれぞれ組み込んでもよい。

以下、本発明の液晶表示装置に用いられる各部材の詳細について説明する。
[第１光学異方層]
本発明の液晶表示装置には、下記式（I）及び（II）を満足するセルロースアシレートフィルムを第１光学異方層として用いる。
（Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
（II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
式中、Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である。

さらに、０≦Ｒｅ(630)≦５かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２０ｎｍであるのが好ましく、０≦Ｒｅ(630)≦２かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦１５ｎｍであるのがより好ましい。また、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦５かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦２５であるのが好ましく、｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦３かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦１５であるのがより好ましい。

[セルロースアシレート原料綿]
本発明に用いられるセルロースアシレート原料のセルロースとしては、綿花リンタや木材パルプ（広葉樹パルプ，針葉樹パルプ）などがあり、何れの原料セルロースから得られるセルロースアシレートでも使用でき、場合により混合して使用してもよい。これらの原料セルロースについての詳細な記載は、例えばプラスチック材料講座（１７）繊維素系樹脂（丸澤、宇田著、日刊工業新聞社、１９７０年発行）や発明協会公開技報２００１−１７４５（７頁〜８頁）に記載のセルロースを用いることができ、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

[セルロースアシレート置換度]
上述のセルロースを原料として、製造されるセルロースアシレートは、セルロースの水酸基がアシル化されたもので、その置換基はアシル基の炭素原子数が２のアセチル基から炭素原子数が２２のものまでいずれも用いることができる。前記セルロースアシレートにおいて、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸の結合度を測定し、計算によって置換度を得ることができる。測定方法としては、ＡＳＴＭのＤ−８１７−９１に準じて実施することが出来る。

本発明に用いるセルロースアシレートについては、セルロースの水酸基への置換度については特に限定されないが、セルロースの水酸基へのアシル置換度が２．５０〜３．００であることがのぞましい。さらには置換度が２．７５〜３．００であることがのぞましく、２．８５〜３．００であることがよりのぞましい。

セルロースの水酸基に置換する酢酸及び／又は炭素原子数３〜２２の脂肪酸のうち、炭素数２〜２２のアシル基としては、脂肪族基でもアリル基でもよく特に限定されず、単一でも２種類以上の混合物でもよい。それらは、例えばセルロースのアルキルカルボニルエステル、アルケニルカルボニルエステルあるいは芳香族カルボニルエステル、芳香族アルキルカルボニルエステルなどであり、それぞれさらに置換された基を有していてもよい。これらの好ましいアシル基としては、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、へプタノイル、ヘキサノイル、オクタノイル、デカノイル、ドデカノイル、トリデカノイル、テトラデカノイル、ヘキサデカノイル、オクタデカノイル、iso−ブタノイル、ｔ−ブタノイル、シクロヘキサンカルボニル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイル基などを挙げることが出来る。これらの中でも、アセチル、プロピオニル、ブタノイル、ドデカノイル、オクタデカノイル、ｔ−ブタノイル、オレオイル、ベンゾイル、ナフチルカルボニル、シンナモイルなどが好ましく、アセチル、プロピオニル、ブタノイルがより好ましい。

本発明の発明者が鋭意検討した結果、上述のセルロースの水酸基に置換するアシル置換基のうちで、実質的にアセチル基／プロピオニル基／ブタノイル基の少なくとも２種類からなる場合においては、その全置換度が２.５０〜３．００の場合にセルロースアシレートフィルムの光学異方性が低下できることがわかった。より好ましいアシル置換度は２．６０〜３．００であり、さらにのぞましくは２．６５〜３．００である。

[セルロースアシレートの重合度]
本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの重合度は、粘度平均重合度で１８０〜７００であり、セルロースアセテートにおいては、１８０〜５５０がより好ましく、１８０〜４００が更に好ましく、１８０〜３５０が特に好ましい。重合度が高すぎるとセルロースアシレートのドープ溶液の粘度が高くなり、流延によりフィルム作製が困難になる。重合度が低すぎると作製したフィルムの強度が低下してしまう。平均重合度は、宇田らの極限粘度法（宇田和夫、斉藤秀夫、繊維学会誌、第１８巻第１号、１０５〜１２０頁、１９６２年）により測定できる。特開平９−９５５３８に詳細に記載されている。
また、本発明で好ましく用いられるセルロースアシレートの分子量分布はゲルパーミエーションクロマトグラフィーによって評価され、その多分散性指数Ｍｗ／Ｍｎ（Ｍｗは質量平均分子量、Ｍｎは数平均分子量）が小さく、分子量分布が狭いことが好ましい。具体的なＭｗ／Ｍｎの値としては、１．０〜３．０であることが好ましく、１．０〜２．０であることがさらに好ましく、１．０〜１．６であることが最も好ましい。

低分子成分が除去されると、平均分子量（重合度）が高くなるが、粘度は通常のセルロースアシレートよりも低くなるため有用である。低分子成分の少ないセルロースアシレートは、通常の方法で合成したセルロースアシレートから低分子成分を除去することにより得ることができる。低分子成分の除去は、セルロースアシレートを適当な有機溶媒で洗浄することにより実施できる。なお、低分子成分の少ないセルロースアシレートを製造する場合、酢化反応における硫酸触媒量を、セルロース１００質量部に対して０．５〜２５質量部に調整することが好ましい。硫酸触媒の量を上記範囲にすると、分子量部分布の点でも好ましい（分子量分布の均一な）セルロースアシレートを合成することができる。前記セルロースアシレートの製造時に使用される際には、その含水率は２質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは１質量％以下であり、特には０．７質量％以下の含水率を有するセルロースアシレートである。一般に、セルロースアシレートは、水を含有しており２．５〜５質量％が知られている。本発明でこのセルロースアシレートの含水率にするためには、乾燥することが必要であり、その方法は目的とする含水率になれば特に限定されない。本発明のこれらのセルロースアシレートは、その原料綿や合成方法は発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて７頁〜１２頁に詳細に記載されている。

前記セルロースアシレートは置換基、置換度、重合度、分子量分布など前述した範囲であれば、単一あるいは異なる２種類以上のセルロースアシレートを混合して用いることができる。

[セルロースアシレートへの添加剤]
前記セルロースアシレートフィルムは、溶液流延製膜法により作製するのが好ましいが、但し、この方法に限定されるものではない。溶液流延製膜法では、まず、セルロースアシレートの溶液（ドープ）を調製する。前記セルロースアシレート溶液には、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、光学的異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、光学特性調整剤など）を加えることができ、これらについて以下に説明する。またその添加する時期はドープ作製工程において何れでも添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。
前記セルロースアシレートフィルムの光学的異方性、特に膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を、下記式（Ｖ）及び（ＶＩ）をみたす範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
（ＶＩ）０．０１≦Ａ≦３０
上記式（Ｖ）及び（ＶＩ）は
（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−２．０
（ＶＩ）０．０５≦Ａ≦２５
であることがよりのぞましく、
（Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−３．０
（ＶＩ）０．１≦Ａ≦２０
であることがさらにのぞましい。

[セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物の構造的特徴]
セルロースアシレートフィルムの光学的異方性を低下させる化合物について説明する。本発明の発明者らは、鋭意検討した結果、フィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制する化合物を用いて光学的異方性を十分に低下させ、ＲｅがゼロかつＲｔｈがゼロに近くなるようにした。このためには光学的異方性を低下させる化合物はセルロースアシレートに十分に相溶し、化合物自身が棒状の構造や平面性の構造を持たないことが有利である。具体的には芳香族基のような平面性の官能基を複数持っている場合、それらの官能基を同一平面ではなく、非平面に持つような構造が有利である。

（LogP値）
前記セルロースアシレートフィルムを作製するにあたっては、上述のようにフィルム中のセルロースアシレートが面内および膜厚方向に配向するのを抑制して光学異方性を低下させる化合物のうち、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）が０〜７である化合物が好ましい。ｌｏｇＰ値が７を超える化合物は、セルロースアシレートとの相溶性に乏しく、フィルムの白濁や粉吹きを生じやすい。また、ｌｏｇＰ値が０よりも小さな化合物は親水性が高いために、セルロースアセテートフィルムの耐水性を悪化させる場合がある。ｌｏｇＰ値としてさらに好ましい範囲は１〜６であり、特に好ましい範囲は１．５〜５である。
オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）の測定は、ＪＩＳ日本工業規格Ｚ７２６０−１０７（２０００）に記載のフラスコ浸とう法により実施することができる。また、オクタノール−水分配係数（ｌｏｇＰ値）は実測に代わって、計算化学的手法あるいは経験的方法により見積もることも可能である。計算方法としては、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）、Viswanadhan's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,29,163(1989).）、Broto's fragmentation法（Eur.J.Med.Chem.- Chim.Theor.,19,71(1984).）などが好ましく用いられるが、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）がより好ましい。ある化合物のｌｏｇＰの値が測定方法あるいは計算方法により異なる場合に、該化合物が本発明の範囲内であるかどうかは、Crippen's fragmentation法により判断することが好ましい。

[光学的異方性を低下する化合物の物性]
光学異方性を低下させる化合物は、芳香族基を含有しても良いし、含有しなくても良い。また光学異方性を低下させる化合物は、分子量が１５０以上３０００以下であることが好ましく、１７０以上２０００以下であることが好ましく、２００以上１０００以下であることが特に好ましい。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。
光学異方性を低下させる化合物は、好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２５０℃の固体であり、さらに好ましくは、２５℃で液体であるか、融点が２５〜２００℃の固体である。また光学異方性を低下させる化合物は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。
光学異方性を低下させる化合物の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０質量％であることが好ましく、１〜２５質量％であることがより好ましく、５〜２０質量％であることが特に好ましい。
光学異方性を低下させる化合物は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
光学異方性を低下させる化合物を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

光学異方性を低下させる化合物は、少なくとも一方の側の表面から全膜厚の１０％までの部分における該化合物の平均含有率が、該セルロースアシレートフィルムの中央部における該化合物の平均含有率の８０−９９％である。本発明の化合物の存在量は、例えば、特開平８−５７８７９号公報に記載の赤外吸収スペクトルを用いる方法などにより表面および中心部の化合物量を測定して求めることができる。

以下に本発明で好ましく用いられる、セルロースアシレートフィルムの光学異方性を低下させる化合物の具体例を示すが、本発明はこれら化合物に限定されない。
また、本発明に記載のｌｏｇＰの値は、Crippen's fragmentation法（J.Chem.Inf.Comput.Sci.,27,21(1987).）により求めたものである。

光学異方性を低下させる化合物としては、例えば、下記一般式（１３）で表される化合物が挙げられる。

式中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³の炭素原子数の総和は１０以上である。
Ｒ¹、Ｒ²およびＲ³で表されるアルキル基又はアリール基は、置換されていてもよい。置換基としてはフッ素原子、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が好ましく、アルキル基、アリール基、アルコキシ基、スルホン基およびスルホンアミド基が特に好ましい。また、アルキル基は直鎖であっても、分岐であっても、環状であってもよく、炭素原子数１〜２５のものが好ましく、６〜２５のものがより好ましく、６〜２０のもの（例えば、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、t-ブチル、アミル、イソアミル、t-アミル、ヘキシル、シクロヘキシル、ヘプチル、オクチル、ビシクロオクチル、ノニル、アダマンチル、デシル、t-オクチル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ペンタデシル、ヘキサデシル、ヘプタデシル、オクタデシル、ノナデシル、ジデシル）が特に好ましい。アリール基としては炭素原子数が６〜３０のものが好ましく、６〜２４のもの（例えば、フェニル、ビフェニル、テルフェニル、ナフチル、ビナフチル、トリフェニルフェニル）が特に好ましい。前記一般式（１３）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

また、光学異方性を低下させる化合物としては、例えば、下記一般式（１８）及び一般式（１９）で表される化合物も好ましい。

一般式（１８）中、Ｒ¹はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²およびＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基またはアリール基を表す。

上記一般式（１９）中、Ｒ⁴、Ｒ⁵およびＲ⁶はそれぞれ独立にアルキル基またはアリール基を表す。

前記一般式（１８）又は（１９）で表される化合物の好ましい例を下記に示すが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。

[波長分散調整剤]
セルロースアシレートフィルムの波長分散を低下させる化合物（以下波長分散調整剤ともいう）について説明する。前記セルロースアシレートフィルムのＲｔｈの波長分散を良化させるためには、下記式（VII）で表されるＲｔｈの波長分散ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ₍₄₀₀₎−Ｒｔｈ₍₇₀₀₎｜を低下させる化合物を、下記式（VIII）及び（IX）を満足する範囲で少なくとも一種含有することがのぞましい。
（VII） ΔＲｔｈ＝｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜
（VIII） （ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−２．０
（IX） ０．０１≦Ｂ≦３０
上記式（VIII）及び（IX）は
（VIII） （ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−３．０
（IX） ０．０５≦Ｂ≦２５
であることがよりのぞましく、
（VIII） （ΔＲｔｈ（Ｂ）−ΔＲｔｈ（０））／Ｂ≦−４．０
（IX） ０．１≦Ｂ≦２０
であることがさらにのぞましい。

上記の波長分散調整剤は、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物であるのが好ましい。前記波長分散調製剤の少なくとも一種を前記セルロース溶液に、セルロースアシレート固形分に対して所定量（好ましくは０．０１〜３０重量％）含有させるのが好ましい。

セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの値は一般に短波長側よりも長波長側が大きい波長分散特性となる。したがって相対的に小さい短波長側のＲｅ、Ｒｔｈを大きくすることによって波長分散を平滑にすることが要求される。一方２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持つ化合物は短波長側よりも長波長側の吸光度が大きい波長分散特性をもつ。この化合物自身がセルロースアシレートフィルム内部で等方的に存在していれば、化合物自身の複屈折性、ひいてはＲｅ、Ｒｔｈの波長分散は吸光度の波長分散と同様に短波長側が大きいと想定される。

したがって上述したような、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、化合物自身のＲｅ、Ｒｔｈの波長分散が短波長側が大きいと想定されるものを用いることによって、セルロースアシレートフィルムのＲｅ、Ｒｔｈの波長分散を調製することができる。このためには波長分散を調整する化合物はセルロースアシレートに十分均一に相溶することが要求される。このような化合物の紫外領域の吸収帯範囲は２００〜４００ｎｍが好ましいが、２２０〜３９５ｎｍがより好ましく、２４０〜３９０ｎｍがさらに好ましい。

また、近年テレビやノートパソコン、モバイル型携帯端末などの液晶表示装置ではより少ない電力で輝度を高めるに、液晶表示装置に用いられる光学部材の透過率が優れたものが要求されている。その点においては、２００〜４００ｎｍの紫外領域に吸収を持ち、フィルムの｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜および｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜を低下させる化合物をセルロースアシレートフィルムに添加する場合、分光透過率が優れていることが要求される。前記セルロースアシレートフィルムにおいては、波長３８０ｎｍにおける分光透過率が４５％以上９５％以下であり、かつ波長３５０ｎｍにおける分光透過率が１０％以下であることがのぞましい。

上述のような、本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤は揮散性の観点から分子量が２５０〜１０００であることが好ましい。より好ましくは２６０〜８００であり、更に好ましくは２７０〜８００であり、特に好ましくは３００〜８００である。これらの分子量の範囲であれば、特定のモノマー構造であっても良いし、そのモノマーユニットが複数結合したオリゴマー構造、ポリマー構造でも良い。

波長分散調整剤は、セルロースアシレートフィルム作製のドープ流延、乾燥の過程で揮散しないことが好ましい。

（化合物添加量）
上述した本発明で好ましく用いられる波長分散調整剤の添加量は、セルロースアシレートの０．０１〜３０重量％であることが好ましく、０．１〜２０重量％であることがより好ましく、０．２〜１０重量％であることが特に好ましい。

（化合物添加の方法）
またこれら波長分散調整剤は、単独で用いても、２種以上化合物を任意の比で混合して用いてもよい。
またこれら波長分散調整剤を添加する時期はドープ作製工程中の何れであってもよく、ドープ調製工程の最後に行ってもよい。

本発明に好ましく用いられる波長分散調整剤の具体例としては、例えばベンゾトリアゾール系化合物、ベンゾフェノン系化合物、シアノ基を含む化合物、オキシベンゾフェノン系化合物、サリチル酸エステル系化合物、ニッケル錯塩系化合物などが挙げられるが、本発明はこれら化合物だけに限定されるものではない。

ベンゾトリアゾール系化合物類の波長分散調整剤としては、下記一般式（１０１）で表される化合物が好ましく用いられる。
一般式（１０１） Ｑ¹−Ｑ²−ＯＨ
式中、Ｑ¹は含窒素芳香族ヘテロ環の基を表し、Ｑ²は芳香族環の基を表す。）

Ｑ¹は含窒素芳香族へテロ環の基を表し、好ましくは５〜７員の含窒素芳香族ヘテロ環の基であり、より好ましくは５または６員の含窒素芳香族ヘテロ環の基であり、例えば、イミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、セレナゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、ベンゾセレナゾール、チアジアゾール、オキサジアゾール、ナフトチアゾール、ナフトオキサゾール、アザベンズイミダゾール、プリン、ピリジン、ピラジン、ピリミジン、ピリダジン、トリアジン、トリアザインデン、テトラザインデン等の基があげられ、更に好ましくは、５員の含窒素芳香族ヘテロ環の基であり、具体的にはイミダゾール、ピラゾール、トリアゾール、テトラゾール、チアゾール、オキサゾール、ベンゾトリアゾール、ベンゾチアゾール、ベンズオキサゾール、チアジアゾール、オキサジアゾールの基が好ましく、特に好ましくは、ベンゾトリアゾールの基である。

Ｑ¹で表される含窒素芳香族ヘテロ環の基は更に置換基を有してもよく、置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。また、置換基が複数ある場合にはそれぞれが縮環して更に環を形成してもよい。

Ｑ²で表される芳香族環の基は、芳香族炭化水素環及び芳香族ヘテロ環のいずれの基でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
芳香族炭化水素環として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環である。）更に好ましくはベンゼン環である。
芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ²であらわされる芳香族環の基として好ましくは芳香族炭化水素環の基であり、より好ましくはナフタレン環又はベンゼン環の基であり、特に好ましくはベンゼン環の基である。Ｑ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

前記一般式（１０１）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０１−Ａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、およびＲ⁸はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。
Ｒ¹およびＲ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルキル基（好ましくは炭素数４〜１２）である。

Ｒ²およびＲ⁴として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁵およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、炭素１〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子、メチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ⁶およびＲ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換または無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基、ハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子、ハロゲン原子であり、特に好ましくは水素原子、塩素原子である。

前記一般式（１０１）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０１−Ｂ）で表される化合物も好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁶およびＲ⁷は、前記一般式（１０１−Ａ）中におけるそれらとそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。

以下に前記一般式（１０１）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

以上例にあげたベンゾトリアゾール系化合物の中でも、分子量が３２０以下のものを含まずに前記セルロースアシレートフィルムを作製した場合、保留性の点で有利であることが確認された。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるベンゾフェノン系化合物としては、下記一般式（１０２）で示されるものが好ましく用いられる。

式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環の基を表す。ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す）、酸素原子または硫黄原子を表す。

Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族環の基は芳香族炭化水素環および芳香族ヘテロ環のいずれの基でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族炭化水素環の基として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）の基であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環の基、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環の基である。）更に好ましくはベンゼン環の基である。
Ｑ¹およびＱ²で表される芳香族ヘテロ環の基としては、好ましくは酸素原子、窒素原子及び硫黄原子のいずれか一種の原子を少なくとも１つ含む芳香族ヘテロ環の基である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。
Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基としては、好ましくは芳香族炭化水素環の基であり、より好ましくは炭素数６〜１０の芳香族炭化水素環の基であり、更に好ましくは置換または無置換のベンゼン環の基である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましいが、置換基にカルボン酸やスルホン酸、４級アンモニウム塩を含むことはない。また、可能な場合には置換基同士が連結して環構造を形成してもよい。

ＸはＮＲ（Ｒは水素原子または置換基を表す。置換基としては後述の置換基Ｔが適用できる。）、酸素原子または硫黄原子を表し、Ｘとして好ましくは、ＮＲ（Ｒとして好ましくはアシル基、スルホニル基であり、これらの置換基は更に置換してもよい。）、またはOであり、特に好ましくはOである。

置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

前記一般式（１０２）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０２−Ａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、およびＲ⁹はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁸およびＲ⁹として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子または炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ²として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは炭素数１〜２０のアルコキシ基であり、特に好ましくは炭素数１〜１２のアルコキシ基である。

Ｒ⁷として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子または炭素数１〜２０のアルキル基（好ましくは炭素数１〜１２、より好ましくは炭素数１〜８、更に好ましくはメチル基）であり、特に好ましくはメチル基または水素原子である。

前記一般式（１０２）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０２−Ｂ）で表される化合物も好ましい。

式中、Ｒ¹⁰は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基または置換もしくは無置換のアリール基を表す。

Ｒ¹⁰は水素原子、置換もしくは無置換のアルキル基、置換もしくは無置換のアルケニル基、置換もしくは無置換のアルキニル基または置換もしくは無置換のアリール基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。
Ｒ¹⁰として好ましくは置換もしくは無置換のアルキル基であり、より好ましくは炭素数５〜２０の置換もしくは無置換のアルキル基であり、更に好ましくは炭素数５〜１２の置換もしくは無置換のアルキル基（ｎ−ヘキシル基、2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n-ドデシル基、ベンジル基、などが挙げられる。）であり、特に好ましくは、炭素数６〜１２の置換もしくは無置換のアルキル基（2−エチルヘキシル基、n−オクチル基、n−デシル基、n−ドデシル基、ベンジル基）である。

前記一般式（１０２）であらわされる化合物は特開平１１−１２２１９号公報記載の公知の方法により合成できる。
以下に前記一般式（１０２）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

また本発明に用いられる波長分散調整剤のひとつであるシアノ基等を含む化合物としては、下記一般式（１０３）で表される化合物が好ましく用いられる。

式中、Ｑ¹およびＱ²はそれぞれ独立に芳香族環の基を表す。Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環の基を表す。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基は、芳香族炭化水素環および芳香族ヘテロ環のいずれの基でもよい。また、これらは単環であってもよいし、更に他の環と縮合環を形成してもよい。

芳香族炭化水素環の基として好ましくは（好ましくは炭素数６〜３０の単環または二環の芳香族炭化水素環（例えばベンゼン環、ナフタレン環などが挙げられる。）の基であり、より好ましくは炭素数６〜２０の芳香族炭化水素環の基、更に好ましくは炭素数６〜１２の芳香族炭化水素環の基であり、更に好ましくはベンゼン環の基である。

芳香族ヘテロ環として好ましくは窒素原子あるいは硫黄原子を含む芳香族ヘテロ環である。ヘテロ環の具体例としては、例えば、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、ピリジン、ピラジン、ピリダジン、トリアゾール、トリアジン、インドール、インダゾール、プリン、チアゾリン、チアゾール、チアジアゾール、オキサゾリン、オキサゾール、オキサジアゾール、キノリン、イソキノリン、フタラジン、ナフチリジン、キノキサリン、キナゾリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、フェナントロリン、フェナジン、テトラゾール、ベンズイミダゾール、ベンズオキサゾール、ベンズチアゾール、ベンゾトリアゾール、テトラザインデンなどが挙げられる。芳香族ヘテロ環として好ましくは、ピリジン、トリアジン、キノリンである。

Ｑ¹およびＱ²であらわされる芳香族環の基としては、好ましくは芳香族炭化水素環の基であり、より好ましくはベンゼン環の基である。
Ｑ¹およびＱ²は更に置換基を有してもよく、後述の置換基Ｔが好ましい。
置換基Ｔとしては例えばアルキル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメチル、エチル、ｉｓｏ−プロピル、ｔｅｒｔ−ブチル、ｎ−オクチル、ｎ−デシル、ｎ−ヘキサデシル、シクロプロピル、シクロペンチル、シクロヘキシルなどが挙げられる。）、アルケニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばビニル、アリル、２−ブテニル、３−ペンテニルなどが挙げられる。）、アルキニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１２、特に好ましくは炭素数２〜８であり、例えばプロパルギル、３−ペンチニルなどが挙げられる。）、アリール基（好ましくは炭素数６〜３０、より好ましくは炭素数６〜２０、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニル、ｐ−メチルフェニル、ナフチルなどが挙げられる。）、置換又は未置換のアミノ基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１０、特に好ましくは炭素数０〜６であり、例えばアミノ、メチルアミノ、ジメチルアミノ、ジエチルアミノ、ジベンジルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１２、特に好ましくは炭素数１〜８であり、例えばメトキシ、エトキシ、ブトキシなどが挙げられる。）、アリールオキシ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルオキシ、２−ナフチルオキシなどが挙げられる。）、アシル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばアセチル、ベンゾイル、ホルミル、ピバロイルなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニル基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニル、エトキシカルボニルなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニル基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１０であり、例えばフェニルオキシカルボニルなどが挙げられる。）、アシルオキシ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセトキシ、ベンゾイルオキシなどが挙げられる。）、アシルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１０であり、例えばアセチルアミノ、ベンゾイルアミノなどが挙げられる。）、アルコキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数２〜２０、より好ましくは炭素数２〜１６、特に好ましくは炭素数２〜１２であり、例えばメトキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、アリールオキシカルボニルアミノ基（好ましくは炭素数７〜２０、より好ましくは炭素数７〜１６、特に好ましくは炭素数７〜１２であり、例えばフェニルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。）、スルホニルアミノ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルホニルアミノ、ベンゼンスルホニルアミノなどが挙げられる。）、スルファモイル基（好ましくは炭素数０〜２０、より好ましくは炭素数０〜１６、特に好ましくは炭素数０〜１２であり、例えばスルファモイル、メチルスルファモイル、ジメチルスルファモイル、フェニルスルファモイルなどが挙げられる。）、カルバモイル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばカルバモイル、メチルカルバモイル、ジエチルカルバモイル、フェニルカルバモイルなどが挙げられる。）、アルキルチオ基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメチルチオ、エチルチオなどが挙げられる。）、アリールチオ基（好ましくは炭素数６〜２０、より好ましくは炭素数６〜１６、特に好ましくは炭素数６〜１２であり、例えばフェニルチオなどが挙げられる。）、スルホニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメシル、トシルなどが挙げられる。）、スルフィニル基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばメタンスルフィニル、ベンゼンスルフィニルなどが挙げられる。）、ウレイド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばウレイド、メチルウレイド、フェニルウレイドなどが挙げられる。）、リン酸アミド基（好ましくは炭素数１〜２０、より好ましくは炭素数１〜１６、特に好ましくは炭素数１〜１２であり、例えばジエチルリン酸アミド、フェニルリン酸アミドなどが挙げられる。）、ヒドロキシ基、メルカプト基、ハロゲン原子（例えばフッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、シアノ基、スルホ基、カルボキシル基、ニトロ基、ヒドロキサム酸基、スルフィノ基、ヒドラジノ基、イミノ基、ヘテロ環基（好ましくは炭素数１〜３０、より好ましくは１〜１２であり、ヘテロ原子としては、例えば窒素原子、酸素原子、硫黄原子、具体的には例えばイミダゾリル、ピリジル、キノリル、フリル、ピペリジル、モルホリノ、ベンゾオキサゾリル、ベンズイミダゾリル、ベンズチアゾリルなどが挙げられる。）、シリル基（好ましくは、炭素数３〜４０、より好ましくは炭素数３〜３０、特に好ましくは、炭素数３〜２４であり、例えば、トリメチルシリル、トリフェニルシリルなどが挙げられる）などが挙げられる。これらの置換基は更に置換されてもよい。また、置換基が二つ以上ある場合は、同じでも異なってもよい。また、可能な場合には互いに連結して環を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²は水素原子または置換基を表し、少なくともどちらか１つはシアノ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環の基を表す。Ｘ¹およびＸ²で表される置換基は前述の置換基Ｔを適用することができる。また、Ｘ¹およびＸ²はで表される置換基は更に他の置換基によって置換されてもよく、Ｘ¹およびＸ²はそれぞれが縮環して環構造を形成してもよい。

Ｘ¹およびＸ²として好ましくは、水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環の基であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基または芳香族ヘテロ環の基であり、更に好ましくはシアノ基またはカルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基またはアルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３-Ａ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。Ｘ¹およびＸ²は一般式（１０３）中のそれらとそれぞれ同義であり、また好ましい範囲も同様である。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ³、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁸、Ｒ⁹およびＲ¹⁰はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用できる。またこれらの置換基は更に別の置換基によって置換されてもよく、置換基同士が縮環して環構造を形成してもよい。

Ｒ¹、Ｒ²、Ｒ⁴、Ｒ⁵、Ｒ⁶、Ｒ⁷、Ｒ⁹、およびＲ¹⁰として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子であり、より好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、アルキルオキシ基、アリールオキシ基またはハロゲン原子であり、更に好ましくは水素原子または炭素1〜１２アルキル基であり、特に好ましくは水素原子またはメチル基であり、最も好ましくは水素原子である。

Ｒ³およびＲ⁸として好ましくは水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アリール基、置換もしくは無置換のアミノ基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ヒドロキシ基またはハロゲン原子、より好ましくは水素原子、炭素数１〜２０のアルキル基、炭素数０〜２０のアミノ基、炭素数１〜１２のアルコキシ基、炭素数６〜１２アリールオキシ基またはヒドロキシ基であり、更に好ましくは水素原子、炭素数１〜１２のアルキル基または炭素数１〜１２アルコキシ基であり、特に好ましくは水素原子である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３−Ｂ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ³およびＲ⁸は、前記一般式（１０３-Ａ）中のそれらとそれぞれ同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｘ³は水素原子または置換基を表す。

Ｘ³は水素原子または置換基を表し、置換基としては前述の置換基Ｔが適用でき、また、可能な場合は更に他の置換基で置換されてもよい。Ｘ³として好ましくは水素原子、アルキル基、アリール基、シアノ基、ニトロ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、より好ましくは、シアノ基、カルボニル基、スルホニル基、芳香族ヘテロ環であり、更に好ましくはシアノ基、カルボニル基であり、特に好ましくはシアノ基、アルコキシカルボニル基（-C(＝O)OR（Rは：炭素数１〜２０アルキル基、炭素数６〜１２のアリール基およびこれらを組み合せたもの）である。

前記一般式（１０３）で表される化合物の中でも、下記一般式（１０３−Ｃ）で表される化合物が好ましい。

式中、Ｒ³およびＲ⁸は前記一般式（１０３-Ａ）中のそれらとそれぞれ同義であり、また、好ましい範囲も同様である。Ｒ²¹は炭素数１〜２０のアルキル基を表す。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が両方水素の場合には、炭素数２〜１２のアルキル基であり、より好ましくは炭素数４〜１２のアルキル基であり、更に好ましくは、炭素数６〜１２のアルキル基であり、特に好ましくは、ｎ−オクチル基、tert-オクチル基、２−エチルへキシル基、n−デシル基、n−ドデシル基であり、最も好ましくは２−エチルへキシル基である。

Ｒ²¹として好ましくはＲ³およびＲ⁸が水素以外の場合には、一般式（１０３-Ｃ）で表される化合物の分子量が３００以上になり、かつ炭素数２０以下の炭素数のアルキル基が好ましい。

前記一般式（１０３）で表される化合物はJounal of American Chemical Society ６３巻 ３４５２頁（１９４１）記載の方法によって合成できる。

以下に前記一般式（１０３）で表される化合物の具体例を挙げるが、本発明は下記具体例に何ら限定されるものではない。

[マット剤微粒子]
前記セルロースアシレートフィルムには、マット剤として微粒子を加えることが好ましい。本発明に使用される微粒子としては、二酸化珪素、二酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウム、炭酸カルシウム、炭酸カルシウム、タルク、クレイ、焼成カオリン、焼成珪酸カルシウム、水和ケイ酸カルシウム、ケイ酸アルミニウム、ケイ酸マグネシウム及びリン酸カルシウムを挙げることができる。微粒子はケイ素を含むものが濁度が低くなる点で好ましく、特に二酸化珪素が好ましい。二酸化珪素の微粒子は、１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上であるものが好ましい。１次粒子の平均径が５〜１６ｎｍと小さいものがフィルムのヘイズを下げることができより好ましい。見かけ比重は９０〜２００ｇ／リットル以上が好ましく、１００〜２００ｇ／リットル以上がさらに好ましい。見かけ比重が大きい程、高濃度の分散液を作ることが可能になり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。

これらの微粒子は、通常平均粒子径が０．１〜３．０μｍの２次粒子を形成し、これらの微粒子はフィルム中では、１次粒子の凝集体として存在し、フィルム表面に０．１〜３．０μｍの凹凸を形成させる。２次平均粒子径は０．２μｍ以上１．５μｍ以下が好ましく、０．４μｍ以上１．２μｍ以下がさらに好ましく、０．６μｍ以上１．１μｍ以下が最も好ましい。１次、２次粒子径はフィルム中の粒子を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子に外接する円の直径をもって粒径とした。また、場所を変えて粒子２００個を観察し、その平均値をもって平均粒子径とした。

二酸化珪素の微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７２、Ｒ９７２Ｖ、Ｒ９７４、Ｒ８１２、２００、２００Ｖ、３００、Ｒ２０２、ＯＸ５０、ＴＴ６００（以上日本アエロジル（株）製）などの市販品を使用することができる。酸化ジルコニウムの微粒子は、例えば、アエロジルＲ９７６及びＲ８１１（以上日本アエロジル（株）製）の商品名で市販されており、使用することができる。

これらの中でアエロジル２００Ｖ、アエロジルＲ９７２Ｖが１次平均粒子径が２０ｎｍ以下であり、かつ見かけ比重が７０ｇ／リットル以上である二酸化珪素の微粒子であり、光学フィルムの濁度を低く保ちながら、摩擦係数をさげる効果が大きいため特に好ましい。

本発明において２次平均粒子径の小さな粒子を有するセルロースアシレートフィルムを得るために、微粒子の分散液を調製する際にいくつかの手法が考えられる。例えば、溶剤と微粒子を撹拌混合した微粒子分散液をあらかじめ作成し、この微粒子分散液を別途用意した少量のセルロースアシレート溶液に加えて撹拌溶解し、さらにメインのセルロースアシレートドープ液と混合する方法がある。この方法は二酸化珪素微粒子の分散性がよく、二酸化珪素微粒子が更に再凝集しにくい点で好ましい調製方法である。ほかにも、溶剤に少量のセルロースエステルを加え、撹拌溶解した後、これに微粒子を加えて分散機で分散を行いこれを微粒子添加液とし、この微粒子添加液をインラインミキサーでドープ液と十分混合する方法もある。本発明はこれらの方法に限定されないが、二酸化珪素微粒子を溶剤などと混合して分散するときの二酸化珪素の濃度は５〜３０質量％が好ましく、１０〜２５質量％が更に好ましく、１５〜２０質量％が最も好ましい。分散濃度が高い方が添加量に対する液濁度は低くなり、ヘイズ、凝集物が良化するため好ましい。最終的なセルロースアシレートのドープ溶液中でのマット剤の添加量は１ｍ²あたり０．０１〜１．０ｇが好ましく、０．０３〜０．３ｇが更に好ましく、０．０８〜０．１６ｇが最も好ましい。

使用される溶剤は低級アルコール類としては、好ましくはメチルアルコール、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等が挙げられる。低級アルコール以外の溶媒としては特に限定されないが、セルロースエステルの製膜時に用いられる溶剤を用いることが好ましい。

[可塑剤、劣化防止剤、剥離剤]
上記の光学的に異方性を低下する化合物、波長分散調整剤の他に、前記セルロースアシレートフィルムには、各調製工程において用途に応じた種々の添加剤（例えば、可塑剤、紫外線防止剤、劣化防止剤、剥離剤、赤外吸収剤、など）を加えることができ、それらは固体でもよく油状物でもよい。すなわち、その融点や沸点において特に限定されるものではない。例えば２０℃以下と２０℃以上の紫外線吸収材料の混合や、同様に可塑剤の混合などであり、例えば特開２００１−１５１９０１号などに記載されている。さらにまた、赤外吸収染料としては例えば特開２００１−１９４５２２号に記載されている。またその添加する時期はドープ作製工程において何れで添加しても良いが、ドープ調製工程の最後の調製工程に添加剤を添加し調製する工程を加えて行ってもよい。更にまた、各素材の添加量は機能が発現する限りにおいて特に限定されない。また、セルロースアシレートフィルムが多層から形成される場合、各層の添加物の種類や添加量が異なってもよい。例えば特開２００１−１５１９０２号などに記載されているが、これらは従来から知られている技術である。これらの詳細は、発明協会公開技報（公技番号２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて１６頁〜２２頁に詳細に記載されている素材が好ましく用いられる。

[化合物添加の比率]
前記セルロースアシレートフィルムにおいては、分子量が３０００以下の化合物の総量は、セルロースアシレート重量に対して５〜４５％であることがのぞましい。より好ましくは１０〜４０％であり、さらにのぞましくは１５〜３０％である。これらの化合物としては上述したように、光学異方性を低下する化合物、波長分散調整剤、紫外線防止剤、可塑剤、劣化防止剤、微粒子、剥離剤、赤外吸収剤などであり、分子量としては３０００以下がのぞましく、２０００以下がよりのぞましく、１０００以下がさらにのぞましい。これら化合物の総量が５％以下であると、セルロースアシレート単体の性質が出やすくなり、例えば、温度や湿度の変化に対して光学性能や物理的強度が変動しやすくなるなどの問題がある。またこれら化合物の総量が４５％以上であると、セルロースアシレートフィルム中に化合物が相溶する限界を超え、フィルム表面に析出してフィルムが白濁する( フィルムからの泣き出し)などの問題が生じやすくなる。

[セルロースアシレート溶液の有機溶媒]
本発明では、ソルベントキャスト法によりセルロースアシレートフィルムを製造することが好ましく、セルロースアシレートを有機溶媒に溶解した溶液（ドープ）を用いてフィルムは製造される。本発明の主溶媒として好ましく用いられる有機溶媒は、炭素原子数が３〜１２のエステル、ケトン、エーテル、および炭素原子数が１〜７のハロゲン化炭化水素から選ばれる溶媒が好ましい。エステル、ケトンおよび、エーテルは、環状構造を有していてもよい。エステル、ケトンおよびエーテルの官能基（すなわち、−Ｏ−、−ＣＯ−および−ＣＯＯ−）のいずれかを二つ以上有する化合物も、主溶媒として用いることができ、たとえばアルコール性水酸基のような他の官能基を有していてもよい。二種類以上の官能基を有する主溶媒の場合、その炭素原子数はいずれかの官能基を有する化合物の規定範囲内であればよい。

以上前記セルロースアシレートフィルムに対しては塩素系のハロゲン化炭化水素を主溶媒としても良いし、発明協会公開技報２００１−１７４５（１２頁〜１６頁）に記載されているように、非塩素系溶媒を主溶媒としても良く、前記セルロースアシレートフィルムに対しては特に限定されるものではない。

その他、前記セルロースアシレート溶液及びフィルムについての溶媒は、その溶解方法も含め以下の特許に開示されており、好ましい態様である。それらは、例えば、特開２０００−９５８７６、特開平１２−９５８７７、特開平１０−３２４７７４、特開平８−１５２５１４、特開平１０−３３０５３８、特開平９−９５５３８、特開平９−９５５５７、特開平１０−２３５６６４、特開平１２−６３５３４、特開平１１−２１３７９、特開平１０−１８２８５３、特開平１０−２７８０５６、特開平１０−２７９７０２、特開平１０−３２３８５３、特開平１０−２３７１８６、特開平１１−６０８０７、特開平１１−１５２３４２、特開平１１−２９２９８８、特開平１１−６０７５２、特開平１１−６０７５２などに記載されている。これらの特許によると前記セルロースアシレートに好ましい溶媒だけでなく、その溶液物性や共存させる共存物質についても記載があり、本発明においても好ましい態様である。

[セルロースアシレートフィルムの製造工程]
（溶解工程）
前記セルロースアシレート溶液（ドープ）の調製は、その溶解方法は特に限定されず、室温でもよくさらには冷却溶解法あるいは高温溶解方法、さらにはこれらの組み合わせで実施される。本発明におけるセルロースアシレート溶液の調製、さらには溶解工程に伴う溶液濃縮、ろ過の各工程に関しては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２２頁〜２５頁に詳細に記載されている製造工程が好ましく用いられる。

（ドープ溶液の透明度）
前記セルロースアシレート溶液のドープ透明度としては８５％以上であることがのぞましい。より好ましくは８８％以上であり、さらに好ましくは９０％以上であることがのぞましい。本発明においてはセルロースアシレートドープ溶液に各種の添加剤が十分に溶解していることを確認した。具体的なドープ透明度の算出方法としては、ドープ溶液を１ｃｍ角のガラスセルに注入し、分光光度計（ＵＶ−３１５０、島津製作所）で５５０ｎｍの吸光度を測定した。溶媒のみをあらかじめブランクとして測定しておき、ブランクの吸光度との比からセルロースアシレート溶液の透明度を算出した。

［流延、乾燥、巻き取り工程］
次に、前記セルロースアシレート溶液を用いたフィルムの製造方法について述べる。前記セルロースアシレートフィルムを製造する方法及び設備は、従来セルローストリアセテートフィルム製造に供する溶液流延製膜方法及び溶液流延製膜装置が用いられる。溶解機（釜）から調製されたドープ（セルロースアシレート溶液）を貯蔵釜で一旦貯蔵し、ドープに含まれている泡を脱泡して最終調製をする。ドープをドープ排出口から、例えば回転数によって高精度に定量送液できる加圧型定量ギヤポンプを通して加圧型ダイに送り、ドープを加圧型ダイの口金（スリット）からエンドレスに走行している流延部の金属支持体の上に均一に流延され、金属支持体がほぼ一周した剥離点で、生乾きのドープ膜（ウェブとも呼ぶ）を金属支持体から剥離する。得られるウェブの両端をクリップで挟み、幅保持しながらテンターで搬送して乾燥し、続いて得られたフィルムを乾燥装置のロール群で機械的に搬送し乾燥を終了して巻き取り機でロール状に所定の長さに巻き取る。テンターとロール群の乾燥装置との組み合わせはその目的により変わる。前記セルロースアシレートフィルムの主な用途である、電子ディスプレイ用の光学部材である機能性保護膜やハロゲン化銀写真感光材料に用いる溶液流延製膜方法においては、溶液流延製膜装置の他に、下引層、帯電防止層、ハレーション防止層、保護層等のフィルムへの表面加工のために、塗布装置が付加されることが多い。これらについては、発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて２５頁〜３０頁に詳細に記載されており、流延（共流延を含む），金属支持体，乾燥，剥離などに分類され、本発明において好ましく用いることができる。
また、セルロースアシレートフィルムの厚さは１０〜１２０μｍが好ましく、２０〜１００μｍがより好ましく、３０〜９０μｍがさらに好ましい。

[高湿度処理後のフィルムの光学性能変化]
[セルロースアシレートフィルム物性評価］
前記セルロースアシレートフィルムの環境変化による光学性能の変化については、６０℃９０％ＲＨに２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

[高温度処理後のフィルムの光学性能変化]
また、８０℃２４０時間処理したフィルムのＲｅおよびＲｔｈの変化量が１５ｎｍ以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１２ｎｍ以下であり、１０ｎｍ以下であることがさらにのぞましい。

[フィルム加熱処理後の化合物揮散量]
前記セルロースアシレートフィルムにのぞましく用いることができる、Ｒｔｈを低下させる化合物と、ΔＲｔｈを低下させる化合物は、８０℃２４０時間処理したフィルムからの化合物の揮散量が３０％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは２５％以下であり、２０％以下であることがさらにのぞましい。
なお、フィルムからの揮散量は、８０℃２４０時間処理したフィルムおよび未処理のフィルムをそれぞれ溶媒に溶かし出し、液体高速クロマトグラフィーにて化合物を検出し、化合物のピーク面積をフィルム中に残存した化合物量として、下記式により算出した。
揮散量（％）＝ ｛（未処理品中の残存化合物量）−（処理品中の残存化合物量）｝/（未処理品中の残存化合物量）×１００

[フィルムのガラス転移温度Ｔｇ]
前記セルロースアシレートフィルムのガラス転移温度Ｔｇは、８０〜１６５℃である。耐熱性の観点から、Ｔｇが１００〜１６０℃であることがより好ましく、１１０〜１５０℃であることが特に好ましい。ガラス転移温度Ｔｇの測定は、前記セルロースアシレートフィルム試料１０ｍｇを、常温から２００度まで昇降温速度５℃／分で示差走査熱量計（ＤＳＣ２９１０、Ｔ．Ａ．インスツルメント）で熱量測定を行い、ガラス転移温度Ｔｇを算出した。

[フィルムのヘイズ]
前記セルロースアシレートフィルムのヘイズは０．０１〜２．０％であることがのぞましい。よりのぞましくは０．０５〜１．５％であり、０．１〜１．０％であることがさらにのぞましい。光学フィルムとしてフィルムの透明性は重要である。ヘイズの測定は、前記セルロースアシレートフィルム試料４０ｍｍ×８０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨでヘイズメーター（ＨＧＭ−２ＤＰ、スガ試験機）でＪＩＳ Ｋ−６７１４に従って測定した。

[フィルムのＲｅ、Ｒｔｈの湿度依存性]
前記セルロースアシレートフィルムの面内のレターデーションＲｅおよび膜厚方向のレターデーションＲｔｈはともに湿度による変化が小さいことが好ましい。具体的には、２５℃１０％ＲＨにおけるＲｔｈ値と２５℃８０％ＲＨにおけるＲｔｈ値の差ΔＲｔｈ（＝Ｒｔｈ１０％ＲＨ−Ｒｔｈ８０％ＲＨ）が０〜５０ｎｍであることが好ましい。より好ましくは０〜４０ｎｍであり、さらに好ましくは０〜３５ｎｍである。

[フィルムの平衡含水率]
前記セルロースアシレートフィルムの平衡含水率は、偏光板の保護膜として用いる際、ポリビニルアルコールなどの水溶性ポリマーとの接着性を損なわないために、膜厚のいかんに関わらず、２５℃８０％ＲＨにおける平衡含水率が、０〜４％であることが好ましい。０.１〜３．５％であることがより好ましく、１〜３％であることが特に好ましい。４％以上の平衡含水率であると、レターデーションの湿度変化による依存性が大きくなりすぎてしまい好ましくない。
含水率の測定法は、前記セルロースアシレートフィルム試料７ｍｍ×３５ｍｍを水分測定器、試料乾燥装置（ＣＡ−０３、ＶＡ−０５、共に三菱化学（株））にてカールフィッシャー法で測定した。水分量（ｇ）を試料重量（ｇ）で除して算出した。

[フィルムの透湿度]
本発明の光学補償フィルムに用いるセルロースアシレートフィルムの透湿度は、ＪＩＳ規格ＪＩＳＺ０２０８をもとに、温度６０℃、湿度９５％ＲＨの条件において測定し、膜厚８０μｍに換算して４００〜２０００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがのぞましい。５００〜１８００ｇ／ｍ²・２４ｈであることがより好ましく、６００〜１６００ｇ／ｍ²・２４ｈであることが特に好ましい。２０００ｇ／ｍ²・２４ｈを越えると、フィルムのＲｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまう。また、前記セルロースアシレートフィルムに光学異方性層を積層して光学補償フィルムとした場合も、Ｒｅ値、Ｒｔｈ値の湿度依存性の絶対値が０．５ｎｍ／％ＲＨを超える傾向が強くなってしまい好ましくない。この光学補償フィルムや偏光板が液晶表示装置に組み込まれた場合、色味の変化や視野角の低下を引き起こす。また、セルロースアシレートフィルムの透湿度が４００ｇ／ｍ²・２４ｈ未満では、偏光膜の両面などに貼り付けて偏光板を作製する場合に、セルロースアシレートフィルムにより接着剤の乾燥が妨げられ、接着不良を生じる。
セルロースアシレートフィルムの膜厚が厚ければ透湿度は小さくなり、膜厚が薄ければ透湿度は大きくなる。そこでどのような膜厚のサンプルでも基準を８０μｍに設け換算する必要がある。膜厚の換算は、（８０μｍ換算の透湿度＝実測の透湿度×実測の膜厚μｍ／８０μｍ）として求めた。
透湿度の測定法は、「高分子の物性II」（高分子実験講座４ 共立出版）の２８５頁〜２９４頁：蒸気透過量の測定（質量法、温度計法、蒸気圧法、吸着量法）に記載の方法を適用することができ、前記セルロースアシレートフィルム試料７０ｍｍφを２５℃、９０％ＲＨ及び６０℃、９５％ＲＨでそれぞれ２４時間調湿し、透湿試験装置（ＫＫ−７０９００７、東洋精機（株））にて、ＪＩＳ Ｚ−０２０８に従って、単位面積あたりの水分量を算出（ｇ／ｍ²）し、透湿度＝調湿後重量−調湿前重量で求めた。

[フィルムの寸度変化]
前記セルロースアシレートフィルムの寸度安定性は、６０℃、９０％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高湿）の寸度変化率および９０℃、５％ＲＨの条件下に２４時間静置した場合（高温）の寸度変化率がいずれも０.５％以下であることがのぞましい。よりのぞましくは０.３％以下であり、さらにのぞましくは０.１５％以下である。
具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料３０ｍｍ×１２０ｍｍを２枚用意し、２５℃、６０％ＲＨで２４時間調湿し、自動ピンゲージ（新東科学（株））にて、両端に６ｍｍφの穴を１００ｍｍの間隔で開け、パンチ間隔の原寸（Ｌ０）とした。１枚の試料を６０℃、９０％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ１）を測定、もう１枚の試料を９０℃、５％ＲＨにて２４時間処理した後のパンチ間隔の寸法（Ｌ２）を測定した。すべての間隔の測定において最小目盛り１／１０００ｍｍまで測定した。６０℃、９０％ＲＨ（高湿）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ１｜／Ｌ０｝×１００、９０℃、５％ＲＨ（高温）の寸度変化率＝｛｜Ｌ０−Ｌ２｜／Ｌ０｝×１００、として寸度変化率を求めた。

[フィルムの弾性率]
（弾性率）
前記セルロースアシレートフィルムの弾性率は、２００〜５００ｋｇｆ/ｍｍ²であることが好ましい、より好ましくは２４０〜４７０ｋｇｆ/ｍｍ²であり、さらに好ましくは２７０〜４４０ｋｇｆ/ｍｍ²である。具体的な測定方法としては、東洋ボールドウィン製万能引っ張り試験機ＳＴＭ Ｔ５０ＢＰを用い、２３℃・７０％雰囲気中、引っ張り速度１０％／分で０．５％伸びにおける応力を測定し、弾性率を求めた。

[フィルムの光弾性係数]
（光弾性係数）
前記セルロースアシレートフィルムの光弾性係数は、５０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることが好ましい。３０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがより好ましく、２０×１０^-13ｃｍ²/ｄｙｎｅ以下であることがさらに好ましい。具体的な測定方法としては、セルロースアシレートフィルム試料１２ｍｍ×１２０ｍｍの長軸方向に対して引っ張り応力をかけ、その際のレターデーションをエリプソメーター（Ｍ１５０、日本分光（株））で測定し、応力に対するレターデーションの変化量から光弾性係数を算出した。

[延伸前後における正面レターデーション変化、遅相軸の検出]
試料１００×１００ｍｍを用意し、固定一軸延伸機を用いて温度１４０℃の条件下で機械搬送方向（ＭＤ方向）または垂直方向（ＴＤ方向）に延伸を行った。延伸前後における各試料の正面レターデーションは自動複屈折計ＫＯＢＲＡ２１ＡＤＨを用いて測定した。遅相軸の検出は上記のレターデーション測定の際に得られる配向角から決定した。延伸によってＲｅの変化が小さいことが好ましく、具体的にはＲｅ(ｎ)をｎ(％)延伸したフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)、Ｒｅ(０)を延伸していないフィルムの面内正面レターデーション(ｎｍ)としたときに、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦１．０を有することが好ましく、｜Ｒｅ(ｎ)−Ｒｅ(０)｜／ｎ≦０．３以下がさらに好ましい。

[遅相軸を有する方向]
前記セルロースアシレートフィルムを偏光子の保護フィルムに用いる場合、偏光子が機械搬送方向（ＭＤ方向）に吸収軸を持つため、セルロースアシレートフィルムは遅相軸がＭＤ方向近傍またはＴＤ近傍にあることがのぞましい。遅相軸が偏光子と平行または直交させることにより光漏れや色味変化を低減できる。近傍とは、遅相軸とＭＤまたはＴＤ方向が０〜１０°、好ましくは０〜５°の範囲にあることを表す。

[固有複屈折が正であるセルロースアシレートフィルム]
前記セルロースアシレートフィルムは、フィルム面内において、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションＲeが大きくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションＲeが小さくなる。このことは固有複屈折が正であることを示しており、フィルム中で発現したＲeを打ち消すには遅相軸と垂直方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面Ｒeを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面Ｒｅを小さくすることが考えられる。

[固有複屈折が負であるセルロースアシレートフィルム]
前記セルロースアシレートフィルムは、遅相軸を有する方向に延伸すると正面レターデーションＲeが小さくなり、遅相軸を有する方向と垂直な方向に延伸すると正面レターデーションＲeが大きくなる場合もある。このことは固有複屈折が負であることを示しており、フィルム中で発現したＲeを打ち消すには遅相軸と同一の方向に延伸することが有効である。この方法としては例えば、フィルムが機械搬送方向（ＭＤ方向）に遅相軸を有している場合にＭＤ方向の機械搬送ロールの張力を強めて延伸することによって正面Ｒeを小さくすることが考えられる。逆の例として、ＴＤ方向に遅相軸を有している場合にはＭＤとは垂直な方向（ＴＤ方向）にテンター延伸を用いて正面Ｒｅを小さくすることが考えられる。

[前記セルロースアシレートフィルムの評価方法]
前記セルロースアシレートフィルムの評価に当たって、以下の方法で測定して実施した。
（面内のレターデーションＲｅ、膜厚方向のレターデーションＲｔｈ）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿し、Ｒｅ（λ）は自動複屈折計ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定した。また、Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）と、面内の遅相軸を傾斜軸としてフィルム法線方向を０°としてサンプルを１０°ごとに５０°まで傾斜させて波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション値を基に、平均屈折率の仮定値１．４８および膜厚を入力し算出した。

（Ｒｅ、Ｒｔｈの波長分散測定）
試料３０ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃、６０％ＲＨで２時間調湿しＲｅ（λ）は、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨ（王子計測機器（株）製）において波長λｎｍの光をフィルム法線方向に入射させて測定される。Ｒｔｈ（λ）は前記Ｒｅ（λ）、面内の遅相軸（ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨにより判断される）を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して＋４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーション、および面内の遅相軸を傾斜軸（回転軸）としてフィルム法線方向に対して−４０°傾斜した方向から波長λｎｍの光を入射させて測定したレターデーションの計３つの方向で測定したレターデーションと平均屈折率の仮定値および入力された膜厚値を基にＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨが算出する。ここで平均屈折率の仮定値は ポリマーハンドブック（ＪＯＨＮ ＷＩＬＥＹ＆ＳＯＮＳ，ＩＮＣ）、各種光学フィルムのカタログの値を使用することができる。平均屈折率の値が既知でないものについてはアッベ屈折計で測定することができる。主な光学フィルムの平均屈折率の値を以下に例示する： セルロースアシレート（１．４８）、シクロオレフィンポリマー（１．５２）、ポリカーボネート（１．５９）、ポリメチルメタクリレート（１．４９）、ポリスチレン（１．５９）。これら平均屈折率の仮定値と膜厚を入力することで、ＫＯＢＲＡ ２１ＡＤＨはｎｘ、ｎｙ、ｎｚを算出する。この算出されたｎｘ、ｎｙ、ｎｚよりＮｚ＝（ｎｘ−ｎｚ）／（ｎｘ−ｎｙ）がさらに算出される。

（分子配向軸）
試料７０ｍｍ×１００ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨで２時間調湿し、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ２１ＤＨ、王子計測（株））にて、垂直入射における入射角を変化させた時の位相差より分子配向軸を算出した。
（軸ズレ）
また、自動複屈折計（ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨ、王子計測機器（株））で軸ズレ角度を測定した。幅方向に全幅にわたって等間隔で２０点測定し、絶対値の平均値を求めた。また、遅相軸角度（軸ズレ）のレンジとは、幅方向全域にわたって等間隔に２０点測定し、軸ズレの絶対値の大きい方から４点の平均と小さい方から４点の平均の差をとったものである。

（透過率）
試料２０ｍｍ×７０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで透明度測定器（ＡＫＡ光電管比色計、ＫＯＴＡＫＩ製作所）で可視光（６１５ｎｍ）の透過率を測定した。
（分光特性）
試料１３ｍｍ×４０ｍｍを、２５℃，６０％ＲＨで分光光度計（Ｕ−３２１０、（株）日立製作所）にて、波長３００〜４５０ｎｍにおける透過率を測定した。傾斜幅は７２％の波長−５％の波長で求めた。限界波長は、（傾斜幅／２）＋５％の波長で表した。吸収端は、透過率０．４％の波長で表す。これより３８０ｎｍおよび３５０ｎｍの透過率を評価した。

[フィルム表面の性状]
前記セルロースアシレートフィルムの表面は、ＪＩＳＢ０６０１−１９９４に基づく該膜の表面凹凸の算術平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．５μｍ以下であることが好ましい。好ましくは、算術平均粗さ（Ｒａ）が０．０５μｍ以下、及び最大高さ（Ｒｙ）が０．２μｍ以下である。膜表面の凹と凸の形状は、原子間力
顕微鏡（ＡＦＭ）により評価することが出来る。

[セルロースアシレートフィルムのレターデーションの面内ばらつき]
前記セルロースアシレートフィルムは次の式を満たすことがのぞましい。
｜Ｒｅ(MAX)−Ｒｅ(MIN)｜≦3かつ｜Ｒｔｈ(MAX)−Ｒｔｈ(MIN)｜≦5
［式中、Ｒｅ(MAX)、Ｒｔｈ(MAX)−は任意に切り出した1ｍ四方のフィルムの最大レターデーション値、Ｒｅ(MIN)、Ｒｔｈ(MIN)は最小値である。］

[フィルムの保留性]
前記セルロースアシレートフィルムにおいては、フィルムに添加した各種化合物の保留性が要求される。具体的には、前記セルロースアシレートフィルムを８０℃／９０％ＲＨの条件下に４８時間静置した場合のフィルムの質量変化が、０〜５％であることが好ましい。より好ましくは０〜３％であり、さらに好ましくは０〜２％である。
〈保留性の評価方法〉
試料を１０ｃｍ×１０ｃｍのサイズに断裁し、２３℃、５５％ＲＨの雰囲気下で２４時間放置後の質量を測定して、８０±５℃、９０±１０％ＲＨの条件下で４８時間放置した。処理後の試料の表面を軽く拭き、２３℃、５５％ＲＨで１日放置後の質量を測定して、以下の方法で保留性を計算した。
保留性（質量％）＝｛（放置前の質量−放置後の質量）／放置前の質量｝×１００

[フィルムの力学特性]
（カール）
前記セルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値は、−１０／ｍ〜＋１０／ｍであることが好ましい。前記セルロースアシレートフィルムには後述する表面処理、光学異方性層を塗設する際のラビング処理の実施や配向膜、光学異方性層の塗設や貼合などを長尺で行う際に、前記セルロースアシレートフィルムの幅方向のカール値が前述の範囲外では、フィルムのハンドリングに支障をきたし、フィルムの切断が起きることがある。また、フィルムのエッジや中央部などで、フィルムが搬送ロールと強く接触するために発塵しやすくなり、フィルム上への異物付着が多くなり、光学補償フィルムの点欠陥や塗布スジの頻度が許容値を超えることがある。又、カールを上述の範囲とすることで光学異方性層を設置するときに発生しやすい色斑故障を低減できるほか、偏光膜貼り合せ時に気泡が入ることを防ぐことができ、好ましい。
カール値は、アメリカ国家規格協会の規定する測定方法（ＡＮＳＩ／ＡＳＣＰＨ１．２９−１９８５）に従い測定することができる。

（引裂き強度）
ＪＩＳＫ７１２８−２：１９９８の引裂き試験方法に基ずく引裂き強度（エルメンドルフ引裂き法）が、前記セルロースアシレートフィルムの膜厚が２０〜８０μｍの範囲において、２ｇ以上が好ましい。より好ましくは、５〜２５ｇであり、更には６〜２５ｇである。又、６０μｍ換算で８ｇ以上が好ましく、より好ましくは８〜１５ｇである。具体的には、試料片５０ｍｍ×６４ｍｍを、２５℃、６５％ＲＨの条件下に２時間調湿した後に軽荷重引裂き強度試験機を用いて測定できる。

［フィルムの残留溶剤量］
前記セルロースアシレートフィルムに対する残留溶剤量が、０．０１〜１．５質量％の範囲となる条件で乾燥することが好ましい。より好ましくは０．０１〜１．０質量％である。本発明に用いる透明支持体の残留溶剤量は１．５％以下とすることでカールを抑制できる。１．０％以下であることがより好ましい。これは、前述のソルベントキャスト方法による成膜時の残留溶剤量が少なくすることで自由堆積が小さくなることが主要な効果要因になるためと思われる。

[フィルムの吸湿膨張係数]
前記セルロースアシレートフィルムの吸湿膨張係数は３０×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましい。吸湿膨張係数は、１５×１０^-5／％ＲＨ以下とすることが好ましく、１０×１０^-5／％ＲＨ以下であることがさらに好ましい。また、吸湿膨張係数は小さい方が好ましいが、通常は、１．０×１０^-5／％ＲＨ以上の値である。吸湿膨張係数は、一定温度下において相対湿度を変化させた時の試料の長さの変化量を示す。この吸湿膨張係数を調節することで、前記セルロースアシレートフィルムを光学補償フィルム支持体として用いた際、光学補償フィルムの光学補償機能を維持したまま、額縁状の透過率上昇すなわち歪みによる光漏れを防止することができる。

［表面処理］
セルロースアシレートフィルムは、場合により表面処理を行うことによって、セルロースアシレートフィルムと各機能層（例えば、下塗層およびバック層）との接着の向上を達成することができる。例えばグロー放電処理、紫外線照射処理、コロナ処理、火炎処理、酸またはアルカリ処理を用いることができる。ここでいうグロー放電処理とは、１０^-3〜２０Ｔｏｒｒの低圧ガス下でおこる低温プラズマでもよく、更にまた大気圧下でのプラズマ処理も好ましい。プラズマ励起性気体とは上記のような条件においてプラズマ励起される気体をいい、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン、窒素、二酸化炭素、テトラフルオロメタンの様なフロン類及びそれらの混合物などがあげられる。これらについては、詳細が発明協会公開技報（公技番号 ２００１−１７４５、２００１年３月１５日発行、発明協会）にて３０頁〜３２頁に詳細に記載されており、本発明において好ましく用いることができる。

［アルカリ鹸化処理によるフィルム表面の接触角］
前記セルロースアシレートフィルムを偏光板の透明保護フィルムとして用いる場合の表面処理の有効な手段の１つとしてアルカリ鹸化処理が上げられる。この場合、アルカリ鹸化処理後のフィルム表面の接触角が５５°以下であることがのぞましい。よりのぞましくは５０°以下であり、４５°以下であることがさらにのぞましい。接触角の評価法はアルカリ鹸化処理後のフィルム表面に直径３ｍｍの水滴を落とし、フィルム表面と水滴のなす角をもとめる通常の手法によって親疎水性の評価として用いることができる。

（耐光性）
前記セルロースアシレートの光耐久性の指標として、スーパーキセノン光を２４０時間照射したフィルムの色差ΔＥ＊ａｂが２０以下であることがのぞましい。よりのぞましくは１８以下であり、１５以下であることがさらにのぞましい。色差の測定は、ＵＶ３１００（島津製作所製）を用いた。測定の仕方は、フィルムを２５℃６０％ＲＨに２時間以上調湿した後にキセノン光照射前のフィルムのカラー測定を行ない初期値（Ｌ０^*、ａ０^*、ｂ０^*）を求めた。その後、フィルム単体で、スーパーキセノンウェザーメーターＳＸ−７５（スガ試験機（株）製）にて、１５０Ｗ／ｍ²、６０℃５０％ＲＨ条件にてキセノン光を２４０時間照射した。所定時間の経過後、フィルムを恒温槽から取り出し、２５℃６０％ＲＨに２時間調湿した後に、再びカラー測定を行い、照射経時後の値（Ｌ１^*、ａ１^*、ｂ１^*）を求めた。これらから、色差ΔＥ^*ａｂ＝（（Ｌ０^*−Ｌ１^*）²＋（ａ０^*−ａ１^*）²＋（ｂ０^*−ｂ１^*）²）^0.5を求めた。

[第２光学異方層]
本発明の液晶表示装置は、面内の最大屈折率方向がより近くに位置する偏光膜の透過軸と４５°で交差して配置される第２光学異方層を有する。第２光学異方層は、ＯＣＢモード液晶表示装置の黒表示の視野角特性を改善するのに寄与する。前記第２光学異方層のレターデーションは、液晶セルの黒表示時の残留レターデーションと合せることが重要である。前記第２光学異方層に用いる素材、製造方法は特に限定されるものではないが、非液晶性ポリマーであるのが好ましい。耐熱性、耐薬品性、透明性に優れ、剛性にも富むことから、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアリールエーテルケトン、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド等のポリマーが好ましい。これらのポリマーは、いずれか一種類を単独で使用してもよいし、例えば、ポリアリールエーテルケトンとポリアミドとの混合物のように、異なる官能基を持つ２種以上の混合物として使用しても良い。このようなポリマーの中でも、高透明性、高配向性、高延伸性であることからポリイミドが特に好ましい。第２光学異方層のレターデーションは特に限定されるものではないが１０〜１００ｎｍの範囲であることが好ましく、より好ましくは２０〜５０ｎｍの範囲である。面内最大屈折率を偏光板と４５°にする方法は、特に限定は無いが、風により配向をコントロールするのが簡便である。

前記第２光学異方層の製造方法については特に制限はないが、熱可塑性樹脂のフィルムを用いる場合は、レターデーションを調整するために延伸処理を施すのが好ましい。例えば、熱可塑性樹脂フィルムを縦方向及び横方向に逐次二軸延伸して製造してもよい。

[第３光学異方層]
本発明の液晶表示装置は、ＯＣＢモード用の視野角をさらに向上させる為には、下記式（III）及び（IV）を満足する第３光学異方層を有していてもよい。
（III）０≦｜Ｒe(630)｜≦２００
（IV ）０≦｜Ｒｔｈ(630)｜≦５００
｜Ｒe(630)｜は１５０以下であるのがより好ましく、１００以下であるのがさらに好ましい。また、｜Ｒｔｈ(630)｜は４００以下であるのがより好ましく、３００以下であるのがさらに好ましい。前記第３光学異方層を用いて斜め方向の光漏れを補償するのが好ましく、前記第３光学異方層の面内最大屈折率と偏光板の吸収軸と平行または垂直となるように配置することが好ましい。

前記第３光学異方層は、種々の材料から製造することができる。例えば、前記第３光学異方層を液晶性組成物から形成する場合は、前記式（III）及び（IV）を満足する光学特性とするために、液晶性化合物の種類、添加剤の種類およびその添加量、及び配向膜の種類等を選択する。また、熱可塑性樹脂のフィルムを用いる場合は、前記式（III）及び（IV）を満足する光学特性とするために、延伸処理を施すのが好ましい。例えば、熱可塑性樹脂フィルムを縦方向及び横方向に逐次二軸延伸して製造してもよい。

［偏光板］
本発明の偏光板は、偏光膜と、該偏光膜上に、前記第１光学異方層、前記第２光学異方層及び第３光学異方層をこの順に有する。偏光膜の反対側の面に、偏光膜を保護する透明保護フィルムをさらに有していてもよい。透明保護膜のレターデーションは、例えば６３２．８ｎｍにおいて１０ｎｍ以下が好ましく、５ｎｍ以下がさらに好ましい。レターデーションの低い高分子フィルムとしては、セルローストリアセテート、ゼオネックス、ゼオノア（共に日本ゼオン（株）製）、ＡＲＴＯＮ（ＪＳＲ（株）製）のようなポリオレフィン類が好ましく用いられる。
本発明の偏光板の作製方法は特に限定されず、一般的な方法で作製することができる。得られたセルロースアシレートフィルムをアルカリ処理し、ポリビニルアルコールフィルムを沃素溶液中に浸漬延伸して作製した偏光子に完全ケン化ポリビニルアルコール水溶液を用いて貼り合わせる方法がある。アルカリ処理の代わりに特開平６−９４９１５号、特開平６−１１８２３２号に記載されているような易接着加工を施してもよい。
セルロースアシレートフィルムと偏光子を貼り合わせるのに使用される接着剤としては、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール等のポリビニルアルコール系接着剤や、ブチルアクリレート等のビニル系ラテックス等が挙げられる。

前記第２及び第３光学異方層が、ポリマーフィルムからなる場合は、前記第１光学異方層であるセルロースアシレートフィルムの表面に、第２および第３光学異方層であるポリマーフィルムを、同様に接着剤等を使用して順次貼り合わせて作製することができる。例えば、偏光膜、第１、第２及び第３光学異方層を長尺状に貼り合わせて、保管・搬送等し、液晶表示装置に組み込む際に、所定の大きさに裁断してもよい。即ち、前記構成を満足する限り、長尺状の偏光板も本願発明の範囲に含まれる。

液晶表示装置には通常２枚の偏光板の間に液晶を含む基板が配置されているが、液晶表示装置の表示側最表面の偏光板保護フィルムには透明ハードコート層、防眩層、反射防止層等が設けられるため、該偏光板保護フィルムをこの部分に用いることが得に好ましい。

以下に実施例を挙げて本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、試薬、物質量とその割合、操作等は本発明の趣旨から逸脱しない限り適宜変更することができる。従って、本発明の範囲は以下の具体例に制限されるものではない。
［実施例１］
図２と同一の構成の液晶表示装置を作製した。
＜液晶セルの作製＞
液晶セル１は、セルギャップ６μｍとし、正の誘電率異方層を持つ液晶材料を基板間に滴下注入で封入し、セルの液晶層のレターデーションＲｅ値を７８０ｎｍとした。

＜上下偏光板の作製＞
各フィルムの積層角度は表示装置水平方向を基準にし、上偏光膜吸収軸の角度は４５°、同じく下偏光板偏光膜吸収軸の軸角度は−４５°、さらに上下偏光膜の保護膜（図２中不図示）はセルロースアセテートフィルムからなりＲｅ値は１ｎｍ、Ｒｔｈ値は８０ｎｍにそれぞれ設定した。上下偏光板偏光膜（図２中１４及び２４）と液晶セル（図２中１）の間に、偏光膜側から順に第１光学異方層Ａ（図２中１３及び２３）、第２光学異方層Ｂ（図２中１２及び２２）、第３光学異方層Ｃ（図２中１１及び２１）を順次配置した。第１光学異方層Ａを、そ面内の最大屈折率方向が、貼り合わせた偏光膜の透過軸に対して０°、また第２光学異方層Ｂを、面内の最大屈折率方向が、該偏光膜の透過軸に対して４５°にしてそれぞれ配置した。また、第３光学異方層Ｃを、その面内屈折率方向が、該偏光膜の透過軸に対して０°で配置した。

さらに、詳細に上下偏光板の各部材の作製方法について説明する。
《第１光学異方層Ａの作製》
（セルロースアセテート溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、攪拌して各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液Ｄを調製した。

（セルロースアセテート溶液Ｄ組成）
酢化度２．８６のセルロースアセテート １００．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ４０２．０質量部
メタノール（第２溶媒） ６０．０質量部

（マット剤溶液の調製）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子（AEROSIL R972、日本アエロジル（株）製）を２０質量部、メタノール８０質量部を３０分間よく攪拌混合してシリカ粒子分散液とした。この分散液を下記の組成物とともに分散機に投入し、さらに３０分以上攪拌して各成分を溶解し、マット剤溶液を調製した。

（マット剤溶液組成）
平均粒径１６ｎｍのシリカ粒子分散液 １０．０質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ７６．３質量部
メタノール（第２溶媒） ３．４質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １０．３質量部

（添加剤溶液の調製）
下記の組成物をミキシングタンクに投入し、加熱しながら攪拌して、各成分を溶解し、セルロースアセテート溶液を調製した。光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤については下記表４に示すものを用いた。

（添加剤溶液組成）
光学的異方性を低下する化合物 ４９．３質量部
波長分散調整剤 ７．６質量部
メチレンクロライド（第１溶媒） ５８．４質量部
メタノール（第２溶媒） ８．７質量部
セルロースアセテート溶液Ｄ １２．８質量部

（第1光学異方層Ａ（セルロースアセテートフィルム）の作製）
上記セルロースアセテート溶液Ｄを９４．６質量部、マット剤溶液を１．３質量部、添加剤溶液４．１質量部それぞれを濾過後に混合し、バンド流延機を用いて流延した。上記組成で光学的異方性を低下する化合物および波長分散調整剤のセルロースアセテートに対する質量比はそれぞれ１２％、１．８％であった。残留溶剤量３０%でフィルムをバンドから剥離し、１４０℃で４０分間乾燥させセルロースアセテートフィルムを製造した。出来あがったセルロースアセテートフィルムの残留溶剤量は０．２％であり、膜厚は８０μｍであった。作製したセルロースアセテートフィルムは、Ｒｅ（６３０）＝１．９ｎｍ、Ｒｔｈ（６３０）＝１４．９ｎｍ、｜Ｒｅ（４００）−Ｒｅ（７００）｜＝１．１ｎｍ及び｜Ｒｔｈ（４００）−Ｒｔｈ（７００）｜＝１４．７ｎｍであり、上記式（Ｉ）及び（ＩＩ）を満足するフィルムであった。

《第２光学異方層Ｂの作製》
２、２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’５，５’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と２、２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルとから合成された重量平均分子量(Mw)７万のポリイミドを、シクロヘキサノンに溶解して１０重量％のポリイミド溶液を調整した。そして上記で作製した第１光学異方層Ａの表面に該ポリイミド溶液を塗工した。そしてこの塗工膜に、送風機より熱風をあてて、前記塗工膜のポリイミドを傾斜させた。この処理の条件は、風速２０ｍ／ｓｅｃを第１光学異方層Ａの搬送方向から４５°ずらして当て、風の温度１００℃、時間５分、塗工膜表面と送風機先端との距離３０ｃｍとし、前記第１光学異方層Ａとの積層体は、ベルト上に配置して、２ｍ／ｍｉｎの速度で連続的に送り出すことによって熱風を当てた。そして、さらに１４０度で５分間加熱乾燥を行って、傾斜配向したポリイミ度を固定化させ、厚み４μのポリイミドを形成させた。

《第３光学異方層Ｃの作製》
ポリカーボネート（分子量１０万）をメチレンクロライドに溶解し２０重量％の溶液を作成した。これをスチールベルト上に流延し乾燥し、厚み斑の小さいフィルムとなし、ベルト面より剥ぎ取った。このフィルムを、ピンテンターで把持し、ピンテンター入り口のフィルム幅方向の端部を、把持幅がフィルム幅とほぼ同じになるようにしてフィルム幅方向両端を把持された状態でフィルムの幅方向に延伸した。その際にフィルム雰囲気温度を１３０℃になるように加熱しピンテンターのフィルム把持幅を段階的に拡大して１．１３倍まで延伸した。延伸終了後のフィルムを把持したままで室温まで冷却した。これを更に縦延伸工程に通膜して、延伸倍率を１．０２倍に固定し、延伸温度を１５５℃とした。フィルムを冷却工程で室温まで冷却して二軸フィルムを得た。得られたフィルムの特性値は膜厚９２μｍ、Ｒｅ＝５０ｎｍ、Ｒｔｈ＝９０ｎｍであった。

作製した偏光板二枚を、上記作製したＯＣＢ用液晶セルの上下に配置し、ＯＣＢ用液晶表示装置を作製した。作製したＯＣＢ液晶表示装置の、表示ムラ、コントラスト及び視野角を評価したところ、表示ムラは４８時間駆動させても全く認識されず、コントラスト４００、視野角特性上下左右合計３２０°を達成した。

［実施例２］
実施例１と同様にして、液晶セル、偏光膜、第１光学異方層Ａおよび第２光学異方層Ｂを作製し、第３光学異方層として、以下の方法で作製した第３光学異方層Ｄを使用した。
《第３光学異方層Ｄの作製》
ポリカーボネート（分子量１０万）をメチレンクロライドに溶解し２０重量％の溶液を作成した。これをスチールベルト上に流延し乾燥し、厚み斑の小さいフィルムとなし、ベルト面より剥ぎ取った。このフィルムを、ピンテンターで把持し、ピンテンター入り口のフィルム幅方向の端部を、把持幅がフィルム幅とほぼ同じになるようにしてフィルム幅方向両端を把持された状態でフィルムの幅方向に延伸した。その際にフィルム雰囲気温度を１３０℃になるように加熱しピンテンターのフィルム把持幅を段階的に拡大して１．１９倍まで延伸した。延伸終了後のフィルムを把持したままで室温まで冷却した。 これを更に縦延伸工程に通膜して、延伸倍率を１．０５倍に固定し、延伸温度を１５５℃とした。フィルムを冷却工程で室温まで冷却して二軸フィルムを得た。得られたフィルムの特性値は膜厚１０８μｍ、Ｒｅ＝７０ｎｍ、Ｒｔｈ＝１８０ｎｍであった。

第３光学異方層Ｃに代えて、第３光学異方層Ｄを使用した以外は、実施例１と同様にしてＯＣＢ液晶表示装置を作製して、表示ムラ、コントラスト及び視野角をそれぞれ評価した。表示ムラは４８時間駆動させても全く認識されず、コントラスト５００、視野角特性上下左右合計３２０°を達成した。

［比較例１］
＜液晶セルの作製＞
液晶セルは、セルギャップ６μｍとし、正の誘電率異方層を持つ液晶材料を基板間に滴下注入で封入し、セルの液晶層のレターデーションＲｅ値を７８０ｎｍとした。

＜上下偏光板の作製＞
各フィルムの積層角度は表示装置水平方向を基準にし、上偏光膜吸収軸の角度は４５°、同じく下偏光板偏光膜吸収軸の軸角度は−４５°、さらに上下偏光板保護膜はセルロースアセテートフィルムからなりＲｅ値は１ｎｍ、Ｒｔｈ値は８０ｎｍにそれぞれ設定した。上下偏光板偏光膜と液晶セルの間に、偏光膜側から順に、下記の方法により製造した第２光学異方層Ｅ及び第３光学異方層Ｄを配置したが、第２光学異方層Ｅは第３光学異方層Ｄ上に形成し、偏光膜に貼り合わせた。
《第２光学異方層Ｅの作製》
２、２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’５，５’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物と２、２−ビス（トリフルオロメチル）−４，４’−ジアミノビフェニルとから合成された重量平均分子量(Mw)７万のポリイミドを、シクロヘキサノンに溶解して１０重量％のポリイミド溶液を調整した。そして上記で作製した第１光学異方層Ａの表面に該ポリイミド溶液を塗工した。そしてこの塗工膜に、送風機より熱風をあてて、前記塗工膜のポリイミドを傾斜させた。この処理の条件は、風速２０ｍ／ｓｅｃを第１光学異方層Ａの搬送方向から４５°ずらして当て、風の温度１００℃、時間５分、塗工膜表面と送風機先端との距離３０ｃｍとし、前記第３光学異方層Ｄとの積層体は、ベルト上に配置して、２ｍ／ｍｉｎの速度で連続的に送り出すことによって熱風を当てた。そして、さらに１４０度で５分間加熱乾燥を行って、傾斜配向したポリイミ度を固定化させ、厚み４μのポリイミドを形成させた。

作製したＯＣＢ用液晶表示装置を作製し、表示ムラ、コントラスト、視野角を評価したところ、８時間駆動したところで表示ムラが認識された。

［実施例３］
実施例１と同様に、液晶セル、偏光膜及び第１光学異方層Ａを作製し、第２光学異方層Ｆを以下の様に作製し、第２光学異方層Ｆの面内最大屈折率方向と偏光膜の面内透過軸とが実質４５°になるように第２光学異方層Ｆを貼り合わせた。即ち、図１に示す構成と同様の液晶表示装置を作製した。
《第２光学異方層Ｆの作製》
ポリカーボネート（分子量１０万）をメチレンクロライドに溶解し２０重量％の溶液を作成した。これをスチールベルト上に流延し乾燥し、厚み斑の小さいフィルムとなし、ベルト面より剥ぎ取った。このフィルムを、ピンテンターで把持し、ピンテンター入り口のフィルム幅方向の端部を、把持幅がフィルム幅とほぼ同じになるようにしてフィルム幅方向両端を把持された状態でフィルムの幅方向に延伸した。その際にフィルム雰囲気温度を１３０℃になるように加熱しピンテンターのフィルム把持幅を段階的に拡大して１．１３倍まで延伸した。延伸終了後のフィルムを把持したままで室温まで冷却した。これを更に縦延伸工程に通膜して、延伸倍率を１．０２倍に固定し、延伸温度を１５５℃とした。フィルムを冷却工程で室温まで冷却して二軸フィルムを得た。得られたフィルムの特性値は膜厚９２μｍ、Ｒｅ＝５０ｎｍ、Ｒｔｈ＝９０ｎｍであった。

作製したＯＣＢ用液晶表示装置を作製し、表示ムラ、コントラストおよび視野角をそれぞれ評価したところ、表示ムラは４８時間駆動後も全く認識されず、コントラスト５００、視野角特性上下左右合計３２０°を達成した。

本発明によれば、温湿度によって変化する光学異方層のレターデーション変動による表示ムラが軽減されたＯＣＢ用液晶表示装置を提供することが出来る。

本発明の液晶表示装置の一実施形態の概略模式図である。 本発明の液晶表示装置の他の実施形態の概略模式図である。

符号の説明

１ 液晶セル
１１、２１ 第３光学異方層
１２、２２ 第２光学異方層
１３、２３ 第３光学異方層
１４、２４ 偏光膜

Claims (9)

1. ベンド配向モードの液晶セル及び液晶セルの両側に配置された一対の第１及び第２偏光膜を有する液晶表示装置であって、
   少なくとも前記第１偏光膜と前記液晶セルとの間に第１光学異方層及び第２光学異方層を少なくとも有し、前記第１光学異方層の面内の最大屈折率方向と前記第１偏光膜の面内透過軸とが実質的に平行または実質的に垂直に前記第1偏光膜及び前記第１光学異方層が配置されており、前記第１光学異方層が下記式（Ｉ）および（II）；
   （Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
   （II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
   ［Ｒｅ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ（λ）は波長λｎｍにおけるＲｅの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
   を満足するセルロースアシレートフィルムからなり、且つ、
   前記第２光学異方層の面内の最大屈折率方向と前記第1偏光膜の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜である液晶表示装置。
2. 下記式（III）および（IV）；
   （III）０≦｜Ｒe(630)｜≦２００
   （IV ）０≦｜Ｒｔｈ(630)｜≦５００
   [Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおけるReの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおけるReの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である］
   を満足する第３光学異方層をさらに有する請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記第１光学異方層が、フィルム膜厚方向のレターデーションＲｔｈを低下させる化合物を下記式（Ｖ）及び（VI）を満足する範囲で少なくとも一種含有するセルロースアシレートフィルムである請求項１又は２に記載の液晶表示装置。
   （Ｖ）（Ｒｔｈ（Ａ）−Ｒｔｈ（０））／Ａ≦−１．０
   （VI）０．０１≦Ａ≦３０
   ［Ｒｔｈ（Ａ）はＲｔｈを低下させる化合物をＡ％含有したフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ｒｔｈ（０）はＲｔｈを低下させる化合物を含有しないフィルムのＲｔｈ（ｎｍ）、Ａはフィルム原料ポリマーの重量を１００としたときの化合物の重量（％）である］。
4. 前記第１光学異方層が、アシル置換度２.８５〜３．００のセルロースアシレートに、Ｒｅ(λ)およびＲｔｈ(λ)を低下させる化合物を少なくとも１種、セルロースアシレート固形分に対して０．０１〜３０重量％含むセルロースアシレートフィルムである請求項１〜３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
5. 前記第２光学異方層が、非液晶性ポリマーを含有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
6. 前記第２光学異方層が、ポリアミド、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルケトン、ポリアミドイミド及びポリエステルイミドからなる群から選ばれる少なくとも一種の非液晶性ポリマーを含有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
7. 前記第２光学異方層が、縦方向及び横方向に逐次二軸延伸された熱可塑性樹脂フィルムからなる請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
8. 前記第３光学異方層が、縦方向及び横方向に逐次二軸延伸された熱可塑性樹脂フィルムからなる請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
9. ベンド配向モードの液晶セルを有する液晶表示装置に用いられる偏光板であって、少なくとも偏光膜と、該偏光膜上に、下記式（Ｉ）および（II）を満足するセルロースアシレートフィルムからなり、且つ面内の最大屈折率方向が前記偏光膜の面内透過軸と実質的に平行または実質的に垂直に配置された第１光学異方層と、
   面内の最大屈折率方向と前記偏光膜の面内の透過軸との角度が実質的に４５゜である第２光学異方層と、
   下記式（III）および（IV）を満足する第３光学異方層を有する偏光板：
   （Ｉ）０≦Ｒｅ(630)≦１０かつ｜Ｒｔｈ(630)｜≦２５
   （II）｜Ｒｅ(400)−Ｒｅ(700)｜≦１０かつ｜Ｒｔｈ(400)−Ｒｔｈ(700)｜≦３５
   （III）０≦｜Ｒe(630)｜≦２００
   （IV）０≦｜Ｒｔｈ(630)｜≦５００
   [Ｒｅ(λ)は波長λｎｍにおけるReの正面レターデーション値（単位：ｎｍ）、Ｒｔｈ(λ)は波長λｎｍにおけるReの膜厚方向のレターデーション値（単位：ｎｍ）である]。
   
   

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